【課題】上層としての窒化ガリウム系半導体積層を、画一的な配向性を有し、結晶欠陥の密度が充分に低く結晶性に優れたものとすることができ、さらに充分に安定してもたらすことができるように、下層としての緩衝層を構成する。
【解決手段】本発明の窒化ガリウム系半導体積層構造体１０は、表面をＣ面とするサファイアからなる基板１００と、その基板１００のＣ面と接合する領域に、低温で成長した低温緩衝層１０１が設けられ、その低温緩衝層１０１上に窒化ガリウム系半導体層１０２等が設けられ、低温緩衝層１０１は、アルミニウムよりもガリウムを主体的に含む六方晶のＡｌ_XＧａ_YＮ（０．５＜Ｙ≦１）系III族窒化物材料からなる単結晶層１０１ａを内部に有し、その単結晶層は、（１．１．−２．０．）結晶面よりも、（１．０．−１．０．）結晶面での結晶欠陥の密度を小とする、ことを特徴としている。 （もっと読む）

半導体産業において典型的に使用されるタイプの液体前駆体再充填システム。遠隔の前駆体貯槽（２１０）と二次蒸気送給システム（２２０）は、ＣＶＤ前駆体を近所の供給源に供給する。近所の供給源は、熱伝達手段（３１０）近所のＣＶＤ前駆体貯槽（３２０）を含む。送給ライン（４００）は、この遠隔の二次蒸気送給システムと近所の熱伝達手段を接続する。一定のまたは定期的操作の間に、送給ライン中には液体が存在しない。近所のＣＶＤ前駆体貯槽は、バブラーシステム内のアンプルとして作用するか、またはＣＶＤ前駆体をバブラーシステム内のアンプルに供給することができる。
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【課題】
高輝度の発光素子となり得る３−５族化合物半導体を提供する。
【解決手段】
n型層と一般式Ｉｎ_aＧａ_bＡｌ_cＮ（ａ＋ｂ＋ｃ＝１、０≦a＜1、０＜b≦1、０≦c＜1）で表されるp型層の間に、一般式Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０≦ｚ＜１）で表される量子井戸層と、該量子井戸層を挟む２つの障壁層とからなる量子井戸構造を少なくとも１つ含む多重量子井戸構造を有する３−５族化合物半導体であって、該多重量子井戸構造のＸ線回折により測定される量子井戸層における平均ＩｎＮ混晶比が、該３−５族化合物半導体への電荷注入により発光する発光波長から算出されるＩｎＮ混晶比に対し４２．５％以下であり、かつ該p型層の合計膜厚が３００ｎｍ以上であることを特徴とする３−５族化合物半導体。 （もっと読む）

【課題】
主表面の面方位が｛１１０｝であるシリコンエピタキシャルウェーハにおいて、半導体集積回路製造品質に影響する可能性のある表面粗さを低減する。表面粗さの小さなシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】
主表面の面方位が｛１１０｝であるシリコンエピタキシャルウェーハ製造方法において、エピタキシャル成長後の冷却過程の７５０℃〜６５０℃を５００℃／分よりも大きな速度で急冷する。または、冷却過程での７２０℃以上の温度において表面に保護膜を成長させる、または、基板として用いるシリコンウェーハが主表面の｛１１０｝から主表面と直交する〈１１０〉方向あるいは〈１１１〉方向へ４．６°（±１．６°以内）傾いた基板を用い、７０５℃±１５℃でアニールする。 （もっと読む）

成膜された膜の特性を向上させるための方法及び装置を提供する。本発明に係る方法は、プラズマ化学気相成長プロセスを用いて、基材上に低ｋ誘電体を成膜し、該低ｋ誘電体膜の成膜後にソフトプラズマプロセスによりソフトデチャックシーケンスを実行する。本発明に係る装置は、第一のＲＦ源に接続された上部電極、第二のＲＦ源に接続された基材ホルダ、さらに複数の前駆体及びプロセスガスを供給するためのシャワーヘッドを具備する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ_２Ｏ_３膜とＨｆＯ_２膜等の２種類の膜を同一処理室内で形成する際に、ガス供給ノズル内でのパーティクルの発生を防止または抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ＴＭＡ（Ａｌ（ＣＨ_３）_３、トリメチルアルミニウム）ガスとＯ_３（オゾン）とを交互に処理室に供給してウエハ２００上にＡｌ２Ｏ３膜を形成する工程と、ＴＥＭＡＨ（テトラキス（Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアミノ）ハフニウム）ガスとＯ_３とを交互に処理室内に供給してウエハ２００基板上にＨｆＯ_２膜を形成する工程と、を同一の処理室にて実行可能な基板処理装置であって、ＴＭＡを処理室内に供給するガス供給ノズル２３３と、ＴＥＭＡＨを処理室内に供給するガス供給ノズル２３４とを備え、Ｏ_３は、ガス供給ノズル２３３から処理室内に供給する。 （もっと読む）

【課題】 気密において、ボンベ内のガスを有効に利用することができるようにする。
【解決手段】被試験配管５２とガス供給ボンベ１を接続する供給用配管２２と、供給用配管２２に設けられたバルブ４と、被試験配管５４とガス供給ボンベ１を接続する供給用配管２３と、供給用配管２３に設けられたバルブ５と、被試験配管５２とガス供給ボンベ１ａを接続する供給用配管２２ａと、供給用配管２２ａに設けられたバルブ４ａと、被試験配管５４とガス供給ボンベ１ａを接続する供給用配管２３ａと、供給用配管２３ａに設けられたバルブ５ａと、ガス供給ボンベ１の残圧を検出する残圧検出部３と、ガス供給ボンベ１ａの残圧を検出する残圧検出部３ａと、残圧検出部３，３ａそれぞれが検出した残圧に基づいて、バルブ４，４ａ，５，５ａを制御することにより、ガス供給ボンベ１，１ａの一方を被試験配管５２に接続し、他方を被試験配管５４に接続する制御部３０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】面発光型レーザのメサに成形した部分のＡｌＡｓ層を周囲から酸化し周囲部分をＡｌ_ｘＯ_ｙにする装置であって酸化距離を正確に制御できるようにすること。
【解決手段】抵抗加熱ヒータを内蔵する加熱ステージ７に３本以上の昇降自在のピン３６を設け、酸化終了時にはヒータ加熱および水蒸気含有ガス供給を停止し、ピン３６を押し上げて基板ホルダー６を持ち上げ、加熱ステージ７から基板ホルダー６を切り離し熱容量を小さくしてパージガス４８を吹き付けて水蒸気を追い払って冷却し酸化の進行を直ちに停止させる。 （もっと読む）

【課題】 搬送容器内で膜厚制御可能に酸化膜を形成する。
【解決手段】 搬送容器内酸化装置１０を、密閉式の搬送容器として使用するフープ１０ａに構成する。フープ１０ａには、フープ１０ａ内の環境を、酸化環境と非酸化環境とに適宜切り替える環境切換手段２０を設ける。環境切換手段２０は、フープ１０ａ内に開管したガス供給管２１と、ガス供給管２１に設けたフィルタ２２、ガス切換弁２３とから構成する。かかるフープ１０ａ内に半導体ウエハを収納して搬送する途中で、環境切換手段２０で、フープ１０ａ内を酸化環境に設定することで、所望膜厚の酸化膜を形成する。 （もっと読む）

所望の質量の気体を搬送するシステムであって、チャンバと、前記チャンバへの気体フローを制御する第１の弁と、前記チャンバからの気体フローを制御する第２の弁と、前記チャンバ内部の圧力の測定値を提供する圧力トランスデューサと、このシステムから搬送される所望の質量の気体を提供する入力装置と、前記第１及び第２の弁と前記圧力トランスデューサと前記入力装置とに接続されたコントローラであって、前記所望の質量の気体を前記入力装置を介して受け取り、前記第２の弁を閉鎖し、前記第１の弁を開放し、前記圧力トランスデューサからチャンバ圧力測定値を受け取り、前記チャンバ内部の圧力が所定のレベルに到達すると前記入口弁を閉鎖し、所定の待機期間を待機して前記チャンバ内部の気体が平衡状態に近づくことを可能にし、時刻ｔ_０において出口弁を開放し、放出された気体の質量が前記所望の質量と等しくなる時刻ｔ^＊において前記出口弁を閉鎖するようにプログラムされているコントローラと、を含む。
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【課題】類似の方法を、低スループット等の弱点が十分に回避されかつそれにもかかわらず原子層成膜が可能なように、さらに改良することである。
【解決手段】本発明は、プロセスチャンバ内で少なくとも１つの膜を少なくとも１つの基板上に堆積する方法であって、膜が少なくとも１つの成分からなり、少なくとも第１の金属成分が、液体の又は液体に溶解した第１の原料を不連続に吐出する使用のもと、特に温度調節されたキャリアガス内で蒸発し、少なくとも第２の成分の化学反応原料が供給される方法に関する。原料が切換えられてプロセスチャンバ内に供給され、２番目の原料が化学反応ガス又は化学反応溶液であることが、本質的である。 （もっと読む）

処理容器内部を真空引きした状態で運転を停止していた場合などにおいて、運転を再開しようとしても、プラズマが容易に着火しない現象が生じる問題を解決する。
処理容器（２１）中に酸素を含むガスを流通させ、前記処理容器（２１）内部を排気しながら前記酸素を含むガスに紫外光を照射する。その後、リモートプラズマ源（２６）を駆動して、プラズマを着火させる。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバから排出される種についての交差反応を著しく低減できるような装置を提供する。
【解決手段】装置が、チャンバ入口とチャンバ出口とを有するチャンバと、第１のガス流を受け入れるための第１の入口と、第２のガス流を受け入れるための第２の入口と、第１のガス流を第１の真空ポンプへと出力する第１の出口と、第２のガス流を第２の真空ポンプへと出力する第２の出口と、導管ネットワークであって、第１の入口を第１の出口に結合し、第２の入口を第２の出口に結合し、それぞれのガス流について、第１の流路と第２の流路とをそれぞれの入口と出口との間に形成し、第１の流路はチャンバ入口とチャンバ出口とを通り抜け、第２の流路はチャンバを迂回するような上記導管ネットワークと、ネットワークを通り抜けるガス流の経路を割り当てて、あるガス流が第１の流路に沿って流れるとき、他方のガス流を第２の流路に沿って流れさせる経路割当手段と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】成膜装置において反応容器内に付着した薄膜をフッ素を含むクリーニングガスでクリーニングするにあたり、その後ウエハに対して成膜処理をおこなったときに薄膜へのフッ素の混入を抑えること。
【解決手段】反応容器内にクリーニングガスを供給しながら反応容器内の温度を検出し、クリーニングガスを供給する前の反応容器内の温度をＴ０とすると、温度検出値がピーク値Ｔｐに達したとき、あるいはその後Ｔ０＋０．５（Ｔｐ−Ｔ０）の値になるまでの間にクリーニングガスの供給を止める。この方法は温度検出値と設定値との比較により実施してもよいが、クリーニングガスの供給を開始してから設定温度になるまでの時間を予め求め、経過時間を管理することによりクリーニングガスの供給を止めるようにしてもよい。 （もっと読む）