【課題】ウェハの熱処理を均一化することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は、素子形成面が略水平となるようにウェハ３０２をエッジリング３０３が保持し、保持されたウェハ３０２の素子形成面に同心円状に区分されたゾーン毎にプロセスガスをガス導入口３０７が供給する。このため、プロセスガスの流量をウェハ３０２の素子形成面の同心円状のゾーン毎に制御することができるので、例えば、熱処理時（特に到達温度付近）でのウェハ３０２の外周部でガス流量を下げることにより、ウェハ３０２外周部でのウェハ３０２温度低下を抑制し、熱処理の均一化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができる成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスと炭化水素ガスとを供給して前記被処理体の表面にＳｉＣＮ膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、前記シラン系ガスと前記窒化ガスと前記炭化水素ガスとをそれぞれ一定の供給期間でパルス状に供給する供給工程と供給を停止する停止工程とよりなる１サイクルを複数回繰り返し実行してプラズマを用いることなく前記薄膜を形成する。これにより、比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマ処理装置、大気圧プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】処理ガスが流通する流路５１（第２の配管５０）に介装され、前記流路５１
を開閉可能なバルブ５２と、前記流路５１から前記処理ガスが供給され、前記処理ガスを
大気圧下でプラズマ化するプラズマ発生部１６と、前記プラズマ発生部１６及び前記バル
ブ５２に接続され、前記バルブ５２の開放時から一定の遅延時間経過後に前記プラズマ発
生部１６を駆動させる制御部６０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光照射によって被測定物の測定状態を正確に判別することのできる測定状態判定装置を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ装置１は、回転台４の回転によって基板３が描く軌跡上に光を照射する光照射部１１と、照射部から照射された光の反射光２１を測定する反射光測定部１２と、反射光測定部１２の測定値に基づいて、基板３の測定状態を判定する演算処理を行う演算処理部１４とを備える。演算処理部１４は、回転台４の回転中に測定された反射光測定部１２の測定値の最大値と最小値との差を、窓Ａ１８および窓Ｂ１９に存在する遮蔽物の有無を判定する閾値と比較する。 （もっと読む）

【課題】流体圧源の消費電力を低減させつつ、適切に駆動部にかかる負荷を低減させることができる処理装置等の技術を提供すること。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１００は、処理室１０と、処理室１０内で被処理基板１を保持する保持機構４０と、保持機構４０を昇降させる昇降機構５０とを備える。昇降機構５０は、保持機構４０を支持し、保持機構４０を昇降させる昇降台５１と、昇降台５１を昇降させる駆動部６０と、シリンダ７０と、シリンダ７０に圧力油を供給するアキュムレータ８２を含む油圧回路８０とを有する。シリンダ７０は、アキュムレータ８２から圧力油が供給されることで、昇降台５１等の重力や、処理室１０の内外の圧力差等に起因して、昇降台５１からボールネジ軸６２に作用する力に対抗する反力を発生する。これにより、油圧ポンプ８１の消費電力を低減させつつ、適切に駆動部６０にかかる負荷を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制することができるシリコン膜の形成方法およびその形成装置を提供する。
【解決手段】シリコン膜の形成方法は、第１成膜工程と、エッチング工程と、第２成膜工程とを備えている。第１成膜工程では、被処理体の溝を埋め込むようにシリコン膜を成膜する。エッチング工程では、第１成膜工程で成膜されたシリコン膜をエッチングして前記溝の開口部を広げる。第２成膜工程では、エッチング工程で開口部が広げられた溝にシリコン膜を埋め込むように成膜する。これにより、表面に溝が形成された被処理体の溝にシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガスガイドプレートが貫通穴を有していても、薄膜の結晶性に対する影響が抑えられ、かつ、他の部品に反応生成物が堆積することを抑制することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＯＣＶＤ装置１００は、反応ガスを供給して基板の被成膜面を成膜する成膜装置であって、基板２を保持する基板保持台３と、基板保持台３に対向して配置され、基板２の被成膜面に対向する位置に貫通穴７を有するガスガイドプレート６と、基板保持台３とガスガイドプレート６との間に反応ガス８ａを流す反応ガス配管８とを備えている。ガスガイドプレート６における基板２に対向する側において、貫通穴７にガス流の下流側で接する下流側端部１３は、上流側で接する上流側端部１２よりも、基板２の被成膜面との最短距離が長い。このため、反応ガス８ａが、貫通穴７を通じて吹き出すことが抑制される。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードの製造において、従来の２インチから現在の４インチまで発展した。そこでウエハサセプタに様々なサイズのウエハサポートゾーンを設けることにより、ウエハサセプタの使用空間をより有効に利用できる有機金属化学気相堆積装置を提供する。
【解決手段】本装置は、反応室、回転スタンド、ウエハサセプタ２３２、ヒーター、シャワーヘッドを含む。ウエハサセプタ２３２は、回転スタンドに設けられ、回転スタンドにより連動して回転する。ウエハサセプタ２３２は、その一表面に設けられる、少なくとも二つの異なる直径を有する複数のサポートゾーン２３４，２３６を含み、これらのサポートゾーンが複数のウエハに対応して前記ウエハを積込むことができる。 （もっと読む）

【課題】自公転する回転台の上に置かれた被測定物の形状を精度良く測定することができる形状計測装置を提供する。
【解決手段】形状計測装置１は、回転台と、変位計測器３と、被測定物検出器４と、演算処理部５とを備え、演算処理部５は、高さ変位から、被測定物通過情報に基づいて、被測定物の高さ変位を抽出する被測定物変位抽出部６と、被測定物通過情報と、変位計測器３による被測定物上の計測点の軌道と、被測定物通過情報に基づく経過時間とに基づいて、変位計測器３による被測定物上の計測点を表す座標値を供給する座標供給部７と、被測定物変位抽出部６により抽出された被測定物の高さ変位と、座標供給部７により供給される座標値とを対応付けて記録する座標変位記録部８と、座標変位記録部９によって記録された被測定物の高さ変位から、回転台の機構に起因する回転台変位を分離して被測定物の形状を演算する形状演算部９とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、回転式ヒータ構造を有する化学気相蒸着装置に関し、特に、前記ヒータを回転させるモータと、前記ヒータの位置を確認する位置センサとを有する構成により、蒸着の時、ヒータを回転させることによって、反応チャンバ内の反応ガスの流入が不均一な場合でも、均一な蒸着厚さを得ることができ、同一の蒸着開始位置と蒸着終了位置とを確保できて、ウエハの方向を一定に整列することができる化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】上記蒸着装置は、前記ヒータを回転させるため、回転力を供給するモータと、前記モータの回転力を伝達する回転軸と、前記回転軸から回転力が伝達され、前記ヒータを回転するようにする回転台とからなるヒータ回転部の構成を有することを特徴とする 。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造でサセプタの回転軸の振れを抑制してエピタキシャルウェーハの膜厚のばらつきを低減できる気相成長装置、及びそれを利用した化合物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、リアクタと、該リアクタの内部に配置され、回転軸周りに回転するバレル型サセプタとを備えた気相成長装置において、前記サセプタの回転軸はコレットチャック機構により固定されているものであることを特徴とする気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の温度を非接触で正確に測定することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置５０は、半導体基板６が収容されるチャンバ１と、チャンバ１内に反応ガス２６を供給する反応ガス供給部１４と、半導体基板６を加熱するヒータ８と、チャンバ１の外部に設けられ、半導体基板６からの放射光を受光して半導体基板６の温度を測定する放射温度計４４と、半導体基板６と放射温度計４４との間で放射光の光路４８を覆う管状部材４７とを有する。管状部材４７には、不活性ガス供給部４から不活性ガス２５が供給される。管状部材４７は、外周面に内周面より放射率の低い材料を用いて構成されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】緻密な基板処理をしつつ、スループットを向上させることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、処理室内に設けられ、基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部を移動する基板支持部移動機構と、前記処理室にガスを供給するガス供給部と、前記処理室のガスを排気する排気部と、前記基板支持部と対向するように設けられたプラズマ生成部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板処理面と基板周縁部との流速差の増大を抑制し、成膜処理の均一性を向上させ、処理品質の向上、歩留りの向上を図る。
【解決手段】基板２００を保持する基板保持具１８と、前記基板及び基板保持具を収納する反応管２０５と、前記基板の被処理面に対して平行方向に処理ガスを供給するガス供給系２３３ａ，２３３ｂ，２４０ａ，２４０ｂと、前記反応管内の雰囲気を排気する排気系２３１とを有し、前記基板保持具は複数の支柱１１３と、該支柱に設けられ、前記基板を載置する円環状の部材であって、円環の一部に欠切部が形成された整流部材とを備え、該整流部材の外周と前記反応管の内壁面との間の距離が、前記支柱と前記反応管の内壁面との距離より短い。 （もっと読む）

【課題】所望の比抵抗を有する導電性III族窒化物単結晶基板を低コストで製造することができる導電性III族窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性III族窒化物単結晶基板の製造方法は、ＧａＣｌガス、ＮＨ_３ガス、及びＮ_２又はＡｒにより所定の濃度に希釈されたＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスをＧａＮ単結晶基板に供給し、４５０μｍ／ｈｏｕｒより大きく２ｍｍ／ｈｏｕｒ以下の範囲の成長速度でＧａＮ単結晶基板上にＧａＮ単結晶を成長させると共に、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスが所定の濃度に希釈されたことによるＮＨ_３ガスとの反応の抑制により、ＧａＮ単結晶の比抵抗が１×１０^−３Ωｃｍ以上１×１０^−２Ωｃｍ以下となるようにＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスに含まれるＳｉがＧａＮ単結晶にドーピングされることを含む。 （もっと読む）

【課題】成膜した膜の膜厚の面内均一性の低下を抑制することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに膜を形成する成膜装置２において、処理容器４と、ガスを噴射するガス噴射口３４Ａ，３６Ａを有するガス供給手段２８，３０と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段１２と、保持手段をガス噴射口に対して相対的に回転又は周期的に移動させる駆動機構２１と、少なくとも１種類以上のガスの供給を行う供給期間と供給の停止を行う供給停止期間とを１回行うサイクルを複数回繰り返す時に、サイクルの繰り返し数をＰ（Ｐは２以上の自然数）として被処理体の中心から見て、Ｐ回の各サイクル毎におけるガス供給開始位置を、被処理体の１周分の周囲を任意の分割数Ｋ（Ｋ＝Ｐ）個に分割した１つ分ずつだけ被処理体の周方向へ順次移動する様に制御する制御手段４８とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板が載置されたテーブルに対して反応ガスを供給する反応ガス供給手段を相対的に回転させて反応生成物を積層して薄膜を成膜するにあたり、膜厚方向に亘って膜質が良好で均質な薄膜を成膜すること。
【解決手段】回転テーブル２を回転させてウエハＷ上にＳｉ含有ガスを吸着させ、次いでウエハＷの表面にＯ3ガスを供給してウエハＷの表面に吸着したＳｉ含有ガスを反応させてシリコン酸化膜を成膜する成膜処理と、プラズマを用いてこのシリコン酸化膜の改質を行う改質処理と、からなる成膜−改質ステップを行った後、Ｓｉ含有ガスの供給を停止してプラズマを用いてシリコン酸化膜の改質ステップを行う。 （もっと読む）

【課題】高温かつ高速回転時にウェーハを確実に保持することができ、ウェーハに均一な成膜を行うことが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハwが成膜処理される反応室11と、反応室11の上部に設けられ、プロセスガスを内部に導入するためのガス供給機構12と、反応室の下部に設けられ、反応室よりガスを排出するためのガス排出機構13と、成膜処理の際に、ウェーハwの端部が所定位置となるように保持するために設けられ、所定位置の上部より中心方向に突出したウェーハ外れ防止部を有する支持部材15と、ウェーハwを支持部材15の上方において保持し、上下駆動可能な突き上げ機構21と、ウェーハwを所定の温度分布となるように加熱するためのヒータ18a、18bと、ウェーハwを回転させるための回転駆動機構17と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、気相成長装置は、基板を保持し、かつ、基板を加熱および回転させるサセプタと、基板の上面に材料ガス流を供給するノズルと、を含み、ノズルは、その内部のガス放射中心から放射状に材料ガス流を基板の全面に沿って噴出する。 （もっと読む）

【課題】基板のオリフラ部と基板保持凹部の内周面との間に生じる隙間に反応生成物が堆積することを防止し、基板面内の温度分布を最小限に抑えることができ、発光波長分布のばらつきを改善することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光デバイスを成膜する気相成長装置において、基板保持凹部１４ａに基板１６を保持したときに、基板１６のオリフラ部１６ａと基板保持凹部１４ａの内周面との間に生じる隙間に、該隙間の形状と同一の形状を有し、基板の厚さと同一の厚さを有する嵌合部材２８を配置する。 （もっと読む）