【課題】 輻射加熱源の温度を低温域から中温域として使用しても、シリコンウエハの加熱効率の低下を抑制することが可能な熱処理装置を提供すること。
【解決手段】 輻射加熱源３１と、輻射加熱源３１の上方に設けられた第１の反射板８ａと、輻射加熱源３１の下方に設けられた第２の反射板８ｂと、を備え、シリコンを含む被加熱体Ｗが第１の反射板８ａと第２の反射板８ｂとの間に配置され、シリコンを含む被加熱体Ｗが、輻射加熱源３１からの輻射エネルギが第１の反射板８ａと第２の反射板８ｂとの間で反射を繰り返す空間Ｓ内で熱処理されるように構成する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板保持具を用い、移載及び回収位置が反応炉直下ではなかった場合でも基板の保持状態を確認でき、一方の基板保持具にて異常を検知した場合に該一方の基板保持具から正常な基板を回収すると共に、他方の基板保持具からも同様に正常な基板を回収できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板７を保持する複数の基板保持具２１a、２１bと、基板７に所定の処理を行う反応炉１１と、前記基板保持具２１a、２１bに対して基板７の移載と回収を行う基板移載機４１と、前記基板保持具２１a、２１bを識別する識別手段と、基板７の保持状態を検知する検知部と、前記基板移載機４１を制御する制御部とを具備し、該検知部が基板７の異常を検知した際には、前記制御部は検知した基板７の保持状態、前記識別手段による識別結果に基づき、基板７を前記基板移載機４１により回収する。 （もっと読む）

【課題】構成の簡素化および小型化するとともに、駆動精度を高めることができ、かつ、軸の芯ずれ調整を容易にすることができる真空用アクチュエータを提供する。
【解決手段】真空容器１１を貫通して配置され、磁性を有する材料からなる出力軸３と、真空容器１１の外部から出力軸３を回転駆動させる動力発生部２と、真空容器１１の外側面に取り付けられるとともに動力発生部２を支持し、非磁性材料からなる取付部４と、出力軸３および取付部４の間に配置されるとともに、真空容器１１の内部および動力発生部２の間を仕切る磁性流体シール５と、磁性流体シール５の近傍に配置され、出力軸３を回転可能に支持するベアリング部６と、が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造効率良く成膜することができる気相成長装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】気相成長装置１は、内部に基板Ｓが配置され、この基板Ｓ上に膜を成膜するための成膜室４と、この成膜室４内にハロゲン元素を含むガスおよびこのガスと反応して基板Ｓ上に膜を成膜するための反応性ガスを供給する第一供給管２１と、成膜室４内に有機金属を含むガスおよびこの有機金属を含むガスと反応して基板Ｓ上に膜を成膜するための反応性ガスを供給する第二供給管３１とを備え、成膜室４に、第一供給管２１および第二供給管３１が接続されている。 （もっと読む）

【課題】回転台支持部に対する回転台の位置が変わったことを検知し、載置の中止ないしその旨の警告を行なうことにより、載置の失敗を含む被処理物に対する処理の失敗および処理装置の故障などを未然に防止する。
【解決手段】被処理物を回転台に載置し処理する処理装置であって、前記被処理物を載置する載置場所を有する前記回転台と、前記回転台を支持する回転台支持部と、前記回転台支持部を回転させる回転機構と、前記回転台が備える目印の位置を測定する位置センサとを備え、前記目印の位置から前記回転台支持部に対する前記回転台の位置ずれを求め、前記位置ずれが一定以上の場合に警告または停止する。 （もっと読む）

【課題】液体原料を効率的に気化することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１４を処理する処理室７０と、気化器８２により液体原料を気化して得られた気化ガスを、処理室７０内に供給する第１のガス供給管８０ａ、第１のキャリアガス供給管１００ａ及び第１のガス供給ノズル９６ａと、処理室７０内の雰囲気を排気する真空ポンプ１１４と、を有し、気化器８２は、液体原料を導入して当該液体原料を気化する気化室を少なくとも２以上備える。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長に使用可能なヒータの製造方法を提供する。
【解決手段】ヒータは、通電により発熱する発熱体を備える。発熱体は、所定の形状と電気比抵抗を有するＳｉＣ焼結体１を得た後、ＳｉＣ焼結体１の表面を複数層のＳｉＣ薄膜２〜５で被覆することにより得られる。複数層のＳｉＣ薄膜２〜５は、それぞれ異なる成膜温度で形成され、外側の層ほど高い成膜温度である。各成膜温度は、１４００℃±５０℃、１６００℃±５０℃、１８００℃±５０℃、２０００℃±５０℃とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】反応室の内部に設けられる石英製の部材の損傷を防止しつつ、石英製の部材から剥がれた反応生成物が被形成体に付着することに起因する歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】本実施形態の発光素子の製造方法は、ＭＯＣＶＤ法を用いて基板上にIII族窒化物半導体層を形成するものである。そして、本実施形態の発光素子の製造方法は、第１組目のウェハ群の製造工程（Ｓ１０１）、清掃工程（Ｓ１０２）、第２組目のウェハ群の製造工程（Ｓ１０３）、及びチップ化工程（Ｓ１０４）を含んで構成されている。ここで、第１組目のウェハ群の製造工程において、ＭＯＣＶＤ装置の反応室に設けられる保護部材に反応生成物が付着する。そして、清掃工程において、ブラスト処理を用いて保護部材に付着する反応生成物の除去を行う。これにより、保護部材の受ける損傷を抑制しつつ、第２組目のウェハ群の製造工程において、ウェハへの反応生成物の混入が抑制される。 （もっと読む）

【課題】成膜工程において、膜質を低下させることなく、プロセスガスの廃棄率を低減させることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】第１のウェーハＷ上に第１のプロセスガスを供給するための第１のガス供給機構１７と、第１の排ガスを排出するための第１のガス排出機構１８と、を有し、第１のウェーハＷ上に第１の被膜を形成するための第１の反応室１１と、第１の反応室１１と接続され、第１の排ガスより所定のガス成分を抽出し、第２のプロセスガスを生成するガス再生部３１と、第２のウェーハＷ’上に第２のプロセスガスを供給するための第２のガス供給機構２７と、第２の排ガスを排出するための第２のガス排出機構２８と、を有し、第２のウェーハＷ’上に第２の被膜を形成するための第２の反応室２１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止しかつ反応ガスの消費量を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向において第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段との間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設けることで分離領域Ｄに前記反応ガスが侵入することを阻止すると共に、前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出する。また第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段は、真空容器の径方向に伸び、基板の通過領域と対向するガスノズルにより構成する。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向に互いに離れた第１、第２の処理領域に夫々第１の反応ガス及び第２の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段とを設ける。前記回転方向において第１、第２の処理領域の間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設ける。さらに前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出する。また第１の処理領域及び第２の処理領域に夫々対応する真空容器の側壁部位に一方及び他方の真空排気口を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の排気路の排気流量を各々調整することにより、真空容器内における処理ガスの気流を制御して基板へのガス流れを一定に保つこと。
【解決手段】第１のバルブ６５ａが介設された第１の排気路６３ａと、第２のバルブ６５ｂが介設された第２の排気路６３ｂと、から真空容器１内の雰囲気を夫々真空排気できるようにして、真空容器１内の圧力が処理圧力Ｐとなるように第１のバルブ６５ａの開度を調整すると共に、第１の排気路６３ａの排気流量と第２の排気路６３ｂの排気流量とをレシピに応じた設定値にするために、バタフライバルブ６７の開度Ｖをテーブル８６に記載された値に設定し、次いで差圧計６８の測定値がテーブル８６に記載された差圧ΔＰとなるように第２のバルブ６５ｂの開度を調整する。 （もっと読む）

【課題】バッファ室と反応室を連通させる孔及び孔の近傍に膜が堆積することを抑制し、堆積した膜によるパーティクルの発生を防止し、基板の品質を低下させることなく処理可能なプラズマ基板処理装置を提供する。
【解決手段】筒状の反応容器２９と、該反応容器の内部に画成され複数の基板２を収納可能な反応室３２と、前記反応容器の内部に設けられたバッファ室３８と、前記反応容器の長手方向に沿って設けられ前記バッファ室に処理ガスを導入可能なガス導入部３４，３５とを具備し、前記バッファ室は前記ガス導入部から導入される処理ガスを前記反応室に供給する複数のガス供給孔４８，５３と、プラズマ発生用の電極５４，５５を収容する空間５９と、前記バッファ室の壁を貫通し前記反応室に開口する孔であって、前記反応容器の薬液洗浄時に用いる水抜き孔を少なくとも１つ有する。 （もっと読む）

【課題】反応管の下流から流入した残留空気、水分により結晶の成長が阻害されることがないハイドライド気相成長装置を提供する。
【解決手段】中空の反応管１１０の内部で基板１２２が下流側から基板回転機構１２０により軸支されて回転駆動される。この基板１２２の表面に上流からＧａＣｌガスと(ＮＨ_３＋Ｈ_２)ガスを供給する。これにより基板１２２の表面に結晶が成長される。ただし、基板１２２の表面を通過したガスを排出する構造のため、必然的に加熱されたガスと下流部の冷却されたガスとの間で対流が生じる。基板１２２の下流で反応管１１０の内部の少なくとも外側を対流防止部材１５０が遮蔽している。このため、上述のように反応管１１０の下流から流入した残留空気や水分が対流により基板１２２の表面に到達することが防止される。 （もっと読む）

【課題】成膜装置のメンテナンスのための作業負荷を軽減する。
【解決手段】減圧可能な反応室４と反応室の内部に設けられている電極面２Ａを有する電極部２と加熱冷却面６２Ａを有する加熱冷却ヘッド６２とを備える成膜装置であって、加熱冷却ヘッドが、加熱冷却面をある空間を挟んで電極２に対抗させる位置と、加熱冷却面を直接的又は間接的にその電極の電極面に当接させる位置との間を移動可能である。加熱冷却ヘッドは、電極部を冷却し、電極部に堆積した成膜付着物３を剥離させる。 （もっと読む）

【課題】凸状または凹状の温度プロファイルを基板ホルダの表面に生じさせる。
【解決手段】基板ホルダキャリア（１）は支持面（４‘）を備え、複数のガス供給ライン（７、８）が支持面（４‘）に開く。基板ホルダキャリア（１）の上には基板ホルダ（２）が配置されており、その裏面は支持面（４‘）に面し、支持面（４‘）と基板ホルダ（２）の裏面との間の空間にガス供給ライン（７、８）を通って供給されるガスが、基板ホルダ（２）を支持するガスクッション（１９）を形成する。ガスクッション（１９）は、ガス供給ライン（７、８）を通ってガスを供給される複数のゾーン（Ａ、Ｃ）を備える。ゾーン（Ａ、Ｃ）は、それらの間でガスの交換を防ぐ手段によってお互いから分離されている。ゾーン（Ａ、Ｃ）はガス排出ライン（１３、１４）を通ってガスを排出することができる。異なる熱伝導特性を持つガスがそれらのゾーン（Ａ、Ｃ）に供給される。 （もっと読む）

【課題】高温下で行われる為に十分な断熱構造が構築されたＳｉＣエピタキシャル膜成膜装置を提供する。
【解決手段】所定の間隔で配列された複数枚の基板１４を処理する処理室と、前記基板の配列領域下部に設けられ、複数枚の断熱部材で構成された処理室下部断熱部と、処理室内に処理ガスを供給するガス供給系と、前記ガス供給系が前記処理室内に処理ガスを供給し、前記基板上に炭化珪素膜を成膜するよう制御するコントローラと、を備える基板処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】基板であるシリコンウェハの加熱時にヒータに給電する電極の接合部近傍の領域を覆ってその汚染を防止することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００を、シリコンウェハ１０１をサセプタ１１０上に載置する昇降ユニット１３３と、シリコンウェハ１０１を加熱するヒータ１２１と、ヒータ１２１を支持する導電性のブースバー１２３と、ブースバー１２３に固設されてヒータ１２１への給電を可能とする電極１０７と、電極１０７とともにパージガスを供給可能なパージガス導入管１３５を収容して支持する中空の支柱１０５とを用いて構成し、昇降ユニット１３３を下降させて、昇降ユニット１３３の板状の昇降ベース１３１でブースバー１２３と電極１０７の接合部分を覆いながらその周囲にパージガス導入管１３５からパージガスを供給し、その周囲領域をガスパージしながらヒータ１２１加熱を行うようにする。 （もっと読む）

ＣＶＤリアクタに用いるサセプタ装置は、中心歯車を有する主プラッタを含む。主プラッタは、対向する第１及び第２の側面と、第２の側面に形成された中心凹部と、第１の側面に形成された周方向に離間した複数のポケットとを有する。中心歯車は、中心凹部内に位置決めされ、衛星プラッタは、それぞれのプラッタ内で回転可能である。各ポケットは、中心凹部に連通する開口部を有する周囲壁を有する。中心歯車の歯は、それぞれの壁の開口部を通じてポケットの各々の中に延び、各衛星プラッタに関連付けられた遊星歯車と係合する。主プラッタのその回転軸の周りの回転は、衛星プラッタをそれらの個々の回転軸の周りに回転させる。 （もっと読む）

【課題】薄膜中への不純物の取り込みを抑制し、膜質を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室内にハロゲン含有ガスを供給するハロゲン含有ガス供給工程と、処理室内にハロゲン含有ガスとは異なる原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、処理室内に電子ビームを供給して基板近傍で原料ガスの活性種を生成する原料ガス活性種生成工程と、を有し、原料ガスの活性種とハロゲン含有ガスとを反応させて基板上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、処理室内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス工程と、処理室内に電子ビームを供給して基板近傍で水素含有ガスの活性種を生成する水素活性種生成工程と、を有し、水素含有ガスの活性種と、基板上に形成した薄膜中のハロゲン元素と、を反応させて基板上に形成した薄膜を改質する薄膜改質工程と、を備えている。 （もっと読む）