【課題】成膜を繰り返し実行しても、ピット密度が低く高品質な成膜を行うことができ、量産性に優れたバーチカル方式のＭＯＣＶＤ装置などの気相成膜装置及びこれに用いられる材料ガス噴出装置を提供する。
【解決手段】材料ガス噴出器１２は材料ガス供給室２３，２４と、材料ガス供給室に隣接して設けられた冷却器２１と、材料ガス供給室側に材料ガス流入開口２５，２６を備え、冷却器を貫通して材料ガス供給室の反対側に材料ガス噴出開口３１，３２を備える材料ガス通気孔と、を備えている。上記材料ガス通気孔は冷却器内部で屈曲した形状を備え、材料ガス噴出開口３１，３２から材料ガス流入開口２６，２６への見通し経路を有しないように形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板上に効率よく三族窒化物半導体の膜を生成し、かつ生成膜の均一性を向上させる。
【解決手段】窒化物半導体結晶成長装置１００は、窒素含有ガス供給口８と三族金属含有ガス供給口９と、窒素含有ガス６を分解して活性種を生成する触媒材料１と、を備えており、触媒材料１は、窒素含有ガス供給口８の内部等に設けられており、窒素含有ガス供給口８および三族金属含有ガス供給口９は、何れも基板面に正対している。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物の混入を抑制した金属塩化物ガス発生装置、ハイドライド気相成長装置、及び窒化物半導体テンプレートを提供する。
【解決手段】金属塩化物ガス発生装置としてのＨＶＰＥ装置１は、Ｇａ（金属）７ａを収容するタンク（収容部）７を上流側に有し、成長用の基板１１が配置される成長部３ｂを下流側に有する筒状の反応炉２と、ガス導入口６４ａを有する上流側端部６４からタンク７を経由して成長部３ｂに至るように配置され、上流側端部６４からガスを導入してタンク７に供給し、ガスとタンク７内のＧａとが反応して生成された金属塩化物ガスを成長部３ｂに供給する透光性のガス導入管６０と、反応炉２内に配置され、ガス導入管６０の上流側端部６４を成長部３ｂから熱的に遮断する熱遮蔽板９Ａ、９Ｂとを備え、ガス導入管６０は、上流側端部６４と熱遮蔽板９Ｂとの間で屈曲された構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 大きな直径を有する複数枚の基板（４インチ基板、６インチ基板）の表面に、１０００℃以上の温度で窒化ガリウムの気相成長を行なっても、基板が割れず高品質の結晶成長が可能な気相成長方法を提供する。
【解決手段】 原料ガス導入部の鉛直方向に仕切られた複数枚のガス仕切板の間隙から原料ガスを供給する方法において、基板に最も近接するガス仕切板の先端部の温度を３００〜７００℃に設定し、かつ基板に最も近接するガス噴出口から噴出する原料ガスのガス仕切板の位置における線速が、０．３〜３ｍ／ｓとなるように原料ガスの供給を調整して基板の表面に窒化ガリウム層の形成を行なう方法とする。 （もっと読む）

【課題】原料ガス中の酸素を効果的に除去することで、酸素濃度の少ないエピタキシャル膜を得ることができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置１０は、原料ガスを供給する原料ガス供給部３と、原料ガス供給部と接続され、原料ガスを用いて基板に成膜するための反応室２と、酸素除去手段１とを有している。酸素除去手段１は、原料ガス供給部３と反応室２の少なくともいずれか一方に設けられ、固体電解質６を用いて原料ガスから酸素を除去する。 （もっと読む）

【課題】ガス分散板のガス噴出口として用いたときに安定した流量を得ることができるセラミックス接合体を製造することができる方法及びそれを用いたガス分散板を歩留まり良く製造することができる方法を提供する。
【解決手段】セラミックス粗粒の成形体を加圧焼結させ、多孔質セラミックス１１を得る（第１焼結工程）。セラミックス微粒の環状成形体に多孔質セラミックス１１を嵌め込み、環状成形体１２を緻密化させるとともに、環状の緻密質セラミックス１２と多孔質セラミックス１１とを直接接合させる（第２焼結工程）。セラミックス接合体１０を、焼結後にガス分散板２０の本体となるセラミックス成形体３３に設けられた穴部３４ａに嵌め込む。セラミックス成形体３３を緻密化させるとともに、ガス分散板２０の本体とセラミックス接合体１０とを直接接合させる（第３焼結工程）。 （もっと読む）

【課題】 シャワープレートの熱膨張による反りと温度上昇を防止し、シャワープレート上での生成物の成長を抑制して、被処理基板上に品質の安定した化合物半導体結晶を成膜できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 シャワーヘッドを保護するためのシャワープレートを備えた気相成長装置であって、シャワープレートは、複数のプレート孔を有する中央プレートと、中央プレートを保持する周辺プレートからなり、中央プレートの端面と、中央プレートの端面と向かい合う周辺プレートの側面との間に空間部を設け、空間部は中央プレートの熱膨張による伸長以上の空間を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガス吐出部分が金属とセラミックスの２層構造のシャワープレートを有するシャワーヘッドを用い、均一な処理を行うことが可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】シャワーヘッド１８は、ガス導入孔６１ａが形成された金属製の上部プレート６１と、複数のガス通過孔６６が形成された金属製の下部プレート６２と、上部プレート６１と下部プレート６２との間に設けられたガス拡散空間Ｓと、下部プレート６２の下側全面を覆うように設けられ、ガス通過孔６６に対応して複数のガス吐出孔６７が形成されたセラミックス製のカバー部材６４と、ガス拡散空間Ｓ内に上部プレート６１と下部プレート６２との間を接続するように設けられ、処理にともなって発生する熱を上方へ伝熱する複数の伝熱部材７０ａ，７０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】炉口部を構成する部材の熱劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】処理ガスの供給により複数の基板を処理する処理部と、前記処理部で前記複数の基板を水平に保持するボートと、前記ボートを下方から支持する熱交換体を有し、該熱交換体の外周にガス流通経路が形成されている熱交換部と、前記処理部から前記熱交換部の前記ガス流通経路を介して高温の前記処理ガスが排気される炉口部と、前記ガス流通経路を通って前記処理部に延在されるノズルであって、前記処理部に延在されるノズル上部に前記処理ガスを供給する供給部を有するノズルと、前記ガス流通経路を通るノズル下部と前記熱交換体との間に設けられ、前記ガス流通経路を狭めるためのガス流通経路制限部とを有し、前記ガス流通経路制限部と前記熱交換体との間隙は、前記ノズル上部から前記複数の基板までの距離より小さく設定されている。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、全体としてコイルをなす銅棒３が、石英ブロック４に設けられた銅棒挿入穴１２内に配置され、石英ブロック４は、銅棒挿入穴１２及び冷却水配管１５内を流れる水によって冷却される。トーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、銅棒３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】 ハロゲン系腐蝕性ガスへの曝露に対して、各種構造部材として使用可能な、特に、半導体製造装置の構成部材として好適な、長時間に亘って耐蝕性を有する耐蝕性部材を提供する。
【解決手段】 耐熱性部材の全体あるいは一部が窒化アルミニウムを主成分とする被覆膜によって覆われた耐蝕性部材であって、前記被覆膜のスピン密度が5×10^１５spins/g以上、１×10^１９spins/g以下であることを特徴とし、該耐蝕性部材を静電チャックとして、あるいは加熱部材を内蔵した部材として好適に用いられる。 （もっと読む）

【課題】 窒化アルミニウム（ＡｌＮ）被覆膜（層）を耐熱性部材の表面に被覆した際に、反り変形のない寸法精度に優れた耐蝕性部材を提供する。
【解決手段】 被覆膜の結晶粒のＡｌＮ中に酸素を０．１質量％以上２０質量％以下含有させて、被覆膜の熱膨張率を基材+に合わせるよう調整することを特徴とする。被覆膜の相対密度が５０以上９８％未満であることが好ましい。被覆膜が、化学気相成長法によって成膜され、その後、酸素雰囲気中で７００℃以上１１５０℃以下の温度で加熱されること、あるいは、大気中で暴露させて水和物を形成させた後に不活性雰囲気中で９００℃以上１３００℃以下の温度で加熱処理されること、が好ましい。 （もっと読む）

【課題】高い寸法精度で製造することができ、かつパーティクル・ダストの排出を抑制することができるガスノズルを提供する。
【解決手段】ガスノズル４は、ガスが流れる貫通孔１２，１４を備えた本体１３を有する。本体１３は、貫通孔１２，１４のそれぞれの内周面に複数の環状の段差部１６ａ，１６ｂ，１６ｃを有し、ガスが流れる方向における各段差部１６ａ，１６ｂ，１６ｃの上流よりも下流において、貫通孔１２，１４のそれぞれの内周面が、より中心側に位置している。 （もっと読む）

【課題】全表面でイエロー発光が少なく、導電性を有するＧａＮ結晶自立基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶自立基板は、ＨＶＰＥ法により、結晶側面を除く結晶成長面として、（０００１）面と｛１０−１１｝面および｛１１−２２｝面の少なくともいずれかの面とが混在する状態で成長させたものであり、（０００１）面成長結晶領域において炭素濃度が５×１０¹⁶個／ｃｍ³以下かつ珪素濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以上２×１０¹⁸個／ｃｍ³以下かつ酸素濃度が１×１０¹⁷個／ｃｍ³以下であり、｛１０−１１｝面および｛１１−２２｝面の少なくともいずれかの面を結晶成長面として成長したファセット結晶領域において炭素濃度が３×１０¹⁶個／ｃｍ³以下かつＳｉ濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以下かつ酸素濃度が５×１０¹⁷個／ｃｍ³以上５×１０¹⁸個／ｃｍ³以下である。 （もっと読む）

【課題】貫通穴を目詰まりさせることなく、ガス供給電極の表面に粗面化することができ、また、貫通穴を加工する際に、穴の位置がずれたり、ドリルが破損したりすることがなく、これにより、成膜を行う際に、電極の表面に堆積した成膜物が電極から剥離して基板に付着することを抑制でき、また、安定したガス供給を行なうことができ、高品質な膜を形成することができるガス供給電極の製造方法を提供する。
【解決手段】穴あけ加工を行なって、前記複数の貫通穴を形成する穴加工工程と、
前記穴加工工程の後に、プラズマの生成領域に対面する側の供給面に、プラズマ溶射処理によって、溶射膜を形成する溶射工程とを有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】貫通穴を目詰まりさせることなく、ガス供給電極の表面に粗面化することができ、また、貫通穴を加工する際に、穴の位置がずれたり、ドリルが破損したりすることがなく、これにより、成膜を行う際に、電極の表面に堆積した成膜物が電極から剥離して基板に付着することを抑制でき、また、安定したガス供給を行なうことができ、高品質な膜を形成することができるガス供給電極の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマの生成領域に対面する側の供給面の表面粗さを上げる粗面化工程と、粗面化工程の後に、供給面とは反対側の裏面から穴あけ加工を行なって、複数の貫通穴を形成する穴加工工程とを有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】形成される膜の膜質および膜厚が均一となるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１は、処理室２内に配設された第１の電極４と、第１の電極４に対向し、基板１０を保持できる第２の電極３と、処理室２内から排気を行なう排気手段６と、処理室２内にガスを供給するガス供給手段７と、を備え、第１の電極４は、第２の電極３に対向する複数の凸部４１ａ〜４１ｅを有し、凸部４１ａ〜４１ｅの先端部にガス供給口４２が形成されたものであって、複数の凸部４１ａ〜４１ｅの先端部となる面が面一に形成され、凸部間に形成される凹部４２ａ〜４２ｄの深さが、第１の電極４の中央部に比べ、外周部の方が深い。 （もっと読む）

【課題】誘導コイルの外側に設けられた金属材料で構成された部材が誘導加熱されることを抑制し、基板処理中の安全性を向上させる。
【解決手段】基板１４を収容する反応管４２と、該反応管の外周を囲うように設けられた誘導加熱部５０と、該誘導加熱部の外を囲うように設けられる遮蔽部１００と、前記反応管４０内に少なくとも原料ガスを供給するガス供給部２６０，２７０，２８０と、前記誘導加熱部５０が前記反応管４０内を加熱すると共に、前記ガス供給部２６０，２７０，２８０から原料ガスを前記反応管４０内へ供給させて前記基板１４を処理する制御部１５２と、を備え、前記遮蔽部１００が、前記誘導加熱部５０の外を囲うように設けられている。 （もっと読む）

【課題】電極板の破損を防止できると共に、部品点数の増加を防止してメンテナンス性の悪化を防止できる電極アッセンブリを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、電極板３２と、表面にアルマイト処理が施されたアルミニウムからなるクーリングプレート（Ｃ／Ｐ）３４と、電極板３２及びＣ／Ｐ３４の間に介在し、半導体材料からなるスペーサー３７とを有する上部電極アッセンブリを備える。Ｃ／Ｐ３４には、アルマイトが存在せずアルミニウムが露出するように固定具の座面３４ｂが形成され、電極板３２には、ボルト６３のねじ部と螺合するねじ孔３２ｂが形成されている。Ｃ／Ｐ３４、スペーサー３７及び電極板３２を導通材料からなるボルト６３で締結した際に、ボルト６３がＣ／Ｐ３４の座面３４ｂに接触すると共に電極板３２のねじ孔３２ｂに螺合することにより、Ｃ／Ｐ３４と電極板３２とが導通する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法において、シャワー板及び不必要な部分でのプラズマ発生を抑制するために設けられる部材であるアースシールドに適用可能であり、かつクリーニング時にサンドブラスト処理を行ってシャワー板及びアースシールドが変形しても、初期の形状に戻して再利用が可能であり、電極用部材の交換コストを低減させることが可能なプラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶＤ成膜方法を提供することにある。
【解決手段】真空容器２２中に、基板保持電極５０と高周波電極４０とを対向して設け、高周波電極４０の表面側に複数の小孔２を有するシャワー板１を設け、いずれかの電極５０，４０に高周波電圧を印加し、小孔２を通して原料ガスを導入して基板３をプラズマＣＶＤ法で成膜処理するプラズマＣＶＤ装置において、シャワー板１は、形状記憶合金で形成されているとともに、シャワー板１は、成膜による付着物が機械的手段によって除去され、かつ熱処理手段によって初期の形状に戻るものである。 （もっと読む）