【課題】 膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成する。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、処理容器内に原料ガスを供給することで、窒化層上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、窒化層上に形成された所定元素含有層および窒化層を、酸化層また酸窒化層に変化させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】電圧印加電極をシールドする金属製支持枠と枠体との間のインダクタンス成分を低減する。
【解決手段】電圧印加電極８の背面に金属製支持枠２１を配置するとともに、電圧印加電極８の前方に突き出すようにして電圧印加電極８の周囲に枠体２２を配置し、枠体２２の外周面を覆うように配置された金属板２７にて金属製支持枠２１と枠体２２とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】アーク放電を連続して行った際の、着火不良を大幅に向上できる成膜方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
第１の電極１４をカソード１２の所定位置に接触させ、前記カソード１２とアノード１３との間にアーク放電が発生したかどうかを検出する。前記検出結果に応じて、第２の電極１５を前記所定位置とは異なる位置に接触させ、前記アーク放電を発生させてプラズマを生成し、前記プラズマに含まれる導電材料を、基板５１の上方に堆積させる。成膜時の電極の着火確率を大幅に向上させることができ、ひいては、半導体装置の製造効率や製造歩留まりの改善を図ることができる。 （もっと読む）

磁界が存在する中でのプラズマ堆積プロセスにより薄膜を形成する方法。前駆体が、堆積チャンバに配送され、活性化され、プラズマを形成する。プラズマは、磁界が在る時に開始され得るか、又は、開始後に磁界に曝され得る。プラズマは、前駆体から誘導されるイオン種と中性種とを含む。磁界は、プラズマを操作して、イオン種の濃度の低減と中性種の濃度の増加に影響を与える。続いて、薄膜材料は、その結果得られる中性種濃縮堆積媒体から形成される。本方法により、欠陥濃度が低い薄膜材料を形成することができる。一実施形態では、薄膜材料は、光起電力材料であり、欠陥の抑制により、光起電力効率が高められることになる。 （もっと読む）

【課題】プラズマに投入するＲＦパワーを広範囲に変えても（特に低パワー領域を選択したときでも）、あるいはプラズマのインピーダンスが大きく変動しても、整合器のマッチング動作を安定かつスムースに行い、プラズマプロセスの安定性・再現性を向上させる。
【解決手段】容量結合型プラズマエッチング装置において、チャンバ１０内で半導体ウエハＷを載置するサセプタ１２には、高周波電源２８がマッチングユニット３０および給電棒３２を介して電気的に接続されている。給電棒３２の途中で、あるいはマッチングユニット３０内の整合器の後段で、ＲＦパワー分岐吸収部４４にＲＦパワーの一部を分岐させ吸収させることより、整合器から見える見掛け上の負荷インピーダンスの変動を低減させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度ないしプラズマ処理特性の面内均一性を向上させる。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、内部にてウエハＷにプラズマ処理が施される処理容器１００と、高周波を出力する第１の高周波電源１４０と、処理容器１００の外部にて、外側コイル、内側コイル及びその間に設けられたｎ個（ｎは１以上の整数）の中間コイルが中心軸に対して同心状に巻かれた高周波アンテナ１２０と、処理容器１００の壁面の一部を構成し、高周波アンテナ１２０から発生する電磁界のエネルギーを処理容器１００内に導入する誘電体窓１０５と、を有する。 （もっと読む）

真性型の微結晶シリコン層向けの方法が提供される。一実施形態では、微結晶シリコン層は、加工チャンバ内へ基板を提供し、加工チャンバ内へガス混合物を供給し、ガス混合物内に第１のモードでＲＦ電力を印加し、加工チャンバ内へガス混合物をパルシングし、パルシングされたガス混合物内に第２のモードでＲＦ電力を印加することによって製作される。
（もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の高周波給電部において高周波パワー伝送効率の安定化をはかり、プラズマプロセスの再現性・信頼性を向上させる。
【解決手段】この容量結合型プラズマエッチング装置において、チャンバ１０内で半導体ウエハＷを載置するサセプタ１２には、高周波電源２８がマッチングユニット３０および給電棒３２を介して電気的に接続されている。給電棒３２の途中で、あるいはマッチングユニット３０内の整合器の後段で、短絡スイッチ付き抵抗器３５が挿入接続されることにより、整合器から見た負荷抵抗の値はプラズマ抵抗の値に抵抗器の値を加え合わせたものになり、それによってパワー伝送効率の高い安定領域でプラズマにＲＦパワーを供給することができる。 （もっと読む）

【課題】 高価な測定装置を用いることなく、高圧力プラズマの電子密度および／また電子衝突周波数測定が可能な測定方法及び測定装置を実現する。
【解決手段】 本発明の高圧力プラズマの電子密度、電子衝突周波数の測定方法及びプラズマ特性測定装置１によれば、プローブ１０を高圧力プラズマＰに挿入し、高周波発振器２１によりプローブ１０に周波数を掃引しながら高周波パワーを供給し、反射係数スペクトル表示部２５により、プローブ１０から反射されるパワーにより得られる反射係数のスペクトルを測定し、プローブ１０の共振スペクトルを検出し、当該共振スペクトルから共振周波数及び共振の半値幅を算出し、プラズマ特性算出部２６において、当該共振周波数及び共振の半値幅に基づいて、高圧力プラズマの電子密度および／また電子衝突周波数を算出することができる。 （もっと読む）

【課題】地絡を防止しつつ、大型の放電電極を安定して保持することができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】製膜処理が施される基板に沿って延びるとともに基板と対向して配置され、かつ、高周波電流が供給される放電電極６と、基板とともに放電電極６を挟む位置に配置されるとともに、放電電極６に沿って延び、かつ、共通電位に接地された電極支持部３１と、電極支持部３１から放電電極６に向かって延びるとともに放電電極６を保持し、かつ、放電電極６および電極支持部３１と電気的に接続された導電性を有する突出部４１と、が設けられ、突出部４１は、放電電極６および電極支持部３１との間で所定のインダクタンスを有する回路を構成することを特徴とする。 （もっと読む）

一部の実施形態では、プラズマ処理ツールを利用して処理対象物に対して材料を堆積させる。例えば、材料をコンフォーマルに堆積させる方法が開示される。本実施形態では、プラズマシースの形状を変更して、処理対象物に対して材料が入射角度の範囲で衝撃を与えるようにする。この入射角度の範囲を経時的に変更することにより、様々なフィーチャを堆積することが可能となる。別の実施形態では、プラズマ処理ツールを利用して処理対象物をエッチングする。この実施形態では、プラズマシースの形状を変更して、処理対象物に対してイオンが入射角度の範囲で衝撃を与えるようにする。この入射角度の範囲を経時的に変更することにより、様々な形状のフィーチャを作成することが可能となる。 （もっと読む）

プラズマ処理装置は、プロセスチャンバと、プロセスチャンバの内部に配され、ワークを支持するプラテンと、ワークの前面に隣接するプラズマシースを有するプラズマを、プロセスチャンバの内部に発生させるように構成されたプラズマ源と、インシュレーティング調整部とを備える。インシュレーティング調整部は、プラズマとプラズマシースとの間の境界の形状の一部がプラズマに対向するワークの前面によって形成される面と平行にならないように、境界の形状を制御する。プラズマとプラズマシースとの間の境界の形状を制御することで、ワークに衝突する粒子の入射角の範囲を広げることができる。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッドからガスを供給し、シャワーヘッドから排気する構成の場合であっても、プラズマの拡散を防止することができ、効率良く均一なプラズマ処理を行うことのできるシャワーヘッド及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部で基板を処理する処理チャンバー２０１に、基板を載置するための載置台２０２と対向するように設けられ、載置台と対向する対向面に複数設けられたガス吐出孔１１から基板に向けてガスをシャワー状に供給するためのシャワーヘッド１００である。対向面と、対向面とは反対側の面との間を貫通して設けられ、対向面から反対側の面に向けて排気を行うための複数の排気孔１３と、対向面とは反対側の面に設けられ、イオン閉じ込め用の電圧が印加される複数の電極１６とを具備している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、成膜速度を確保したまま、被処理物に到達するドロップレット量を低減化すると共に、メンテナンス性の優れたプラズマ発生装置及び同加工装置を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明は、真空アーク放電によりプラズマを発生させるプラズマ発生部２と、プラズマ進行路３０と、前記陰極１０から副生されるドロップレット４４をプラズマ流１４から分離させるために前記陰極１０の正面方向に開口を有する１つ以上のドロップレット捕集部６から構成され、前記プラズマ流１４を前記プラズマ進行路３０に沿って前記ドロップレット捕集部６以外の方向に屈曲させるプラズマ発生装置２において、前記ドロップレット捕集部６内に前記ドロップレット４４を静電付着させる１つ以上の静電電極８を有する静電トラップ７が設けられるプラズマ発生装置２及び同加工装置１である。 （もっと読む）

【課題】基板に所望のプラズマ処理を適切に施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１内部をプラズマ生成室１２及びウエハ処理室１３に仕切るイオントラップ１４と、プラズマ生成室１２内に配置される高周波アンテナ１５と、プラズマ生成室１２内に処理ガスを導入する処理ガス導入部１６と、ウエハ処理室１３内に配置されてウエハＷを載置し且つバイアス電圧が印加される載置台１７とを備え、イオントラップ１４は、プラズマ生成室１２からウエハ処理室１３へ向けて二重に配置された板状の上側イオントラップ板２０及び下側イオントラップ板２１を有し、上側イオントラップ板２０及び下側イオントラップ板２１のそれぞれは設置された導電体２０ａ，２１ａと該導電体２０ａ，２１ａの表面を覆う絶縁体からなる絶縁膜２０ｂ，２１ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生に起因する被処理体へのダメージを抑制しつつ，好適なプラズマ処理を行う。
【解決手段】半導体ウエハＷにプラズマ処理を行うためのプラズマ処理室１０１と，半導体ウエハＷを，プラズマ処理室１０１内に配置するための載置台１０２と，該プラズマ処理室１０１内にプラズマを発生させるためのマイクロ波発生装置１０８とを少なくとも含むプラズマ処理装置１００において，マイクロ波発生装置１０８に，断続的なエネルギー供給可能なもの使用している。 （もっと読む）

【課題】高い表面処理能力を発揮することを可能とする。
【解決手段】処理室と、前記処理室内の基板の縁の外側でのガスの流れを制限する制限手段と、活性化室と、前記活性化室及び処理室にガスを供給するガス供給手段と、前記活性化室に供給されたガスを活性化させる活性化手段と、前記活性化室及び前記処理室内に磁場を形成する磁場形成手段と、前記磁場の作用を与えられた前記イオン、前記電子を含む電荷を持った粒子が前記処理室に供給されるのを制限する抑制手段と、前記処理室の粒子及び前記ガスを吸気するための吸気室とを有し、前記活性化室から処理室に供給されたラジカルを含む粒子と、処理室に供給された前記ガスとを反応させて生成されたラジカル、イオン、電子、分子、及び原子を含む粒子を、前記基板と反応させて前記基板を処理する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマプロセッシングにおいて簡易かつ低コストで高周波放電の開始を容易にして放電を安定に維持すること。
【解決手段】 チャンバ１０の天井部において、周辺プラズマ領域ＰＳ_Bの上方（好ましくはシャワーヘッド３８の周囲）には、環状または同心状に延在する磁場形成機構６６が設けられている。この磁場形成機構６６において、外側セグメント磁石Ｍ_iの下面（Ｎ極）から出た磁力線Ｂ_iは、直下の周辺プラズマ領域ＰＳ_B内に降りてから放物線を描くように上方へＵターンして内側セグメント磁石ｍ_iの下面（Ｓ極）に達する。隣の磁場形成ユニット［Ｍ_i+1，ｍ_i+1］においても、上記磁場形成ユニット［Ｍ_i，ｍ_i］から円周方向に所定の角度間隔だけ離れた位置で、上記と同様のループを有する磁力線Ｂ_i+1が形成される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の分布特性を制御することで、プラズマ処理の均一性と歩留まりの向上を実現可能なプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】内部が真空に保持可能な処理室を含む処理容器と、該処理室で基板を載置するとともに下部電極を兼ねた載置台と、前記基板の周縁を囲むように配され、前記載置台により一端が支持され、他端が前記処理容器の構成部材で支持された円環状部材と、前記下部電極に対向してその上方に配置される上部電極と、前記載置台に高周波電力を供給する給電体とを備え、前記処理室で発生するプラズマにより前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記円環状部材の中間を支持する前記処理容器の構成部材であって、前記処理室外に延在する第１の中間導電体と、前記給電体とを電気的に接続又は非接続可能とする第１の可動導電体を有している。 （もっと読む）

【課題】異常放電の発生を抑制可能とするプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】反応室αを有するように、絶縁フランジ８１を挟んでチャンバ２と電極フランジ４から構成される処理室内に、被処理体１０を載置する支持手段１５と、これを上下移動する昇降機構と、被処理体に向けてプロセスガスを供給するシャワープレート５を収容する。チャンバの側壁に、反応室に被処理体の搬出入口１２を設けると共に、支持手段に一端が接続され、チャンバに他端が接続されるプレート部材４０を設ける。該プレート部材は、支持手段の外周縁部に設けた第一部位と、チャンバの側壁部に設けた第二部位、及び支持手段の移動に伴い、第一部位と第二部位とに電気的に接続する導電性の弾性部材からなる第三部位から構成されている。シャワープレートに配置されたガス噴出口６を通して導出されたプロセスガスがプラズマ化するように印加する電圧印加手段３３を備える。 （もっと読む）