【課題】操作画面にレシピのステップ毎に必要なステータスを視覚的に分かりやすく表示させる。
【解決手段】複数のステップから構成されるレシピの作成を行う操作画面を有し、この操作画面上からの指示で前記レシピを実行させることにより、基板の処理を行う基板処理装置であって、前記レシピの各ステップ名を順番に表示すると共に、各ステップに対応する内容を示すアイコンを前記操作画面に表示し且つガス配管図Ｇ２を前記操作画面に表示する表示手段を備える。 （もっと読む）

【課題】 処理チャンバの構成材料に取り込まれていたメタルが揮発することを抑制でき、飛散量の許容範囲の狭まりにも対応することが可能な基板処理装置のメタル汚染低減方法を提供できる。
【解決手段】 処理容器１と、処理容器１内に配置され、被処理体を保持する保持部材５を含む容器内部材７、８、９とを備えた基板処理装置のメタル汚染低減方法であって、処理容器１内の内壁、及び容器内部材７、８、９の表面上を、ハロゲンを含まないプリカーサーを用いて形成したシリコン酸化膜でプリコートする（ＭＳ−ＨＴＯコート）。 （もっと読む）

【課題】
ガス検知器による稼働時間の低下を無くすと共に有毒ガスの非検知状態を解消することで、作業の安全性を向上させる。
【解決手段】
基板２３を処理する反応管１８と、該反応管内にガスを供給する供給系２９と、前記反応管内を排気する排気系３３と、前記供給系又は前記排気系に設けられ、ガスを検知する少なくとも２以上のガス検知器１４ａ，１４ｂと、前記少なくとも２以上のガス検知器の内少なくともいずれか１は常時ガスを検知できる様制御するコントローラ４９とを具備する。
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【課題】基板に対向するガス供給面から３種類の処理ガスを基板に供給して成膜処理を行うにあたり、膜厚及び膜質について高い面内均一性を得ることのできる成膜装置等を提供する。
【解決手段】
成膜装置の処理容器内に設けられた基板に対し、この基板に対向するガスシャワーヘッドのガス供給面４０ａから互いに異なる第１の処理ガス、第２の処理ガス及び第３の処理ガスを供給してこれらの処理ガスを反応させ、前記基板の表面に薄膜を成膜する。このガス供給面４０ａは、互いに同一の大きさの正三角形からなる単位区画４０１に分割され、当該単位区画４０１を構成する各正三角形の３つの頂点に、第１の処理ガスを供給する第１のガス供給孔５１ｂ、第２の処理ガスを供給する第２のガス供給孔５２ｂ及び第３の処理ガスを供給する第３のガス供給孔５３ｂが割り当てられている。 （もっと読む）

【課題】データの受信状態の監視が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置に設けられ、データ送信又は受信する複数の装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）と、これら装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）と通信する監視モジュールと、各装置側モジュール及び監視モジュールに組み込まれ、各装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）と監視モジュールとの間でデータを通信させるための通信プログラムと、を具えた基板処理装置であって、前記監視モジュールの通信プログラムは、各装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）に受信されるデータの受信間隔を監視することにより、データが正常に受信されているか否かを判断するように構成される。 （もっと読む）

【課題】膜厚の面内均一性や膜質の良好な成膜処理行いつつ、装置の熱的劣化を抑えることのできる成膜装置等を提供する。
【解決手段】
真空容器２内に処理ガスを供給し、基板Ｗを加熱して成膜処理を行う成膜装置１において、昇降機構３０は基板Ｗの処理位置及び受け渡し位置の間で載置台３００を昇降させ、囲み部分２６は基板Ｗ処理時に載置台３００を取り囲むことにより真空容器２内を上部空間と下部空間とに区画する。前記上部空間に連通し、基板Ｗ上方の処理雰囲気よりも外側に位置する真空排気路２１は、前記処理雰囲気の真空排気のために設けられ、排気されるガスの通流空間に露出する部位は処理ガスの反応物が付着しないように加熱手段２１４、４７により加熱される。これら加熱手段２１４、４７と、真空容器２の下側部分との間には断熱部２１２、２５４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】処理された基板の成膜量の効果的な制御が図られた基板処理システム，基板処理装置の制御方法，およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板処理システムが，複数の基板に成膜する基板処理部と，前記複数の基板内での未処理基板および処理済基板の配置を表す配置パターンの情報を取得する取得部と，前記複数の基板内での未処理基板および処理済基板の配置が基板の成膜量に与える影響を表す配置−成膜量モデルを記憶する記憶部と，前記配置−成膜量モデルに基づいて，前記配置パターンのときの，基板の予測成膜量を算出する算出部と，前記算出される予測成膜量が所定範囲か否かを判断する判断部と，前記算出される予測成膜量が所定範囲であると判断されたときに，前記基板処理部を制御して基板を処理させる制御部と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】真空引きにより蓋部を吸引固定することにより熱伸縮差を許容して、蓋部や外側載置台等に割れや破損等が発生することを防止することが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理装置３０の処理容器３２内に設けられて被処理体Ｗを載置するための載置台構造６４において、容器状になされた内側容器６６Ａと内側容器に連通された中空状の内側支柱６６Ｂとが一体的に連結された内側載置台６６と、内側容器の周囲を覆う外側容器６８Ａと内側支柱の周囲を覆う外側支柱６８Ｂとが一体的に連結された外側載置台６８と、内側容器内に収容される内部収容物７０と、内側容器の開口と外側容器の開口とを覆い、被処理体を載置する蓋部７２と、内側載置台の内部を真空引きする真空引き手段７４と、内側載置台と外側載置台との間の隙間にパージガスを供給するパージガス供給手段７６とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板が汚染されるのを防止又は抑制する。
【解決手段】基板処理装置は、内部空間が隔壁２３６により成膜空間とプラズマ生成空間２３７とに区画される反応管２０３を有している。反応管２０３に収容される基板に所望の膜を形成するときは、ノズル２３３，２４９から第１の処理ガスと第２の処理ガスとを反応管２０３内に供給する。他方、反応管２０３のプラズマ生成空間２３７を構成する部位を所望の膜５００でコーティングするときは、ノズル２３３から第２の処理ガスと第３の処理ガスとをプラズマ生成空間２３７に供給する。 （もっと読む）

【課題】２種類の基板にそれぞれ適合した各カセットキャリアから基板を共通の装置で搬送できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】この真空処理装置は、異なる種類の形状を有した複数のカセットキャリア１と、カセットキャリア１に収納されている基板を運ぶためのオートローダ２０と、カセットキャリア１をセットするためのカセットステージ３０とを備える。さらに、この装置は、カセットステージ３０にカセットキャリア１がセットされると当該カセットキャリア１の種類を判別する判別スイッチ５０を備える。さらに、この装置は、判別スイッチ５０で判別されたカセットキャリア１の種類に基づき、基板受け取り初期高さを変えられるオートローダ２０の基板搬送アーム１３を備える。 （もっと読む）

基板上に薄膜材料を堆積させるための方法を開示し、その方法は、一連のガスフローを同時に薄膜堆積装置の配送ヘッドのアウトプット面から基板の表面に向けることを含み、前記一連のガスフローは第一の反応性気相材料、不活性パージガス及び第二の反応性気相材料を少なくとも含み、前記第一の反応性気相材料は前記第二の反応性気相材料で処理した基板表面と反応することができ、１つ以上のガスフローは前記基板の表面を前記配送ヘッドの前記面から分離することに少なくとも寄与する圧力を提供する。このような方法を実施することができる装置も開示される。
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基板を用意する工程、該基板に堆積阻害材料を適用する工程、ここで、該堆積阻害材料は、有機化合物又はポリマーであり、そして工程（ｂ）の後又は該堆積阻害材料を適用するのと同時に、該堆積阻害材料をパターン化して、該堆積阻害材料を事実上有さない選択された基板領域を提供する工程を含んで成るパターン付き薄膜を形成するための原子層堆積法。無機薄膜材料は、該堆積阻害材料を有さない選択された該基板領域内だけに実質的に堆積される。
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【課題】ウェハ上に成膜される気相成長膜の全面における膜厚や不純物濃度の均一性を向上させる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０１と、ガス供給部１０３と、チャンバ１０１内をバッファ領域１３０と反応領域１４０とに区分するとともに、貫通孔１２０が形成されプロセスガスを整流するガス整流板１０２と、バッファ領域１３０であって、ガス整流板１０２に対して所定距離離間して設けられ、ガス整流板１０２を通過するプロセスガスの流量を制御するガス遮蔽板１０４と、反応領域１４０に設けられ、ウェハ１０５を載置するホルダ１０６と、チャンバ１０１内からプロセスガスを排気するガス排気部１１０とを備えることを特徴とする。これにより、ウェハ１０５の気相成長膜が成膜される全面に供給するプロセスガスの流量を調整し、ウェハ１０５全面における膜厚や不純物濃度の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

封止するOLEDデバイスの表面に薄膜材料を堆積させてそのOLEDデバイスを薄膜封止パッケージするため、一連のガス流を実質的に平行な細長い出口開口部に沿った方向に向ける操作を含む方法であって、上記一連のガス流が、順番に、少なくとも1つの第1の反応性ガス材料と、不活性なパージ・ガスと、第2の反応性ガス材料を、場合によっては繰り返して含んでおり、上記第1の反応性ガス材料は、上記第2の反応性ガス材料で処理した基板の表面と反応して封止薄膜を形成することができ、上記第1の反応性ガス材料は、揮発性の有機金属前駆体化合物である方法が開示されている。この方法は、実質的に大気圧で、または大気圧よりも大きな圧力で実施され、堆積中の上記基板の温度は250℃未満である。
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【課題】不活性ガスによる移載室のパージが自動的になされる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板の処理を行う処理室２０２に連接される移載室１０２をガスでパージするように制御する制御手段を備えた基板処理装置であって、前記制御手段は、前記移載室１０２内のガスの流れを一方向に排気させる機能と、前記移載室１０２内に不活性雰囲気でガスを循環させる機能と、を切替える切替手段を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アーク放電を停止し、電力再投入時の過大電力の印加も防ぎ、地絡事故に対して迅速に対処できる電源、スパッタ電源及びスパッタ装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、インダクタにより平滑した順方向の直流電力を負荷に対して出力して定常運転を行い、前記負荷のインピーダンスの低下が生ずると前記負荷に対する前記順方向の直流電力の出力を遮断する遮断動作を行う電源であって、前記遮断動作が実行されると前記インダクタを流れる電流は前記負荷を含まない迂回路を流れ、前記迂回路の中に設けられ、前記定常運転においても前記遮断動作が実行された場合にも前記インダクタを流れる電流を測定するインダクタ電流センサと、前記迂回路の外側に設けられ、前記負荷に対して出力される電流を測定する出力電流センサと、を備えたことを特徴とする電源が提供される。 （もっと読む）

組合せ処理チャンバおよび方法が提供される。その方法においては、流体ボリュームが基板の表面上を流れ、基板の分離領域が、隣接する領域が曝される構成成分とは異なる構成成分の混合物に同時に曝されるようにするために、流体ボリュームの異なる部分が、異なる構成成分を有する。基板の表面上に流体ボリュームを複数回流すことにより、異なる方法で処理された分離領域が生成される。 （もっと読む）

【課題】装置コストを増やすことなく、半導体処理装置の正確な制御を与える。
【解決手段】制御器、及び該制御器により制御される少なくともひとつのデバイスを含む半導体処理装置であって、該制御器は該デバイスと通信するためのインターフェイスを備え、該インターフェイスは通信用の時間インターバルを測定するための内部クロックを有するところの装置を制御する方法が与えられる。当該方法は、インターフェイスへ命令を送信するために使用される制御器のオペレーティングシステムのシステムクロックを、インターフェイスの内部クロックと置換する工程と、システムクロックと置換された内部クロックにより測定された時間インターバルを使って制御器からインターフェイスへ命令を送信する工程と、インターフェイス内の内部クロックにより測定された時間インターバルを使ってインターフェイスからデバイスへ命令を送信しデバイスを制御する工程を含む。 （もっと読む）

本発明の一実施形態にしたがった化学気相堆積プロセス用のプロセスキットカバーが開示されている。該プロセスキットカバーは、該プロセスキットカバーの最上部表面からの突出部を含んでもよい。該突出部はウェーハ対向表面に隣接する。該突出部は、堆積プロセスの反復中、該プロセスキットカバーおよび該ウェーハ対向表面上の酸化物蓄積を減少させる。該プロセスキットカバーはまた、本発明の別の実施形態にしたがって、セラミックカラーやペデスタルなどの下部支持構造とのインタフェースにおいて最小限熱接触していてもよい。最小限の熱接触は、該プロセスキットカバーと該下部支持構造の間に絶縁体を配置することによって、あるいは該プロセスキットカバーと該下部支持構造の間に１つまたは複数のギャップを作成することによって達成されてもよい。大気が、該１つまたは複数のギャップ内に熱絶縁を提供してもよい。 （もっと読む）

【課題】
システムが大型化し、しかも管理項目が増大してもメンテナンスがし易いメンテナンス画面を表示パネルに表示することが可能な基板処理装置、そのような基板処理装置のメンテナンス時における表示パネルの表示方法、プログラム及び記録媒体を提供する
【解決手段】
表示パネル３０１の第１の表示領域３１１ａに例えば処理室１４０Ｅ内の模式的な構造を表示すると共に複数の部位Ａ１〜部位Ａ８を部位ごとに異なる色で表示する。そして、表示パネル３０１の第２の表示領域３１１ｂには、例えば第１の高周波電源４０の電圧計、電流計などにより計測された複数のパラメータ値を複数の部位Ａ１〜部位Ａ８ごとに部位Ａ１〜部位Ａ８ごとの色に対応した色で列挙して表示している。 （もっと読む）