【課題】ウェハの加熱時にヒータやヒータ支持部に発生する応力を低減する機構を備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１０２と、チャンバ１０２内に載置されるシリコンウェハ１０１を加熱するヒータ１２１と、ヒータ１２１を支持する導電性のブースバー１２３ｂを有し、ブースバー１２３ｂがその構造の一部に弾性部を有する。弾性部は、ブースバー１２３ｂに対してヒータ１２１の加熱による応力が作用する方向と直角の方向に切り込み１２５ａが設けられた板ばね部１２５である。 （もっと読む）

【課題】大型の基板に対して均一な厚みの膜を形成することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１０３と、チャンバ１０３内に載置されるシリコンウェハ１０１を支持するサセプタ１０２と、サセプタ１０２を回転させるとともに、サセプタ１０２により上部が覆われてＰ_２領域を形成する回転部１０４と、サセプタ１０２を介してシリコンウェハ１０１を加熱するヒータ１２０と、チャンバ１０３内のガスを排気するガス排気部１２５とを備える。Ｐ_２領域内には、水素ガスを供給する水素ガス供給管１３０が配置されている。回転部１０４を構成する回転胴１０４ａは、複数の板材が筒状に組み合わされて構成されており、各板材の間には、所定の間隔の隙間が設けられている。 （もっと読む）

【課題】成膜中の成長速度をリアルタイムで精度良く検出可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】干渉検出装置７は、波長λのレーザ光を用いて、基板２０上に成長された単結晶Ｓｉ膜の表面から反射光と、リファレンスレンズ７３からの反射光との干渉光をマイケルソン干渉計によって検出する。解析装置８は、干渉検出装置７によって検出された干渉光の振動波形にフィッティングする振動波形を演算し、その演算した振動波形における周期Ｔを求める。そして、解析装置８は、周期Ｔによってλ／２の膜厚を除算して成長速度を検出する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成によって、反応管内に配置された各ワークに対するガスの供給を均一化することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 ガス導入部１６２は、マニホールド１６に配置されるとともに、インナーチューブ１４内のワーク２４に対してガスを噴出可能なガス吹出口１６６を有する。インナーチューブ１４は、ワーク２４を挟んでガス吹出口１６６に対向する位置に配置され、かつ、反応管１１の長さ方向に沿って延びるように形成された長孔状の開口部１４４と、開口部１４４の少なくとも一部を閉塞可能な板状のカバー部材１４２を備える。カバー部材１４２は、開口部１４４に対する相対位置を調整可能に支持される。カバー部材１４２は、開口部１４４の開口領域の幅が、ガス排出部１６４に近づくほど狭くなるように配置される。 （もっと読む）

本明細書では、処理システム内の基板にプロセスガスを供給する方法および装置が開示される。いくつかの実施形態では、この基板処理システムは、基板支持体がその中に配置されたプロセス室と、基板支持体に向かってエネルギーを導くためにプロセス室の上方に配置された光源と、光源によって供給された光エネルギーが基板支持体に向かってプロセス室に入ることを可能にするために、光源と基板支持体との間に配置された窓アセンブリであり、プロセスガスを受け取る入口と、プロセスガスをプロセス室内へ分配する１つまたは複数の出口とを含む窓アセンブリとを含む。
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【課題】複数のシャワー電極が設けられたプラズマ処理装置において、生産性を高めるとともに、プラズマ処理の均一性を維持できるようにする。
【解決手段】プラズマチャンバ２１，２２に、複数のシャワー電極６が隙間８をあけて設けられる。複数の基板４が等間隔に並べられたトレイ５が、シャワー電極６と下部電極７との間に搬送される。成膜開始時、隣り合うシャワー電極６間の隙間８の真下に基板４がくるように、トレイ５が位置決めされる。成膜中、トレイ５は隙間８の大きさに応じた搬送速度で進行方向に移動する。トレイ５は、基板４の長さよりも短い距離だけ移動する。この間に、基板４上に薄膜が形成されるが、シャワー電極７間の隙間８の真下に発生した強いプラズマ放電の影響を受ける領域が基板４上を移動するので、膜厚のばらつきが低減する。 （もっと読む）

【課題】反応炉内圧力の制御を正確に行うことを可能とする半導体製造装置を提供する。
【解決手段】排気管８６のマニホールドとの接続側と反対側である下流側には、処理室から排気されたガスを冷却するガス冷却体９０および圧力調整装置９２を介して真空ポンプ等の真空排気装置９４が接続されている。また、圧力センサ９６は、ガス冷却体９０の上流側に設けられている。このようにして、処理室内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】真空容器内にてテーブルの周方向に沿って複数の半導体ウェハを配置し、２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給して成膜するＡＬＤにおいて面内均一性高く成膜処理を行うこと。
【解決手段】ＡＬＤを行う成膜装置１０１と、アニール処理を行う熱処理装置１０２と、を真空搬送室１０３に気密に接続すると共に、真空搬送室１０３内に自転機構である回転ステージ１３２を設ける。そして、ウェハに対してＢＴＢＡＳガスを供給してこのガスを吸着させ、次いでＢＴＢＡＳガスと反応して流動性を持つシロキサン重合体を生成するエタノールガス及びこのシロキサン重合体を酸化するＯ3ガスをこの順番で供給して成膜処理を行うと共に、この成膜処理の途中で成膜装置１０１からウェハを取り出して、基板を回転させてその向きを変更し、またアニール処理を行って反応生成物を緻密化する。 （もっと読む）

【課題】回転自在な複数の回転ロッドの両端の可動ピンで処理対象部材を支持する構造でありながら、櫛歯状の対象支持部材で処理対象部材を外部待機位置と内部処理位置とに円滑に支障なく移動させることができるリフトピン機構を提供する。
【解決手段】リフトピン機構１００は、回転ロッド１１１，１２１の回動により処理対象部材ＧＢを支持する可動ピン１１０，１２０の位置が適宜変位するので、可動ピン１１０，１２０の支持に起因した処理不良を良好に防止できる。部材移動機構１４２が処理対象部材ＧＢを外部待機位置と内部処理位置とに前後移動させるときには、その複数の対象支持アーム１４１の間隙に位置する複数の回転ロッド１１１，１２１を前後方向に位置させる。 （もっと読む）

【課題】内周側仕切板（基板対向面部）の取り外しを容易にすると共に基板取り出しの効率化を図り、作業性に優れた気相成長装置の提供。
【解決手段】気相成長装置１は、チャンバー本体３と、チャンバー本体３に設けられてチャンバー本体３を開閉するチャンバー蓋５と、チャンバー本体３内に設置されて基板９が載置されるサセプタ１１と、サセプタ１１に対向配置される対向面部材１３とを備え、対向面部材１３をサセプタ１１に載置された基板９に対向配置される基板対向面部３７と、基板対向面部３７の周縁部を支持する基板対向面部支持部３９を備えて構成すると共に、対向面部材１３に設けられて該対向面部材１３をチャンバー本体３側に載置する脚部３１と、チャンバー蓋５に設けられて対向面部材１３に対して係脱自在でかつ対向面部材１３を保持できる係合保持機構１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 基板を保持するためのサセプタ、サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉等を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、大きな直径を有するサセプタに保持された、大口径、多数枚の基板の表面に、結晶成長する場合であっても、基板を１０００℃以上の温度で加熱して結晶成長する場合であっても、効率よく高品質の結晶成長が可能なIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】 設置される基板とサセプタの対面との距離が非常に狭く、かつサセプタの対面に冷媒を流通する構成を備えてなる気相成長装置とする。さらに、サセプタの対面に、不活性ガスを反応炉内に向かって噴出するための微多孔部、及び不活性ガスを微多孔部に供給するための構成を備えてなる気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内に原料供給管が設置される気相成長装置において、ｐ型不純物のメモリー効果を抑えるとともに、不純物ドーピングを確実に行える気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー本体３と、チャンバー蓋５と、チャンバー本体３内に設置されて薄膜が成長する基板９が載置されるサセプタ１１と、サセプタ１１に対向配置される対向面部材１３とを備え、サセプタ１１に基板９を載置した状態で基板９を加熱し、対向面部材１３とサセプタ１１とで形成される反応室に気相原料を導入する複数の原料導入流路３７、３９、４１とを備えた気相成長装置であって、複数の原料導入流路の少なくとも一つの流路３９をドーピング原料が供給されるドーピング原料導入流路とし、該ドーピング原料導入流路の流路壁に隣接させて熱媒体を通流させる熱媒体ジャケット４３を設けると共に熱媒体の温度を制御する温度制御装置を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】温度測定装置において、熱の影響を受けることなく、真空環境下において複雑に移動する被測定物の温度を正確に測定できるようにする。
【解決手段】装置本体３１と、これを固定状態で収容する内装ケース３３と、内面寸法が内装ケース３３の外面寸法よりも大きく形成されて、内装ケース３３との間に隙間が形成されるように内装ケース３３を収容する外装ケース３５と、外装ケース３５の外側に配されると共に内装ケース３３及び外装ケース３５の挿通孔３３ｃ，３５ｃを介して装置本体３１に電気配線された温度計３７と、外装ケース３５内において内装ケース３３を非接触状態で浮遊させる浮遊手段４９とを備える温度測定装置５を提供する。 （もっと読む）

【課題】気相成長装置の原料供給ノズルから噴出される原料ガスの流速をその周方向において均等とすることができ、原料供給ノズルの構造を簡便とし、安価とする。
【解決手段】三重管の最内側の管１２の内部空間および管１３と管１４との間に形成される空間がそれぞれ１種の原料ガスが流れるガス流路１５、１６、１７とされた導入管部１１と、この導入管部の個々の管に繋がり、末広がり状に広がる２枚以上の円環状のノズル板が重ねられ、前記導入管部の最内側の管に繋がる板体の内側の空間および板体と板体との間に形成される空間がそれぞれ１種の原料ガスを噴出する噴出流路とされたノズル部を備え、導入管部の個々のガス流路には、ガスの流れ方向に沿う複数の仕切り板１８が設けられて、個々のガス流路が小流路に細分化され、各小流路に原料ガスを供給する原料ガス供給管にはそれぞれ流量調整手段が設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板が積層されていない領域への処理ガスの流入を抑制し、基板が積層されている領域への処理ガスの供給を促進させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】水平姿勢で多段に積層された基板１０を収納して処理する処理室４と、処理室の内壁に沿うように基板の積層方向に延在されて処理室内に処理ガスを供給する１本以上の処理ガス供給ノズル２２ａ，ｂと、処理室の内壁に沿うように基板の積層方向に延在されるとともに基板の周方向に沿って処理ガス供給ノズルを両方から挟むように設けられ処理室内に不活性ガスを供給する一対の不活性ガス供給ノズル２２ｃ，ｄと、処理室内を排気する排気ライン７ａと、を有し、一対の不活性ガス供給ノズルは、基板が積層されている領域に対向する位置及び前記基板が積層されていない領域に対向する位置に各１箇所以上の不活性ガス噴出口２４ｃ，３１ｃ，３１ｄ，３２ｃ，３２ｄをそれぞれ有する。 （もっと読む）

【課題】基板を載置するサセプタを収納した成膜室１内に反応ガスを供給して、被成膜基板の表面に膜を形成する成膜装置であって、上端にサセプタ用の支持部材が連結され、成膜室の底壁部１ａに開設した貫通孔１ｃを通して下方にのびる回転軸６と、成膜室の下方に配置された回転軸用の回転機構部７とを備えるものにおいて、回転機構部への反応ガスの侵入を確実に阻止できるようにする。
【解決手段】回転機構部７は、成膜室１の底壁部１ａの下面との間に筒状の押え部材８を介設した状態で配置した軸受９と、軸受９の下方に配置した駆動源１０とを有する。押え部材８に、環状の分布室１３と、分布室１３に周囲１個所からパージガスを導入する導入口１４とが形成されると共に、押え部材８と回転軸６との間の隙間に分布室１３からのパージガスを噴出するノズル孔１５が周方向の間隔を存して複数形成される。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造において、被形成体を保持するのに用いられる治具の耐久性を向上させる。
【解決手段】有機金属気相成長法を用いてＩＩＩ族窒化物半導体の層を化合物半導体基板の被形成面に形成するＭＯＣＶＤ装置において、化合物半導体基板を保持する基板保持体３０を、ＳｉＣで形成された本体部３１と、Ｓｉ₃Ｎ₄で形成され、本体部の外周面の少なくとも一部を覆うように設けられる被覆部３２とで構成し、被形成面が外側を向くように化合物半導体基板を凹部３０ｂに取り付け、基板保持体３０をＭＯＣＶＤ装置の反応容器内に回転可能に取り付け、反応容器内にＩＩＩ族窒化物半導体の原料ガスを供給してＩＩＩ族窒化物半導体の層を形成する。 （もっと読む）

【課題】液体原料の気化不足による材料供給に起因するパーティクルの発生を低減し、気化器内のパーティクルやノズルの詰りの発生を抑制する事で当該詰りを原因とする装置稼働率の低下を防止する。
【解決手段】基板を収容する処理室２０３と、液体原料を収容する液体原料収容部３００と、前記液体原料を気化する気化機構３０４と、前記気化機構と前記処理室を接続する液体原料ガス供給配管２５０ｈ，２５０ｊと、前記液体原料収容部と前記気化機構を接続する液体原料供給配管２５０ｅ，２５０ｆ，２５０ｇと、前記液体原料供給配管に設けられ、前記液体原料を加熱しつつ収容する予備加熱部３０２とを有する。 （もっと読む）

【課題】均一性をより向上することが可能な成膜装置、成膜方法、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体を提供する。
【解決手段】開示する成膜装置において、サセプタ２には、底部に貫通孔２ａを有する凹部２０２と、載置領域２４を有し凹部２０２に離脱可能に収容されるサセプタトレイ２０１とが設けられている。また、貫通孔２ａを通して上下動可能な昇降ロッド２０４と、昇降ロッド２０４を駆動して、サセプタトレイ２０１を押し上げ、回転する昇降回転部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】膜の成膜中に膜厚をリアルタイムにモニターすることが可能な成膜装置、成膜方法、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体を提供する。
【解決手段】開示する成膜装置２００は、真空容器１の天板１１に透過窓２０１を有しており、この透過窓２０１を通してサセプタ２上のウエハＷに光を照射することにより、上に成膜される膜の膜厚が測定される。具体的には、膜厚測定システム１０１は、透過窓２０１の上面に配置される３つの光学ユニット１０２ａから１０２ｃと、光学ユニット１０２ａから１０２ｃのそれぞれに光学的に接続される光ファイバ線１０４ａから１０４ｃと、これらの光ファイバ線１０４ａから１０４ｃが光学的に接続される測定ユニット１０６と、測定ユニット１０６を制御するため測定ユニット１０６と電気的に接続される制御ユニット１０８とを有している。 （もっと読む）