【課題】不活性ガスの使用量を大幅に削減し、冷却効率も向上させることが可能なローディングユニットを提供する。
【解決手段】基板Ｗを複数枚保持した基板保持具５６を処理容器４６に対して昇降させるローディングユニット１６において、ローディング用筐体６８と、基板保持具を昇降させる昇降エレベータ機構６６と、処理容器の開口部を閉じるシャッタ部８６と、基板の移載を行うための基板移載機構７２と、昇降エレベータ機構を囲み、この移動範囲を囲むようにして設けられた第１の区画箱９０と、第１の区画箱に連結され、基板移載機構とこの移動範囲を囲むようにして設けられた第２の区画箱９２と、第１の区画箱に連結され、シャッタ部を囲むようにして設けられた第３の区画箱９４とを備え、第１の区画箱には、第１の区画箱の内側に対して冷却ガスを噴射する冷却ガス噴射手段９６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 低温下においても成膜速度を向上させ、生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理室内に収容され、第１の温度に加熱された基板に対して、原料ガスを供給することで、基板上にシリコン含有層を形成する工程と、第１の温度よりも高い第２の温度に加熱された大気圧未満の圧力下にある反応予備室内で、酸素含有ガスと水素含有ガスとを反応させて酸素を含む反応種を生成し、その反応種を大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理室内の第１の温度に加熱された基板に対して供給することで、基板上に形成されたシリコン含有層を酸化してシリコン酸化層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する。シリコン含有層をシリコン酸化層に変化させる工程では、水素含有ガスリッチな条件下でシリコン含有層の酸化を行う。 （もっと読む）

【課題】ソフトインターロックの切り替えを簡単に設定するとともに、設定内容を表示することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板処理に関する情報を操作する操作画面を表示する表示手段１８と、基板処理を実行するための基板処理レシピを実行する制御手段１４と、を有する基板処理装置であって、前記制御手段は、前記基板処理レシピに応じて、ソフトインターロックの設定を受け付けた場合、ソフトインターロックが設定されたことが前記基板処理レシピの先頭部に反映されるように制御するとともに、設定されたソフトインターロックの内容が表示されるように前記表示手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】ウエハのロード時において、ウエハ温度を確実に推定してウエハに対して迅速な熱処理を施す。
【解決手段】熱処理装置１は、ボート１２に保持されたウエハＷを処理する処理容器３と、処理容器３を加熱するヒータ１８Ａと、ヒータ１８Ａを制御する制御装置５１とを備えている。ヒータ１８Ａと処理容器３との間にアウタ温度センサ５０が設けられ、処理容器３内にインサイド温度センサ８１およびインナ温度センサ８２が設けられ、ボート１２にプロファイル温度センサ８３が設けられている。これら温度センサ５０、８１、８２、８３は温度予測部５１Ａに接続され、温度予測部５１Ａは、いずれか２つの温度センサ、例えばインサイド温度センサ８１およびプロファイル温度センサ８３を選択し、選択された温度センサ８１、８３からの検出温度をＴ１、Ｔ２としたとき、Ｔ＝Ｔ１×（１−α）＋Ｔ２×α、α＞１によりウエハ温度Ｔを求める。 （もっと読む）

【課題】ビューポートが汚れることにより、放射温度計による正確な温度測定ができなくなることを抑制する。
【解決手段】複数枚の基板を保持するボートと、ボートを囲む様に設けられ反応室を構成する筒状発熱材と、筒状発熱材を囲む様に設けられた反応管と、筒状発熱材と反応管との間に設けられた筒状断熱部と、筒状発熱材と筒状断熱部との間に設けられた温度測定用チップと、温度測定用チップからの放射光が入射されることにより温度を測定する放射温度計と、温度測定用チップと放射温度計との間に設けられ、温度測定用チップからの放射光を透過するビューポートと、筒状発熱材と筒状断熱部との間の間隙に設けられ、ビューポートに向けて不活性ガスを供給する第１ガス供給口を有するブローノズルと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】モニタデータの処理に伴う管理装置の内部の負荷を低減する。
【解決手段】基板処理システムが備える管理装置は、モニタデータを基板処理装置から収集する収集手段と、モニタデータを一時的に格納する複数の一時格納手段と、モニタデータを蓄積する蓄積手段と、一時格納手段を監視する監視手段と、を備え、監視手段は、モニタデータの格納に伴う一時格納手段の負荷を監視し、一時格納手段の負荷が所定の閾値より高い状態を検出すると、負荷の低い他の一時格納手段をモニタデータの格納先に指定する。 （もっと読む）

【課題】地震等による破損の発生を防止する。
【解決手段】ボート２１７を支持する断熱筒２１８を有する基板処理装置において、断熱筒２１８をボート２１７の下に締結される上筒１０と、上筒１０の下に締結される下筒２０とから構成する。上筒１０はボート２１７と同質の炭化珪素で同径の円筒形状に形成し、ボートの下側端板２１７ａに炭化珪素のボルト１８によって締結する。下筒２０は石英で上筒１０と同径の円筒形状に形成し、上筒１０の上に印籠結合するとともに、ボルト２６によって締結する。ボルト２６は石英で形成し、基端部にねじ部２７、先端部にねじ部の無い接触部２８を形成する。ボルト２６は下筒２０に等間隔に突設された固定片２４のねじ孔２５にねじ部２７をねじ込み、接触部２８を上筒１０の側壁１１の熱通し孔１３の内周面に接触させる。 （もっと読む）

【課題】低温ＡＬＤ法で形成された窒化珪素膜のエッチング耐性を向上させる。
【解決手段】プラズマ窒化処理方法は、上部に開口を有する処理容器１と、ウエハＷを載置する載置台２と、処理容器１の開口を塞ぐとともにマイクロ波を透過させるマイクロ波透過板２８と、処理容器１内にマイクロ波を導入するための複数のスロットを有する平面アンテナ３１と、を備えたプラズマ処理装置１００を用いる。処理容器１内で、窒素含有ガスと希ガスとを含む処理ガスのプラズマを生成させて、ウエハＷ上の窒化珪素膜をプラズマ窒化処理する。窒化珪素膜は、ＡＬＤ法により４００℃以下の成膜温度で成膜された窒化珪素膜であり、プラズマ窒化処理は、ＡＬＤ法における成膜温度を上限とする処理温度で行う。 （もっと読む）

【課題】基板に形成する膜の厚さの均一性を制御することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的としている。
【解決手段】基板を処理するアウタチューブと、前記アウタチューブ内に収容された基板を基板の外周側から光加熱する加熱装置と、前記加熱装置が光加熱する基板の外周近傍に流体を流すことにより、基板の外周側を冷却する冷却装置と、前記アウタチューブ内の温度を検出する温度検出部と、前記温度検出部が検出する温度に基づいて、前記加熱装置により前記基板を光加熱すると共に前記冷却装置により前記基板の外周側を冷却することで前記基板の中心側の温度を所定温度に維持しつつ該基板の中心側と前記基板の外周側とに温度差を設けるように前記加熱装置および前記冷却装置を制御する制御部と、を有する （もっと読む）

【課題】 クリーニング後に実施するプリコートにおいて、処理室内壁に形成される薄膜の膜厚を薄くさせ、これによりクリーニング周期を長くでき、生産性を向上させる。
【解決手段】 処理室内を所定の成膜温度に加熱させつつ、処理室内にシリコン含有ガス及び窒素含有ガスをそれぞれ供給させて基板上に窒化シリコン膜を形成する成膜処理と、処理室内を所定のクリーニング温度に加熱させつつ、処理室内にクリーニングガスを供給させて処理室内壁に堆積した窒化シリコン膜を除去するクリーニング処理と、加熱部により処理室内を成膜温度よりも低い所定のプリコート温度に加熱させつつ、処理室内にシリコン含有ガス及び窒素含有ガスをそれぞれ供給させて処理室内壁に所定の厚さの窒化シリコン膜を形成するプリコート処理と、を実施する。 （もっと読む）

【課題】隣接する装置の高さに拘らず装置間の隙間を充填可能とし、装置間の振動を緩和する振動緩和材を提供する。
【解決手段】直方体形状の頭部と、該頭部の一面より突出する突出部とを有する振動緩和材１であって、隣接する装置２，間に形成される間隙３に前記突出部又は前記頭部の一縁部を挿入可能とした。 （もっと読む）

【課題】製品の歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法、製造システムおよび調整装置を提供すること。
【解決手段】実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、成膜工程と、加工工程と、イオン注入工程と、アニール工程と、調整工程とを含む。成膜工程では、基板上に半導体の薄膜を成膜する。加工工程では、薄膜を所定の形状に加工する。イオン注入工程では、所定の形状に加工された薄膜に対してイオン注入処理を行う。アニール工程では、イオン注入処理が行われた薄膜をアニール処理して抵抗素子を生成する。調整工程では、成膜工程における薄膜の成膜条件および成膜結果と加工工程における薄膜の加工結果とのうち、少なくともいずれか１つに基づき、イオン注入工程におけるイオン注入処理の処理条件およびアニール工程におけるアニール処理の処理条件の双方または一方を調整する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜との積層数を増やしても、これらの膜を積層した積層構造が形成される基板の反りの増大を抑制することが可能なシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法を提供すること。
【解決手段】 基板Ｗ上に、シリコン酸化物膜１−１とシリコン窒化物膜２−１とを積層するシリコン酸化物膜１−１及びシリコン窒化物膜２−１の積層方法であって、シリコン窒化物膜２を成膜するガス中に、ボロンを添加する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で固体原料を補充できる基板処理装置および簡単に固体原料を補充できる固体原料補充方法を提供する。
【解決手段】固体原料容器３００と、固体原料容器と処理室２０１との間の配管２３２ｂと、固体原料容器と接続された配管３８０であって、補充用の固体原料を保持する原料補充容器３５０が取り付けられる取付部を備える配管３８０と、配管３８０と真空排気手段２４６との間に接続された配管２５９と、配管３８０に接続され、パージガスを導入するための配管２８４と、配管２５９の途中に接続されたバルブ２６８と、配管２８４の途中に接続されたバルブ２６９と、を備え、原料補充容器から固体原料容器へ固体原料を補充するために原料補充容器が取付部に取り付けられた際に、配管内３８０を真空引きし、その後配管３８０内にパージガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】処理室内に炉内温度傾斜を設定しなくても、縦型被処理体ボートの上段に積まれた被処理体ウエハへの成膜量と、下段に積まれた被処理体への成膜量とのバラツキを抑制することが可能な縦型バッチ式成膜装置を提供すること。
【解決手段】複数の被処理体Ｗに対して一括して成膜を行う処理室１０１と、被処理体Ｗを加熱する加熱装置１３１と、処理室１０１の内部を排気する排気機構１３０と、処理室１０１を収容する収容容器１０２と、収容容器１０２の内部に、処理に使用されるガスを供給するガス供給機構１２０と、処理室１０１の側壁に設けられた複数のガス導入孔１０１ａとを備え、処理に使用されるガスを、複数のガス導入孔１０１ａを介して、処理室１０１の内部に複数の被処理体Ｗの処理面に対して平行な流れで供給しつつ、処理室１０１内に炉内温度傾斜を設定せずに、複数の被処理体Ｗに対して一括して成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】床面側に設けた凹部内に基板保持具の下端部を収容できるようにし、実質的な高さを抑制することが可能なローディングユニットを提供する。
【解決手段】基板Ｗに熱処理を施す処理ユニットの下方に設けられて、基板が保持された基板保持具５８を処理ユニットに対してロード及びアンロードさせると共に基板保持具に対して基板の移載を行うローディングユニットにおいて、処理ユニットに連設されて全体を囲むようになされたローディング用筐体７２と、基板保持具の下部を保持する保持アーム８２を有すると共に基板保持具５８を処理ユニット内に対して昇降させる昇降エレベータ機構６８と、基板保持具に対して基板の移載を行う基板移載機構７４と、基板保持具の下方に対応するローディング用筐体の底部に設けられて、基板保持具の下端部を収容できるようにするために下方へ突出させて形成された基板保持具収容凹部９０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハのロード時において、ウエハ温度を確実に推定してウエハに対して迅速な熱処理を施す。
【解決手段】熱処理制御システム１は、ボート１２に保持されたウエハＷを処理する処理容器３と、処理容器を密封する蓋体１０と、処理容器３を加熱するヒータ１８Ａと、ヒータ１８Ａを制御する制御装置５１とを備えている。蓋体１０上にプロファイル温度センサ保持具８３Ａが設けられ、このプロファイル温度センサ保持具８３Ａにプロファイル温度センサ８３が設けられている。プロファイル温度センサ８３は温度推定部５１Ａに接続され、温度推定部５１Ａは、プロファイル温度センサ８３の検出信号に基づき、このプロファイル温度センサ８３の検出信号に一次遅れフィルタをかけてウエハＷの温度を推定する。制御装置５１は温度推定部５１Ａで求めたウエハＷの温度に基づいてヒータ１８Ａを制御する。 （もっと読む）

【課題】装置内部に付着した付着物に対するエッチングレートを高くすることができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して反応管２内を所定の温度に加熱した状態で、処理ガス導入管１７から反応管２内にフッ素ガスとフッ化水素ガスと塩素ガスとを含むクリーニングガスを供給する。供給されたクリーニングガスは反応管２内で活性化され、薄膜形成装置１の内部に付着した付着物を除去して薄膜形成装置１の内部を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】ポリイミドの炭化を防止でき、成膜容器内にパーティクルが残ることなくポリイミドを除去することができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】酸二無水物よりなる第１の原料を気化させた第１の原料ガスと、ジアミンよりなる第２の原料を気化させた第２の原料ガスとを成膜容器６０内に供給することによって、成膜容器６０内に搬入している基板にポリイミド膜を成膜する成膜装置１０におけるクリーニング方法であって、成膜容器６０内を酸素雰囲気にした状態で、成膜容器６０を加熱機構６２により３６０〜５４０℃の温度に加熱することによって、成膜容器６０内に残留しているポリイミドを酸化して除去する。 （もっと読む）

【課題】効率的に薄膜形成装置を洗浄することができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】まず、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、装置内部に付着した付着物を除去する。次に、反応管２に酸素ラジカルを供給して装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化工程を実行する。続いて、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去工程を実行する。そして、この酸化工程と酸化物除去工程とを複数回繰り返す。これにより、効率的に薄膜形成装置１が洗浄される。 （もっと読む）