ガス配送組立品の方法および装置が本明細書で提供される。いくつかの実施形態では、ガス配送組立品は、第１の容積を有するガス入口ファンネルと、ガス導管とを含み、ガス導管が、ガスを受け取るための入口と、ガス導管から出て第１の容積に入るガスの流れを容易にするための出口とを有し、ガス導管が、第１の容積よりも小さな第２の容積と、入口付近の第１の断面から出口付近の第２の断面へと増大する断面とを有しており、第２の断面が非円形である。いくつかの実施形態では、各導管は、ガス入口ファンネルの中心軸と交差する長手方向軸を有する。
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【課題】レーザ光の照射によって基板上で光分解反応を生じさせる際に、熱による悪影響を排除して均一な処理を可能にする。
【解決手段】基板に薄膜を作成する際に、基板に形成した原料膜に対してレーザ光を照射して光分解反応を生じさせるレーザ光照射方法において、基板を面方向において回転させるとともに、レーザ光照射位置に対し面方向に沿って相対的に移動させつつ、レーザ光の照射を行う。照射装置としては、原料膜を形成した基板を支持する支持部と、基板を回転させる回転機構と、基板を面方向に沿って移動させる移動機構と、基板にレーザ光を照射するレーザ光照射手段と、基板を回転機構によって面方向において回転させるとともに、移動機構によって面方向に沿って相対的に移動させつつ、レーザ光照射手段によって基板にレーザ光を照射して原料膜での光分解反応が生じさせる制御部を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、異常傾向の発生とその深刻度を知ることができる製造プロセスの監視方法、監視プログラム、監視システムおよび製品の製造方法を提供する。
【解決手段】製造過程における品質特性に関するデータを収集し、前記品質特性に関するデータから検知対象となるデータを抽出し、前記検知対象となるデータに対して周波数分析を行い、前記周波数分析の結果と、予め定められた限界値と、に基づいて異常傾向の発生を監視し、前記異常傾向の発生が検知された場合には、深刻度の判断をし、前記検知がされた時点の前記品質特性に関するデータと前記異常傾向の発生時点の前記品質特性に関するデータとを特定し、前記深刻度の判断のデータと、前記検知がされた時点の前記品質特性に関するデータと、前記異常傾向の発生時点の前記品質特性に関するデータと、を出力すること、を特徴とする製造プロセスの監視方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】拡大表示と全体との相関関係を容易に認識できるようにし、その拡大表示が何処を表示しているのかを容易に判断できる基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置と、複数の基板処理装置を管理する群管理装置とで構成される基板処理システムであって、前記群管理装置は、基板処理の際に設定又は生成された基板処理データを表示するための操作画面を備えた操作手段と、所定の表示プログラムを実行する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記基板処理データをグラフ化して前記操作画面に表示し、該操作画面で拡大表示指定を受けつけると、前記基板処理データを拡大表示するための画面表示プログラムを実行することにより前記指定された範囲を拡大した画面を前記グラフ化した画面と同様に前記操作画面上に表示する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの有無と、ウエハのプロセス進捗状況とを対応させて表示し、装置が停止した場合にも、操作者にウエハの処理状況を正確に知らせて、良品を廃棄するのを防ぎ、歩留りを向上させることができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 ウエハ毎に搬送レシピを指定した搬送テーブル２９と、搬送レシピ毎にウエハの位置情報を格納する位置管理テーブル２２ａ〜２２ｃと、ウエハＮｏ．毎に位置情報とプロセス状況を格納する状況テーブル２５´を設け、位置情報監視手段２１´が、個々のウエハについて位置及びプロセス状況を監視し、ウエハ毎に異なる搬送レシピを設定した場合にも、ウエハ毎のプロセス進捗状況を表示する半導体製造装置である。 （もっと読む）

【課題】ホスト指定されたイベントの有効/無効を視覚的に把握しにくいという問題点を解決し、収集イベントＩＤと収集レポートＩＤ、収集レポートＩＤとＶＩＤのリンク関係を把握しやすいように改良した基板処理装置を提供する。
【解決手段】各種ファイルを記憶する記憶部５３と、前記プログラムを実行して基板を処理する制御部と、前記プログラムが実行中の稼動状態を表示する表示部とを備えた基板処理装置であって、前記記憶部は、前記プログラムのうち、前記ファイルを参照して所定のイベントのリンク関係を前記表示部に表示するホスト制御プログラムを有する。 （もっと読む）

本発明は、複数のＡＬＤ反応炉があるパターンの相互位置関係で載置され、各ＡＬＤ反応炉はＡＬＤ処理のために一回分の基板群を収容するように構成され、上部からアクセス可能な反応室が各ＡＬＤ反応炉に設けられた装置および方法に関する。複数の装填シーケンスが装填用ロボットによって実行される。各装填シーケンスは、収納域または棚において一回分の基板群を担持している基板ホルダを取り上げることと、この基板ホルダを一回分の基板群と共に当該ＡＬＤ反応炉の反応室に移動させることとを含む。 （もっと読む）

【課題】画面上の値と、実行しているレシピの設定項目との関連が判断できる機能を提供する。
【解決手段】複数のステップから構成されるレシピを実行させて、基板に所定の処理を施す制御部と、各ステップにおける制御アイテムのモニタ値を表示する操作部と、を有する基板処理装置１であって、各ステップにおける制御アイテムのモニタ値と共に前記制御アイテムの設定有効／無効情報を色分け表示する （もっと読む）

【課題】装置稼働状態を適正に監視するための真空ポンプの排気能力や真空配管系の異常をオンライン状態で簡便に監視することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】処理室３ａ内の基板８を対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置１において、処理室３ａ内部の到達真空度を計測する第１の真空センサ１５に加えて、排気配管系１２において処理室３ａと真空ポンプ１４とを断接する真空バルブ１３と真空ポンプ１４との間に第２の真空センサ１７を設け、真空バルブ１３を閉にした状態での第２の真空センサ１７の計測結果に基づいて、真空ポンプ１４の排気能力の異常や、真空排気配管１２ｂの真空リークなどの異常の有無を、制御部２２によって検出する。 （もっと読む）

【課題】 複数の内部処理空間を有する多重基板処理チャンバーおよびこれを含む基板処理システムを提供することを課題とする。
【解決手段】 少なくとも二つの内部処理空間が形成されたチャンバーハウジングと、前記チャンバーハウジングに設置され、前記チャンバーハウジングを前記少なくとも二つの内部処理空間に分割する少なくとも一つのパーテーション部材とを含んで、前記各内部処理空間は前記パーテーション部材と結びついて均一な処理反応が発生する対称的な形状を有することを特徴とする。本発明の多重基板処理チャンバーは、内部処理空間がパーテーション部材との結合によって、対称的な形状を有するので処理反応が内部処理空間の全領域にかけ均一に発生して基板処理工程の再現性と均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】前処理を効率的に実行する。
【解決手段】装置コントローラＥＣは、次処理ロットのフープに関する処理情報を受信する通信部２５０と、受信されたフープに関する処理情報に複数のプラズマ処理装置のいずれかに対する前処理情報が含まれるかを判定する判定部２５５と、前処理情報が含まれると判定された場合であって、次処理ロットのフープの搬送に関する所望の条件を満たしたとき、次処理ロットのフープに対する前処理の実行を宣言するためのキャリアオブジェクトを生成する生成部２６０と、オブジェクトが生成された場合、次処理ロットのフープが搬送先のプラズマ処理装置に到着したことの通知を待たずに次処理ロットのフープ内のウエハに対する前処理を開始する処理実行制御部２７０と、を備える。これにより、装置コントローラＥＣは複数のプラズマ処理装置を含むプラズマ処理システム２０を制御する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性半導体メモリ素子向けの絶縁膜形成において、リーク電流密度を低減でき、デバイス特性及び信頼性を向上させることができる金属酸化物絶縁膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】Ｋｒ以上の原子量を有する希ガスを導入して、導入希ガスより重い金属元素を含む金属酸化物ターゲットを用い、ＬａＨｆＯ、ＬａＡｌＯ、ＺｒＡｌＯのように導入希ガスより重いＬａまたはＨｆなどの金属元素を含む金属酸化物絶縁膜をスパッタ成膜する。 （もっと読む）

【解決手段】処理中に処理チャンバ内の基板上の付着膜を特性化するための方法が提供される。方法は、測定コンデンサが第１の容量値に設定された状態で、プローブヘッドについての電圧電流特性を決定することを含む。方法は、また、測定コンデンサが第１の容量値よりも大きい容量値に設定された状態で、プローブヘッドにＲＦ列を印加することを含む。方法は、更に、付着膜についての初期抵抗値及び初期容量値を提供することを含む。方法は、尚もまた、初期抵抗値、初期容量値、及び電圧電流特性を利用して疑似電圧時間曲線を生成することを含む。方法は、尚も更に、一ＲＦ列の間における付着膜を通した電位降下を表わす測定電圧時間曲線を決定することを含む。方法は、そのうえ、これら２つの曲線を比較することを含む。もしこれらの差が所定の閾値未満である場合は、付着膜を特性化するために初期抵抗値及び初期容量値を利用する。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造工程に組込まれるテスト処理が連続して実行される場合に、ウェーハの搬送時間を短縮して、テスト処理時間を短縮し、総合的なウェーハ処理時間の短縮、スループットの向上を図る。
【解決手段】
基板１を所定枚数保持する基板保持具６と、該基板保持具を収納し基板を処理する処理炉１３と、前記基板保持具に対して基板を装填、払出しする基板搬送手段１２と、該基板搬送手段を制御する制御部とを具備し、基板を処理する最適な処理条件を決定する為のテスト処理を実行する場合、前記制御部はダミー基板、モニタ基板を前記基板保持具に装填し、所定の処理条件で基板処理後、前記基板保持具を取出し、前記テスト処理が連続して実行される場合は、前記ダミー基板は、前記基板保持具に装填させたまま、前記モニタ基板のみを装填、払出しする様前記基板搬送手段を制御する。
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【課題】基板処理装置から送信されデータベースに格納される収集データの量を低減することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】本発明に係る基板処理装置１は，基板を処理する基板処理装置１０と，基板処理装置１０から送信されるデータを収集するサーバ装置１６（データ収集装置）とを有する。サーバ装置１６上では，収集間隔管理プログラム２０が動作する。収集間隔管理プログラム２０は，データ値の時間的な変化に基づいてデータの収集間隔を制御する収集間隔制御部２１０（制御手段）と，この収集間隔制御部２１０により制御された収集間隔で，基板処理装置１０からデータを取得するデータ受信部２０４（データ取得手段）とを有する。 （もっと読む）

【課題】処理空間を不活性ガスで高速に浄化する場合、排ガス圧力制御手段で加圧状態が発生してしまうことを防止する。
【解決手段】処理空間を提供する処理容器１１と、処理空間に処理用ガス及び不活性ガスを供給するガス供給手段１４と、処理空間のガスを排出するガス排出手段１５と、ガス排出手段に挿入され、このガス排出手段の排ガス圧力を制御する排ガス圧力制御手段１６と、ガス排出手段に挿入され、排ガス圧力制御手段の上流側および下流側で、排ガス圧力制御手段と並列に接続されるバイパス手段１７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置から受信したデータの発生順序を正確に表現することが可能な群管理装置を備える基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置１００と、基板処理装置とデータ交換可能なように接続される群管理装置５００と、を備える基板処理システムであって、群管理装置は、基板処理装置の状態を示すデータを基板処理装置から受信し、基板処理装置内のデータ発生箇所から群管理装置へと至るデータ転送経路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の所要転送時間と基準転送時間との転送時間差を、データを受信した時刻に加減して時刻を補正し、補正後の時刻に基づいて受信したデータを時系列に並び替え、並び替え後のデータのうち補正後の時刻が同一であるデータを同一時刻に発生したデータとして表示する。 （もっと読む）

【課題】画面操作数が多く、操作が面倒であるという問題点を解消し、作業効率を向上させるとともに、操作の快適さを向上させる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】大気搬送室と、前記大気搬送室の一側に並列接続される真空気密可能な基板処理モジュールであって、前記大気搬送室の一側に連通する前室及び該前室と連通する基板処理室から構成される複数の基板処理モジュールと、前記大気搬送室の他側に接続され、複数枚の基板を保持する基板収納部と、前記大気搬送室に備えられ大気搬送室を介して前記基板処理モジュール又は前記基板収納部に対して基板の搬送を行う一台の第一の基板搬送装置と、前記複数の基板処理モジュールを構成する複数の前室にそれぞれ備えられ、前室と基板処理室との間で基板を搬送する第二の基板搬送装置と、前記第一の基板搬送装置、第二の基板搬送装置、及び前記前室の圧力を制御する制御手段とを備えた半導体製造装置。 （もっと読む）

【課題】装置アボート後にポンプが再起動不能状態になるのを回避することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ２００を処理する処理室２０１と、液体原料が気化したガスを処理室２０１に供給する第１液体原料供給管２３２ａおよび第２液体原料供給管２３２ｄと、処理室２０１を排気する排気管２３１と、排気管２３１に接続され処理室２０１を排気する真空ポンプ２４６とを有する処理炉において、排気管２３１の真空ポンプ２４６よりも上流側にストップバルブ２４５を設ける。メインコントローラ２５６はストップバルブ２４５と真空ポンプ２４６とを、リセット時にストップバルブ２４５を閉じ、リセット中に真空ポンプ２４６の稼働を継続させるように制御する。液体原料が真空ポンプ内で固化するのを防止できるので、真空ポンプが再起動が不能となるのを未然に防止できる。 （もっと読む）

【解決手段】半導体プラズマ処理装置内で基板アーキングを検出する方法が提供されている。プラズマ処理装置の反応チャンバ内の基板支持体上に、基板が載置される。処理ガスが、反応チャンバ内に導入される。処理ガスからプラズマが生成され、基板は、プラズマで処理される。プラズマ処理中に反応チャンバ内で生成された選択ガス種のリアルタイム質量分析信号の強度が、監視される。選択ガス種は、基板アーキング現象によって生成されたものである。強度が閾値を越えた時に、アーキング現象が検出される。 （もっと読む）