【課題】製作工程が単純で製造コストが低く、収率の高いフリースタンディング窒化ガリウム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ装置の反応器内でＨＣｌ及びＮＨ_３ガス雰囲気で窒化ガリウム層を表面処理して多孔性窒化ガリウム層を形成するステップと、単一の反応器内でインシチュで窒化ガリウム結晶成長層を形成するステップと、冷却により窒化ガリウム結晶成長層が自発的に分離されるステップと、を含むフリースタンディング窒化ガリウム基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法による成膜において、反応生成物でなる微粒子が膜質に悪影響を与えることを抑制する。
【解決手段】 シランを成膜ガスとしたプラズマＣＶＤ法において、高周波放電を持続させた状態において、シランガスの供給を停止し、代わりに放電ガスでなる水素ガスの供給を行う。そして所定の時間水素ガスの分解による成膜を従わないプラズマを形成する。この状態では、被形成面に負の自己バイアスが加わっているので、負に帯電した微粒子は、被形成面に付着しない。そして、雰囲気内の微粒子が排気された状態で放電を停止させる。こうして、被形成面に微粒子が付着しない状態とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 燐化硼素系半導体層を双晶や積層欠陥等の結晶欠陥の密度の小さな結晶性に優れたものすることができ、この燐化硼素系半導体層を利用して、素子としての諸特性を向上させることができるようにする。
【解決手段】 本発明は、単結晶材料層１０１と、その単結晶材料層１０１の表面上に形成された燐化硼素系半導体層１０２とを備えてなる半導体素子１０において、単結晶材料層１０１は六方晶からなり、その｛１．１．−２．０．｝結晶面からなる表面上に、六方晶からなる上記燐化硼素系半導体層１０２を設けるものである。 （もっと読む）

【課題】作業工数を増加させることなく、エピタキシャル層の表面から離れた内部にゲッタリング効果を生じさせる。
【解決手段】エピタキシャルウェーハ１１は、シリコン基板１２とシリコン基板１２の表面に成膜されたエピタキシャル層１３とを備える。エピタキシャル層１３の全部の領域又は厚さ方向の表面を除く一部の領域に窒素が含有される。エピタキシャル層１３の窒素が含有された領域の窒素濃度が１×１０¹³〜１×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³であり、エピタキシャル層１３の厚さ方向の一部の領域がエピタキシャル層の表面から１μｍ以上内部かつシリコン基板とエピタキシャル層の界面までの領域であることが好ましい。その製造方法は、原料ガスを反応容器に流通させ、その原料ガスの流通の全期間にわたって又は一時期に窒素含有ガスを流すことによりエピタキシャル層１３の全部又は厚さ方向の一部に窒素を含有させる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマを均一に発生させるためにガスを供給する順序を制御する方法を提供する。
【解決手段】 マイクロ波プラズマ処理装置１００は，マイクロ波発生器２８から出力されたマイクロ波を，複数の導波管２２を介してスロットアンテナ２３のスロットから複数枚の誘電体パーツに伝播させ，各誘電体パーツを透過して処理容器１０内に放射させる。制御装置４０は，Ａｒガスを処理容器１０内に供給させながら，マイクロ波のパワーを処理容器１０内に入射させる。マイクロ波のパワーによりＡｒガスがプラズマ着火した後，Ａｒガスよりもプラズマ化するためにより大きなエネルギーを必要とするガスであるＳｉＨ_４ガスおよびＮＨ_３ガスを処理容器１０内に供給させる。これにより，マイクロ波プラズマ処理装置１００は，処理容器１０内に入射されたマイクロ波のパワーにより処理ガスをプラズマ化させて良質なＳｉＮ膜を安定的に発生させることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン−ゲルマニウム混晶膜を成長させる際に、所望の領域に炭素等の不純物を高精度にドープし、ボロン等の不純物が拡散するのを効果的に抑制できるようにする。
【解決手段】シリコン原料ガス、ゲルマニウム原料ガス、ボロン原料ガス、炭素原料ガスを反応室１に導入して、基板２上にシリコン−ゲルマニウム混晶膜を成長させる場合に、炭素原料ガスをボロン原料ガスよりも先出しして、炭素原料ガスのガスボンベ１６からの供給タイミングをボロン原料ガスのガスボンベ１５からの供給タイミングに対して早くしている。これにより、炭素とボロンとのシリコン−ゲルマニウム混晶膜中への取り込みにずれが生じないようにして、シリコン−ゲルマニウム混晶膜の任意の深さ領域で炭素の濃度をボロンの濃度より高くしたので、ベース層形成以後の熱プロセスにおいてボロンの拡散を効果的に抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 材料選択の自由度が高く、マグネシウム濃度の低下を抑制できるIII−Ｖ族化合物半導体膜の形成方法及びIII−Ｖ族化合物半導体膜を備えた半導体素子を提供する。
【解決手段】 まず、基板３０上にマグネシウムを含む原料ガスＧ１を供給する。次に、有機金属気相成長装置１０を用いて、マグネシウムを含むｐ型のIII−Ｖ族化合物半導体膜３２を基板３０上に形成する。 （もっと読む）

【課題】 還元性ガスまたは還元性ガスを含むガスのプラズマによるプラズマ発生装置の部材の還元を防止し、かつ、還元性ガスの活性種や荷電粒子などの減少を抑え、被処理物の処理効率が高いプラズマ発生装置、プラズマ発生方法及びプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも一部が誘電体からなる隔壁を有し、大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な第一の空間領域を有する第一の部分と、前記第一の空間領域に第一のガスを導入する手段と、前記誘電体を介して前記第一の部分の外部から前記第一の空間領域にマイクロ波を導入する手段と、前記第一の空間領域に連接するように設けられた第二の空間領域を有する第二の部分と、前記第二の空間領域に第二のガスを導入する手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ発生装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 通気管を取り外さないで十分な清掃等のメンテナンスをする。
【解決手段】 半導体装置を製造するための密閉された製造空間５０の内部と外部とを通気し、製造空間５０を真空処理するための通気管１０を備えた半導体製造装置において、液体供給手段により、通気管１０の内壁に付着した付着物を内壁から脱離させる洗浄用液体が供給される。さらに、気体供給手段により、通気管１０の内壁に付着した付着物を内壁から脱離させるパージ用気体が供給される。 （もっと読む）

【課題】 相互に異なる波長を有する複数の光を発光することが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、活性層６を備える。活性層６は、２つの量子ドット層６１，６２を含む。量子ドット層６１は、量子ドット６１１とキャップ層６１２とからなる。キャップ層６１２は、量子ドット６１１を覆う。また、量子ドット層６２は、量子ドット６２１と、キャップ層６２２とからなる。キャップ層６２２は、量子ドット６２１を覆う。量子ドット６１１は、ＩｎＡｓからなり、量子ドット６２１は、ＩｎＧａＡｓからなる。キャップ層６１１，６２２は、ＧａＡｓからなる。 （もっと読む）

【課題】 大サイズのリアクタによって小サイズのウェハを高スループットで効率良く均一に成膜処理できるようにする。
【解決手段】
小サイズの複数のウェハＷを大サイズ用のＣＶＤ装置１の保持手段７０にて吸着保持する。この保持状態で大サイズ用のリアクタ８０において前記複数ウェハＷを一度に成膜処理する。この成膜の途中でウェハＷをリアクタ８０から一旦出し、向き変更手段４０で各ウェハＷの向きを変えた後、リアクタ８０に戻し、成膜処理を再開する。 （もっと読む）

エミッタ−ベース接合を形成する方法。前記方法は、ベース層（２６）を設けるステップと、一組の処理ガスからなるガスの流れを用いて、ベース層（２６）上にドープしたモノエミッタ層（２８）を成長させるステップとを含み、ガスの流れは、ガスの流れの最初の数秒間、処理ガスにゲルマニウム（Ge）源を添加することを含む。
（もっと読む）

【課題】
Ｐを含有する半導体層とＡｓを含有する半導体層とのヘテロ接合を有する化合物半導体エピタキシャル基板であって、特性のばらつきの少ない化合物半導体素子を与える化合物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
Ｖ族原子としてＰを含む半導体層および、該半導体層の直上に接合され、かつＶ族原子としてＡｓを含む半導体層を有する化合物半導体エピタキシャル基板において、７７Ｋフォトルミネッセンス測定におけるスペクトルのうち、設計上のいずれの層のバンドギャップにも対応せず、かつピーク位置が波長８３０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であるピークの強度が、基板に由来するピークの強度の２倍以下であることを特徴とする化合物半導体エピタキシャル基板。 （もっと読む）

【課題】 高品質のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の成長が可能なＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法および有機金属化学気相成長装置を提供する。
【解決手段】 有機金属化学気相成長装置を用いてＧａＮ系半導体などのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長を行う場合に、反応管１１に原料ガスを供給するためのキャリアガスの不純物濃度を反応管１１の手前で１０ｐｐｂ以下にする。また、反応管１１に接続されたリアクトライン１０への二種以上の有機金属化合物ガスの供給時刻のずれを０．０１秒以下にする。また、反応管１１に接続されたリアクトライン１０に接続された有機金属化合物ガス供給用の配管１に流すキャリアガスの流量を毎分１００ｃｃ以上にする。また、ＩＩＩ族元素を含む有機金属化合物ガスとＶ族元素を含む化合物ガスとが反応管１１内で合流する部位から反応管内に設置される基板までの距離を２０ｃｍ以下にする。 （もっと読む）

【課題】原子層成長方法において、ガスの無駄を抑制した状態で、より高速に成膜できるようにする。
【解決手段】原料吸着の過程で、まず、成膜チャンバーの内部の排気状態は停止された状態とする。また、成膜チャンバーの内部にＳｉＣｌ₄からなる原料ガスが導入され、シリコン基板の上に原料ガスが供給された状態とする。ここで、原料ガスの供給は、約５秒間行った後停止し、原料吸着の過程は３０秒程度継続する。言い換えると、排気状態が停止された３０秒間の初期に、約５秒程度の間は原料ガスの供給を行い、この後の２５秒程度の間は、原料ガスの供給を停止する。このことにより、シリコン基板の上に、原料であるＳｉＣｌ₄分子が吸着してＳｉＣｌ₄分子層（吸着層）が形成された状態とする。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、成膜、エッチング、あるいは、表面変質等のプラズマを用いたプロセスの際、Ｘｅを含むガスを用いて行うことを特徴とする。
【課題】 本発明は、基板、あるいは、新たに基板上に堆積・形成する膜および基板の中に、イオン照射に起因して導入される欠陥を劇的に減少させるプラズマプロセス方法を提供することを目的とする。 （もっと読む）

【課題】従来技術では、窒化物系化合物半導体発光素子を形成する場合において、熱処理あるいは電子線照射処理することなく、as grownで高い正孔濃度を有するｐ型導電を示す窒化物系化合物半導体結晶を得ることができなかった。したがって、従来の窒化物系化合物半導体発光素子では、コンタクト抵抗の大きいこと、熱処理によるダメージなどで、十分に発光素子特性を向上させることができなかった。本発明では上記課題を解決し、低駆動電流・電圧で発光し、かつ、高輝度の窒化物系化合物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明では、結晶方位が＜０００１＞方向より０．０５°以上２°以下の範囲で傾斜したＧａＮ基板上に、窒化物系化合物半導体（Ｇａ_xＩｎ_yＡｌ_1-(x+y)Ｎ,０≦ｘ≦１,０≦ｙ≦１,０≦ｘ＋ｙ≦１）からなるアクセプタードーピング層と活性層を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】 発熱体ＣＶＤ装置を用いて、同一の処理容器内に配置されている同一の基板上に二種以上の異種の薄膜を連続して形成する薄膜形成方法において、異種の薄膜界面に低品質の薄膜が形成されることを防止する。
【解決手段】 処理容器内に供給する原料ガスを、処理容器内に添加ガスが供給されている状態で、最初に供給していた原料ガスから、次の原料ガスに切り替える工程と、処理容器内に供給する添加ガスを、最初に供給している第一の添加ガスから、当該第一の添加ガスとは異なる第二の添加ガスに切り替える工程とを行って、前記処理容器内において、基板ホルダーに保持されている同一の基板上に二種以上の異種の薄膜を連続して成膜する。 （もっと読む）

【課題】 導電型がＰ型の半導体層のキャリアの電気的活性化率を高くできる半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体層の製造方法では、ＭＢＥ法によるＰ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５およびＰ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層７の成長は、Ｇａセルと、Ａｌセル、Ｉｎセル、Ｐセル、およびドーパントである例えばＢｅ(ベリリウム)セルのシャッターを開け、それぞれの分子線を基板上に照射し、例えば、５００℃でＰ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、７をエピタキシャル成長する。この後、Ａｌセルを閉じ、Ｇａ分子線とＩｎ分子線とＰ分子線の照射によって、Ｐ型ＧａＩｎＰ中間層８を成長し、積層した半導体層を降温し、水素パッシベーションの影響がない温度範囲(一例として４５０℃を超える温度)で、Ｐセルのシャッターも閉じて、成長した半導体層へのＰの分子線の照射を停止した。 （もっと読む）

本発明は、Ｇｅ含有ガスを供給してＥｐｉ−ＳｉＧｅ等の成膜処理をする場合に、基板界面の酸素濃度上昇を抑え、良好な膜を形成することができる基板処理装置を提供することを課題としている。
基板に成膜処理をする際に、ステップＳ１８においてＥｐｉ−ＳｉＧｅ成膜処理を行う前に、ステップＳ１３においてＳｉコーティング処理を行う。 これにより基板支持体に付着したＧｅＯ等の酸化物をコーティングで封じ込めることができ、ＧｅＯから脱離した酸素がＥｐｉ−ＳｉＧｅ膜のＳｉ基板との界面に取り込まれるのを防止することができる。
（もっと読む）