【課題】 長尺な基板を長手方向に搬送しつつ成膜行なう成膜装置であって、不要な領域にプラズマが生成されることを防止し、この不要なプラズマに起因する基板の損傷等の無い高品質な製品を安定して作製できる成膜装置を提供する。
【解決手段】 第１ユニットと、基板の搬送系を有する第２ユニットとを組み合わせて構成され、かつ、成膜中に、前記第１ユニットと第２ユニットとの間に電位差を生じないことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノウォールの選択成長方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＯ₂ からなる基板１００上に、正方形が三角格子状に配列されたパターンのＴｉ膜１０１を形成した。次に、ＳｉＯ₂ 基板１００上にカーボンナノウォールを成長させた。そして、Ｔｉからのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも長く、ＳｉＯ₂ からのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも短い時間で成長を終了させた。ここで、ＳｉＯ₂ からのカーボンナノウォールの成長開始時間は、Ｔｉからの成長開始時間よりも長い。その結果、ＳｉＯ₂ 基板１００上のうち、Ｔｉ膜１０１が形成されずにＳｉＯ₂ が露出している領域にはカーボンナノウォールが成長せず、Ｔｉ膜１０１上にのみ、カーボンナノウォール１０２が形成された。 （もっと読む）

【課題】位相制御にとって最適な信号を用いる機能を備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】第１の高周波電源４からの第１の高周波電圧が供給されるコイル状アンテナ６１と、ウエハ１２が載置され第２の高周波電源２１からの第２の高周波電圧が供給される電極１４と、第３の高周波電源２５からの第３の高周波電圧が供給されるファラデーシールド６２と、前記第２の高周波電圧と前記第３の高周波電圧の位相差を制御する位相制御器２９とを備え、真空容器１の内壁面のプラズマ中を伝播してくる高周波の電位を検出する電圧検出手段と、真空容器１内のプラズマの発光状態を検出するプラズマ発光検出手段５２とを具備し、前記電圧検出手段により検出された高周波電圧とプラズマ発光検出手段５２により検出されたプラズマ光の組み合わせである信号源を用いて、同一周波数である前記第２の高周波電圧および前記第３の高周波電圧の位相差を制御する。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマＣＶＤでは、成膜レートがプラズマギャップ（電極−成膜用基板間距離）に非常に敏感である。１ｍ角を越える大型基板に大気圧プラズマＣＶＤで薄膜を形成する場合、基板のうねり等のために電極−成膜用基板間距離が変動すると、成膜レート、膜厚が変動し、それによって太陽電池の出力が変動するしてしまう。
【解決手段】
大気圧プラズマＣＶＤ装置において、ガス供給手段で電極とテーブルとの間に大気圧中でＣＶＤ原料ガスを供給しながら電極とテーブルとの間に大気圧中で高周波電力を印加することにより電極と試料との間にプラズマを発生させた状態で駆動手段で電極をテーブル手段に沿って移動させている間に電極とテーブルとの両方を制御して電極とテーブルとの間隔を制御することにより、基板にうねりがあっても基板上に均一な膜厚の薄膜を形成できるようにした。 （もっと読む）

【課題】オートマッチング動作において不必要な速度低下やハンチングを招くことなく短時間で効率よく実質的な整合状態を確立できるようにする。
【解決手段】第２の整合アルゴリズムでは、インピーダンス座標上で、第１または第２基準線Ｃ_1S，Ｃ_2Sと直交する第３の基準線ＴＣ_1SまたはＴＣ_2Sを動作点移動制御の目標にして、Ｃ₁座標軸またはＣ₂座標軸上で動作点Ｚ_pをたとえばＺ_p(7)→Ｚ_p(8)→Ｚ_p(9)と移動させる。動作点Ｚ_p(9)の座標位置は原点Ｏ（整合点Ｚ_S）に非常に近い実現可能なベストの擬似的整合点Ｚ_Bであり、この位置で動作点Ｚ_pの移動を止める。 （もっと読む）

【課題】処理空間内のプラズマ密度分布を制御することができ、プラズマ処理の面内均一性を向上させることのできるプラズマ処理装置及びシャワーヘッドを提供する。
【解決手段】基板を載置するための載置台２０２と対向するように設けられ、該載置台２０２との対向面１４に複数設けられたガス吐出孔から基板に向けてガスをシャワー状に供給するシャワーヘッド１００を備えた処理チャンバー２０１からなるプラズマ処理装置２００であって、前記対向面１４と、これと反対側の面１５とを貫通する複数の排気孔と、前記対向面１４と前記反対側の面１５とを貫通し、前記対向面１４側から前記反対側の面１５側にプラズマの漏洩を許容する開閉可能な複数のトリガー孔と、前記反対側の面１５側の排気空間内に設けられ、該排気空間を、少なくとも１つのトリガー孔が連通する複数の領域１７ａ，１７ｂ，１７ｃに仕切る仕切り壁１６ａ，１６ｂ，１６ｃと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】容量結合型の片側電極に周波数の異なる２つの高周波（または高周波と直流）を印加する方式において両高周波のそれぞれの作用または働きを同時に最適化する。
【解決手段】プラズマ空間ＰＳを挟んでサセプタ（下部電極）１４と対向する上部電極８０は、第１上部電極８４と第２上部電極８６とを有する。シャワーヘッドを兼ねる第１上部電極８４には可変直流電源９２より直流電圧が印加される。また、第１上部電極８４の内部またはガス室にはガス供給管６０を介して処理ガス供給源６２が接続される。第２上部電極８６は、第１上部電極８４の背後に設けられ、第１上部電極８４やチャンバ９０から電気的に絶縁されている。この第２上部電極８６には高周波電源９６より整合器を介してプラズマ生成用の高周波が印加される。 （もっと読む）

【課題】プロセス処理変更のタイミングに同期させて電源制御の変更コマンドを送信することで、シリアル通信の遅れによる誤差をなくし、高精度且つ再現性のよいスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、所定時間サイクルでカソード部に電力供給を行う電源の状態の読み出しを行う電源状態読み出し信号と、所定のタイミングで前記カソード部への電力供給を停止する電力印加停止信号とを電源に対してシリアル通信によって送信する機能を有する電源制御部を備えて構成されており、電源制御部は、電源状態読出しの信号の送信を停止する読出し停止信号を送信して電源の状態の読み出し処理を停止させた後に電力印加停止信号を送信する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を載置した回転テーブルを回転させてプラズマ処理を行うにあたり、基板に対して面内均一性の高い処理を行うこと。
【解決手段】回転テーブル２の周方向に複数のプラズマ発生部８０を備えた活性化ガスインジェクター２２０からウエハＷ上のシリコン酸化膜に対して処理ガスのプラズマを供給して改質処理を行う。この時、夫々のプラズマ発生部８０（補助プラズマ発生部８２）の長さ寸法Ｒを変えることができるように構成し、回転テーブル２の中心部側から外周部側におけるウエハＷの改質の度合い（プラズマの量）を調整する。 （もっと読む）

【課題】電極上の付着物に加え、電極の外周近傍に設けられた部材上の付着物を速やかに除去することができる成膜装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ状態の変化に対応して、第１の条件でプラズマを発生させる工程から第２の条件でプラズマを発生させる工程への移行が行われる。第２の条件は、第１の条件に比して、第１の対の電極１１、１２間において外周方向へプラズマを拡げる条件である。第１の対の電極１１、１２に接続されたインピーダンス整合回路４１の回路定数の変化に対応して、第１の条件でプラズマを発生させる工程から第２の条件でプラズマを発生させる工程への移行が行われる。第１および第２の条件の各々はＡｒガスとＮＦ₃ガスとの混合ガスを用いるものである。第２の条件は、ＮＦ₃ガス流量に対するＡｒガス流量の比率である流量比が高い条件である。 （もっと読む）

【課題】基板処理を行って基板の処理品質を調べることなく、プラズマが適正状態になっているかどうかを直接的に調べることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容する処理室４６と、処理室内に反応ガスを供給する反応ガス供給機構と、反応ガスに電子ビーム２４を照射して反応ガスプラズマを発生させる電子ビーム照射機構と、処理室内に配置され、反応ガスプラズマのプラズマ密度を電子ビームの照射方向に沿った所定の箇所で測定するプラズマ密度測定機構５０と、を備えるプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型のプラズマプロセスにおいて簡易な補正コイルを用いてプラズマ密度分布を自在かつ精細に制御すること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。そして、サセプタ１２近傍のプラズマ密度分布を径方向で均一化するうえで、ＲＦアンテナ５４の発生するＲＦ磁界に対して補正リング７０により電磁界的な補正をかけるとともに、チャンバ１０内の圧力に応じてアンテナ−コイル間隔制御部７２により補正リング７０の高さ位置を可変するようにしている。 （もっと読む）

【課題】処理室内の放電を防止する。
【解決手段】バッチ式リモートプラズマ処理装置は、複数枚のウエハ１を保持したボート２が搬入される処理室１２に高周波電源３１が接続された一対の電極２７、２７が近接して配置され、処理室１２の両電極間には誘電体製のガス供給管２１が配置されている。処理室１２はシールキャップ１９で閉塞され、ヒータ１４で加熱され、排気管１６で排気され、ボート２は回転軸２０で回転される。プロセスチューブ１１はＳＵＳ製のマニホールド１５で支持し、筐体８はマニホールド１５を絶縁体１５Ａを介して支持する。排気管１６は絶縁体１６Ａを介してマニホールド１５に接続する。シールキャップ１９と回転軸２０は絶縁体１９Ａと２０Ａでマニホールド１５と処理室１２から絶縁する。マニホールド１５がアースから電気的にフローティングするので、放電は起きない。 （もっと読む）

基板処理用のプロセスチャンバ内で使用される再構成可能なシャワーヘッドが、本明細書内で提供される。いくつかの実施形態では、再構成可能なシャワーヘッドは、内部に配置された１以上のプレナムを有する本体と、１以上のプレナム内に配置されるように構成され、再構成可能なシャワーヘッドを複数のゾーンに分割する１以上のインサートを含むことができる。いくつかの実施形態では、基板処理システムは、１以上のプロセスガスをプロセスチャンバへ供給するためのガス供給部に結合された再構成可能なシャワーヘッドを有するプロセスチャンバであって、再構成可能なシャワーヘッドは、内部に配置された１以上のプレナムを有する本体と、１以上のプレナム内に配置されるように構成され、再構成可能なシャワーヘッドを複数のゾーンに分割する１以上のインサートを含むプロセスチャンバを含むことができる。
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【課題】 プラズマ監視用プローブ、プラズマ監視装置及びプラズマ処理装置に関し、従来のプラズマモニターでは検出できなかったより微弱のプラズマの変化を精度良く検出する。
【解決手段】 プラズマに対向する面の少なくとも一部に開口部が設けられた導電性支持部材の開口部に誘電体部材を設置し、前記誘電体部材の前記プラズマに対向する面と反対側の面にプローブ電極を設けるとともに、前記誘電体部材の前記プラズマに対向する前面にエネルギーフィルターを設ける。 （もっと読む）

プラズマを用いた、特には階層的に組織化された種類の、ナノ構造化薄層を製造するための方法、及び該方法を実施するための装置（３０；４０）について記載する。
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【課題】製膜初期におけるプラズマの放電状態を安定させることにより、膜質の低下を抑えることができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に発生させたプラズマにより原料ガスを分解し、基板上にアモルファスシリコン膜を製膜するＣＶＤ装置であって、チャンバと、基板が載置される基板載置部と、載置された基板の温度が製膜に適した温度になるように温度調節可能な基板ヒーター部とを有するアノード電極と、前記基板載置部に載置された基板に対向する位置に設けられるカソード電極と、前記カソード電極と基板載置部との間に設けられ、開状態で基板載置部に載置された基板とカソード電極との対面を許容し、閉状態で基板とカソード電極との対面を遮断するシャッター部と、を備えており、前記シャッター部には、基板の温度に応じた温度に調整可能なヒーター部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】
薄膜シリコン太陽電池の微結晶シリコン膜及び多結晶シリコン太陽電池のパッシベーション膜等を製造するプラズマＣＶＤ装置の応用分野においては、生産性向上及び低コスト化を図るために、大面積基板を対象に高速、高品質のシリコン系膜の形成が可能なプラズマＣＶＤ装置及びその装置を用いたシリコン系膜の製造法が求められている。特に、パウダーの発生を抑制可能なプラズマＣＶＤ技術が強く求められている。
【解決手段】
ガス噴出孔を有する電極の表面に、原料ガスのみを噴出する複数の原料ガス噴出孔と希釈ガスのみを噴出する複数の希釈ガス噴出孔を配置するとともに、該希釈ガス噴出孔を該噴出方向が基板表面の法線方向以外に向くように設置させるということを特徴とする。原料ガスのプラズマ化と希釈ガスのプラズマ化を空間的に分離し、かつ、それらを接触させて、混合させることが可能となる。これにより、高品質・高速の製膜が可能となる。 （もっと読む）

【課題】プラズマにより処理される被処理基板外周部における電界の不均一性を改善し、長期的に安定した性能を得ることのできるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】被処理基板載置用電極上であって被処理基板の外周を取り囲むように設けられたフォーカスリングを有するプラズマ処理装置において、フォーカスリングは、被処理基板載置用電極上面の静電吸着膜上に設けられ導体からなる第一のフォーカスリングと、第一のフォーカスリングの上に設けられ誘電体からなる第二のフォーカスリングと、第二のフォーカスリングの上に設けられ導体からなる第三のフォーカスリングからなり、第一のフォーカスリングは、上面高さを被処理基板の上面高さと略等しくし、かつ、プラズマに接するように設けた。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対して均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置は、チャンバ２と、チャンバ内で基板Ｇが載置される、下部電極として機能する基板載置台３と、基板載置台３と対向するように設けられ、高周波電力が印加される上部電極１５と、チャンバ２内に処理ガスを導入するシャワーヘッド５と、チャンバ２内を排気する排気装置２８とを具備する。上部電極１５は、２つの電極部材１６、１７からなり、これら電極部材１６、１７に高周波電力が印加された際に各電極部材に定在波が形成され、電極部材１６、１７に形成された複数の定在波の総和によって前記電極平面に形成される電圧分布が均一になるように、電極部材１６、１７の配置またはこれらに形成される定在波の分布が調整される。 （もっと読む）