【要 約】
【課題】膜厚分布が均一で、成膜速度が速い成膜装置を提供する。
【解決手段】接地電位の真空槽１１の底壁上に、真空槽１１から絶縁された走行軌道２１を敷設し、その上に基板保持パネル２２を立設させる。基板保持パネル２２の上部に接続部材２３を取り付け、基板保持パネル２２の両面に第一、第二の成膜対象物１４ａ、１４ｂを配置し、基板保持パネル２２を走行させながら接続部材２３を介して基板保持パネル２２に交流電圧を印加し、基板保持パネル２２の両側に位置するシャワーヘッド１６ａ、１６ｂから噴出される原料ガスをプラズマ化し、薄膜を形成する。基板保持パネル２２側に交流電圧を印加するので、プラズマは第一、第二の成膜対象物１４ａ、１４ｂ表面近傍に形成され、成膜速度が速い。印加する交流電圧を低周波にすると、電極間距離を広げることができるので、走行レールのガタツキによる電極間距離変動による影響が低下する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】
プラズマ処理チャンバ内における基板処理方法が開示されている。この方法は、上方電極と下方電極とを備えたプラズマ処理チャンバ内で基板を支持し、上方電極と下方電極との間でプラズマを発生させるために少なくとも１体のＲＦ電力源を利用し、導電通路を形成するために下方電極に結合された導電結合リングを提供する。この方法はさらに、導電結合リングの上方に設置されるプラズマ対向基板周辺（ＰＦＳＰ）リングを利用する。この方法はさらに、プラズマ処理パラメータを制御するために、このＰＦＳＰリングを、ＲＦフィルターを介した直流（ＤＣ）接地、ＲＦフィルターと可変抵抗とを介したＤＣ接地、ＲＦフィルターを介した正のＤＣ電力源およびＲＦフィルターを介した負のＤＣ電力源のうちの少なくとも１つに結合する。 （もっと読む）

半導体材料処理装置用のシャワーヘッド電極が開示される。シャワーヘッド電極の一実施形態は、互いに接合された上部及び底部電極を備える。上部電極は、１つ又は複数のプレナムを備える。底部電極は、プラズマに曝される底面及びプレナムと流体連結する複数のガス孔を備える。上部プレートから弾力的に吊り下げられているシャワーヘッド電極を含むシャワーヘッド電極アセンブリも開示される。シャワーヘッド電極アセンブリは、シャワーヘッド電極温度を制御するためにシャワーヘッド電極から空間的に隔てられて設置された温度制御要素と流体連結可能である。シャワーヘッド電極アセンブリを含むプラズマ処理チャンバ内で基板を処理する方法も開示される。
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【課題】所望の光散乱性と導電率を有するシリコン酸化物系微粒子集合体をその下地層に悪影響を及ぼすことなくプラズマＣＶＤによって簡便に低コストで製造して提供する。
【解決手段】シリコン酸化物を主成分として含むシリコン酸化物系微粒子集合体をプラズマＣＶＤで製造する方法において、そのプラズマＣＶＤの際に圧力／電力密度≧２５０（Ｔｏｒｒ・ｃｍ²／Ｗ）、ガス流量比ＣＯ₂／ＳｉＨ₄≦１４、および圧力／電力密度≦４６×（ＣＯ₂／ＳｉＨ₄）の条件を満たすことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 製膜特性を容易に調整し、かつ、各製膜室における製膜特性の差の発生を抑制するとともに、設備コストの低減を図ることができる真空処理装置および真空処理装置を用いた製膜方法を提供する。
【解決手段】 電源部１７ａから高周波電力が両端部５３に供給され、基板８との間にプラズマを形成する複数の放電電極３ａ〜３ｈと、複数の放電電極３ａ〜３ｈに供給される高周波電力の位相および振幅を、両端部５３のそれぞれにおいて調節する複数の整合器３ａｔ〜３ｈｔと、を備え、複数の整合器３ａｔ〜３ｈｔのインピーダンスが略同一な値に設定され、インピーダンスの値は、複数の放電電極３ａ〜３ｈのうちの一の放電電極における電源部１７ａへの反射電力が略最小になる値であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ処理装置内に用いられるＲＦシャッターアセンブリを含む。ＲＦシャッターアセンブリは、プロセスの間、基板及びシャドウフレームの下でのプラズマクリープの総量を低減し、これにより不要な表面上で発生する堆積の量を低減する。不要な表面上での堆積の量を低減することにより、パーティクルの剥がれ落ち及びこれによる基板の汚染が低減されうる。
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【課題】膜特性が均一で、かつ、効率良く成膜及び装置のメンテナンスを行うことが可能なプラズマＣＶＤ技術を提供する。
【解決手段】本発明方法は、真空中で原料ガス雰囲気下においてほぼ平行に対向離間配置された一対の放電電極間に交流電圧を印加し、一対の放電電極のうち基板配置電極９側に配置した基板１０上に原料ガスの薄膜をプラズマＣＶＤ法によって成膜するものである。原料ガスとしてシリコンを含有するガスを基板配置電極９と基板配置電極９に対向するシャワープレート４間において基板配置電極９上の基板１０に向って導き、基板配置電極９に対して１００ｋＨｚ以上１ＭＨｚ以下の低周波交流電圧を印加し、基板配置電極９及びシャワープレート４間に生成されるグロー放電によって基板１０上にシリコン系薄膜を成膜する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】多成分系薄膜及びその形成方法を提供する。
【解決手段】反応チャンバに基板をローディングした後、前記基板上に形成しようとする薄膜を構成する単位物質層を形成するが、前記単位物質層は少なくとも前記薄膜を構成する物質成分を含む２種の前駆体よりなるモザイク原子層で形成する第１段階と、前記反応チャンバの内部をパージする第２段階及び前記モザイク原子層を化学変化させる第３段階を通じて形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマの閉じ込めが可能であり、かつ、膜中へのパーティクルの取り込みを抑制できるプラズマＣＶＤ装置、及び、薄膜製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】交流電圧が印加され互いに対向する一対の電極５４、５６を備え、電極５４、５６間に原料ガスが供給されると共に、一方の電極５４の表面に沿って長尺な可撓性基板２が可撓性基板２の長手方向に供給されるプラズマＣＶＤ装置である。電極５４、５６間に存在するガスを外部に排出する排出管５３を備える。さらに、ガスを通過させる開口５８ｂが形成され、かつ、開口５８ｂの内面がフッ素樹脂から形成されたプラズマ閉込部材５８が排出管５３に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 画像欠陥が低減された電子写真用感光体を製造することが可能な電子写真用感光体製造装置を提供する。
【解決手段】 第１の円筒状側壁と、前記第１の円筒状側壁を取り囲む第２の円筒状側壁との間に構成された減圧可能な反応容器と、
前記反応容器内に配置され、基体を保持する基体保持部材と、
前記反応容器内に原料ガスを供給するための原料ガス供給手段と、
を備える複数の基体に同時に堆積膜を形成可能な堆積膜形成装置において、前記第１の円筒状側壁及び第２の円筒状側壁の少なくとも一部が誘電体で構成されるとともに、
前記反応容器内に高周波電力を供給する電力供給系として、前記第１の円筒状側壁の内側に第１の高周波電極を、前記第２の円筒状側壁の外側に第２の高周波電極を配置させ、かつ、さらに前記第１の高周波電極と前記第２の高周波電極に対し、異なる周波数の高周波電力を供給する手段を有する、堆積膜形成装置とする。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の圧力を低くしたままでもプラズマの着火性を向上させることが可能な天板部材を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対してマイクロ波により発生したプラズマにより処理を施すために真空引き可能になされた処理容器４４の天井部に設けられて前記マイクロ波を透過する誘電体板６２よりなる天板部材５８において、前記誘電体板６２の前記処理容器４４内側にプラズマ着火時に電界集中を行うための着火用凹部６４を設けるように構成する。これにより、処理容器内の圧力を低くしたままでもプラズマの着火性を向上させることができ、処理容器内の圧力が高い状態で成膜が行われることを阻止することができるので、形成される低誘電率材料よりなる絶縁膜等の電気的特性を向上させることができる。 （もっと読む）

無線周波数（ＲＦ）電力をプラズマ室に印加するための無線周波数発生装置はＤＣ電源（Ｂ+）を含む。無線周波数スイッチは中心周波数ｆ₀の上記ＲＦ電力を発生させる。低域通過散逸終端回路網はＤＣ電源（Ｂ+）とスイッチとの間に接続され、第一遮断周波数にて作動する。スイッチはシステムの忠実度を向上させる出力回路網へ信号を出力する。出力回路網は所定周波数を超えるＲＦ電力を通過させる高域通過サブ高調波負荷絶縁フィルターへ送られる出力信号を発生させる。低域高調波負荷絶縁フィルターが出力回路網と高域通過サブ高調波負荷絶縁フィルターとの間に挿入されてもよく、高調波終端回路網が出力回路網の出力に接続されてもよい。高域通過終端回路網は所定周波数を超える周波数のＲＦ電力を散逸させる。オフラインショートまたは分路回路網はスイッチの出力と出力回路網の入力とに接続され、所定周波数にてスイッチの出力を短絡させてもよい。
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【課題】プラズマチャンバにおいてプラズマに露出されたポートでのアーク放電を防止する方法及び装置を提供する。
【解決手段】回路コンポーネントを用いて、ドアにポートを密閉させて、プラズマの励起周波数で、短絡パスを提供する。一実施形態において、ドアは、エッチングチャンバの基板搬送ポートを密閉するスリットバルブドアである。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、プラズマ処理室と、同プラズマ処理室の付近に近接する高周波誘導電界を提供するための少なくとも1つの誘導コイルとを備えたプラズマ処理装置を開示する。さらに、高周波電力源に接続している誘導コイルの端と、開放端とされた誘導コイルの端と、誘導コイルの実質的中心位置にある誘導コイルの接地端とを含んでいる。
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【課題】酸化亜鉛の透明導電膜と薄膜光電変換ユニットとの間に良好な接合界面を形成することによって変換効率の高い薄膜光電変換装置を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛の透明導電膜（３）上に、ｐ型半導体層（４１−４３）、ｉ型半導体層（４４）、およびｎ型半導体層（４５）が順次積層された薄膜光電変換ユニット（４）の少なくとも１つを含む薄膜光電変換装置（１）の製造方法において、透明導電膜に接する薄膜光電変換ユニット中のｐ型半導体層は透明導電膜上に第１のｐ型結晶質半導体層（４１）、第２のｐ型結晶質半導体層（４２）、及びｐ型非晶質半導体層（４３）をプラズマＣＶＤによって順次積層することによって形成され、第１ｐ型結晶質半導体層の形成と第２ｐ型結晶質半導体層の形成との間においてプラズマＣＶＤの放電が所定時間だけ停止されることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】
真空負荷に逆電圧を印加するための半導体スイッチ素子のオフ時の電力損失を抑制し、温度上昇を制限すると共に、逆電圧電源の小容量化を実現すること。
【解決手段】
半導体スイッチ素子５がオンするときに直流電源１とは逆極性の出力電圧を逆電圧電源４から真空負荷２に印加する真空装置において、半導体スイッチ素子５がオフするときにそのオン期間に主インダクタ３に蓄えられた磁気エネルギーを吸収して電荷を蓄える第１の回路Ｓ１を備えると共に、半導体スイッチ素子５がオンするときに第１の回路Ｓ１から放電される電荷を磁気エネルギーとして蓄えるインダクタンス素子９と、半導体スイッチ素子５がオフするときにインダクタンス素子９に蓄えられている磁気エネルギーを逆電圧電源４に帰還するダイオード１０からなる第２の回路Ｓ２を備えることを特徴とする真空装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理方法において、プラズマ放電を継続しながらステップ切替えを行う場合、プラズマ処理条件の切替え時におけるプラズマ不安定を防止する。
【解決手段】プラズマ処理室と、プラズマ発生用の高周波電源と、該プラズマ発生用の高周波電源の反射電力を自動的に低減する自動整合機とを備えたプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、予め処理条件切替え後のプラズマ処理条件を決定し（手順１）、切替え後の処理条件でテスト放電して自動整合機で反射波が低減した時点の整合素子の位置を記録し（手順２）、プラズマ処理条件切替え時に自動整合機を予め記録した整合素子の位置に移動させる（手順３）。 （もっと読む）

例えばシリコン等の非晶質または微晶質材料の膜をプラズマから基板上に蒸着する方法を記載している。マイクロ波エネルギーを一連の不連続マイクロ波パルスとしてチャンバ内へ導入し、膜用前駆ガスを一連の不連続のガスパルスとしてチャンバ内へ導入し、水素原子を生成するガスを少なくとも各マイクロ波パルスの際にチャンバ内へ供給している。各マイクロ波パルスには前駆ガスパルスが重複しない形で続き、さらに各前駆ガスパルスには、マイクロ波パルスと前駆ガスパルスのいずれも無い期間が続く。 （もっと読む）

プラズマからの蒸着により基板（１４）上に非晶質材料の膜を形成する方法を開示している。基板（１４）を容器内に配置し、膜用前駆ガスを各管（２０）を通じて容器内に導入し、容器内を低圧にすべく未反応および解離ガスを容器から各管（２２）を通じて抽出する。容器内でプラズマを生成するために分散型電子サイクロトロン共鳴（DECR）により容器内のガスに所定の周波数と出力レベルの連続したパルスとしてマイクロ波エネルギーを導入し、プラズマから材料を基板上に蒸着する。蒸着した材料の厚さにわたってバンドギャップを変化させるべく材料の蒸着中にパルスの周波数および／または出力レベルを変える。 （もっと読む）

【課題】
被処理対象物の外周部側までより均一に処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
その内側が減圧される容器の内側に配置され試料がその上に載置される試料台と、前記試料台を覆って配置され前記試料の外周端と隙間を介してこの試料の外周側の前記試料台の段差部に配置され絶縁性部材より構成されるリング状の部材とを備えて前記容器の内側に電界を供給して形成したプラズマを用いて前記試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記リング状の部材が、前記リング状部材の上面であってその内周端に沿って配置され前記試料の外周端より上方であって前記試料の外周端よりも外周側に位置する角部及びこの角部から前記内周端との間でこの内周端に向かうにつれて低くなる傾斜面とを備えた凸部と、前記リング状部材の上面の前記凸部の外周側に配置されこの凸部より低くされた平面部とを備えた。 （もっと読む）