【課題】群管理サーバにおけるＤＢへの書き込み頻度を減少させ、群管理サーバの負荷を低減させることが可能な基板処理システムを提供する。
【解決手段】装置データから読み出した時刻が所定の周期で繰り返される書込タイミング以前であれば、装置データを一時格納手段へ転送し、装置データから読み出した時刻が書込タイミングを過ぎていれば、パックデータを一時格納手段から読み出して装置データに添付し、パックデータが添付された装置データを格納手段へ転送する。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、シーケンスのパラメータの設定値を容易に変更し得、容易に基板処理装置の作動確認が行える様にし、作業効率の向上を図る。
【解決手段】
基板に所要の処理を行う処理室１３と、基板の搬送空間として前記処理室に隣接して設けられた移載室７と、該移載室にパージガスを供給するガスパージ手段と、該移載室のガスパージを実行するためのガスパージシーケンスが実行されると、前記ガスパージ手段を制御して前記移載室をガスパージする制御手段と、少なくとも前記パージガスの流量、時間及び前記移載室の酸素濃度を設定するガスパージシーケンス設定画面を表示可能な表示部と、少なくとも前記ガスパージシーケンスのパラメータを入力可能な操作手段とを具備し、前記ガスパージシーケンス設定画面より前記パラメータを各機構部の状態や装置の動作状態に対応させて入力することで、前記ガスパージシーケンスが実行可能となるよう構成した。
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【課題】無駄な待ち時間を減らしつつ、流量制御の精度を向上させることができる流体分流供給ユニットを提供すること。
【解決手段】マスフローメータ８の二次側に第１及び第２開閉弁１１Ａ，１１Ｂを接続する。第１及び第２開閉弁１１Ａ，１１Ｂの第１及び第２設定流量Ｑａ，Ｑｂを流量特性に照合して、動作周期ｔのうちで弁開するパルスＯＮ時間ａ’，ｂ’を決定する。そして、第１及び第２開閉弁１１Ａ，１１Ｂの動作周期ｔを一定にして、決定したパルスＯＮ時間に従って第１及び第２開閉弁１１Ａ，１１Ｂを開閉させて流量制御を行う。このとき、マスフローメータ８が測定するユニット総流量Ｑを平均したユニット平均流量Ｑｍと、第１及び第２設定流量Ｑａ，Ｑｂを合計した指令総流量Ｑａ＋Ｑｂとの偏差ＱＰをゼロにするように、パルスＯＮ時間ａ’，ｂ’を補正する。 （もっと読む）

【課題】モジュールの種別を操作画面で識別可能のインテグレート装置を提供する。
【解決手段】インテグレート装置はウエハを処理する複数の処理モジュールと、ウエハを複数の処理モジュールに搬送する負圧移載装置および正圧移載装置と、これらを制御する制御システムとを備えている。制御システムは操作画面の稼働状況表示欄ＰＭ１には第一処理モジュールの種別である枚葉式ＣＶＤ装置、稼働状況表示欄ＰＭ２には第二処理モジュールの種別であるＭＭＴ装置、稼働状況表示欄ＰＭ３には第三処理モジュールの種別である第一クーリング装置、稼働状況表示欄ＰＭ４には第四処理モジュールの種別である第二クーリング装置、稼働状況表示欄ＴＭには負圧移載装置、稼働状況表示欄ＬＭには正圧移載装置を表示する。 （もっと読む）

【課題】複数バッチ間にまたがる異常基板の関連性を容易に把握することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、表示手段１６と、基板を保持する基板保持具と、基板処理時の基板の生産情報をバッチ毎に蓄積して格納する格納手段と、前記格納手段に格納されている複数バッチの選択を受け入れる選択受入れ手段と、前記選択受入れ手段により受け入れられた複数バッチにおける前記基板保持具による基板の保持状態に関する情報である基板情報を前記表示手段に表示するよう制御する表示制御手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の基板に対向して配置され、前記基板にガスを供給してガス処理を行うにあたり、その内部の流路におけるガスの置換を高速で行うことができるガス供給装置を提供すること。
【解決手段】縮径端側から拡径端側にガスを通流させるための概ね円錐形状のガス通流空間を形成する本体部と、前記ガス通流空間の縮径端側に設けられ、当該ガス通流空間にガスを導入するためのガス導入ポートと、前記ガス通流空間を、外側に向かうにつれて末広がりの程度が大きくなるように同心円状に区画するための区画部材と、を備えるようにガス供給装置を構成することで従来のガスシャワーヘッドに比べてガス供給装置内部のガス流路におけるコンダクタンスを大きくして、そのガス流路におけるガスの置換性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】所定の生産処理（ロット処理又はバッチ処理）間であって非稼働状態にある時間
に関わらず，基板処理の品質に差が生じることを防ぐことができる基板処理装置を提供す
る。
【解決手段】本発明に係る基板処理装置は，基板を処理するための第１のレシピを実行する
制御手段を備え、前記第１のレシピを実行して所定の基板処理を終了させてから、次の基板
処理で使用する基板が投入されない状態で所定時間達したら、前記基板が処理される処理室を
保守するための第２のレシピを実行する。 （もっと読む）

【課題】低温領域で成膜しても、その膜ストレスを向上させることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に所定の特性を有するシリコン窒化膜を形成する成膜方法において、シラン系ガスと窒化ガスとを用いて第１の温度で前記被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成工程Ｓ１と、前記被処理体を前記第１の温度よりも高い第２の温度で窒化ガスの雰囲気下にてアニールして前記シリコン窒化膜を改質する改質工程Ｓ３とを行う。これにより、低温領域で成膜しても、その膜ストレスを向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】構造が単純で製作が容易であり、また例えばＡＬＤなどのプロセスを適用した場合におけるガスの置換性が良好で、スループットの向上に寄与できるガス供給装置等を提供する。
【解決手段】処理容器２内の載置台３上の基板Ｗに処理ガスを供給するガス供給装置４において、天板部材４２は載置台３と対向する位置に、ガスの拡散空間４０を構成するためにこの載置台３に向かって末広がりの形状に形成された凹部４２２を有し、ガス供給ノズル４１は凹部４２２の頂部から当該凹部４２２内に突出すると共に、この凹部４２２の周方向に沿って複数のガス供給孔４１１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバ内雰囲気の濃度を瞬時に変更可能として、液晶デバイスや半導体デバイスの生産に必要なプラズマ反応処理プロセスを高い生産性で低コストに実現できること。
【解決手段】各成分ガスの温度分布式流量調整器に対して与えられる新たな流量設定値は、濃度変更の前後で総流量値が同一となることを条件として、想定される変更後のプロセスガス濃度から逆算することにより求められた値とされ、かつ排出管路の圧力制御器は、変更開始から所定の微少時間に限り、圧力設定モードから弁開度設定モードに切り替えられると共に、変更直後の圧力変動を緩和すべく経験的に求められた弁開度設定値が与えられる。 （もっと読む）

【課題】少数枚の基板を取り扱うのに好適でコストを低減することができる基板処理方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】小バッチ式ＣＶＤ装置１は一度に処理するプロダクトウエハＷｂの枚数が一台のプロダクトウエハ用ポッド２６Ｂに収納される枚数以下に設定されており、一台のプロダクトウエハ用ポッド２６Ｂに収容されたプロダクトウエハＷｂをサイドダミーウエハ用ポッド２６Ａに収納されたサイドダミーウエハＷａと共にボート９に装填してプロセスチューブで一度に処理するように構成されている。一度にバッチ処理する枚数のプロダクトウエハが一台のポッドに収納されるため、ポッドを一時的に保管するための棚や、ポッドを保管棚とポッドステージとの間で搬送するためのポッド搬送装置等を省略でき、バッチ式ＣＶＤ装置のイニシャルコストやランニングコストを低減できる。 （もっと読む）

【課題】最適な整合を迅速に達成できる整合ネットワークのリアクタンス性インピーダンスを制御する方法および装置の提供。
【解決手段】リアクタンス性インピーダンス要素１２およびプラズマを含む負荷の高周波源１４に対する同調とを制御する第１および第２の可変リアクタンス１８，２０を含んでいる整合ネットワークを介して接続される。第１および第２の可変リアクタンス１８，２０の値を変化させて、高周波源１４の出力端子の内外に現れるインピーダンスの間の最良の整合を達成するために第１の可変リアクタンス１８が第２の可変リアクタンス２０の各単位変化に対して変化する量を決定する。次いで、高周波源１４の出力端子の内外に現れるインピーダンスの間の考えられる最良のインピーダンス整合が達成されるまで、上記の決定に基づいて第１および第２のリアクタンス１８，２０の値を変動させる。 （もっと読む）

生物学に基づく自律学習ツールシステムと、生物学に基づく自律学習ツールシステムが学習と分析とに用いる方法とを提供する。生物学に基づく自律学習ツールシステムは、（ａ）１つ以上のツールシステムと、（ｂ）相互作用マネージャと、（ｃ）生物学的な学習原理に基づく自律学習システムとを含む。１つ以上のツールシステムは、特定のタスク又はプロセスのセットを実行して、アセットと、アセットに関するデータとを生成する。アセットと、アセットに関するデータは、様々なプロセス及び関連するツールの性能を特徴付ける。相互作用マネージャは、データを受信して、フォーマットする。このようなシステムは、メモリプラットフォームと処理プラットフォームとを含む。メモリプラットフォームと処理プラットフォームは、再帰的に定義され、ネットワークを通して通信する。次第に複雑化する自律ツールをアセンブルするために、自律ツールシステムは、再帰的に配備され得る。個々の又はアセンブルされた複雑な自律ツールに関連する自律学習システムにおいて生成され蓄積された知識は、意味ネットワークにキャストされ得る。意味ネットワークは、コンテキストに基づいてツールの目標を学習して進めるために用いられ得る。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の冷却効率が高く、スループットを向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理基板Ｗを搬入及び搬出する搬入出機構３４を備え、大気圧状態で被処理基板Ｗを搬入及び搬出する搬入出室３１ａと、被処理基板搬送機構２４を備え、減圧状態で被処理基板Ｗを搬送する搬送室２１ａと、大気圧状態で搬入出室３１ａと被処理基板Ｗの受け渡しを行い、減圧状態で搬送室２１ａと被処理基板Ｗの受け渡しを行う、大気圧状態と減圧状態とを切り換え可能なロードロック室４２ａと、減圧状態で搬送室２１ａと被処理基板Ｗの受け渡しを行い、減圧状態で被処理基板Ｗに対して処理を行う複数の処理室２２、２３と、を備え、搬送室２１ａ内に、被処理基板Ｗを冷却する冷却部６を設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェハの中央部に近接する領域における厚さと比較して前記ウェハのエッジに近接する領域の厚さが増大するか又は減少するようにエピタキシャル層の厚さが処理の間に制御されるウェハ、及び前記ウェハを製造する方法に関する。
【解決手段】シリコンウェハは、中央部、エッジ及び前記エッジに近接する領域を規定し、前記ウェハエピタキシャル層を有し、前記ウェハは、中央部に近接する前記エピタキシャル層の第１の厚さ、及び前記エッジに近接する領域のエピタキシャル層の第２の厚さを有し、その際、前記の第２の厚さは、前記の第１の厚さと比べて少なくとも約２％変化している、シリコンウェハ。 （もっと読む）

【課題】ワーク温度の高昇温速度化、照度制御の高速応答化、良好な局所的照度制御の全てに対応可能な光照射式加熱方法および光照射式加熱装置を提供すること。
【解決手段】一つの発光管の内部に複数のフィラメントを有し光強度を個別に制御可能なランプＬ１を複数本並列配置した第１のランプユニットＬＵ１と、フィラメントランプＬ２を複数本並列配置した第２のランプユニットＬＵ２を所定の間隔を空けて積層する。そして、第１のランプユニットＬＵ１にワークの温度分布の調節を主に担当させ、第２のランプユニットＬＵ２にワークの昇温を主に担当させる。また、第１のランプユニットＬＵ１のランプＬ１のフィラメントを、まとめて複数の群に構成し、ワーク６の温度を検出し、検出されたワーク６の温度に基づいて、第１のランプユニットＬＵ１を構成する複数の群に構成された各群のフィラメントへの投入電力を制御する。 （もっと読む）

【課題】強制冷却を実施しても、ヒータへ過剰の電力量を供給することなく、温度の安定化を図ることができる半導体製造装置の温度制御方法を提供する。
【解決手段】レシピに従って処理シーケンスの実行が開始されると（Ｓ１１）、装置操作部から温度コントローラにレシピの設定温度等の情報に加えて強制冷却実施の有無の情報が送信され（Ｓ１２）、温度コントローラは冷却機構による強制冷却が実施されるか否かを判定する（Ｓ１３）。強制冷却が実施されない場合には、主ヒータと補助ヒータに対してレシピの設定に従った温度制御を行い（Ｓ１４）、強制冷却が実施される場合には、主ヒータと補助ヒータとにそれぞれ分けて処理を行い（Ｓ１５）、主ヒータに対しては、内部熱電対の検出温度のみに基づいたフィードバック制御に切り換えられ（Ｓ１６）、補助ヒータに対しては、予め設定された固定パワーを出力するような制御に切り換えられる（Ｓ１７）。 （もっと読む）

【課題】処理容器の側壁への不要な付着膜の堆積を抑制してクリーニング処理の頻度を減少させると共に、クリーニング処理時間を短くし、これにより装置の使用効率を上げてスループットを大幅に向上させることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に高分子薄膜を形成する成膜装置において、被処理体を収容する処理容器４と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段６と、処理容器内を真空引きする真空排気系３０と、処理容器内へ高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段２０と、処理容器を加熱する容器加熱手段１４と、保持手段を冷却する内部冷却手段４０と、処理容器の側壁と保持手段との間の温度差が所定の温度差以上になるように制御する温度制御部６２とを備える。これにより、処理容器の側壁への不要な付着膜の堆積を抑制する。 （もっと読む）

【課題】作業効率の向上およびコストダウンに寄与する技術を提供する。
【解決手段】 基板を処理する処理室内を加熱する加熱手段と、処理室内の温度を検出する第一の温度検出手段と、処理室内の温度を検出し、第一の温度検出手段よりも加熱手段に近い位置に配置される第二の温度検出手段とを用い、第一の温度検出手段の検出する温度が昇温開始時の温度から目標温度となるように、積分演算、微分演算、比例演算それぞれによる出力分を含む第一の出力制御パターンを用いて加熱手段を制御した際に、検出された第二の温度検出手段の検出温度から算出される、昇温開始時から最大温度時までの間の熱量の中から比例演算による出力分を差し引いた熱量を用いて加熱手段の操作量の少なくとも一部をパターン化した第二の出力制御パターンを求める工程と、第二の出力制御パターンを用いて、加熱手段を制御しつつ基板を処理する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 従来のＣＶＤ法と同等の厚い膜厚で、膜質が良質な絶縁膜を低温で形成できる絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 シリコン層上に、ＣＶＤ法により絶縁膜としての酸化珪素膜を成膜するＣＶＤ工程（ステップＳ２）と、希ガスと酸素を含む処理ガスを用い６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内の圧力条件で発生させたプラズマにより、酸化珪素膜を改質処理するプラズマ改質処理工程（ステップＳ４）とを、酸化珪素膜が所望の膜厚に達するまで繰り返し実施する。 （もっと読む）