【課題】基板を載置したサセプタを低速で回転させながら高品質で再現性も良好な堆積膜を得ることができる気相成長方法を提供する。
【解決手段】サセプタの回転に伴って基板保持部材を自公転させるとともに、原料ガス導入部からサセプタ表面側に原料ガスを導入して加熱手段により加熱された基板面に薄膜を気相成長させる自公転型の気相成長装置を用いた気相成長方法において、サセプタの回転数を毎分６０回転以下に設定するとともに、基板の回転方向を、正方向に回転している時間に比べて短い時間だけ負方向に回転させる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも一対の電極とを有する基板処理装置において、該電極間を通過する処理ガスのプラズマ励起効率を向上させ、成膜速度を向上させることのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置を次のように構成する。すなわち、複数の基板を積層して収容し、前記複数の基板に対し処理を行う処理室２０３と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理室内に設けられ、電力が印加されることにより前記処理ガス供給部から供給される処理ガスを励起するプラズマを生成する少なくとも一対の電極２６９，２７０とを有し、前記一対の電極は、それぞれ基板の中心位置から異なる距離に配置されることを特徴とする基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】製膜されるシリコン薄膜の面積を大きくしても、シリコン薄膜の膜厚分布のばらつきをおさえることができる真空処理装置、真空処理装置の給電装置、製膜方法、および製膜時における給電方法を提供する。
【解決手段】電源部１７から高周波電力が給電点に供給され、対向電極に設置した基板との間にプラズマを形成する放電電極３ａと、放電電極３ａに供給される高周波電力の位相および振幅を、給電点のそれぞれにおいて調節する複数の整合器と、を備え、整合器には、放電電極３ａに供給される高周波電力の位相を調節する位相調節コンデンサ２３Ｔ及びコイル２４と、高周波電力の振幅を調節する振幅調節コンデンサ２５Ｍとからなる整合回路が複数設けられ、整合器のインピーダンスは、給電点間における高周波電力の位相差に基づいて、整合回路を切り替えることにより調節される。 （もっと読む）

【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、その中心に成長用基板を担持して成長用基板を加熱および回転するサセプタと、サセプタの少なくても材料ガス供給側の半分を矩形に囲む、サセプタと同じ熱伝導率を有する素材からなる不動の受熱板と、周囲から受熱板を固定し、成長用基板に水平に材料ガスを誘導する不動のフロー補助板と、その開口する先端がフロー補助板上に位置し受熱板の端部と略平行にかつ成長用基板の直径よりも幅広に形成され、成長用基板の全面に沿って材料ガスの層流を水平に供給する材料ガスノズルと、その材料ガスノズル側の縁部が受熱板の端部に略平行に形成され、その全面が直上のサセプタと受熱板の全面に対向してサセプタと受熱板を均一に加熱する矩形の加熱器と、成長用基板とサセプタと受熱板の全面に向けて材料ガスノズルよりも幅広の領域に押さえガスを供給する押さえガス噴出器と、を備える。 （もっと読む）

ウエハキャリア（１４０）は、中心軸（１４２）と、中心軸（１４２）と直交する略平坦な上面（１４１）と、ウエハ（５０）を収容するために上面（１４１）の下方に凹んだポケット（１４３）とを画定する本体を備えている。ウエハキャリア（１４０）の本体は、上面（１４１）の周囲に沿って上方に突出するリップ（１８０）を備えることができる。リップ（１８０）は、中心軸（１４２）から離れる半径方向外向き方向において平坦な上面（１４１）から上方に傾斜するリップ面（１８１）を画定している。ウエハキャリア（１４０）の本体は、処理装置（１０）のスピンドル（３０）上に、本体の中心軸（１４２）がスピンドル（３０）と同軸になるように取り付けられている。リップ（１８０）は、ウエハキャリア（１４０）の上面（１４１）の全体にわたるガス流のパターンを改良することができる。
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【課題】エピタキシャルウエーハの膜厚のばらつきを従来より更に小さくするために、サセプタの公転の有無に拘らずウエーハを自由に自転させることができ、また気相成長条件が変動してもウエーハの自転に影響を出さずに気相成長を行うことができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】リアクタ１１と、該リアクタの内部に配置されたバレル型サセプタ１２と、ウエーハＷを装着するために該サセプタの表面に配置されたトレイ１３とを備えた気相成長装置１０において、前記トレイ１３は前記バレル型サセプタ１２とは異なる回転軸で回転するものであり、かつ前記バレル型サセプタ１２は公転用電動モータ１４によって回転し、前記トレイ１３は自転用電動モータ１５によって回転する。 （もっと読む）

堆積プロセスのための方法および装置を、本明細書で提供する。いくつかの実施形態において、装置は、サセプタプレートの上面内に配設されるポケットを有し、かつ上面内に形成されポケットを取り囲むリップを有するサセプタプレートであって、リップがリップ上に基板を支持するように構成される、サセプタプレートと、ポケットからサセプタプレートの上面に延在し、基板がリップ上に配設されるとき、基板の裏側とポケットの間に閉じ込められるガスを排気する複数の通風口とを備える基板支持体を含むことができる。基板上に層を堆積するため、本発明の装置を使用する方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】成膜室内壁を保護するライナ上にシリコン結晶が形成されるのを抑制する。
【解決手段】チャンバ１の頂部には、プロセスガス２５の供給部４が、内部には、半導体基板６を載置する回転式のサセプタ７と、チャンバ１の内壁を被覆する筒状のライナ２とがそれぞれ設けられている。ライナ２は、サセプタ７の配置される胴部３２と、供給部４の側にあって胴部３０より断面積の小さい頭部３１と、胴部３０と頭部３１をつなぐ段部３２とを有する。サセプタ７には、サセプタ本体３６上にドーナツ状円板３８が設けられており、ドーナツ状円板３８によりライナ２の段部３２の周囲をカバーしながら、プロセスガス２５を供給部４からチャンバ１内に流下させて、下方に配置されたサセプタ７上の半導体基板６に結晶膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】例えばＧａＮ等の結晶を成長させる場合において、多数の基板を効率的に切り出せる結晶を短時間で製造させ、結晶製造の生産性を向上させることが可能な結晶製造装置及び結晶製造方法を提供する。
【解決手段】棒状に形成された種結晶材２００を保持する種結晶材保持台２１７と、種結晶材保持台２１７に保持された種結晶材２００が搬入され、種結晶材２００の表面に結晶を成長させる処理室２０１と、処理室２０１の外側に配置され、処理室２０１内を加熱する加熱部２０６と、処理室２０１内に所定のガスを供給する原料ガス供給部と、処理室内の雰囲気を排出するガス排出部２３１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に設けた回転テーブルに複数の基板を、周方向に配置された複数の凹部に夫々載置し、回転テーブルを回転させることにより基板を反応ガスの供給位置に順次通過させて基板上に薄膜を形成する装置において、基板が通過する領域における圧力差により回転テーブルから飛び出すことを防止すること。
【解決手段】基板載置領域の周縁に基板の周方向に沿ってリング状に形成されたリング部材を、回転テーブルを貫通して昇降自在な昇降ピンに固定する。基板を凹部内に搬送した後、昇降ピンを降下してリング部材を基板の表面周縁部に接する位置あるいはわずかに上方位置に置き、基板が浮上しようとしたときに係止して飛び出しを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を載置した回転テーブルを回転させてプラズマ処理を行うにあたり、基板に対して面内均一性の高い処理を行うこと。
【解決手段】回転テーブル２の周方向に複数のプラズマ発生部８０を備えた活性化ガスインジェクター２２０からウエハＷ上のシリコン酸化膜に対して処理ガスのプラズマを供給して改質処理を行う。この時、夫々のプラズマ発生部８０（補助プラズマ発生部８２）の長さ寸法Ｒを変えることができるように構成し、回転テーブル２の中心部側から外周部側におけるウエハＷの改質の度合い（プラズマの量）を調整する。 （もっと読む）

【課題】反応室壁面への反応副生成物の被膜形成を抑え、ウェーハの汚染による歩留りの低下を抑えるとともに、反応室のメンテナンス頻度を低減させることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハｗが導入される反応室１１と、反応室１１にプロセスガスを供給するための第１のガス供給機構１２と、反応室１１よりガスを排出するためのガス排出機構１３と、反応室１１の内壁に設けられ、内管１５ａと外管１５ｂから構成される二重管構造を有するカバー１５と、内管１５ａと外管１５ｂとの間にパージガスを供給するための第２のガス供給機構１６と、カバー１５に設けられ、カバー１５内よりパージガスを排出するための開口部１５ｄと、ウェーハｗを保持するための支持部材１７と、ウェーハｗを所定の温度に加熱するためのヒータ２０ａ、２０ｂと、ウェーハｗを回転させるための回転駆動制御機構１９と、を備える装置とする。 （もっと読む）

【課題】ウェハ特性に影響がでたり、ウェハトレイ自体にひび割れが生じたりするのを防ぐため、温度分布が均一となるＣＶＤ装置用ウェハトレイ、ＣＶＤ装置用加熱ユニット及びＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】一面にウェハを載置可能なキャビティが設けられたウェハトレイ本体と、前記ウェハトレイ本体の他面に突出して形成された接続部と、を備え、前記接続部には、ウェハトレイ本体を回転可能な回転軸を着脱自在に接続できる接続用凹部が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反応炉から排出される排ガス中に含まれる各種有害成分の除害処理を確実に行うことができるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】III-Ｖ族化合物半導体材料を成膜する反応炉１２と、原料ガス及びキャリアガスを導入するための原料ガス導入管１４と、反応炉から排ガスを導出する排気管１５に設けられて原料ガスの除害処理を行う原料ガス除害装置とを備えたＭＯＣＶＤ装置において、反応炉の内面に付着した反応生成物を除去するためのクリーニングガスとしてアミン系ガス又は反応炉内でアミン系ガスに変化するガスを供給するクリーニングガス供給源２２を設けるとともに、原料ガス除害装置１８の上流側にクリーニングガスの除害処理を行うクリーニングガス除害装置１７を直列に設ける。 （もっと読む）

【課題】回転浮上体の径方向の力と回転トルクとを同一の電磁石で制御することにより不要な外乱の発生を抑制することができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体に対して処理を施す処理装置において、処理容器と、被処理体を支持する非磁性材料よりなる回転浮上体と、回転浮上体に所定の間隔で設けられた磁性材料よりなる複数の回転ＸＹ用吸着体と、回転浮上体に周方向に沿って設けられた磁性材料よりなる浮上用吸着体と、処理容器の外側に設けられて浮上用吸着体に垂直方向上方に向かう磁気吸引力を作用させて回転浮上体の傾きを調整する浮上用電磁石群と、処理容器の外側に設けられて回転ＸＹ用吸着体に磁気吸引力を作用させて浮上された回転浮上体を水平方向で位置調整しつつ回転させる回転ＸＹ用電磁石群と、ガスを供給するガス供給手段と、被処理体に処理を施す処理機構と、装置全体の動作を制御する装置制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板処理を行って基板の処理品質を調べることなく、プラズマが適正状態になっているかどうかを直接的に調べることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容する処理室４６と、処理室内に反応ガスを供給する反応ガス供給機構と、反応ガスに電子ビーム２４を照射して反応ガスプラズマを発生させる電子ビーム照射機構と、処理室内に配置され、反応ガスプラズマのプラズマ密度を電子ビームの照射方向に沿った所定の箇所で測定するプラズマ密度測定機構５０と、を備えるプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＯ_２膜やＳｒＴｉＯ膜の結晶性を制御し、誘電率を増大させる。
【解決手段】基板上に立方晶もしくは斜方晶の結晶性を持つ第１の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、第１の高誘電率絶縁膜上に第２の高誘電率絶縁膜を形成し、第１の高誘電率絶縁膜の結晶性を第２の高誘電率絶縁膜に反映させて、第２の高誘電率絶縁膜の結晶性をルチル構造とする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】第１の反応ガスと第２の反応ガスとの混合を効果的に抑制することにより、回転テーブルの回転速度の増大を通してスループットの向上を図る。
【解決手段】本成膜装置は、回転テーブルの中心と外周上の異なる２つの点とをカバーするように延び第１及び第２の領域に分ける分離領域であり、第１分離ガスで分離領域を第１及び第２の領域より高圧に維持可能な分離領域；第１分離ガスの回転テーブルの中心から外周への流れを抑制して、分離領域を第１及び第２の領域より高圧に制御する圧力制御部；第１の領域にて回転テーブルへ第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給部；第２の領域にて回転テーブルへ第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給部；第１反応ガスと分離領域からの第１分離ガスとの両方を合流して第１の領域を通して排気する第１排気口；及び第２反応ガスと分離領域からの第１分離ガスとの両方を合流して第２の領域を通して排気する第２排気口を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、成膜レートの低下を改善することができ、組成比を適切に調整することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 基板を収容した処理室内に第１の処理ガスを供給して基板上に第１の処理ガスを吸着させる工程と、処理室内をパージする工程と、処理室内に第２の処理ガスと第３の処理ガスとを同時に供給して基板上に吸着している第１の処理ガスと反応させる工程と、処理室内をパージする工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを複数回繰り返すことにより、基板上に所定膜厚の薄膜を形成し、その際、基板の温度と処理室内の圧力を、各処理ガスが自己分解しない程度の処理温度と処理圧力であって、第２の処理ガスと第３の処理ガスとが互いに反応せず、第２の処理ガスと第３の処理ガスのそれぞれが第１の処理ガスと反応するような処理温度および処理圧力に設定するようにした。 （もっと読む）

【課題】 輻射加熱源の温度を低温域から中温域として使用しても、シリコンウエハの加熱効率の低下を抑制することが可能な熱処理装置を提供すること。
【解決手段】 輻射加熱源３１と、輻射加熱源３１の上方に設けられた第１の反射板８ａと、輻射加熱源３１の下方に設けられた第２の反射板８ｂと、を備え、シリコンを含む被加熱体Ｗが第１の反射板８ａと第２の反射板８ｂとの間に配置され、シリコンを含む被加熱体Ｗが、輻射加熱源３１からの輻射エネルギが第１の反射板８ａと第２の反射板８ｂとの間で反射を繰り返す空間Ｓ内で熱処理されるように構成する。 （もっと読む）