【課題】各アンテナに発生する高周波電圧のバラツキを低減できて、プラズマ発生部の大口径化、大容積化を図っても均一なプラズマを発生でき、プラズマによる薄膜形成やプラズマイオン注入を安定化できる高周波電力供給装置およびプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】２つ以上の誘導性のアンテナ１と、各アンテナ１に対して電力を供給する高周波電源２、４と、各高周波電源２、４に含まれ、各アンテナ１にそれぞれ対応する高周波電力増幅器４と、高周波増幅器４の高周波出力とアンテナ１との間にインピーダンス整合用の受動回路および配線とを有し、各アンテナ１での定在波の発生を回避するために受動回路の出力点から対応するアンテナ１の任意の点までの長さが、高周波電力が各配線および各アンテナ１を波として伝搬する際の高周波電力の波長の１／４未満である。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッドへの膜成長を抑制する。
【解決手段】アノード電極３とカソード電極１７間に高周波電力を印加してプラズマを発生させて、アノード電極３とカソード電極１７間に第一ガスと第二ガスを供給し、アノード電極３上に保持した基板４に成膜するＰＥＣＶＤにおいて、下側室５４と上側室５５とを形成したシャワーヘッド本体５０にカソード電極１７を設け、下側室５４には第一ガス供給ライン５１を接続し、上側室５５には第二ガス供給ライン５２を接続する。カソード電極１７には処理室にガスを吹き出す第一ガス供給孔５８と第二ガス供給孔５９を複数本ずつ開設し、第一ガス供給孔５８は下側室５４に連通させ、第二ガス供給孔５９は上側室５５に連通させる。カソード電極１７下面には突起６０を各第一ガス供給孔５８に対向する位置に突設し、凹部６１を各第二ガス供給孔５９に対向する位置に没設する。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比が高くて幅が狭い凹状フィーチャーに誘電層を形成するための新規方法を提供する。
【解決手段】間隙に流動性重合膜をプラズマ強化化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法によって形成した後で、当該膜を誘電材料に変換するためのインサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）処理を実行することを含む。インサイチュ処理は、純粋な熱処理プロセスまたはプラズマ処理プロセス。堆積−インサイチュ処理−堆積−インサイチュ処理というプロセスを実行して、間隙に誘電層を形成する。この一連の手順は、間隙をボトムアップ式に充填するべく必要なだけ繰り返される。エクサイチュ処理後プロセスは、間隙の充填が完了した後で実行される。特定の実施形態によると、誘電率が３．０未満の膜が形成される。上記プロセスは、フロントエンドおよびバックエンドの間隙充填に利用可能である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ電位が低く，より安定した高密度のプラズマを容易に形成する。
【解決手段】処理室１０２内に設けられ，ウエハを載置する載置台１１０と，処理室内に処理ガスを導入するガス供給部１２０と，処理室内を排気して減圧する排気部１３０と，載置台に対向するように板状誘電体１０４を介して配設された平面状の高周波アンテナ１４０と，高周波アンテナを覆うように設けられたシールド部材１６０と，載置台と板状誘電体との間に誘導結合プラズマを生成するための高周波を高周波アンテナに印加する高周波電源１５０とを備え，高周波アンテナは両端を開放するとともに中点又はその近傍を接地し，前記高周波電源からの高周波の１／２波長で共振するように構成したアンテナ素子１４２からなる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の処理容器内の金属面とプラズマとの間を伝搬する金属表面波を計測する。
【解決手段】金属表面波計測装置１０００は、電磁波によりガスを励起させて基板Ｇをプラズマ処理するプラズマ処理装置２０００に設けられ、処理容器内部の金属とプラズマとの間を伝搬する金属表面波を計測する。金属表面波計測装置１０００は、プラズマに近接して設けられた金属からなるプローブ１００５ａ、１００５ｂ、１００５ｃと、プローブ１００５ａ、１００５ｂ、１００５ｃに電気的に接続されたオシロスコープ１０３０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】金属電極及び周辺の構成を適正化する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、処理容器１００と、マイクロ波を出力するマイクロ波源９００と、処理容器内の天井面に隣接して設けられ、マイクロ波源９００から出力されたマイクロ波を処理容器内に放出する誘電体板３０５と、誘電体板３０５のプラズマ側の面にて誘電体板３０５に隣接して設けられ、周縁から誘電体板３０５の一部を処理容器内に露出させる菱形状の金属電極３１０とを有する。金属電極３１０と誘電体板３０５とは、処理容器１００の天井面を区切る仮想領域であって金属電極３１０の２本の対角線Ｄ１，Ｄ２にそれぞれ平行な２本ずつの直線から画定され、金属電極３１０と誘電体板３０５とを含む最小の矩形領域をセル領域Ｃｅｌとして、セル領域Ｃｅｌの短辺の長さに対する長辺の長さの比は、１．２以下になっている。 （もっと読む）

【課題】放電空間が１つのチャンバー内に複数あり、それぞれの電極に均等に電力を導入することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】反応容器としての密封可能なチャンバー３があり、その内部中央に、１つのアノード電極４がチャンバー３の底面に対して略垂直に配置されている。アノード電極４の左右両面には、被処理物であるガラス基板１，１が配置されている。カソード電極２，２へは、１個のプラズマ励起電源８により電力が供給される。電源８とチャンバー３との間には、カソード・アノード電極２，４および電源８の間のインピーダンスを整合する１個のマッチングボックス７が配設されている。電源８とマッチングボックス７とは１本の電力導入線１０で接続されている。電力導入線１０は、マッチングボックス７からカソード電極２までの間で２本に分岐され、分岐された部分からは対称に延びている。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に、プラズマを使用して基板を処理するための方法および装置に関する。より詳しくは、本発明の実施形態は、複数のＲＦ帰還用ストラップに連結された電極を有するプラズマ処理用チャンバを提供し、ＲＦ帰還用ストラップのインピーダンスが、処理中にプラズマ分布を調整するように設定されるおよび／または調節される。一実施形態では、ＲＦ帰還用ストラップのインピーダンスが、ＲＦ帰還用ストラップの長さを変化させることによってか、ＲＦ帰還用ストラップの幅を変化させることによってか、ＲＦ帰還用ストラップの間隔を変化させることによってか、ＲＦ帰還用ストラップの場所を変化させることによってか、ＲＦ帰還用ストラップにコンデンサを付加することによってか、またはこれらの組み合わせによって変わる。
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【課題】高周波電力の周波数を変化させても、反射波成分を抑制するように周波数を制御する整合動作を精密に行うことができる高周波電源装置を提供する。
【解決手段】第１及び第２の周波数ｆ1及びｆ2を有する第１及び第２の高周波信号を出力する高周波発生部１０１及び１０２と、第１及び第２の周波数の差を一定に保つように制御する周波数制御部１０５と、第１の高周波信号を増幅する電力増幅部１０３とを備える。反射波検出信号Ｓrを第２の高周波信号と乗算して得た差周波数信号をフィルタ１２２を通して抽出し、抽出した差周波数信号のレベルを検出して反射波電力の基本周波数成分を示す反射波検出値Ｓraを得る。第１の周波数ｆ1を変化させながら反射波検出値Ｓraを最小にする第１の周波数ｆ1を探索し、探索した周波数を第１の周波数ｆ1とするように第１の周波数ｆ1を制御して、反射波電力を基準値以下に抑制する整合動作を行わせる。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法により、より簡便な装置構成で、高いスパッタ速度で十分に酸化された酸化チタン膜が形成できるようにする。
【解決手段】プラズマ生成室１０４内にＥＣＲプラズマ１１１を形成させる。例えばアルゴンガスの供給流量は８sccm，酸素ガスの供給流量は１．４sccmとする。このようにしてＥＣＲプラズマを生成してスパッタ状態にすると共に、ヒータ１０７により基板１０３を例えば６００℃に加熱し、加熱された基板１０３からの輻射熱１７１によりターゲット１０２を加熱する。この状態を所定時間継続することで、加熱されたターゲット１０２よりスパッタされている粒子（Ｔｉ原子）１４１が、ＥＣＲプラズマ中の酸素イオンや酸素ラジカルなどの活性化された酸素により酸化されて基板１０３の上に堆積し、基板１０３の上に酸化チタン膜１１２が形成される。 （もっと読む）

【課題】イオン衝撃を緩和してダストの発生及び耐久性の低下を回避すると同時に、プラズマの拡散を抑制してプラズマ密度の均一性制御に優れた、高品質・高性能の半導体製造装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバー１の側壁部の中央に、凹部を有するホロープラズマ生成部８が直接形成されている。ホロープラズマ生成部８の凹部はウェーハＷの周方向に向かって開口されている。 （もっと読む）

【課題】水晶振動子センサでの測定について、圧力を測定するのと同様な、簡単な方法で測定を行うことが可能であり、実用の製造装置への実用も容易なプラズマ中に存在する活性種の測定装置及び方法を実現する。
【解決手段】水晶振動子センサ１を備えており、物性依存出力が既存の分子構成に対する検量線とのズレからプラズマによって生成した活性種の量を計測する装置によって、プラズマが発生している反応装置３内のガスの物性値に依存する物性依存出力を測定することにより、分子以外の化学種であって、プラズマによって生成されるイオン及びラジカルを含む化学種の量を計測する。 （もっと読む）

【課題】反応ガスのガス圧力が高い条件においても半導体や導電性などの抵抗値の低い被処理部材に対して均一に成膜等のプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を得ること。
【解決手段】第１電極および接地された第２電極との間隙にプラズマを発生させるプラズマ発生器と、第１電極に電力を印可する電源と、第１電極と第２電極との間隙に反応ガスを供給するガス供給源と、を備え、電源により第１電極に電力を印加した状態で第１電極と第２電極との間隙に反応ガスを流通させることにより反応ガスをプラズマ化させたプラズマ流を、プラズマ流のプラズマ発生器からの噴出方向が被処理面と略垂直となるように配置された被処理部材に照射するプラズマ処理装置であって、第１電極と被処理面との間隙の最小間隙寸法が、プラズマ発生器においてプラズマ流を噴出する噴出部近傍における第１電極と第２電極との間隙の最小間隙寸法より大である。 （もっと読む）

【課題】成膜する膜の組成及び基板サイズによらず、面内方向の組成等の膜特性を高度に均一化することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】基板ＢとターゲットＴとを対向させて、プラズマを用いた気相成長法により基板Ｂ上にターゲットＴの構成元素を含む膜を成膜するに際して、ターゲットＴの表面から基板Ｂ側に２〜３ｃｍ離れた位置のプラズマ空間のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）の基板Ｂの面内方向のばらつきを±１０Ｖ以内に調整して、成膜を行う。ターゲットＴの表面から基板２０側に２〜３ｃｍ離れた位置におけるガス圧力の基板Ｂの面内方向のばらつきを±１．５％以内に調整して、成膜を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】特に光学積層膜を設計どおりに再現性よく得ることができる堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】反応容器内に原料ガスを導入する工程と、高周波電力を印加する工程を複数回繰り返す事により、基板上に複数の堆積膜を積層する堆積膜形成方法であって、（１）反応容器体積とガス圧力とガス流量から計算されるガス滞留時間の５倍以上の時間、一定流量のガスを流しつづけ、反応容器内のガス分布を安定化させる安定化工程２１１と、安定化工程２１１後に高周波電源から電力を印加して放電を開始し、基板上に堆積膜を形成する膜堆積工程２１２と、を有し、（２）膜堆積工程２１２は、電力の立ち上がり工程２０１と、インピーダンス整合工程２０３と、安定放電工程２０５と、電力をオフする立ち下がり工程２０４と、からなり、立ち上がり工程２０１とインピーダンス整合工程２０３と立ち下がり工程２０４の合計時間が、１秒以上、１０秒以下である。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でありながら不要部分の成膜を回避することができる技術を提供すること。
【解決手段】基板Ｗに対する成膜処理を施すため、成膜の材料を有する第１の気体Ｇ１および反応を促進させるための材料を有する第２の気体Ｇ２を導入するチャンバ１０と、基板Ｗを配置するとともに、チャンバ１０内で一方側の電極となるサセプタ２０と、チャンバ１０内でサセプタ２０と対向して配置される上部電極３０と、チャンバ１０内で上部電極３０の背面側に取り付けられ、チャンバ１０内に供給される第１の気体Ｇ１を導入する第１の導入路１００と、第１の導入路１００とは分離して設けられ、第２の気体Ｇ２を導入する第２の導入路２００と、第１の導入路１００および第２の導入路２００とは分離して設けられ、第２の気体Ｇ２を上部電極３０とチャンバ１０との隙間に導く第３の導入路３００とを有する分離部４０とを有する成膜装置である。 （もっと読む）

【課題】 複数の内部処理空間を有する多重基板処理チャンバーおよびこれを含む基板処理システムを提供することを課題とする。
【解決手段】 少なくとも二つの内部処理空間が形成されたチャンバーハウジングと、前記チャンバーハウジングに設置され、前記チャンバーハウジングを前記少なくとも二つの内部処理空間に分割する少なくとも一つのパーテーション部材とを含んで、前記各内部処理空間は前記パーテーション部材と結びついて均一な処理反応が発生する対称的な形状を有することを特徴とする。本発明の多重基板処理チャンバーは、内部処理空間がパーテーション部材との結合によって、対称的な形状を有するので処理反応が内部処理空間の全領域にかけ均一に発生して基板処理工程の再現性と均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

一実施例に係る、基板上に均一に材料を形成する堆積装置が与えられる。本堆積装置は、エネルギー源と、当該基板と対向かつ離間する関係にある電極と、当該電極に連結したインターフェイス構造とを含む。インターフェイス構造は、当該インターフェイス構造を通り及びこれのまわりにある、エネルギー源からのエネルギーを当該電極と電気的に結合するべく構成される。これにより、エネルギー源からのエネルギーが当該インターフェイス構造に供給される場合に、当該電極と当該基板の所定面積との間に実質的に均一な電界が形成される。
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【課題】安定してストリーマ放電を生成して均一なプラズマを生成することができ、しかも装置の大型化や高コスト化を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】対向する電極１、１間に形成される対向領域２にプラズマ生成ガスＧを供給する。大気圧又はその近傍の圧力下で上記電極１、１間に電圧を印加することにより対向領域２にストリーマ放電Ｓを形成すると共にこのストリーマ放電Ｓにより対向領域２でプラズマＰを生成する。このプラズマＰを被処理物Ｈに供給するプラズマ処理装置に関する。不均一な電界強度分布を対向領域２に発生させることにより上記ストリーマ放電Ｓを形成するためのストリーマ放電形成手段と、このストリーマ放電Ｓを対向領域２で分散させるためのストリーマ放電分散手段とを備える。 （もっと読む）

炭素系抵抗率スイッチング可能な材料を含むメモリデバイス、およびこのようなメモリデバイスを形成する方法が提供される。この方法は、炭化水素化合物およびキャリアガスを含むプロセスガスをプロセスチャンバに導入するステップと、プロセスチャンバ内でプロセスガスのプラズマを発生させて基板の上に炭素系抵抗率スイッチング可能な材料の層を堆積させるステップと、を含む。多くのさらなる態様が提供される。
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