【課題】低温下で、面間方向での膜厚均一性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して反応管２内をロード温度に加熱した後に反応管２内に半導体ウエハＷを収容する。次に、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して半導体ウエハＷを収容した反応管２内を成膜温度に加熱した後、処理ガス導入管１７から反応管２内に成膜用ガスを供給して半導体ウエハＷに薄膜を形成する。また、制御部１００は、ロード温度を成膜温度よりも高い温度に設定する。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＮ膜の上部に形成するＴｉＯ膜の少なくとも一部の結晶構造をブルッカイト型構造又はルチル型構造とし、ＴｉＯ膜の誘電率を高める。
【解決手段】ジルコニウム酸化膜の膜厚を制御することにより、ジルコニウム酸化膜の少なくとも一部の結晶構造を立方晶系構造又は正方晶系構造とし、これにより、チタン酸化膜の少なくとも一部の結晶構造をブルッカイト型構造又はルチル型構造とする。 （もっと読む）

【課題】 ＨＦ系溶液に対するエッチングレートが小さいシリコン窒化膜を、成膜温度を上げることなく形成する。
【解決手段】 処理室内に収容された基板上に薄膜を形成する基板処理方法であって、Ｃｌ元素を含有する第１の処理ガスを処理室内に供給する第１の工程と、不活性ガスを処理室内に供給して処理室内から第１の処理ガスを排出させる第２の工程と、第２の処理ガスを処理室内に供給して基板上に薄膜を生成する第３の工程と、不活性ガスを処理室内に供給して処理室内から第２の処理ガスを排出させる第４の工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを所定回数繰り返し、第２の工程では、処理室内から第１の処理ガスを排出させた後も不活性ガスを処理室内に引き続き供給する。 （もっと読む）

【課題】 トレンチの微細化がさらに進展しても、トレンチの内部に、膨張可能な膜及び酸化障壁となる膜を形成することが可能なトレンチの埋め込み方法を提供すること。
【解決手段】 トレンチ内部に酸化障壁膜の形成工程（ステップ３）、酸化障壁膜上に膨張可能な膜の形成工程（ステップ４）、焼成することで収縮する埋め込み材でトレンチを埋め込む工程（ステップ５）、埋め込み材の焼成工程（ステップ６）と、を含み、ステップ３の工程が、アミノシラン系ガスを供給して、トレンチの内部に第１のシード層を形成する工程（ステップ３１）、第１のシード層上に窒化シリコン膜を形成する工程（ステップ３２）と、を含み、ステップ４の工程が、アミノシラン系ガスを供給して、窒化シリコン膜上に第２のシード層を形成する工程（ステップ４１）と、第２のシード層上にシリコン膜を形成する工程（ステップ４２）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 耐震対応縦型炉及びその稼働方法に関し、小規模な機構により大きな振動に対する耐震性を向上させる。
【解決手段】 ヒーターユニット受けに振動時にヒーターユニットを浮上させるガス浮上機構を設け、ボートユニット受けに振動時にボートユニットを浮上させるガス浮上機構を設けるとともに、ヒーターユニットの上部に、ヒーターユニットの横方向の揺れを制御する磁気的揺れ制御機構を備える。 （もっと読む）

【課題】一度に処理する基板の枚数を増大させ、ＧａＮのエピタキシャル膜の生産性を向上させることができる膜の形成方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する搬入工程と、前記処理室内にガリウム塩化物ガスを供給する第１ステップと、前記処理室から前記ガリウム塩化物ガスをパージする第１パージステップと、前記第１パージステップの後に前記処理室内にアンモニアガスを供給する第２ステップと、前記処理室から前記アンモニアガスをパージする第２パージステップとを有する初期膜形成工程と、前記初期膜形成工程の後に、前記処理室内に前記ガリウム塩化物ガスと前記アンモニアガスを同時に供給し、エピタキシャル膜を形成するエピ膜形成工程とによりＧａＮ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】カーボン膜上に酸化物膜を形成しても、カーボン膜の膜厚減少を抑制することが可能な、カーボン膜上への酸化物膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体上にカーボン膜を形成する工程（ステップ１）と、前記カーボン膜上に被酸化体層を形成する工程（ステップ２）と、前記被酸化体層を酸化させながら、該被酸化体層上に酸化物膜を形成する工程（ステップ３）と、を具備する。前記ステップ２において、前記カーボン膜上にアミノシラン系ガスを供給しながら被処理体を加熱してシード層を形成し、続いて、前記シード層上にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給しながら被処理体を加熱する事で、前記被酸化体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化力が強い酸素含有ガスを用いて金属酸化膜を形成する際に、下地の電極の酸化を抑制する。
【解決手段】処理室内に少なくとも１種類の金属含有ガスを供給した後に排気して電極６１０上に前記金属含有ガスの吸着層を形成するステップの後に、前記処理室内に第１の酸素含有ガスを供給するステップを実施することで電極６１０の直上に第１の金属酸化層５１０を形成する工程と、続いて、前期処理室内に前記金属含有ガスを供給した後に排気して第１の金属酸化層５１０上に前記金属含有ガスの吸着層を形成するステップの後に、前記処理室内に前記第１の酸素含有ガスよりも酸化力が強い第２の酸素含有ガスを供給を供給するステップを実施することで第１の金属酸化層５１０上に第２の金属酸化層５６０を形成する工程と、をこの順に実施する。 （もっと読む）

【課題】芳香族酸二無水物と芳香族ジアミンとの熱重合反応により成膜されるポリイミド膜の成膜速度を一定にすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器６０内で基板を保持する基板保持部４４と、基板保持部４４に保持されている基板を加熱する基板加熱部６２と、成膜容器６０内に設けられるとともに、第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給するための供給孔７５が形成された、供給管７３ａを含み、供給孔７５を介して成膜容器６０内に第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給する供給機構７０と、基板保持部４４と基板加熱部６２と供給機構７０とを制御する制御部９０とを有する。制御部９０は、供給機構７０により第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給するとともに、基板加熱部６２により、基板保持部４４に保持されている基板を、熱重合反応が生ずる温度範囲に加熱することによって、ポリイミド膜の成膜速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをより低減して、爆発に起因する装置の損傷等を確実に防止する。
【解決手段】収納筐体２９０と包囲部材２８０との間の間隙ＳＰ３と、包囲部材２８０と処理炉２０２との間の間隙ＳＰ４とに不活性ガスを供給し、間隙ＳＰ４の不活性ガスは直接的に接続孔２８４を介して不活性ガス排出管２９１に到達し、間隙ＳＰ３の不活性ガスは包囲部材２８０の開口部２８３を介して包囲部材２８０の内側に回り込んで接続孔２８４から不活性ガス排出管２９１に到達する。これにより、不活性ガスを収納筐体２９０の隅々まで行き渡らせて、ヒータ室ＨＲ内に漏れた処理ガスを滞留させること無く略完全に希釈して外部に排出させることができる。よって、処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをより低減して、爆発に起因する基板処理装置１０１の損傷等を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 高温領域において、膜中の水素濃度が低く、膜厚均一性が良好であり、リーク電流の少ない窒化膜を形成する。
【解決手段】 加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理容器内に酸化膜が形成された基板を収容し原料ガスを供給して酸化膜上に所定元素含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理容器内に窒素含有ガスを供給して所定元素含有層を窒化層に変化させる工程とを、その間に処理容器内に不活性ガスを供給してパージする工程を挟んで交互に繰り返して酸化膜上に窒化膜を形成する工程を有し、所定元素含有層を形成する工程では、原料ガスを基板の側方に設けられたノズルを介して供給する際、ノズルを介して不活性ガスまたは水素含有ガスを供給し、基板と平行に流れる原料ガスの流速を、処理容器内をパージする工程において基板と平行に流れる不活性ガスの流速より大きくする。 （もっと読む）

【課題】基板の面内における原料ガスの供給量を均一にし、成膜される膜の膜質を一定にすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器６０内で基板を水平面内で回転可能に保持する基板保持部４４と、供給孔７５が形成された供給管７３ａを含み、供給孔７５を介して成膜容器６０内に原料ガスを供給する供給機構７０と、排気孔８３が形成された排気管８２を含み、排気孔８３を介して成膜容器６０内からガスを排気する排気機構８０と、基板保持部４４と供給機構７０と排気機構８０とを制御する制御部９０とを有する。供給孔７５と排気孔８３とは、基板保持部４４に保持されている基板を挟んで互いに対向するように形成されている。制御部９０は、基板保持部４４に保持されている基板を回転させた状態で、供給機構７０により原料ガスを供給するとともに排気機構８０によりガスを排気することによって、基板に膜を成膜するように制御する。 （もっと読む）

【課題】 間隙部内を排気する排気装置が停止した場合であっても、反応容器と蓋体と間の気密性を維持する。
【解決手段】 少なくとも一端に開口部を有し、反応容器の開口部を蓋する蓋体と、反応容器と蓋体との間に設けられる密閉部材と、反応容器と蓋体と密閉部材とで取り囲まれ、内部を減圧状態に維持可能に構成される間隙部と、間隙部に接続される第１排気管と、第１排気管に接続され、内部を減圧状態に維持可能に構成されるタンクと、タンクに接続される第２排気管と、第２排気管に設けられる第１バルブと、第２排気管に第１バルブを介して接続される排気装置と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置内で実際に要した搬送時間を群管理装置の側で把握することが可能な基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板収容器を搬送する搬送部及び搬送部の動作を制御する制御部を有した基板処理装置と、基板処理装置に接続される群管理装置と、を備える基板処理システムであって、制御部は、搬送部による基板収容器の搬送に要する搬送時間を基板収容器毎に検知する検知手段と、検知手段が検知した搬送時間を群管理装置に通知する通信手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】一度に処理する基板の枚数を増大させ、ＧａＮのエピタキシャル膜の生産性を向上させることができる膜の形成方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する搬入工程と、前記処理室内にガリウム塩化物ガスを供給する第１ステップと、前記処理室から前記ガリウム塩化物ガスをパージする第１パージステップと、前記第１パージステップの後に前記処理室内にアンモニアガスを供給する第２ステップと、前記処理室から前記アンモニアガスをパージする第２パージステップとを有する初期膜形成工程と、前記初期膜形成工程の後に、前記処理室内に前記ガリウム塩化物ガスと前記アンモニアガスを同時に供給し、エピタキシャル膜を形成するエピ膜形成工程とによりＧａＮ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ウィンドウ特性の向上とリテンション特性の向上とを同時に図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に、トンネル酸化膜、チャージトラップ膜、ブロッキング酸化膜、ゲート電極が、下側からこの順で形成された積層構造を有する半導体装置を製造する方法であって、前記ブロッキング酸化膜を形成する工程が、前記チャージトラップ膜上に結晶質膜を形成する結晶質膜形成工程と、前記結晶質膜の上層にアモルファス膜を形成するアモルファス膜形成工程とを具備し、前記結晶質膜形成工程と、前記アモルファス膜形成工程とを同一の処理容器内で連続的に行う。 （もっと読む）

【課題】電極を縮みにくくし、パーティクルの発生を抑制して、処理される基板の品質を均一なものとすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を積層して収容する処理室と、前記処理室の外周に設けられ、前記基板が積層された高さ領域を加熱する加熱ユニットと、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給ユニットと、前記処理室内の雰囲気を排気するガス排気ユニットと、前記処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される少なくとも一対の電極と、前記一対の電極のそれぞれを、少なくとも一箇所が曲がった状態で収納する収納管と、を備え、前記電極は、金属からなる芯線と、該芯線により折曲可能であるように複数個が連結され、前記基板が積層された高さ領域に対応する位置に設けられた第一の管体と、前記芯線により折曲可能であるように複数個が連結され、前記基板が積層された高さ領域より低い位置に設けられた石英からなる第二の管体と、から構成される。 （もっと読む）

【課題】レンズの反射を抑制することが可能な酸化膜を低温下で形成する。
【解決手段】基板に形成されたレンズの上に、第１元素を含む第１原料、第２元素を含む第２原料、酸化剤および触媒を用いて空気の屈折率より大きく、レンズの屈折率より小さい屈折率を有する下層酸化膜を形成する下層酸化膜形成工程と、下層酸化膜の上に、第１原料、酸化剤および触媒を用いて空気の屈折率より大きく、下層酸化膜の屈折率より小さい屈折率を有する上層酸化膜を形成する上層酸化膜形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】副次的問題を発生させることなく、膜品質を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を収容する処理室と、前記基板を積層して支持する基板支持具と、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記ガス供給手段を制御する制御部と、を有し、前記ガス供給手段は、前記複数の基板間に開口する複数のガス供給孔と、前記処理ガスを紫外線光により活性化する紫外線照射部を有する前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って立設するノズルであって、前記制御部は、前記ガス供給孔から紫外線光とともに前記処理ガスを前記複数の基板間に供給して該処理ガスを励起するよう前記ガス供給手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】発熱体端部のペスト現象による寿命の低下を防止する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ１０５を処理する処理室と、処理室内のウエハ１０５を加熱する加熱装置とを備えており、加熱装置は処理室を覆う断熱体１０７と、断熱体１０７の内周面に設けられた二珪化モリブデンからなる発熱体１０８と、断熱体１０７外に引き出された発熱体１０８の端部を囲繞するカバー８４と、カバー８４内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給装置８７とを有し、断熱体１０７には不活性ガスを供給する不活性ガス供給ライン１２２が接続されている。カバー内に不活性ガスを供給することにより、発熱体の端部における低温領域のペストによる寿命の低下を防止することができる。 （もっと読む）