【課題】放電電極内に特別な加熱機構を保有してない放電電極の温度制御が可能な製膜装置および製膜方法を提供する。
【解決手段】基板３０に製膜するためのプラズマを生成する放電電極５と、放電電極５の温度を計測する電極温度計測手段と、基板３０を表面で保持する基板テーブルと、放電電極５、電極温度計測手段、および基板テーブルと、を有する製膜室１と、製膜室１内の圧力を計測する製膜室圧力計測手段と、製膜室１に気体を導入する気体導入手段と、製膜室１内を所定の圧力となるように気体を排気する気体排気手段８と、放電電極５の温度に基づいて、気体導入手段と気体排気手段８との少なくとも１つの作動状況の変化を繰り返す間欠動作を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化膜の窒化速度を向上させる。
【解決手段】ガス流量制御部により処理ガス中の水素含有ガスと窒素含有ガスとの流量をそれぞれ調整し、処理ガス中に含まれる水素原子の数と窒素原子の数との総数に対する水素原子の数の比率Ｒを０％＜Ｒ≦８０％とする工程と、ガス供給部により処理ガスを処理室内に供給する工程と、プラズマ生成部により励起した処理ガスで酸化膜が形成された基板を処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】金属含有膜の酸化を抑制しつつシリコン含有膜の選択酸化を行い、シリコン含有膜中に侵入した水素の残留を抑制する。
【解決手段】基板を第１の温度に加熱しつつ、処理室内に水素含有ガス及び酸素含有ガスを供給した状態でプラズマ放電して所定時間維持する工程と、基板を第１の温度よりも高い第２の温度で加熱しつつ、処理室内に希ガスを供給して処理室内を希ガスの雰囲気に所定時間維持する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が１個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物の表面欠陥の数を低減可能な、III族窒化物半導体を成長する方法を提供する。
【解決手段】成長工程Ｓ１では、アンモニアおよびIII族有機金属物質を含むガスＧ１を気相成長装置１１の成長炉１５に供給して、ＧａＮ等のIII族窒化物半導体を成長する。工程Ｓ２では、時刻ｔ１においてIII族有機金属物質を気相成長装置１１へ供給することを停止して、III族窒化物半導体の成長を終了する。工程Ｓ３では、時刻ｔ２において気相成長装置１１の反応炉１５の温度が、時刻ｔ１における温度Ｔｅｍｐ１よりも低い温度Ｔｅｍｐ２になるように、アンモニアを含むガスを供給しながら時刻ｔ１以降の期間中に気相成長装置１１の温度を変更する。III族窒化物半導体の成長期間Ｔａおよび気相成長装置の温度の変更期間Ｔｂの少なくともいずれかの期間中に、アンモニアの供給量が増加される。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が少なく、かつ平坦性に優れた高品質の立方晶炭化珪素膜を容易に得ることができる立方晶炭化珪素膜の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１の表面を炭化させて下地層２を形成し、次いで、Ｓｉ基板１の下地層２上に原料ガスｇ２を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層３をエピタキシャル成長させ、次いで、この立方晶炭化珪素層３の表面３ａをクリーニングして異物を除去し、次いで、この立方晶炭化珪素層３上に再度、原料ガスｇ２を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層４をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】好適なＡｌＮ層を成長することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、Ｎ原料を供給せずにＡｌ原料を供給するステップと、Ａｌ原料を供給するステップの後にＡｌ原料とＮ原料とを供給するステップとを行って、Ｓｉからなる基板１０上にＡｌＮ層１２を成長する工程と、ＡｌＮ層１２を成長する工程の後に、ＡｌＮ層１２上にＧａＮ系半導体層２１を成長する工程と、を有し、ＡｌＮ層１２を成長する工程は、ＡｌＮ層１２の膜厚をｘ、ＡｌＮ層１２の（００２）面ロッキングカーブの半値幅をｙとすると、
７６５００／ｘ^０．８１＜ｙ＜５３８００／ｘ^０．８３
となるＡｌＮ層１２を成長する工程である半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ｐ型層を形成する際に混入するＳｉによって発生する順方向電圧（Ｖｆ）の不良を従来より低減させ、順方向電圧が良好なエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記ｐ型層のエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、ＨＶＰＥ炉内に窒素ガスを流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】バイアスパワーを印加して、窒化珪素膜を成膜する際、基板周辺部におけるブリスタの発生を抑制する窒化珪素膜の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】半導体素子に用いる窒化珪素膜を、プラズマ処理により基板上に形成する窒化珪素膜の製造方法及び装置において、時間ｂ１において基板にバイアスを印加すると共に、バイアスを印加した後、時間ｂ３において、窒化珪素膜の原料ガスＳｉＨ₄の供給を開始する。 （もっと読む）

【課題】 表面ラフネスの精度をさらに改善でき、進展するコンタクトホールやラインなどの微細化に対応可能なアモルファスシリコンの成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地２を加熱し、加熱した下地２にアミノシラン系ガスを流し、下地２の表面にシード層３を形成する工程と、下地２を加熱し、加熱した下地２の表面のシード層３にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、アミノ基を含まないシラン系ガスを熱分解させることで、シード層３上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】プロセス結果に悪影響を及ぼす処理ガス供給周期パターンを予め変更しておき、基板に対する適切な処理を行う。
【解決手段】設定値入力部４１からの情報に基づいて、基板回転機構の回転周期、処理ガスの供給周期、処理ガスの供給時間及び処理ガスの供給回数を含む処理ガス供給周期パターン演算結果が、パターン演算部４２において求められる。設定値入力部４１からの情報に基づいて、基板上に供給される処理ガスの供給領域の形状がシミュレータ４９によりシミュレーションされ、その結果がディスプレイ５０に表示される。比較部４３において、パターン演算部４２からの処理ガス供給周期パターンの演算結果と、記憶部４５からのプロセス結果に悪影響を与える処理ガス供給周期パターンの参照結果とが比較される。比較部４３において、処理ガス供給周期パターンの演算結果と、プロセス結果に悪影響を与える参照結果が一致した場合、アラーム部４４からアラームが発せられる。 （もっと読む）

【課題】成膜対象のシリコン基板の表面上に自然酸化膜が形成されている場合であっても、基板上にホウ素含有アモルファスシリコン膜を形成する際の成長遅れ時間を短縮させ、基板処理の生産性を向上させる。
【解決手段】反応室２０１内に基板２００を搬入する搬入工程と、前記反応室内にシリコン含有ガスのみを供給し前記基板上にシード層を形成する第１の成膜工程と、引き続き、前記反応室内にシリコン含有ガスとホウ素含有ガスとを供給し前記シード層上にホウ素含有アモルファスシリコン膜を形成する第２の成膜工程と、前記反応室内から前記基板を搬出する搬出工程と、を有する基板処理方法とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜の形成に寄与しなかったガスを排気トラップにおいて十分にトラップすることができる原子層堆積方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積方法であって、薄膜の原料である原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを供給する反応ガス供給工程と、反応ガスのプラズマを間欠的に発生させるプラズマ発生工程と、プラズマ発生工程の後に、成膜室から排気された反応ガスに活性ガスを間欠的に供給し、排気トラップにトラップさせる活性ガス供給工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤにより膜を形成する際、従来の装置のように、基板に形成される薄膜の品質を劣化させることがない、新たな方式の原料ガスの供給を実現する。
【解決手段】薄膜形成装置は、減圧した成膜空間を形成する減圧容器と、原料ガスを成膜空間に供給する原料ガス供給ユニットと、を有する。原料ガス供給ユニットは、原料ガス管と、パージガス管と、原料ガス管とパージガス管とが接続されて原料ガスおよびパージガスを成膜空間に供給するガス供給管とを有する。原料ガス管には、原料ガス管とパージガス管との接続部分から近い順に第１制御バルブと第２制御バルブと、が設けられている。原料ガス供給ユニットは、第２制御バルブを開いて、第１制御バルブと第２制御バルブ間の減圧状態にある原料ガス管内に原料ガスを導入した後、第１制御バルブを開くように制御することにより、原料ガスを、成膜空間に供給する。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤプロセスは、次世代半導体デバイスの作製において重要な技法であると考えられるが、ウェハスループットが低い。この点を改良する方法を提供する。
【解決手段】ウェハを、ウェハ上で最大飽和ＡＬＤ堆積レートをもたらすのに充分に至らない量の、第１の化学的に反応する前駆体ドーズ量で被覆し、次に、第２の化学的に反応する前駆体ドーズ量で被覆され、前駆体は、ほぼ均一な膜堆積を実現するように分散されるプロセス。第２の化学的に反応する前駆体ドーズ量は、同様に、ウェハ上で最大飽和ＡＬＤ堆積レートをもたらすのに充分に至らない量の、または、別法として、ウェハ上で不足状態の飽和堆積をもたらすのに充分であってもよい。プロセスは、前駆体ドーズ量の被覆と被覆の間で、または、被覆の１つのセットと別のセットの間でパージを含んでも含まなくてもよい。 （もっと読む）

本発明の諸実施形態は、多層堆積する間中の欠陥を低減する方法を提示する。一実施形態では、この方法は、基板をプラズマの存在下で第１のガス混合物および不活性ガスに曝して、基板上に第１の材料の層を堆積するステップと、第１の材料の所望の厚さが得られたときに、プラズマを引き続き維持しつつ不活性ガスを流しながら、第１のガス混合物を終了させるステップと、基板をプラズマの存在下で、第１のガス混合物と共存できる不活性ガスおよび第２のガス混合物に曝して、第１の材料の層の上に第２の材料の層を同じ処理チャンバ内で堆積するステップとを含み、第１の材料の層と第２の材料の層は互いに異なる。
（もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器の天井壁に設けられた第３ノズル部を介してハロゲン系ガスに第２ガスの少なくとも一部を添加したガスを処理容器内に供給すると共に第１ノズル部を介してハロゲン系ガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】薄膜蒸着システム及び薄膜蒸着方法を提供する。
【解決手段】薄膜蒸着システムは、原料物質を提供する原料物質供給部２１０と、前記原料物質供給部に連結されて、前記原料物質供給部から原料物質を受け取って気化させる気化器２３１が設けられた原料ガス供給部２３０と、前記原料ガス供給部に連結されて、気化された原料物質を受け取って被処理物上に薄膜を蒸着する薄膜蒸着装置１００と、一端が前記気化器に連結されて、前記気化器の内部を排気する気化器排気ユニット３００と、前記気化器排気ユニットに連結されるように設けられて、前記気化器排気ユニットの圧力を調節することによって、前記気化器の内部に供給された原料物質の流速を制御する圧力調節部３５０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電離電圧の高い放電ガスを用いながら、アーク放電を効率よく短時間に発生させ、薄膜素子を効率よく製造する。
【解決手段】圧力勾配型アーク放電プラズマガン10を用いてプラズマを発生させる。プラズマガン10は、陰極1と、第１、第２および第３中間電極2,3,7と、陽極4とを備える。陰極1と第１中間電極間2に電圧を印加してグロー放電を発生させた後、順次、第２中間電極3、第３中間電極7、陽極4に所定のタイミングで電圧を印加していき、陰極1との間にグロー放電を生じさせ、その後放電電流を上昇させることによりグロー放電をアーク放電に移行させる。これにより、３つの中間電極を備えた構成であっても短時間にグロー放電を安定して生じさせることができ、アーク放電に移行させることができる。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスの小さいポリシリコン膜を形成することができる半導体装置の製造方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】Ｃｌを含むＢ源と、Ｈを含むＳｉ源を有する原料ガスを反応室内に供給して、半導体基板上にＢがドープされたポリシリコン膜を成長させる際に、前記原料ガスのうち、少なくともＢ源の供給と同時に塩化水素ガスを前記反応室内に供給する工程と、パージガスを前記反応室内に供給して、前記原料ガス及び前記塩化水素ガスを排出する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）