【課題】 セルフリミットを発生させるような金属酸化物であっても、その膜厚を制御することが可能となる金属酸化物膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 下地の温度が金属酸化物膜の成膜温度に達する前に、金属原料ガスを下地の表面に供給する工程（１）と、下地の温度を成膜温度以上とし、下地の表面に供給された金属原料ガスと下地の表面の残留水分とを反応させて、下地上に金属酸化物膜を形成する工程（２）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】回転機構部への反応ガスの侵入を確実に阻止する。また、成膜室内で迅速にウェハを加熱および冷却するとともに、ヒータから発生したガスが速やかに成膜室の外部に排出されるようにする。
【解決手段】回転胴１０４ａは、第１の回転胴１０４ａ_１と、第２の回転胴１０４ａ_２と、第３の回転胴１０４ａ_３とを有する。第２の回転胴１０４ａ_２は、第１の回転胴１０４ａ_１を構成する材料よりも熱膨張率の小さい材料を用いて構成される。第３の回転胴１０４ａ_３は、第２の回転胴１０４ａ_２を構成する材料よりも熱膨張率の大きい材料を用いて構成される。ヒータ１２０の加熱により第３の回転胴１０４ａ_３が伸びた状態で、第３の回転胴１０４ａ_３の高さｈ_３と第２の回転胴１０４ａ_２の高さｈ_２とが同じとなるようにする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子において、エピタキシャル成長中に発生する積層欠陥を抑制し、積層欠陥に起因するオン抵抗の増加を抑制する。
【解決手段】（Ａ）炭化珪素基板を加熱することにより炭化珪素基板を昇温する工程と、
（Ｂ）昇温された炭化珪素基板の表面に炭素を含むガスを供給する工程と、
（Ｃ）工程Ｂの後に、昇温された炭化珪素基板の表面に珪素を含むガス及び炭素を含むガスを供給することにより、炭化珪素基板の表面に炭化珪素のエピタキシャル層を形成する工程とを含む製造方法により、半導体素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】一方で被処理基板を適度に酸化し、他方で被処理基板の酸化抑制を可能にする方法及び装置を提供する。
【解決手段】金属膜及びポリシリコン膜が表面に露出している被処理基板を処理室に搬入する工程と、処理室に還元性ガスを導入し、プラズマ放電して還元性ガスプラズマを生成し、還元性ガスプラズマで被処理基板を処理する工程と、還元性ガスプラズマで被処理基板を処理する工程の後、処理室に酸素または酸素含有ガスを徐々に導入し、還元性ガスと酸素または酸素含有ガスとの混合ガスをプラズマ放電して混合プラズマを生成し、混合プラズマで前記被処理基板を処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】インジウムを含有するIII族窒化物の膜の表面にインジウムを含有するパーティクルが付着することを抑制することができるエピタキシャル基板の製造方法及び気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】障壁層１１０を形成した後に、パーティクル抑制処理を行う（ステップＳ１０６）。パーティクル抑制処理は、原料の供給を停止した後に、窒素ガスの供給を継続することにより行う。 （もっと読む）

【課題】ＢＣｌ_３ガスを用いたポリシリコン膜の形成を複数回、連続して実施する際の膜厚の変動を防止する。
【解決手段】Ｈを含むＳｉ源およびＢおよびＣｌを含むＢ源を有する原料ガスを反応室内に供給して、半導体基板上にＢを含有したポリシリコン膜を形成する工程と、原料ガスを排出した後にＯ_２ガスを前記反応室内に供給する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に平坦性と配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度が低く、不純物の界面蓄積やＺｎＯ系成長層への拡散が抑制されたＺｎＯ系単結晶の成長方法を提供することにある。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気とを用い、ＺｎＯ単結晶基板上に６００℃以上９００℃未満の成長温度で熱安定状態のＺｎＯ系単結晶を成長する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で不純物の不活性化を抑制することの可能な半導体層の製造方法、不純物の不活性化が抑制された半導体層、簡易な方法で不純物の不活性化を抑制することの可能な半導体レーザの製造方法、および不純物の不活性化が抑制された半導体層を備えた半導体レーザを提供する。
【解決手段】上部ＤＢＲ層を形成したのち、結晶成長を完了した段階（時刻ｔ₁）で、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＤＭＺの供給を停止すると共に、プロセス温度の降下を開始する。ＡｓＨ₃については、プロセス温度が５００℃以上となっている時に供給を停止する。このとき、ＡｓＨ₃に代わる新たなガス、例えば、有機Ａｓや窒素などを別途供給しない。 （もっと読む）

【課題】４３０ｎｍ以上の発光波長を有する窒化物半導体発光素子において、発光効率の向上、歩留まりの向上または発光素子の長寿命化を図る。
【解決手段】発光層は、１以上の井戸層、１以上の障壁層、および前記井戸層と前記障壁層との間に接して設けられた１以上の保護層を含み、４３０ｎｍ以上の発光波長を有するものであり、ＩｎとＧａを含むＩＩＩ族元素原料、アンモニアガス、および窒素を含むキャリアガスにより井戸層を形成する工程と、Ｇａを含むＩＩＩ族元素原料、アンモニアガス、および窒素を含むキャリアガスにより保護層を形成する工程と、前記Ｇａを含むＩＩＩ族元素原料の供給を停止し、アンモニアガス、および窒素と水素を含むキャリアガスを供給して、所定の時間、結晶成長を中断する第１の成長中断工程と、前記Ｇａを含むＩＩＩ族元素原料、アンモニアガス、および窒素と水素を含むキャリアガスにより障壁層を形成する工程、をこの順に含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマの異常放電を抑制することができるプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】平板状の第１電極１１および第２電極１２を平行に対向して内部に有するチャンバー１０内に、後述の第２ガスよりもプラズマを励起させ難い第１ガスを導入するプラズマ放電準備工程と、プラズマ放電準備工程と同時乃至直後に、チャンバー１０内にプラズマ励起用の第２ガスを導入し、第１電極１１と第２電極１２の放電面間で第２ガスを介してプラズマ放電させるプラズマ放電開始工程と、プラズマ放電開始工程後、エッチングガスを導入することにより、第１・第２電極間の基板を処理するか、あるいはチャンバー１０内をクリーニングするエッチング工程とを含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】 量産に適した、コンタミの少ない、組成制御された、ち密で、欠陥、粒界の極めて少ない、深さ方向に構造制御された、良好な絶縁特性を持つ絶縁膜の提供。
【解決手段】 Ｏ、Ｎ及びＦから選ばれた少なくとも１種を含む気体状分子を該基板表面に供給し、吸着させた後排気する第１の工程の後に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、又はＴｉを含む気体状分子を基板表面に供給し、吸着させた後排気する第２の工程を行い、その後にＡｒを導入した後排気する第３の工程を行い、前記第１〜第３の工程を１つのサイクルとして、このサイクルを複数回行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ノズル等のガス出力手段の内壁全体をクリーニングガスによってクリーニングすることができるようにする。
【解決手段】 複数のノズルの内部をクリーニングする場合に、複数のノズルの少なくとも一つにクリーニングガスを供給するとともにクリーニングの終了していないノズルに不活性ガスを供給し、クリーニングの終了したノズルに不活性ガスを供給し、その状態で、他のノズルへクリーニングガスを供給するとともにクリーニングの終了していないノズルに不活性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】Ｖ族構成元素として窒素元素及びヒ素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体を下地のIII−Ｖ化合物半導体上に成長する際にその界面付近における窒素組成のパイルアップを低減できるIII−Ｖ化合物半導体を成長する方法を提供する。
【解決手段】Ｎソースガスを時刻ｔ２で急激に増加して、時刻ｔ２１において定常値に到達する。時刻ｔ２にＧａソースガスの供給を再び開始した後に、Ｇａソースガスの供給量をゆるやかに増加させて時刻ｔ２１の後の時刻ｔ２２において定常値に到達する。また、時刻ｔ２にＩｎソースガスの供給を開始した後に、Ｉｎソースガスの供給量をゆるやかに増加させて、例えば時刻ｔ２２において定常値に到達する。この実施例では、Ｉｎソースガスが時刻ｔ２２で定常値に到達するが、この時刻は、時刻ｔ２１よりも遅い時刻である。時刻ｔ２と時刻ｔ２２との差は時間△ｔ２０である。時間△ｔ２０は時間△ｔ２よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ガス種に対応した複数のガス排気ラインに対して複数の反応室から排気ガスを切り換えて排気する場合に、ガス排気ラインに対する排気ガスの誤誘導を防ぎ、ガス排気ラインの切り換えにおいて、ガス真空ポンプの背圧上昇によるポンプの停止を回避する。
【解決手段】ガス排気ライン切り換え機構は、複数の反応室の各反応室をそれぞれ排気する複数の真空ポンプを、反応室から排気される排気ガスに含まれるガス種に対応した複数のガス排気ラインに切り換えて接続する。真空ポンプと各ガス排気ラインとの間に複数の開閉バルブを接続し、開閉バルブの上流側に不活性ガスを導入自在とし、不活性ガスを導入した開閉バルブにおいて、真空ポンプ側の圧力をガス排気ライン側の圧力よりも高圧とする圧力勾配を形成する構成とする。 （もっと読む）

【課題】一つの成膜装置で複数のウェハ上に成膜を行う際に、パーティクルの発生を抑制しつつウェハ毎に所望の膜厚の膜を成膜する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１のウェハ上および第２のウェハ上にシラン系ガスを含む第１のガスおよび第２のガスを供給した状態で、第２のプラズマ発生手段（ＲＦ）をオンとする工程と、この状態のまま、第１のプラズマ発生手段（ＲＦ）もオンとする工程と、第１のプラズマ発生手段および第２のプラズマ発生手段のオン状態を継続したままで、第１のガスの供給を停止する工程と、第１のガスの供給を停止した後に、第１のプラズマ発生手段および第２のプラズマ発生手段をオフとする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】処理室内の高温領域に配置されたノズルの内壁において、Ｂ化合物の膜の形成を抑えるようにする。
【解決手段】処理室２０１内に設けられた同一のガス供給ノズル１６６に、少なくとも構成元素としてＢを含むガスと構成元素としてＣｌを含むガスとを同時供給し、ガス供給ノズル１６６内のＣｌの濃度がＢの濃度よりも高くなすように供給してＢドープシリコン膜を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】熱処理を行うことによって、電流利得を調整することができる化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】加熱された基板１上に、原料ガスを供給して、サブコレクタ層２、コレクタ層３、炭素ドープのベース層４、エミッタ層５、エミッタコンタクト層６を含むエピタキシャル層を形成する化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、エミッタコンタクト層６の形成直後に、熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の最表面の露出状態にあるＳｉ層を凝集が生じる温度以上に加熱昇温する場合に、当該Ｓｉ層が凝集するのを防止でき、さらにＳＯＩ基板上に保護膜を形成することなく凝集を抑制することができる真空処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、Ｓｉ基板３１上に絶縁層３２とＳｉ層３３が順次積層されて成るＳＯＩ基板２７で、露出状態にあるＳｉ層を加熱昇温するとき、加熱昇温過程で水素化物ガスを供給する。これにより、Ｓｉ層が凝集する前に、凝集前の温度で水素化物ガスが解離してＳｉ層のダングリングボンド４１をＨ等の所定原子で終端させる。 （もっと読む）

【課題】発光素子とした場合の発光効率が高い、高品質の窒化物半導体を提供すること。
【解決手段】本発明では、一方導電型の窒化物半導体部と、量子井戸活性層構造部と、一方導電型とは逆の他方導電型の窒化物半導体部を順次積層させた窒化物半導体を得るに際し、非極性の窒化物の主面を有する基体の上に結晶成長させることとし、一方導電型の窒化物半導体部を第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層を順次積層させたものとするとともに、第２の窒化物半導体層を４００ｎｍ〜２０μｍの厚みを有し最表面が非極性面であるようにした。結晶成長用の基体として上記のものを選択することによりＱＣＳＥ効果に基づく発光に寄与する電子とホールの空間的分離が抑制され、効率的な輻射が実現される。また、上記第２の窒化物半導体層の厚みを適正なものとすることにより、極めて激しい凹凸を呈する窒化物半導体表面となることが回避される。 （もっと読む）

【課題】 シリコン単結晶基板の表面上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程を含むシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、シリコン単結晶基板とシリコン単結晶薄膜間の深さ方向の抵抗率変化が急峻で、抵抗率の遷移幅が小さいシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】 シリコン単結晶基板の表面上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程を含むシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記シリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程は、前記シリコン単結晶基板の少なくとも表面上の酸化膜を除去した後、不活性ガス雰囲気下で熱処理し、その後気相成長原料ガスを導入することで行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）