【課題】複数の独立に動作可能な基板処理ユニット（１００）を含むモジュール式半導体基板処理システム（１）を提供する。
【解決手段】
各ユニット（１００）は、反応器モジュール（１０４）及び基板搬送モジュール（１０２）を含む。システム（１）内では、異なるユニット（１００）の基板搬送モジュール（１０２）は、基板（１１６）がそれらの間で交換可能であるように順に相互接続される。隣接する処理ユニット（１００）間での基板（１１６）の交換は、隣接する処理ユニットの各対と関連付けられている共有の基板受渡しステーション（１３０）によって容易になされる。基板の実際の搬送は、好ましくはＳＣＡＲＡ型である基板操作ロボット（１２２）によって実行される。 （もっと読む）

【課題】 処理室内に堆積した薄膜を除去する際、薄膜の除去に要する時間を短縮し、処理室を構成する石英部材が受ける不均一なエッチングダメージを抑制する。
【解決手段】 基板上に薄膜を形成する処理を行った後の処理室内にクリーニングガスを供給して処理室内をクリーニングする方法であって、第１の温度に加熱された処理室内にクリーニングガスとしてフッ素系ガスと酸化窒素系ガスとを含むガスを供給し、処理室内の部材の表面に堆積した薄膜を含む堆積物を熱化学反応により除去する工程と、処理室内の温度を第１の温度よりも高い第２の温度に変更する工程と、第２の温度に加熱された処理室内にクリーニングガスとしてフッ素系ガスと酸化窒素系ガスとを含むガスを供給し、処理室内の部材の表面に残留した付着物を熱化学反応により取り除く工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に保持されている基板の移載状態とその詳細情報とを同じ画面上に同
時に表示させる。
【解決手段】複数の基板を載置した基板保持具を炉内に搬入して所定の処理を行う基板処
理装置であって、各基板の移載状況と、各基板の割れ検知結果情報と、割れ検知結果情報
で異常とされた基板の復旧状況と、を操作画面上に表示させる。 （もっと読む）

【課題】酸化膜と窒化膜との積層構造を有する絶縁膜の膜厚均一性を向上させ、生産性を向上させる。
【解決手段】処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、酸化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、酸化膜を形成する工程と、処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、窒化膜を形成する工程と、を交互に所定回数行うことにより、基板上に酸化膜と窒化膜とが積層されてなる積層膜を形成する工程を有し、酸化膜を形成する工程および窒化膜を形成する工程を、基板の温度を同様な温度に保持しつつ、連続的に行う。 （もっと読む）

【課題】ダウンタイムを短くすることができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１は、蛍光式の光ファイバ温度計２２と、ガイド管２１と、光ファイバ掃引部２４とを備えている。蛍光式の光ファイバ温度計２２は、反応管２内の温度を測定する。ガイド管２１は、反応管２内に挿通可能であり、蛍光式の光ファイバ温度計２２を収容する。光ファイバ掃引部２４は、蛍光式の光ファイバ温度計２２をガイド管２１内で掃引する。蛍光式の光ファイバ温度計２２は、光ファイバ掃引部２４の掃引量により、反応管２内の所定の温度測定位置に移動する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置における成膜処理結果に異常があった場合、処理時に用いられたパラメータ及びこのパラメータの基準となる基準パラメータの比較結果を利用することにより、全てのパラメータを利用する場合に比べ、異常の原因となるパラメータを特定しやすくする群管理装置を提供する。
【解決手段】基板処理に用いられるパラメータを受け付ける受付手段と、前記受付手段によって受け付けられたパラメータの基準となる基準パラメータを設定する設定手段と、前記受付手段によって受け付けられたパラメータと、前記設定手段によって設定された基準パラメータとを比較する比較手段と、前記比較手段による比較結果を少なくとも記憶する記憶手段と、前記比較手段による比較結果を表示する表示手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】ボイドやシームの発生を抑制することができるシリコン酸化膜の形成方法およびその形成装置を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜の形成方法は、半導体ウエハ１０にシリコンプリカーサと過酸化水素とを含む成膜用ガスを供給して、半導体ウエハ１０の溝を埋め込むようにシリコン酸化膜を成膜する。制御部１００は、反応管２内に複数の半導体ウエハ１０を収容し、反応管２内を１１３Ｐａ〜６６５０Ｐａに設定する。また、制御部１００は、過酸化水素の流量をシリコンプリカーサの流量の３倍〜２０倍に設定する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に安定的に膜を形成する。
【解決手段】複数の基板を配置する反応室と、前記反応室内に設けられた被加熱体と、前記被加熱体と前記複数の基板との間に設けられ、前記反応室内にシリコン原子含有ガス、炭素原子含有ガス、および水素ガスを供給するガス供給ノズル６１，６２と、を備えている。ここで、ガス供給ノズル６１、６２は、カーボングラファイトから成る基材層６３、基材層６３の表面を覆う炭化珪素から成るコート層６４、およびコート層６４の表面を覆う炭素から成るコート層６５を備えている。これによりクリーニング処理を行ってもコート層６４が取り除かれることを防止ないしは抑制できるので、成膜処理時に水素ガスがガス供給ノズル６１、６２を透過することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内の膜厚均一性を高める。
【解決手段】複数枚の基板を積層して収容した処理室１２の内周面に区画され、一対の電極を内部に収容する放電室に処理ガスを供給する工程と、前記電極に電力を印加してプラズマを形成し前記処理ガスを活性化させる工程と、を行い、活性化された前記処理ガスを用いて前記基板を処理する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を棚状に保持する基板保持具において、移載マージンを確保しながら、基板の配列間隔を狭くすること。
【解決手段】基板保持具（ウエハボート３）において、互いに分割可能に合体された第１のボート部１及び第２のボート部２を設ける。第１のボート部１のウエハＷ１の保持部１６ａ〜１６ｃと、第２のボート部２のウエハＷ２の保持部２６ａ〜２６ｃとは、ボート部１上のウエハＷ１とボート部２上のウエハＷ２とが交互に配列されるように、夫々の高さ位置が設定される。第１及び第２のボート部１、２に夫々ウエハＷ１、Ｗ２を移載してから、これらボート部１、２を合体させてウエハボート３を構成するため、ウエハボート３には、第１及び第２のボート部１，２へのウエハＷの移載時の配列間隔よりも狭い配列間隔でウエハＷを搭載することができる。 （もっと読む）

【課題】ガス種による排気性のばらつきを解消し、ボックス内における処理ガスの対流を防止する基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のウエハに対して処理ガスにより熱処理を施すための処理炉を収容する装置本体１００と、前記処理ガスの供給を制御するガス制御ユニットを収容するガスボックス３００と、を有し、前記ガスボックス３００の上方に設けられた吸気口３０５から外気を取り込み、前記ガスボックスの下部に設けられた排気口３０３から該ガスボックス内部の雰囲気を排気する。 （もっと読む）

【課題】形成した絶縁膜のリーク電流を抑制することができる半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容した処理室にそれ単独で固体となる第１の元素を含む第１の処理ガスをＣＶＤ反応が生じる温度条件下で供給することで、前記基板上に前記第１の元素を含む第１の層を形成する工程と、前記処理室にそれ単独では固体とならない第２の元素を含む第２の処理ガスを供給することで、前記第２の処理ガスと前記第１の層を反応させ前記第１の元素および前記第２の元素を含む第２の層を形成する工程と、を１回ずつ含むサイクルを１サイクルとして、このサイクルを１回以上行うことで、所定膜厚の前記第１の元素および前記第２の元素を含む薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】捕集効率の向上と閉塞の低減とを両立可能な排気トラップを提供する。
【解決手段】処理装置からの排ガスを流入させる流入口と、前記流入口から流入した前記排ガスを流出させる流出口と、第１の開口寸法を有する一又は複数の第１の開口部、及び前記第１の開口寸法よりも小さい第２の開口寸法を有する複数の第２の開口部を有し、前記流入口と前記流出口との間において前記流入口から前記流出口へ流れる前記排ガスの流れの方向と交差するように配置される複数のバッフル板とを備え、前記複数のバッフル板のうちの一つのバッフル板の前記第１の開口部と、隣のバッフル板の前記第１の開口部とが前記流れの方向に対して互いにずれており、前記複数のバッフル板のうちの隣り合う２つのバッフル板の間隔が、前記第２の開口寸法の０．５から２倍の範囲にある排気トラップにより上述の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を加熱するバッチ式の熱処理装置において、熱処理後の基板を速やかに、かつ均一に冷却することができる冷却機構および冷却方法、ならびにこのような冷却機構を備えた熱処理装置を提供すること。
【解決手段】処理容器１１内の基板保持部材１５と加熱手段１２との間に挿入される挿入位置と挿入位置から引き出された引き出し位置との間で移動可能であり、熱処理後の基板Ｗへの輻射熱を遮蔽する筒状をなす熱遮蔽部材３０と、処理容器１１の外部に配置された空冷ポート２１とを有し、熱遮蔽部材３０は、引き出し位置において、２つの半筒状部材３１が合体および分離可能に設けられており、これらが合体した状態で、熱遮蔽部材３０が引き出し位置と挿入位置との間で移動し、かつ外側面が相対的に低輻射率の材料で構成され、内側面が相対的に高輻射率の材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】温度センサを用いて熱処理を制御する際の不具合を抑制する基板処理装置及び基板処理装置の温度制御方法を提供する。
【解決手段】第１の放射温度計の第１の温度検出手段と、第１の放射温度計によって測定される温度の範囲の上限よりも高い温度を温度の範囲の上限とし、かつ、第１の放射温度計によって測定される温度の範囲の下限よりも高い温度を測定される温度の範囲の下限とする第２の放射温度計を用いて、温度を検出する第２の温度検出手段とを有し、前記第１の温度検出手段により検出された温度が第一の閾値を超えた場合には第２の温度検出手段に切り替え、前記第２の温度検出手段により検出された温度が前記第一の閾値より低い第二の閾値を下回った場合には第１の温度検出手段に切り替え、前記第１の温度検出手段又は前記第２の温度検出手段により検出された温度と予め定められた閾値とに基づいて、加熱手段の制御を切り替える。 （もっと読む）

【課題】ある方向に沿って延在する容器を冷却する際に、電力消費量を増加させることなく、延在する方向に沿って容器の冷却速度に差が発生することを抑制できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器６５と、処理容器６５内で、一の方向に沿って基板を所定の間隔で複数保持可能な基板保持部４４と、処理容器６５を加熱する加熱部６３と、気体を供給する供給部９１と、一の方向に沿って各々が互いに異なる位置に設けられた複数の供給口９２ａとを含み、供給部９１が供給口９２ａの各々を介して処理容器６５に気体を供給することによって処理容器６５を冷却する冷却部９０とを有する。冷却部９０は、供給口９２ａの各々を介して気体を供給する供給流量が独立に制御可能に設けられたものである。 （もっと読む）

【課題】ガスクリーニングの際に供給されるＯ₂に起因するノズル内壁、ならびにノズル孔のエッチングを解決し、ＳｉＣ成膜における膜厚均一性悪化や結晶欠陥の発生などを防止する。
【解決手段】反応室内２２内のクリーニングを行う場合、石英からなるプレートを装填したボート１５を反応室２２に搬入し、反応室２２内を所望の圧力（真空度）、および所望の温度にする。その後、マスフローコントローラ４２，４５、およびバルブ４６，４９を制御し、クリーニングガス（Ｃｌ₂、Ａｒ）を供給する。このとき、プレートとクリーニングガスとの混合で起きる化学反応によってＯ₂ガスが発生する。この発生したＯ₂ガスが、ＳｉＣ膜ガスクリーニングの反応エッチングガスとなり、反応室内２２内のクリーニングが行われる。 （もっと読む）

【課題】気化器の液体原料流路内からの有機金属液体原料の除去を促進させ、液体原料流路内の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を収容した処理室内に反応物質を供給することにより基板を処理する工程を有し、反応物質は液体原料を気化部で気化させた原料ガスを含み、基板を処理する工程では、気化部に液体原料を溶解することのできる溶媒と液体原料を供給して気化させる気化動作を間欠的に行い、液体原料の気化動作時以外の時であって、液体原料の気化動作を所定回数行う毎に、気化部に溶媒を、液体原料の気化動作時に供給する溶媒の流量よりも大流量で流す。 （もっと読む）

【課題】制御パラメータの測定値が、その基準値に対して偏差の上限値を超えた場合と偏差の下限値を超えた場合とで、状況に応じたエラー処理を選択できる。
【解決手段】基板を処理する基板処理室と、記憶部と、基板処理を制御する制御部とを備えた基板処理装置において、記憶部は、プロセスレシピを記憶するプロセスレシピ記憶部と、制御パラメータの基準値を記憶する制御パラメータ記憶部と、制御パラメータの基準値に対する上限偏差値と下限偏差値を記憶するアラーム値記憶部とを備え、制御部は、プロセスレシピ記憶部に記憶したプロセスレシピを実行するプロセスレシピ実行部と、制御パラメータの測定値がアラーム値記憶部に記憶された上限偏差値と下限偏差値を超えたか否か判断し、上限偏差値を超えた場合と下限偏差値を超えた場合とで、異なる処理を実施するエラー処理部とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理室へ供給されるガスを充分に加熱することにより、ヘイズやスリップに起因する成膜不良を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明における特徴は、例えば、図２に示すように、処理室２０９の外壁２０５とインナーチューブ２０６の間にガス導入空間２１０を設け、このガス導入空間２１０内に誘導加熱するための加熱体２０７を設けている点にある。これにより、ガス供給部２１１から供給される原料ガスは、まず、処理室２０９の内部に導入される前に先立って、ガス導入空間２１０内に導入され、このガス導入空間２１０に設けられている加熱体２０７によって加熱される。 （もっと読む）