【課題】炉内端子部付近の発熱体の温度低下を防ぎ、発熱体全周に亘って温度の均一性を向上させる。
【解決手段】円筒型に形成された断熱壁４１と、前記断熱壁に囲まれた基板を処理する円筒型処理室と、前記処理室と前記断熱壁との間に設けられて前記処理室を加熱する螺旋巻き状の発熱体４５とを備え、前記発熱体は、その一部が前記断熱壁を貫通するとともに、該断熱壁の内部の途中から、端子部として断面積を大きくして外部に引き出されることで、前記端子部を介して供給される電力によって前記断熱壁の内部の途中まで前記発熱体を発熱させ、前記断熱壁の内壁面における前記発熱体の温度低下を抑制する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中の欠陥を低減する半導体装置の製造方法及び基板処理装置システムを提供する。
【解決手段】金属膜としてのTiN膜及び絶縁膜としてのZrO₂膜が形成されたウエハを処理室へ搬入し、この処理室にZrO₂膜を改質する改質ガスとしてO₂を供給し、このウエハに電磁波を照射することにより、ZrO₂膜を構成する双極子を励起してZrO₂膜を改質し、ウエハを処理室から搬出する。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法により成膜を行う半導体デバイスの製造方法であって、Ｎａによる基板の汚染を低減できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、基板を収容する処理室に、第１の処理ガス及び第２の処理ガスを互いに混合させないように、それぞれの処理ガスの供給と排出を交互行って、前記基板の表面に膜を生成する基板処理工程と、前記処理室に前記第１の処理ガス及び前記第２の処理ガスを共に供給して、前記処理室の内壁表面にコーティング膜を形成するコーティング膜形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の温度を精度良く目標温度まで収束させ、かつ収束時間を短縮することができる熱処理装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】熱処理装置１は炉本体５と、炉本体５内周面に設けられたヒータ１８Ａと、炉本体５内に配置された処理容器３と、炉本体５に接続された冷却媒体供給ブロア５３および冷却媒体排気ブロア６３と、処理容器３内に設けられた温度センサ５０とを備えている。温度センサ５０からの信号が制御装置５１のヒータ出力演算部５１ａに送られる。ヒータ出力演算部５１ａにおいて、設定温度決定部５１ｃで求められた設定温度Ａと温度センサ５０からの温度に基づいて、ヒータ１８Ａのみで温度調整した場合のヒータ出力が求められる。ブロア出力演算部５１ｂはヒータ出力に基づいてブロア出力を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】移載室内のエア滞留発生を抑制して、移載室内における確実なエアフロー形成を実現する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、基板を保持した状態で処理室内に対して搬入出される基板保持体と、未処理基板を基板保持体に保持させるチャージ動作および処理済基板を基板保持体から取り出すディスチャージ動作が行われる移載室と、移載室内にクリーンエアを吹き出すクリーンユニットと、を備えた基板処理装置において、クリーンユニットを、平面多角形状に構成された移載室内における角部に配設する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の温度を精度良く目標温度まで収束させ、かつ収束時間を短縮することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１は炉本体５と、炉本体５内周面に設けられたヒータ１８Ａと、炉本体５内に配置された処理容器３と、炉本体５に接続された冷却媒体供給ブロア５３および冷却媒体排気ブロア６３と、処理容器３内に設けられた温度センサ５０とを備えている。温度センサ５０からの信号が制御装置５１のヒータ出力演算部およびブロア出力演算部に送られる。ヒータ出力演算部において、ヒータ出力用数値モデルおよび温度センサ５０からの信号に基づいて、ヒータ出力が求められる。ブロア出力演算部において、ブロア出力用数値モデルおよび温度センサ５０からの信号に基づいて、ブロア出力が求められる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長装置におけるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】反応室内に載置された被処理基板にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する成膜工程と、前記成膜工程において前記反応室内に設けられる部材に堆積したＳｉＣ膜を改質するために第１のガス（例えば塩素系ガス）を供給する改質工程と、前記改質工程において改質された堆積膜を除去するために前記第２のガス（例えばフッ素系ガス、酸化ガス、水素ガス）を供給する除去工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ドープされる元素の濃度と成長速度とのバッチ間均一性が良好な膜を作製することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】製品基板に対して処理を行うステップと、反応炉内に処理後の製品基板を収容した状態で、反応炉内への不活性ガスの供給と反応炉内の排気とを含むサイクルを１回以上行うことで、反応炉内の圧力を変化させて反応炉内に対し第１パージを行うステップと、反応炉内から処理後の製品基板を取り出した状態で、反応炉内への不活性ガスの供給と反応炉内の排気とを含むサイクルを１回以上行うことで反応炉内の圧力を変化させて反応炉内に対し第２パージを行うステップと、を有し、第２パージにおける反応炉内の圧力変化量を、第１パージおける反応炉内の圧力変化量よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の構成を複雑化させることなく、モフォロジーの良好な膜を形成可能で、かつ成膜装置の稼働効率を向上可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜原料堆積チャンバー１７内において、半導体基板２８の表面に、成膜原料を溶媒中に溶解させることで形成される液状の成膜原料液を供給し、成膜原料液に含まれる溶媒を液体から気体に相変化させることにより、溶媒中に溶解している成膜原料を半導体基板２８の表面に堆積させ、その後、成膜原料堆積チャンバー１７とは異なる反応チャンバー１８内において、加熱或いは反応試薬の添加により、半導体基板２８の表面に形成された成膜原料を反応させることで、半導体基板２８の表面に膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 クリーニング処理時間を短く、クリーニング後の残留物が処理室に残らないようにする。
【解決手段】 耐熱性非金属部材で構成された反応管内で基板上に薄膜を形成した後の反応管内の温度を第１の温度とし、反応管内にクリーニングガスを供給して、反応管内壁に付着した薄膜を含む付着物を除去する工程と、付着物除去後の反応管内の温度を第１の温度以上の第２の温度とし、反応管内にクリーニングガスを供給して、反応管内壁の表面に残留した残留物を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハボートに棚状に積載された複数の基板の各々に対して側方側から処理ガスを供給して反応管内において熱処理を行うにあたり、処理ガスの有効利用を図ると共に、装置のコストを低減すること。
【解決手段】保持板３１の各々の上面側に基板載置領域３３を周方向に複数箇所に形成して、これら保持板３１を周縁側から周方向に亘って複数箇所において支柱３２によって支持すると共に、保持板３１上に支持されるウエハＷの上面と当該ウエハＷの上方側に対向する保持板３１の下面との間の間隔寸法ｋよりも保持板３１の外縁と内管１２ｂの内壁との間の離間寸法ｔの方が小さくなるように、保持板３１の外縁よりも内側寄りの位置に各々の支柱３２を配置する。そして、ウエハＷの各々の側方側のガス吐出口５２から、各々のウエハＷに対して処理ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】空隙の発生を抑制しつつ、迅速に開口を埋め込むことができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】Siからなる金属膜２０２上に絶縁膜２０４が形成されたウエハ１２であって、絶縁膜２０４の一部に開口部２０６が形成されこの開口部２０６に金属膜２０２が露出したウエハ１２を処理室１０６内へ搬送し処理室１０６内へ少なくともDCSとCl₂とを供給してウエハ１２の金属膜２０２上に選択的に第１のSi膜２５２を形成し、処理室１０６内へ少なくともDCSを供給してウエハ１２の絶縁膜２０４及び第１のSi膜２５２上に第２のSi膜２５４を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｌ型ガスノズルを設置する際にガスノズルが破損するリスクを低減し、ガスノズルの設置が容易な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置を、複数の基板をＹ方向に積層して処理する反応容器と、反応容器の側壁をＹ方向と垂直なＸ方向に貫通して設けられるガス導入ポートと、Ｘ方向に延在するＸ部とＹ方向に延在するＹ部とを有し反応容器内からガス導入ポート内にＸ部がＸ方向に挿入されＸ部とＹ部を貫通する第１ガス流路が設けられる第１ガス流路部と、反応容器内で第１ガス流路部のＹ部に接続されＹ方向に貫通する第２ガス流路が設けられる第２ガス流路部と、反応容器の内壁からＸ方向に突出して設けられＹ方向の第３ガス流路を有し第２ガス流路部に接続される第３ガス流路部と、第３ガス流路部に支持されＹ方向の第４ガス流路が設けられるとともにガスを基板に対して供給するガス供給口が設けられた第４ガス流路部とから構成する。 （もっと読む）

【課題】反応管下部周囲に設置されるガスノズルや熱電対等の石英部品と干渉することがなく、取り付けや取り外しが容易な耐震構造を実現する基板処理装置を提供する。
【解決手段】下端が開放された筒状であって内部に基板を収容して処理する反応容器と、反応容器の下端が開放された状態を保ちつつ前記反応容器の外方向から下端部まで水平に延在し、反応容器の下端部を下方から支持する支持部と、該支持部に固定され反応容器の揺れを抑制するための固定具とを備え、反応容器は、反応容器の下端部内壁に内方向に突出して設けられる内側鍔部、若しくは、前記反応容器の下端側壁を内から外へ貫通して形成される貫通口を有し、固定具は、支持部の下側に固定されるとともに支持部の下側から前記内側鍔部の側方及び上方まで延在するか、若しくは、支持部の下側に固定されるとともに支持部の下側から反応容器の内壁及び貫通口内部まで延在するよう、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】反応容器のメンテナンス処理を削減しつつ、反応容器に収納できる基板の枚数を増やす。
【解決手段】処理炉２０２内のボート２１７の外周側に、各ウェハ２００の積載方向に延在し、かつ各ウェハ２００の周方向に所定の間隙を成すよう複数のカーボン支柱２３４を設け、各カーボン支柱２３４を誘導加熱装置２０６で誘導加熱し、各カーボン支柱２３４からの輻射熱で各ウェハ２００を加熱するようにした。よって、基板処理装置１０１をコールドウォール方式としつつ、処理炉２０２内に収納できるウェハ２００の枚数を増やすことができる。ホットウォール方式の基板処理装置に比して、処理炉２０２の内部全体を処理温度に昇温しなくて済むので、アウターチューブ２０５の内壁等に半導体膜が形成されるのを抑制して、ひいては処理炉２０２のメンテナンス処理を削減できる。 （もっと読む）

【課題】処理室から搬出される基板保持具から基板を搬送する搬送機構の電装部が高温になるのを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハを保持するボートと、このボートに保持されたウエハを処理する処理室と、この処理室からボートが搬出される移載室と、この移載室に設けられ、ボートに保持されたウエハを搬送するウエハ搬送機構と、を有し、ウエハ搬送機構は、ウエハを搬送するウエハ移載装置を昇降させる昇降部に動力を伝える動力部と、この動力部の電気的回路を形成する電装部と、この電装部を冷却する冷却装置と、を有する。 （もっと読む）

【課題】バッチ式縦型のＳｉＣ成膜装置においては、成膜工程のスループットを向上させることが困難である課題があった。
【解決手段】複数のウェハ（１４）を保持するボート（３０）と、ボートに保持された複数のウェハの側面から反応ガスを供給する反応ガス供給部とを有する成膜装置に用いられるウェハホルダであって、ウェハホルダは、ボートに保持された際にウェハの上面を覆うように載置され、ウェハの裏面への反応ガスの流入を抑止するようにウェハの周囲を囲うように設けられたガス流入抑止部を有するウェハホルダ上（１００）を具備するウェハホルダを提供することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス時に塩化水素発生の原因となる不安定な塩素含有化合物が排気管等に残留することを抑制できる窒化シリコン膜のＣＶＤ技術を提供する。
【解決手段】処理室２０４内に基板２００を搬入する基板搬入工程と、シリコンおよび塩素を含有する第１の処理ガス２４０ａと窒素を含有する第２の処理ガス２４０ｂと、を処理室内の雰囲気中において窒素原子よりもシリコン原子が多くなるように前記処理室２０４内へ供給しつつ、前記処理室２０４内の第１および第２の処理ガスを含む雰囲気を排気ライン２２７から排気して前記基板２００上にシリコン窒化膜を形成する成膜工程と、該成膜工程中に、窒素を含有する第３（第２）の処理ガスを前記排気ライン２２７へ供給し、前記排気ライン２２７内に存在する前記第１の処理ガスと反応させる窒素供給工程と、から構成する。 （もっと読む）

【課題】一度に処理できる基板の枚数を増加させたコールドウォール型の基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理炉２０２内に複数のウエハ２００を積載したボート２１７を配置し、該ボート２１７の外周側に、リング状に形成されたリング状プレート３１１をリングボート３１２により支持して、前記ウエハ２００の積載方向に複数並べて配置する。前記リング状プレート３１１を誘導加熱装置２０６で誘導加熱し、その輻射熱により前記ウエハ２００を外周縁全体から加熱する。前記リング状プレート３１１の外周側にガス供給ノズル２３２を配置し、該ガス供給ノズル２３２のガス供給口２３２ａから吐出されたガスを、隣り合う複数の前記リング状プレート３１１の間の隙間部分を通して前記ウエハ２００に供給する。 （もっと読む）

【課題】反応容器を大型化すること無く、ノズルでのガスの加熱効率を向上させる。
【解決手段】ガス供給ノズル３００は、ウェハ２００の周方向に延在する第一延在部３２１，第三延在部３２３および第五延在部３２５と、ウェハ２００の積載方向に延在する第一延在部３２１，第二延在部３２２，第四延在部３２４および第六延在部３２６とを備える。従前のように処理炉を大型化すること無く、アウターチューブとインナーチューブとの間の間隙に、ガス供給ノズル３００を省スペースで配置できる。ガス供給ノズル３００のガスが流通する経路を長くして、各サセプタ２１８の輻射熱によりガス供給ノズル３００内のガスを充分に加熱できるので、ガスの加熱効率を向上させて各ウェハ２００上でのスリップの発生やヘイズの発生等を抑制できる。 （もっと読む）