【課題】高抵抗率で高品質な大口径ＳｉＣ単結晶及びその製造方法を提供する。
【解決手段】不可避的に混入する未補償不純物を原子数密度で１×１０^１５／ｃｍ^３以上、１×１０^１７／ｃｍ^３以下含有し、かつバナジウムを５×１０^１４／ｃｍ^３以上、未補償不純物濃度未満含有し、未補償不純物とバナジウムの濃度差が１×１０^１７／ｃｍ^３以下であり、ウエハとして測定した室温での電気抵抗率が５×１０^３Ωｃｍ以上である炭化珪素単結晶、及び、種結晶１を使用する昇華再結晶法により単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造法であって、昇華原料２として炭化珪素とバナジウム又はバナジウム化合物の混合物を用い、結晶成長に使用する黒鉛坩堝３の窒素含有濃度が、不活性ガス融解熱伝導度法による測定で５０ｐｐｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】４５０ｍｍ以上の大口径ウェーハの表面のみにエピタキシャル膜を成長させた際に、ウェーハの反りを低減可能で、かつ高いエクストリンシックゲッタリング能力も得られるエピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】直径が４５０ｍｍ以上、比抵抗値が０．１Ω・ｃｍ以上の大口径で高抵抗のシリコンウェーハ１１の裏面に、エクストリンシックゲッタリング層を形成したので、エピタキシャルシリコンウェーハの反りを低減でき、高いゲッタリング能力が得られる。しかも、ドーパントがウェーハ裏面から外方拡散してデバイス形成面のエピタキシャル膜へ回り込むことで生じるオートドープ現象も抑制できる。 （もっと読む）

【課題】４５０ｍｍ以上の大口径ウェーハの表面のみにエピタキシャル膜を成長させた際に、ウェーハの反りを低減可能で、かつ高いイントリンシックゲッタリング能力も得られるエピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】直径が４５０ｍｍ、比抵抗値が０．０１Ω・ｃｍ以上０．１Ω・ｃｍ未満の大口径シリコンウェーハ１１に、インゴット引き上げ時のシリコン溶融液５６への窒素導入によるイントリンシックゲッタリング構造を形成したので、エピタキシャル膜１２の成長後、シリコンウェーハ１１に大きな反りが発生しにくい。その結果、エピタキシャルシリコンウェーハ１０の反りを低減でき、しかも高いイントリンシックゲッタリング能力が得られる。 （もっと読む）

【課題】より急峻且つより安定したＳＲプロファイルを有し、且つ所望のＳＲプロファイルを有するエピタキシャルウェーハを製造することのできる技術を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の基板Ｓの直上に、基板Ｓよりも不純物濃度が低い第１層を気相成長させる第１成長工程（１ｓｔ Ｇｒｏｗｔｈ工程）と、第１層よりも上に第２層を気相成長させる第２成長工程（２ｎｄ Ｇｒｏｗｔｈ工程）とを有するエピタキシャルウェーハの製造方法において、第１成長工程を常圧ＡＰ以下の第１圧力ＲＰ下で実行し、第２成長工程を第１圧力ＲＰ以上の第２圧力ＡＰ下で実行するとともに、ドーパントガスの反応炉内への流量を制御するＭＦＣ１３、１５、１６の流量を時間に対して比例的に変化させるようにする。 （もっと読む）

より高い不純物濃度のアルカリ金属を保有する六方晶系ウルツ鉱基板を使用することによって、低い不純物濃度のアルカリ金属を伴う六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層を得る方法であって、エピタキシャル層がその上に成長させられる基板の表面は、ｃ面とは異なる結晶面を有する方法。本発明の１つ以上の実施形態による、六方晶系ウルツ鉱基板上に成長させられる六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層は、六方晶系ウルツ鉱基板中のアルカリ金属の不純物濃度よりも低い、六方晶系ウルツ鉱型層中のアルカリ金属の不純物濃度を有し、六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層は、ｃ面とは異なる結晶面を有する六方晶系ウルツ鉱基板の表面上に成長させられる。
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【課題】高い結晶性を維持し、かつ低いコストを維持するＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材、エピタキシャルウエハ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材の製造方法は、異種基板１１を準備する工程と、異種基板１１上に、主表面を有するＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層を成長させる工程とを備えている。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層における主表面に位置する組成比ｘ＋ｖは、０＜ｘ＋ｖ＜１である。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面から主表面に向けて組成比ｘ＋ｖが単調増加または単調減少する。Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面の組成比ｘ＋ｖは、主表面の組成比ｘ＋ｖよりも異種基板１１の材料に近い。 （もっと読む）

【課題】高密度のゲッタリングサイトが形成された基板上に良質のエピタキシャル層を形成することができるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】エピタキシャルウェーハの製造方法であって、少なくとも、シリコン単結晶基板の表面に有機膜を形成する工程と、該有機膜を通してイオン注入することによって前記シリコン単結晶基板にイオン注入層を形成する工程と、前記有機膜を除去する工程と、前記有機膜を除去された表面上にエピタキシャル層を形成する工程とを有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶性が改善され、高輝度且つ長時間安定動作が可能な半導体発光素子及びその製造方法、エピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】 キャリア濃度が３×１０^１７乃至１×１０^１８ｃｍ^−３の範囲のＧａＰ基板と、第１の面側が前記ＧａＰ基板に対して接着された接着層と、前記接着層の前記第１の面側と対向する第２の面側に形成され、前記接着層との間の格子のずれが前記ＧａＰ基板と前記接着層との間の格子のずれより小さく、前記ＧａＰ基板を透過する光を放出可能な発光層を含む上部成長層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子及びその製造方法、エピタキシャルウェーハが提供される。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物の結晶体の基板を製造する際における剥離バッファー層をエッチングするための時間を短縮する方法を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、下地基板の上にバッファー層を形成するバッファー層形成工程Ｓ１と、バッファー層の上に、バッファー層の一部を覆うマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程Ｓ２と、バッファー層及びマスクパターンを覆うように、ＩＩＩ族窒化物の結晶体を成長させる成長工程Ｓ５と、マスクパターンの第１のエッチャントを用いてマスクパターンを選択的にエッチングすることにより、バッファー層の第２のエッチャントを供給するための経路を形成する経路形成工程Ｓ６と、経路を介して第２のエッチャントを供給してバッファー層を選択的にエッチングすることにより、結晶体を下地基板から分離する分離工程Ｓ７とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造ロット内におけるデバイス特性のばらつきが小さい半導体デバイスおよびその製造方法を提供するとともに、この半導体デバイスの製造に適したＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１２は、ＩＩＩ族元素からなる原子面が凸状となる反りを有し、かつ反り比が１×１０^-3以下である。ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス１０は、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１２と、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１２上に形成されている１層以上のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層４０とを含む。ＩＩＩ族窒化物半導体デバイス１０の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１２上に、１層以上のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層４０を成長させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用の基板として好ましく用いられ得るように結晶を破壊することなく直接かつ確実に評価された結晶表面層を有する窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板および半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本窒化物結晶基板は、窒化物結晶の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶の表面からのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶の表面層の均一歪みが０．３×１０^-3以上２．１×１０^-3以下であることを特徴とする窒化物結晶で形成されており、直径が５０ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハにおいて、少なくともデバイス特性に悪影響を及ぼさない高品質なエピタキシャル表面品質を得るために、エピタキシャルウェーハ用として最適な低COPの基板を効率よく製造でき、高品質エピタキシャルウェーハを歩留りよく製造できる製造方法の提供。
【解決手段】炭素濃度を０．３×１０^１６〜３．２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ （ＮＥＷ ＡＳＴＭ）の範囲に添加、制御させることによって、ＣＯＰの発生が低減、抑制され、特に、その後のエピタキシャル成長によっても消滅し難い０．１３０μｍ以上のＣＯＰの発生を頭著に低減、抑制でき、従来の結晶の生産性低下を招く低速引き上げを行うことなく、COP発生を低減抑制できる。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を抑制して厚いＧａＮ結晶を成長させることが可能なＧａＮ結晶の製造方法およびＧａＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮ種結晶基板１０上にＧａＮ結晶２０を成長させる方法であって、ＧａＮ種結晶基板１０の熱膨張係数がＧａＮ結晶２０に比べて大きくなるような第１のドーパントを含むＧａＮ種結晶基板１０を準備する工程と、ＧａＮ種結晶基板１０上に厚さ１ｍｍ以上のＧａＮ結晶２０を成長させる工程を含む。 （もっと読む）

化合物半導体ナノロッドとシリコンワイヤーが接合された多重構造のナノワイヤー及びその製造方法を提供する。多重構造のナノワイヤーの製造方法は、化合物半導体のナノロッドを提供する段階と、ナノロッドの両端に触媒チップを形成する段階と、記触媒チップが形成されたナノロッドの両端にシリコンナノワイヤーを成長させる段階とを含む。
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【課題】発光層への光の閉じ込めを向上すると共にクラックの発生を低減する構造を有しIII族窒化物半導体基板を用いる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１１では、発光層１５は、III族窒化物半導体基板１３の主面１３ａ上に設けられおり、またIII族元素として少なくともインジウムを含む窒化ガリウム系半導体からなる。ＡｌＧａＮクラッド層１７は、III族窒化物半導体基板１３と発光層１５との間に設けられている。ＡｌＧａＮクラッド層１７は、第１のＡｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ（０＜Ｘ１＜１）層１９および第２のＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ（Ｘ１＜Ｘ２）層２１とを含む。第２のＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ層２１は、III族窒化物半導体基板１３と発光層１５との間に位置している。第１のＡｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ層１９は、第２のＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ層２１とIII族窒化物半導体基板１３との間に位置する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温下で安価に、生産性よく結晶性シリコン薄膜を形成できるシリコン薄膜形成方法を提供する。リーク電流が低く抑制された薄膜トランジスタ用の基板を得ることができるシリコン薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】基板Ｓを水素を含む水素結合処理用ガスのプラズマに曝してのち、該基板に結晶性シリコン薄膜を形成するシリコン薄膜形成方法。基板Ｓとして膜形成対象面が基板本体上に形成された窒素含有ゲート絶縁膜である基板を採用して、電子移動が高く、オフ電流が小さい薄膜トランジスタを提供できる基板を得ることができる。 （もっと読む）

無極性のＩＩＩ族窒化物発光ダイオードおよびレーザ・ダイオードの特性改良を達成するデバイス成長とｐ電極処理の方法が開示される。重要な点は、低欠陥密度の基板またはテンプレート、厚い量子井戸、低温ｐ型ＩＩＩ族窒化物成長技術、及び電極用に透明な伝導性酸化物を用いることである。
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【課題】本発明は、炭化珪素単結晶基板上に高品質で基底面転位の少ない炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板上に、表面での基底面転位密度が10²/cm²以下である炭化珪素単結晶薄膜を有することを特徴とするエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及び、その製造方法で、上記炭化珪素単結晶薄膜をエピタキシャル成長で形成する際に、成長装置内でエピタキシャル成長を1回以上中断する。 （もっと読む）

【課題】高効率発光により高出力発光を実現することができる、窒化物半導体を用いた発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１と、そのＧａＮ基板１の第１の主表面の側に、第１導電型のＡｌx1Ｇａ1-x1Ｎ層（０≦ｘ1≦１）を形成し、前記第１導電型のＡｌx1Ｇａ1-x1Ｎ層の上に、ＩｎＡｌＧａＮ４元混晶を含んだ発光層を形成し、さらに、前記発光層の上に第２導電型のＡｌx2Ｇａ1-x2Ｎ層（０≦ｘ2≦１）とを形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイス製造の熱応力に極めて強く、ウェーハの塑性変形あるいはウェーハ割れを抑制するシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】 シリコンエピタキシャルウェーハ１０は、下地シリコンウェーハ１１とその表面に形成されたエピタキシャル層１２を有する。ここで、下地シリコンウェーハ１１は、高濃度のドーパントを含有する単結晶シリコンバルク部１１ａと、該単結晶シリコンバルク部１１ａより抵抗率の高い単結晶シリコン表面部１１ｂおよび単結晶シリコン裏面部１１ｃから構成される。このようにして、例えば、フラッシュランプアニール、レーザスパイクアニール等の低サーマルバジェットの熱処理において、その熱応力起因のスリップ転位発生あるいはウェーハ割れ等は安定して大幅に抑制される。 （もっと読む）