【課題】断熱材の断熱性能を向上させるとともに断熱材の厚みの増加を抑える。
【解決手段】熱処理炉２は被処理体Ｗを収容して熱処理するための処理容器３と、該処理容器３の周囲を覆う断熱材１６と、断熱材１６の内周面に設けられ被処理体Ｗを加熱するヒータ５とを備えている。断熱材１６は通常の断熱材料からなる内側断熱材１６ａと、圧縮された微粉シリカ材からなる外側断熱材１６ｂとを有し、外側断熱材１６ｂの外面は飛散防止材１６ｃにより覆われている。 （もっと読む）

【課題】ウエハを均一に加熱することができ、かつヒータエレメントの寿命を伸ばすこと。
【解決手段】熱処理炉２は被処理体Ｗを収容して熱処理するための処理容器３と、該処理容器３の周囲を覆う断熱材１６と、断熱材１６内周面１６ａに設けられ被処理体Ｗを加熱するヒータ５とを備えている。上記ヒータ５は、円筒状の断熱材１６の内周面１６ａに沿ってスパイラル状に配置されたヒータエレメント１８を有している。ヒータエレメント１８は帯状のものを波形に曲げ加工してなり、外側に突出する谷部１８ａと内側へ突出する山部１８ｂとを有するコルゲート型のヒータエレメントからなる。谷部１８ａは谷部支持ピン部材２０ａにより支持され、山部１８ｂは山部支持ピン部材２０ｂにより支持されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体発光素子の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の実施例による半導体発光素子の製造方法は、半導体成長用基板上に第１導電性半導体層、活性層及び第２導電性半導体層を順に成長させて発光部を形成する段階と、上記第２導電性半導体層上に上記発光部と結合されるように支持部を形成する段階と、上記発光部から上記半導体成長用基板を分離する段階と、上記分離された半導体成長用基板の表面に残存する半導体層が除去されるように上記半導体成長用基板にエッチングガスを適用する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】大気圧センサ４１が誤動作した場合にも処理室２０４外の大気が処理室２０４内に逆流することを抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室内の圧力を検出する圧力センサと、前記処理室内の圧力が前記処理室外の大気圧と同圧になると、大気圧検出信号を出力する大気圧センサと、前記処理室内を前記処理室外の大気と連通する大気排気管と、前記大気排気管に設けられた排気バルブと、前記大気圧センサが前記大気圧検出信号を出力し、かつ、前記圧力センサの検出値が所定値以上となった場合に、前記排気バルブを開けて前記処理室内を前記処理室外と連通させる制御部とから、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】断熱構造体やプロセスチューブ全体を均一に急冷可能とする。
【解決手段】縦置きの加熱装置に使用される断熱構造体４２であって、円筒形状に形成された側壁部４３を有し、該側壁部４３が内外複数層構造に形成されており、該側壁部の複数層のうちの外側に配置された側壁外層４４の上部に設けられる冷却ガス供給口７４と、前記側壁部の複数層のうちの内側に配置された側壁内層４５と前記側壁外層との間に設けられる冷却ガス通路４７と、前記側壁内層の内側に設けられる空間７５と、前記冷却ガス通路から前記空間へ冷却ガスを吹出すように、前記側壁内層の前記冷却ガス供給口より下方に設けられる複数の吹出孔７８と、前記側壁内層の内周面の前記吹出孔の対向する位置に設けられ、前記冷却ガス通路側から前記空間側に向けて開口面積が広くなるように形成される切欠部７９と、を有する断熱構造体。 （もっと読む）

【課題】ガスノズルのガス噴出口の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室内に配設された複数本のガスノズル２３１ａ，２３１ｂと、複数本のガスノズルにそれぞれ開設されたガス噴出口と、複数本のガスノズルを介して処理室内に処理ガス及び不活性ガスを供給するガス供給系と、処理室内を排気する排気系と、を備え、ガスノズルの少なくとも１本は、内管及び外管から成る２重管構造であり、内管のガス噴出口が、外管のガス噴出口の内側で重なるように開設され、内管のガス噴出口の先端が、外管のガス噴出口の先端と同じ位置まで突出し、内管から処理ガスが供給され、外管から不活性ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の稼動状態を監視し、エコ運転状態への切り替え損ねを防ぐことが可能な稼動状態監視方法、及び稼動状態監視装置を提供すること。
【解決手段】
エコ運転であるか否かの判定対象となるデータ種別に対応するデータ値と、前記データ種別に対応するデータがとりうる境界を示す境界値と、を予め設定された所定の判定条件に基づいて比較し、前記データ値と前記境界値とを前記判定条件に基づいて比較した結果に応じて所定の動作を実行するようにした。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑制しつつ、開口部の閉口時の密閉性の低下を抑制することができる開閉ダンパー装置を提供する。
【解決手段】開閉ダンパー装置は、開口部２５２が形成された枠体２５０と、開口部２５２を開閉する弁体２６６と、枠体２５０の開口部２５２周辺に設けられ、弁体２６６が閉じられた場合、弁体２６６が密着するシール部材２５６と、枠体２５０に設けられた開閉軸２６２と、開閉軸２６２を中心として回転するように設けられ、弁体２６６を移動自在に支持する支持体と、弁体２６６の開閉軸２６２が設けられた側よりも反対側がシール部材２５６に近づくように弁体２６６を付勢する付勢部材２７２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】カバレッジ性能、及び、表面ラフネスの良好なアモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、複数枚の半導体ウエハＷが収容された反応管２内を８００℃〜９５０℃に加熱する。次に、制御部１００は、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内にアンモニアガスを供給する。続いて、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、反応管２内を所定の温度に加熱し、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内に処理ガス導入管１７からエチレンを供給する。これにより、半導体ウエハＷにアモルファスカーボン膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 抵抗加熱式ヒータの寿命予測を正確かつ任意のタイミングで行えるようにする。
【解決手段】 抵抗加熱式ヒータの温度を通電時間で積分した積分値と抵抗加熱式ヒータの寿命との関係を示す寿命判定用情報を、抵抗加熱式ヒータと同型のヒータを用いて予め取得しておき、抵抗加熱式ヒータへの通電開始後は、抵抗加熱式ヒータの温度を温度センサにより検出し、通電開始後からの抵抗加熱式ヒータの温度を通電時間で積分し、温度の積分値と寿命判定用情報とを比較して抵抗加熱式ヒータの寿命を予測する。 （もっと読む）

【課題】成膜ガスの加熱効率を向上させ、成膜ガスを処理基板と同等の温度まで加熱することができるガス導入路を提供することを課題とする。
【解決手段】ガス供給管３４０を流れてきたガスは、ガス予備加熱筒３６０のガス導入口３４２からガス予備加熱筒３６０内のガス流路３７４に流入する。ガス流路３７４を流れるガスが、ガス予備加熱筒３６０のガス導出口３６４へ到達するまでの間に、電磁誘導コイル２０７が誘導加熱したインナーチューブ３５０が、ガス予備加熱筒３６０を加熱し、ガス流路３７４を流れるガスは均一に加熱される。 （もっと読む）

【課題】
結晶膜のＣＶＤ装置において、成長させる基板数を多くしたい。特に有機金属原料から成長させるＧａＮなどのバンドギャップの大きい化合物半導体の結晶成長ＣＶＤ装置において、その要求が強い。
【解決手段】
中心に排気シリンダーを備えたサセプタを積層させ、当該サセプタに基板を載せて、加熱したサセプタの間にＣＶＤの原料ガスを通す。ガスの消費効率を向上させるとともに積層させたサセプタに枚数に比例して一度に成長させる基板の枚数が増える。 （もっと読む）

【課題】処理室内の圧力が一定に保たれないことを原因とする基板処理不良を生じにくくし、より良好な基板処理を可能とする。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する工程と、基板が搬入された処理室内に反応ガスを供給し、処理室内を排気して基板を処理する工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する工程とを有する半導体処理方法において、基板を処理する工程では、処理室内部の圧力を測定し、その測定値に基づき処理室内部の圧力を所定の圧力に保つようにすると共に、処理室内部の圧力と処理室外部の圧力との差圧を測定し、その測定値に基づき処理室内部の圧力が処理室外部の圧力よりも小さい場合に、反応ガスを前記処理室内へ供給するようにする。 （もっと読む）

【課題】キャリアガスの供給側と処理容器側との差圧を小さくすることによりパーティクルの発生を抑制することが可能なガス供給装置である。
【解決手段】原料貯留槽６８内の原料ガスをキャリアガスを用いて処理容器４へ供給する原料ガス供給系を有するガス供給装置６０において、原料貯留槽内へキャリアガスを導入するキャリアガス通路７８と、原料貯留槽と処理容器とを連結してキャリアガスと原料ガスを流す原料ガス通路７０と、原料ガス通路に接続されて圧力調整ガスを供給する圧力調整ガス通路９２と、圧力調整ガスの処理容器への供給を始めると同時にキャリアガスにより原料貯留槽から原料ガスを処理容器内へ供給することを始める第１の工程を開始し、その後、圧力調整ガスの供給を停止する第２の工程を行うように開閉弁を制御する弁制御部１１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用することにより、処理容器自体や被処理体を保持する保持手段にダメージを与えることなく不要な高分子薄膜のみを選択的に且つ効率的に除去することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に高分子薄膜を形成する成膜装置において、被処理体を収容する処理容器４と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段６と、処理容器内を真空引きする真空排気系３０と、処理容器内へ高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段２０と、処理容器内へクリーニングガスとしてフッ素ガスを供給するクリーニングガス供給手段２６と、処理容器を加熱する容器加熱手段１４とを備える。これにより、処理容器内をクリーニング処理するに際して、クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用する。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウムを含む薄膜の成膜処理をした後に、ゲルマニウムが汚染物質となる薄膜を成膜処理する場合に、後の成膜処理におけるゲルマニウム汚染を抑える熱処理装置の運転方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを保持具２５に保持させて反応容器２内に搬入し、熱処理を行う熱処理装置１の運転方法において、反応容器２内に処理ガスを供給すると共に反応容器２内を加熱して、被処理体Ｗにゲルマニウムを含む薄膜を成膜する工程と、反応容器２内に被処理体Ｗが搬入されていない状態クリーニングガスを供給して前記反応容器２内に成膜された薄膜を除去する工程と、酸化ガスと、水素ガスとを反応容器２内に供給すると共に加熱して活性化されたガスにより反応容器２内に存在するゲルマニウムを除去する工程と、反応容器２内に被処理体Ｗを搬入して処理ガスを供給すると共に加熱して、被処理体にゲルマニウムが汚染物質となる薄膜を成膜する工程、とを含む。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に優れ、かつ高強度でありながら、低熱容量で持ち運びがし易い減圧処理容器を提供する。
【構成】ステンレススティールにより円筒状に成形された薄肉の内容器体１１と、内容器体１１との間に真空の断熱空間１３を形成し、ステンレススティールにより円筒状に成形され、その外周面にリブ状の起伏部１５を多数形成してなる薄肉の外容器体１７ａと、を接合して二重構造とし、内容器体１１の肉厚以下とし、かつ、内容器体１１と外容器体１７ａとの隙間変化を吸収する、金属材料、特にはステンレス製の、例えば、断面をＵ字型とした底板１９を用いた構造として低熱容量、かつ耐熱性に優れ、高強度とした。 （もっと読む）

【課題】振動子から発せられる電波の減衰を抑制することが可能な温度測定用基板を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗに対して熱処理を施す熱処理装置２に用いられる温度測定用基板５０において、基板本体６２と、圧電素子６８を有すると共に基板本体に設けられる振動子６４と、振動子に接続されると共に基板本体の周辺部側に設けられるアンテナ部６６とを備える。これにより、振動子から発せられる電波の減衰を抑制する。 （もっと読む）

【課題】温度制御管理に関する機能性が高く信頼性を向上させる。
【解決手段】反応管及び反応管内部のウェーハを加熱処理するためのヒータと、上記反応管の温度を測定して上記ヒータの温度を調節する温度調節用の複数の第１の温度センサと、上記反応管の温度を測定して上記反応管の温度を監視する監視用の複数の第２の温度センサと、上記複数の第１の温度センサのうちの任意の第１の温度センサが故障したときは、上記故障した任意の第１の温度センサにより測定される温度に代えて、上記複数の第２の温度センサのうち上記任意の第１の温度センサの近傍に設けられた第２の温度センサにより測定される温度に応じて、上記ヒータヘの電力供給の制御を継続させる制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理対象である複数の基板が多段に配置される熱処理装置であって、基板間の処理の均一性を改善することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を多段に支持する支持体１６と、前記支持体を内部に収容可能な反応管であって、該反応管の長手方向に配列され前記反応管の内部にガスを供給する複数のガス供給管が設けられる当該反応管１０と、前記反応管内において、前記複数のガス供給管の開口端１７ａ−ｄと、前記反応管内に収容される前記支持体との間に配置される板状部材１１ｂであって、前記複数のガス供給管に対応して形成される開口部が設けられる当該板状部材と、前記反応管の外側に配置され、前記反応管内に収容される前記支持体により支持される前記複数の基板を加熱可能な加熱部とを備える熱処理装置。 （もっと読む）