ＩＩＩ−Ｖ族ｎ型窒化物構造物を製作する方法は、成長Ｓｉ基板を製作することと、次いで、第一の所定の値に設定された流量においてシランガス（ＳｉＨ_４）を前駆物質として用いて、ＩＩＩ−Ｖ族ｎ型層をＳｉ基板の上に堆積させる（２１０）こととを包含する。その後、ＳｉＨ_４流量は、ｎ型層の製作の間に第二の所定の流量まで低減される（２２０）。この方法はまた、ｎ型層の上に多重量子井戸活性領域を形成することも含む。加えて、流量は、所定の期間にわたって低減され、第二の所定の値は、ｎ型層と該活性領域との界面から十分に短い所定の距離において達せられる（２３０）。
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【課題】ＮＯガスを処理ガスとして用いた酸窒化処理を行うに際して、当該酸窒化処理により所望の膜厚及び窒素濃度のシリコン酸窒化膜を得る。
【解決手段】酸窒化処理を行うに際して、処理ガスの不純物濃度を計測し、生成される酸窒化膜の膜厚又は酸窒化膜の窒素濃度が所定範囲内の値となるように、計測された不純物濃度に応じて当該酸窒化処理を行う。ここで、詳細には、処理ガス中の不純物濃度と膜厚又は窒素濃度との相関関係を予め計測し規定しておく。そして、当該相関関係に基づき、膜厚又は窒素濃度が所定範囲内の値となるように、計測された不純物濃度に応じて、具体的には酸窒化処理における処理圧力を調節設定して当該処理を行う。 （もっと読む）

【課題】クリーニング時に処理室内においてデッドスペースが発生するのを抑制する。
【解決手段】基板処理装置は、基板２００を処理する処理室２０１と、処理室を排気する排気管２３１、４０２と、排気管２３１、４０２を開閉する排気バルブ２４３ｄ、４０４と、クリーニングガスを処理室に供給するクリーニングガス供給管３０２、３５０と、クリーニングガス供給管３０２、３５０の開閉を行う供給バルブ３０４、３５４と、制御部２８０とを有し、制御部は、排気バルブ２４３ｄ、４０４と供給バルブ３０４、３５４とを制御して、処理室の排気を止めた状態でクリーニングガスを処理室に供給する。 （もっと読む）

【課題】薄膜を成膜するときの膜厚の均一性を良好にする。
【解決手段】水平方向で多段に積載される複数の基板７を収容する反応室６と、基板を回転させる回転機構２０と、第１と第２の処理用ガス（ＮＨ_３とＤＣＳ）を基板７の周縁部から基板７へ交互に複数回繰り返して供給するガス供給部材５１、５２であって、基板の積載方向に延在するガスノズル４２を含むガス供給部材と、反応室内を排気するガス排気部材４０とを有し、第１の処理用ガス（ＤＣＳ）が基板７に対し、先に供給される時の基板７の周縁箇所と、その次に第１の処理用ガスが供給される時の基板７の周縁箇所とが、異なる箇所になるように、処理用ガスの供給タイミング又は回転機構２０の回転速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】タングステンからなる電極や配線の表面に形成された酸化物を、アンモニアガスをプラズマにより活性化させた活性種で確実に還元処理することができ、しかもタングステン表面に窒化タングステン膜が形成されないようにする技術を提供すること。
【解決手段】縦型の処理容器内の処理雰囲気から径方向に外れかつ当該処理雰囲気に臨む領域に、前記処理雰囲気に沿って形成されたプラズマ発生領域と、このプラズマ発生領域に沿って伸びるようにかつ当該プラズマ発生領域を挟んで対向して配置されるプラズマ電極と、を備えた縦型熱処理装置を用いて還元処理するにあたって、プラズマ発生領域に供給するアンモニアの供給量を５００ｓｃｃｍ以上１００００ｓｃｃｍ以下、プラズマ電極に印加する高周波を２０Ｗ以上５００Ｗ以下、処理雰囲気の圧力を１３．３×１０^２Ｐａ以下、処理時間を１秒以上１０分以下とする。 （もっと読む）

【課題】ラン／ベント方式における流路切り換え時に発生し得るラン側配管内の圧力変動を無くし、原料ガスを安定的に反応管内に供給し得るようにする。
【解決手段】反応管１へのガスの供給経路であるランライン２と、前記ガスの排気経路であるベントライン３とを用い、原料ガスを前記ランライン２へ流しつつ前記ベントライン３にダミーガスを流すか、あるいは前記原料ガスを前記ベントライン３へ流しつつ前記ランライン２に前記ダミーガスを流すかの流路切り換えを行う気相成長装置において、前記流路切り換えに起因する前記ランライン２の圧力変動を検出する変動検出手段１２と、前記変動検出手段１２による検出結果を記憶する記憶手段２２と、前記流路切り換えのタイミングに合わせて前記記憶手段２２の記憶内容を基にした前記ランライン２のガス流量調整を行うシーケンシャル制御手段２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】高速アニール処理や頻繁なクリーニング処理を必要とすることなく、不純物含有量の少ないアモルファス薄膜を基板上に効率良く形成する事が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板４を反応室１内に搬入する工程と、前記反応室内に原料を供給する工程と、前記反応室内をパージする工程と、前記反応室内に反応物を供給する工程と、前記反応室内をパージする工程と、を複数回繰り返すことにより基板上に膜を形成する工程と、前記膜形成後の基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記原料は酸素原子とハフニウム原子を含む原料を含み、前記膜はハフニウムを含む膜であり、前記原料を供給する工程では、基板温度を４００℃以上４５０℃以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】III族元素としてガリウム及びインジウムを含むと共にＶ族元素としてヒ素及び窒素を含むIII−Ｖ化合物半導体およびＧａＡｓを成長する際に、ＧａＡｓの結晶品質を向上可能なIII−Ｖ化合物半導体を成長する方法を提供する。
【解決手段】光ガイド層１３ａのためのＧａＡｓ層、井戸層１３ｂのためのIII−Ｖ化合物半導体層、障壁層１３ｃのためのＧａＡｓ層、井戸層１３ｄのためのIII−Ｖ化合物半導体層および光ガイド層１３ｅのためのＧａＡｓ層を連続して成長するシーケンスにおいて、引き続く成長のために温度を下げる成長中断期間中および引き続く成長のために温度を上げる成長中断期間中、有機ヒ素化合物といった砒素化合物および／または有機窒素化合物といった窒素化合物を含むガスを有機金属気相成長炉へ供給する。 （もっと読む）

【課題】半導体のエピタキシャル膜を選択的に成長させる場合に、基板処理後、ガス供給部からエッチングガス成分が処理室へ混入することを抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】シリコンを含む半導体のエピタキシャル膜を選択的に成長させる基板処理装置であって、前記基板を収納する処理室９と、前記基板を保持する基板保持具８と、シリコンを含む原料ガス、塩素を含むエッチングガス、及び水素ガスを供給するガス供給手段１９と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段２８と、前記ガス供給手段及び前記排気手段を制御する制御部１８とを備え、前記原料ガスと前記エッチングガスとを前記処理室内に供給、排気して、前記シリコンが露出された基板表面にシリコンを含むエピタキシャル膜を成膜し、成膜後、前記エッチングガスを供給したガス供給部１２，２６に前記水素ガスを流して前記ガス供給部内をパージする。 （もっと読む）

【課題】 Iｎを含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる多重量子井戸構造の発光層の発光効率向上が図れる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 Iｎを含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる多重量子井戸構造の発光層を有する半導体発光素子の製造方法において、多重量子井戸構造の障壁層と井戸層の成長界面で、III族原料ガスの供給を停止する成長中断工程を有し、障壁層成長終了から井戸層成長開始に至るまでの成長中断工程の時間ｔ_１と、井戸層成長終了から障壁層成長開始に至るまでの成長中断工程の時間ｔ_２が、ｔ_１＜ｔ_２を満たす。 （もっと読む）

ｐ型化合物半導体層の形成方法が開示される。この方法は、反応チェンバ内にロードされた基板を第１の温度に上昇させるステップを含む。次いで、反応チェンバ内に、III族元素のソースガス、ｐ型不純物のソースガス、及び水素を含有する窒素のソースガスを供給し、ｐ型化合物半導体層を成長させる。また、ｐ型化合物半導体層の成長が完了した後、III族元素のソースガス及びｐ型不純物のソースガスの供給を中断し、基板の温度を第２の温度に冷却させる。その後、第２の温度で水素を含有する窒素のソースガスの供給を中断及び排出し、冷却ガスで常温まで冷却させる。これにより、基板の温度を冷却させる過程で、ｐ型化合物半導体層に含まれたｐ型不純物に水素が結合することを防ぐことができる。
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マイクロ電子デバイスの製造において使用される半導体処理システムのコンポーネントから残留物を洗浄するための方法および装置。残留物を効果的に除去するために、コンポーネントは、十分な時間の間および十分な条件下において、気相反応物質に接触させられて、残留物を少なくとも部分的に除去する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが異なる場合には、気相反応物質は、残留物と選択的に反応し、イオン注入装置のコンポーネントを構成する物質とは最小限だけ反応する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが同一である場合には、気相反応物質は、残留物およびコンポーネントパーツの両方と反応し得る。
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【課題】パーティクルを低減する成膜装置のシーズニング方法を提供する。
【解決手段】処理容器内壁に付着した膜のプラズマクリーニングを行った後（ステップＳ１）、アモルファス−シリコン膜を堆積し（ステップＳ２）、その上に、窒素含有量を厚さ方向に漸増させた窒化珪素膜を堆積し（ステップＳ３）、基板への成膜が開始されるまで、処理容器内を希ガスのプラズマで維持する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】強いポテンシャル変調を有するとともに、ヘテロ界面においても急峻なN原子の濃度勾配を有する、GaNAs等のIII-V(N)族化合物半導体多層体の製造方法を提供する。
【解決手段】真空容器にGa(III族元素)粒子ビーム源、As(V族元素)粒子ビーム源、及びN(窒素)粒子ビーム源を設け、GaNAs層(N含有層)を形成する際にのみプラズマを点火して窒素粒子ビームを生成し、GaAs層(N非含有層)を形成する際にはプラズマを消火することによりGaAs層のN原子含量を1%未満としかつGaNAs層のN原子含量を1〜10%とする化合物半導体多層積層体の製造が可能となった。 （もっと読む）

【課題】Ａｌの結合による発光効率の低下を抑制する、窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子の製造方法は、基板上に、少なくとも１層以上のｎ型半導体層を形成する工程と、ｎ型半導体層上に、活性層を形成する工程と、活性層上に、キャリアガスとしてＨ₂よりもＮ₂の流量が大きい条件で、Ａｌを供給し、ｐ型ＡｌＧａＮ層を形成する工程と、ｐ型ＡｌＧａＮ層上に、ｐ型ＡｌＧａＮ層を形成する条件と同様の条件で、Ａｌの供給のみを停止し、第１のｐ型ＧａＮ層を形成する工程と、第１のｐ型ＧａＮ層上に、キャリアガスとしてＨ₂よりもＮ₂の流量が小さい条件で、第２のｐ型ＧａＮ層を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】オン電圧を容易に制御し得る化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、バッファ層３、サブコレクタ層４、コレクタ層５、ベース層６、エミッタ層７、コンタクト層９を有し、ベース材料のＶ族原料としてＡｓを有する材料を用い、エミッタ材料のＶ族原料としてＰを有する材料を用いたバイポーラトランジスタ用化合物半導体エピタキシャル基板のＭＯＣＶＤ法による製造方法であって、ベース層成長の後、Ｖ族原料をＡｓを有する材料からＰを有する材料に切り替えた後の待機時間と、得られるバイポーラトランジスタのオン電圧との相関を調べ、その相関から所定のオン電圧を得るために待機時間を設定して、当該オン電圧を得ることを特徴とするバイポーラトランジスタ用化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板と放射温度センサ間の雰囲気を置換ガス等で置換する機能を使用する際に、基板の反りや跳ねが発生することのない基板の熱処理方法を提供する。
【解決手段】前記基板裏面と前記放射温度センサとの間の空間に、前記基板の中央部と外周部との温度差が所定値以下になる低流量で一定時間置換ガスを流す処理をする。当該処理に連続して、前記処理での流量より、高い流量での処理を行う。これにより、初期の置換ガスが突流することがなく、支持リングと基板との接触面と基板中央部のランプ加熱からの吸熱効率の変化を低減することができる。そして、基板面内の温度差を１００℃以下にすることが可能となり、基板に反り、跳ねが発生することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】簡単で低コストな方法により、１つの外囲器内で、高品質の基板を具体化することを可能にする新しい製作方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、少なくとも１つの単結晶層が堆積された単結晶基板を含む構成要素の製作方法に関し、この方法は、気体プラズマ内の金属または半導体の粉末化による単結晶層の堆積に関する１つまたはいくつかのステップを含み、原子堆積の速度が、ステップ自体の中では、かかる原子の均質化速度より遅いことを特徴とする。
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アルキルシランを用いて、デポジションシステムをクリーニングするための組成物および方法がここに記載されている。１つの態様において、半導体製造システムをクリーニングする方法は、半導体製造システムを、少なくとも１種のアルキルシランを含む溶媒でフラッシングすることを包含する。他の態様において、半導体製造システムから少なくとも１種の化学前駆体を除去する方法は、少なくとも１種のアルキルシランを含有する溶媒を、半導体製造システム中に追い入れること、および少なくとも１種の化学前駆体を、溶媒中に溶解させることを包含する。溶媒は、また、異なるアルキルシランおよび他の有機溶媒の混合物を含有し得る。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の形成方法として、静電チャックによる基板の支持を解除する際に、基板にプラズマチャージが生じ難くする。
【解決手段】静電チャック２に電圧を供給してウエハＷを支持する。静電チャック２の上側の空間に、ガス導入ノズル４１，４２からシランガス、酸素ガス、およびアルゴンガスを導入し、これらのガスを励起することによりプラズマを発生させて、ウエハＷ上にシリコン酸化膜を形成する。次に、シランガスと酸素ガスの導入を停止し、アルゴンガスの導入を継続した状態で、反応室内の圧力を所定値まで上昇させ、静電チャック２への電圧の供給を停止する。これにより、アルゴンガスの励起によるプラズマと帯電状態のウエハＷを接触させてウエハＷから電荷を逃がす。 （もっと読む）