【課題】チャンバ内の雰囲気を安定化することができる加熱装置および気相成長装置を提供する。
【解決手段】処理対象物の保持面ＲＰを有し、サセプタガイド２１に回転可能に保持されるサセプタ３が、該サセプタ３を取り囲む、チャンバ５の穴部ＨＬに設けられる。内周面を有する第１のリング部３１が、穴部ＨＬを取り囲むようにチャンバ５に取り付けられ、外周面を有する第２のリング部３２が、サセプタガイド２１に取り付けられる。第１のリング部３１の前記内周面と第２のリング部３２の前記外周面とが互いに対向することによって、幅を有する隙間が形成され、該隙間は、幅よりも大きい長さに渡って、サセプタ３の保持面ＲＰと交差する方向に延びている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の製造装置に備えられる断熱材の劣化を抑制することができるようにする。
【解決手段】加熱容器８の周囲を囲む第１外周断熱材１０を、浸透性の大きな断熱基材１０ａの内周面に浸透性の小さな黒鉛シート１０ｂを配置した構造とし、さらに黒鉛シート１０ｂの内周面を高融点金属炭化膜１０ｃで覆った構造とする。これにより、黒鉛シート１０ｂによって断熱基材１０ａに原料ガス３などが浸入することで固体ＳｉＣが析出することを抑制しつつ、さらに高融点金属炭化膜１０ｃによって黒鉛シート１０ｂがエッチングガスや原料ガス３に含まれる成分と化学反応することを抑制できる。したがって、第１外周断熱材１０が劣化することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積（ＡＬＤ）式薄膜堆積装置において反応物質パルスに続くパージ期間に反応物質残りの少ない堆積装置を提供する。
【解決手段】堆積チャンバ内に画定された空間内に載置されたウエハ上に薄膜を堆積させるように構成され、前記空間と連通するガス流入口と、さらに、密閉面６０５を含む密閉部６０４とを備え、前記堆積チャンバと、前記ウエハを前記空間内において支持するように形成されたサセプタ６０２であって、サセプタ６０２が密閉面６０５に対して密閉を行う第１の位置と、サセプタ６０２が密閉面６０５に対して密閉を行わなくなる下方の第２の位置との間を、前記堆積チャンバに対して鉛直方向に移動するように形成されたサセプタ６０２と、を備える。前記第１の位置において、密閉面６０５とサセプタ６０２との間の界面と、サセプタ６０２上に配置された前記ウエハの上面との間の垂直方向の距離が、約２ミリメートル未満である。 （もっと読む）

【課題】被加熱物に放射する熱の面分布をより均一化できる加熱装置を提供する。
【解決手段】支持部３により支持されたウェハと対向して平面状に配設された複数の熱源が熱源部２に設けられており、前記熱源が配設される平面と平行な方向において熱源部２と支持部３とが相対的に変位するように、前記熱源部２を旋回運動させる機構部４を有する、前記熱源部２を前記支持部３に対して旋回させることで、各熱源の放射熱がウェハの面上において分散されるため、前記熱源部２と前記支持部３との相対位置が固定されている通常の加熱装置に比べて、ウェハ上における放射熱の面分布のばらつきを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ヒータの低背化と昇温及び冷却の短時間化を図ることができる基板ヒータを提供する。
【解決手段】基板ヒータ１は、ウエハＷを載置するヒータプレート２と、ヒータプレート２の下面に設けられたヒータ電極３と、ヒータプレート２と等しい熱伝導率を有する緩衝プレート４と、冷却プレート５と、複数のピストン６とを備える。緩衝プレート４とヒータプレート２とは、その間に間隔ｄ１の第１の空間Ｓ１を画成している。また、冷却プレート５は、緩衝プレート４を支持する複数のシャフト４２に、昇降自在に組み付けられている。ピストンロッド６１は、冷却プレート５を緩衝プレート４の下方に位置させて、間隔ｄ２の第２の空間Ｓ２を緩衝プレート４と冷却プレート５との間に形成する。また、ピストン６は、冷却プレート５を上昇させて、緩衝プレート４に接触させる。 （もっと読む）

【課題】反応ガス下で基板を回転させる横型ＭＯＣＶＤ炉を用いて結晶性が高く、かつ、面内のＡｌ組成分布が均一な化合物半導体ウェハを得る。
【解決手段】公転速度を高めることにより、膜厚方向における組成（ｘ値）の均一性を高めることができることは明らかであるが、これにより、成長層（ＡｌＧａＮ）の結晶性は充分とはならない。これに対して、本実施の形態のエピタキシャル成長方法では、膜厚方向における組成の均一性が最適とならない条件で公転を行い、成長層の結晶性を向上させる。実状態の速度比（成長温度（基板温度）における反応ガス流束と基板の交播速度との比）が１７２．０より大きく８５９．８以下となる場合、かつ１回転当たりの成長原子層数が１０層以上である場合に特に良好な結果（高い結晶性、高いキャリア濃度）が得られる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造工程を簡略化させ、金属元素含有膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 金属元素含有膜及び金属元素含有膜上に形成された絶縁膜を備える基板を処理室内に搬入し、処理室内に設けられた基板支持部により支持する工程と、励起状態の水素と励起状態の窒素のいずれか又は両方と、励起状態の酸素と、を含む反応ガスを処理室内で基板上に供給して基板を処理する工程と、基板を処理室内から搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜時に半導体ウエハの内周部の温度分布をより均一化することができるとともに、可動部材上への膜の成長を防止することができる支持台を提供する。
【解決手段】成膜時にウエハ７０が載置される支持台であって、載置部材４０と可動部材３０を備えている。載置部材４０は、ウエハ７０が載置されるときに、ウエハ７０の裏面の外周部を支持する第１支持面４４を備えている。可動部材３０は、ウエハ７０を搬送するときに、ウエハ７０の裏面の外周部を支持する第２支持面３４を備えている。第２支持面３４は、第１支持面４４の内周端４４ａよりも外周側に位置している。可動部材３０は、上部位置と下部位置との間を移動可能である。第１支持面４４に支持されたウエハ７０を平面視したときに、可動部材３０全体がウエハ７０と重なる範囲内に位置する。 （もっと読む）

【課題】基板面に成長する結晶における面内の組成及び膜厚の均一性を向上し得る気相成長装置を提供すること。
【解決手段】環状の室構成面部５５と、その室構成面部５５に対向する環状の対向面４７とで画定されると共に、環状の室構成面部５５の径方向の外方側と径方向の内方側とに開口を有する反応室２を形成する。上記対向面４７に基板１を保持する基板ホルダ２１を形成する。室構成面部５５において基板ホルダ２１に対向する基板対向部６６を、石英の熱伝導率より大きい熱伝導率を有する材質で構成する。 （もっと読む）

【課題】熱電対がサセプターの周囲のスペースを圧迫せず、しかも熱電対に過度の圧力がかかることのないサセプターを提供する。
【解決手段】円盤状のセラミックプレート２０の中に、熱電対５０が埋設されている。熱電対５０は、互いに材料組成の異なる第１及び第２素線５１，５２と、第１及び第２素線５１，５２の先端を接合した測温部５０ａと、第１及び第２素線５１，５２を被覆する高純度アルミナ又はＭｏからなる水平及び垂直保護管５３，５４とを備えている。セラミックプレート２０は、一対のセラミックディスク２２，２４を接合したものであり、熱電対５０は、下方のセラミックディスク２４に形成された水平溝２４ａに配置されている。 （もっと読む）

【課題】反応ガス同士をより確実に分離することが可能な原子層（分子層）成膜装置を提供する。
【解決手段】反応容器１０内に回転可能に設けられ、基板が載置される回転テーブル２；第１の反応ガスが供給される第１の領域４８１と第２の反応ガスが供給される第２の領域４８２とを分離するために、該第１および第２の領域の天井面よりも低い天井面と、分離ガスを供給する分離ガス供給部４１，４２とを有する分離領域；該分離領域において、回転テーブル２と反応容器１０の内側面との間に配置される上ブロック部材４６Ａ，４６Ｂ；を有する成膜装置とする。上ブロック部材４６Ａ，４６Ｂは、前記分離領域における回転テーブル２の回転方向上流側に、前記分離ガスが流通可能な空間Ｓが形成されるように配置される。 （もっと読む）

【課題】水素又は塩化水素を含むパージガス用いるとともに、ＳｉＣヒータを備える成膜装置において、ＳｉＣヒータの劣化を抑制することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】ウエハ７０の表面にシリコン膜を成長させる成膜装置１０であって、ウエハ７０を設置可能なウエハステージ１４、１６と、ウエハステージ内に配置されており、ウエハ７０を加熱するＳｉＣヒータ４２と、ウエハ７０の被成膜面に、シリコン膜の原料ガスを供給する原料ガス供給手段６０、６２、６４と、ウエハステージ内に形成されており、ウエハの裏面と外周面の少なくとも一部に、水素または塩化水素を含むパージガスを供給するパージガス流路３２、３０、３６と、ウエハステージ内に形成されており、ＳｉＣヒータ４２に、ＳｉＣヒータ４２に対して不活性なガスを供給する不活性ガス流路４４、４８を有している。 （もっと読む）

【課題】 低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 表面に金属膜が形成された基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に原料ガスと酸化源とを供給し排気することで、基板の表面に形成された金属膜上に所定膜厚の金属酸化膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、処理を行う工程では、酸化源としてオゾンガス、酸素ガスまたはプラズマにより活性化された酸素ガスを用い、所定膜厚の金属酸化膜を形成する過程において形成される金属酸化膜越しに、酸化源に含まれる酸素原子を、金属膜の表面に導入することで、金属膜の表面を酸化して導電性の金属酸化層に改質する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体で構成される基板を生産する際の歩留まりを改善することを課題とする。
【解決手段】基板の表面から裏面まで貫通する貫通孔２０を有するＩＩＩ族窒化物半導体（Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１））で構成される基板３０と、貫通孔２０の内部に充填され、貫通孔２０を塞ぐ、組成一様のＩＩＩ族窒化物半導体で構成される充填材４０と、を有するＩＩＩ族窒化物半導体基板１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板処理後に基板載置部から基板を離脱させる際に、基板の反りを抑制することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理ガスが供給され、基板を処理する処理室と、ヒータを内蔵し、基板を載置して前記ヒータにより加熱する基板載置部と、該基板載置部に対する相対的な位置関係として、基板搬出時の第１の位置と、基板処理時の第２の位置と、前記第１の位置と前記第２の位置の中間位置である第３の位置とを有し、前記第１ないし第３の位置で基板を支持する基板支持部と、基板処理時は前記基板支持部を前記第２の位置とし、基板処理終了後、前記基板支持部を前記第３の位置に所定時間保持し、その後、基板を搬出するため前記基板支持部を前記第１の位置とするよう制御する制御部とを有するよう、半導体製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、膜厚分布の偏りを解消し、均一な膜厚のエピタキシャル膜を形成させることができるエピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】 基板載置台と該基板載置台に載置された基板とを回転させ、前記基板の主面上に原料ガスを流通させることにより、前記基板主面上にエピタキシャル膜を形成させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記基板載置台の回転方向の位置に応じて、膜厚制御パラメータを変化させて前記エピタキシャル膜を形成させることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ成膜後の降温時におけるスリップ発生を抑え、歩留り、信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室内にウェーハを搬入し、支持部材上に載置し、ウェーハの表面に、ソースガスを含むプロセスガスを供給し、ウェーハを第1の回転数で回転させながら、ヒータの出力を制御して所定温度に加熱することにより、ウェーハの表面に成膜を行い、ソースガスの供給を止め、ウェーハの回転数を、ウェーハのオフセットバランスを保持可能な第２の回転数に降下させるとともに、ヒータの出力を止め、第２の回転数で回転させながらウェーハを降温させる。 （もっと読む）

【課題】反応ガスの気流を基板上に効率よく集めて、エピタキシャル膜の成長速度を増大させることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１の上部に設けられて反応ガス２５をチャンバ１内に供給する供給部４と、チャンバ１内に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２内に設けられて半導体基板６が載置されるサセプタ７と、サセプタ７を支持する回転筒２３とを有する。回転筒２３の回転によってサセプタ７を回転させながら、半導体基板６上に所定の膜が成膜される。ライナ２は、サセプタ７の周縁部上部を包囲するとともに、サセプタ７と一緒に回転するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】｛１１０｝面からの傾斜角度が小さくてもヘイズレベルが良好で、かつシリコン単結晶エピタキシャル層の層厚均一性も良好であり、更に表面欠陥の少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板の主表面上にシリコン単結晶エピタキシャル層を気相成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記シリコン単結晶基板として、主表面が｛１１０｝面または｛１１０｝面からのオフアングル角度が０．５度未満のものを用い、かつ前記気相成長工程では、前記シリコン単結晶基板温度を１１７０℃〜１１９０℃として気相成長することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】品質の良いアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物の結晶を得るため反応温度を得るとともに、反応器内のガス対流をできるだけ抑止することができる結晶成長装置を提供すること。
【解決手段】アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物を基板上に気相成長させる結晶成長装置１は、縦管８と横管７とから構成されるＴ字状の反応器を備えている。結晶成長装置１は、縦管８と横管７に臨んだ領域には、基板を保持するタングステン製の加熱支持台２２と、加熱支持台２２を誘導加熱する高周波コイル２４と、横管７に導入されＩＩＩ族ハロゲン化物を基板上に供給するハロゲン化物ガス管１５と、横管７に導入され窒素源ガスを基板上に供給する窒素源ガス管１７とを備えている。 （もっと読む）