【課題】 各ウエハの処理／未処理だけでなく、処理が正常に終了したかどうかを表示して、正常ウエハと不良ウエハの区別を明確にし、正常ウエハと不良ウエハの混同を防ぐことができ、また、ウエハカセットの有無を表示してオペレータがウエハカセットを確実に搭載することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 ウエハの処理を行うプロセスチャンバと、ウエハをカセット室から取り込みプロセスチャンバへ搬送するための搬送室とを備える半導体製造装置の表示部１７に、カセット室内のウエハの搭載状況を表示するものであり、表示部１７には、カセットの有無を表示するカセット表示エリア８が設けられ、カセット表示エリア８内の所定の位置にウエハ表示エリア９が設けられ、ウエハ表示エリア９は、所定の位置にウエハが存在するかどうかを表示する半導体製造装置である。 （もっと読む）

【課題】同時に複数の基板をローディング／アンローディングすることができる原子層蒸着装置を提供する。
【解決手段】複数の基板をプロセスモジュールに移動するときに、複数の基板をローディング／アンローディング可能な原子層蒸着装置は、基板をローディングおよびアンローディングするローディング／アンローディングモジュール１０と、複数の基板を同時に収容して蒸着工程が実行される複数のプロセスチャンバ３１を備え、プロセスチャンバの内部の排気ガスを吸入して、プロセスチャンバの上部に排出させるように排気部が備えられたガス噴射ユニットが備えられるプロセスモジュール３０と、ローディング／アンローディングユニットとプロセスモジュールとの間に備えられ、基板を移送するが複数の基板を同時にパージして移送するトランスファーロボットを備えるトランスファーモジュール２０とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に保持されている基板の移載状態とその詳細情報とを同じ画面上に同時に表示させる。
【解決手段】複数の基板を載置した基板保持具を炉内に搬入して所定の処理を行う基板処理装置であって、各基板の移載状況と、各基板の割れ検知結果情報と、割れ検知結果情報で異常とされた基板の復旧状況と、を操作画面上に表示させる。 （もっと読む）

【課題】基板の撮像に基づく基板位置検出において検出誤差を低減することが可能な基板位置検出装置および基板位置検出方法、並びに基板位置検出装置を含む成膜装置を提供する。
【解決手段】位置検出対象である基板Ｗを撮像する撮像部１０４と、撮像部１０４と基板Ｗとの間に配置され、基板Ｗに対する撮像部１０４の視野を確保する第１の開口部１０６ａを有する光散乱性のパネル部材１０６と、パネル部材１０６に光を照射する第１の照明部１０８と、撮像部１０４により撮像された基板Ｗの画像から基板Ｗの位置を求める処理部１０４ａとを備える基板位置検出装置１００が提供される。 （もっと読む）

【課題】異常や誤動作、故障からの復旧をより短時間で行え、稼働率の低下を抑制できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内の処理室の内側に配置された半導体ウエハ等の試料をこの処理室内で処理する真空処理装置において、複数の制御対象の機器と、それらの機器の少なくとも１つと接続された入出力基板とを有した制御ユニットであって、他の制御ユニットと接続されてこれと制御のための信号を送受信するコネクタ部を複数備えて、デイジーチェーン接続が可能な複数の制御ユニットを備え、根元側の制御ユニット又はコントローラが末端側の制御ユニットの動作記録を記憶する手段を備える。 （もっと読む）

【課題】ステップの進行が停滞してしまった場合に、ステップの進行に停滞が発生したことをオペレータに迅速に認識させる。
【解決手段】基板を処理する処理系と、複数のステップを処理系に順次実行させるように処理系を制御する制御部と、処理系によるステップの進行状態を操作画面に表示する操作部とを備え、制御部は、所定のステップの実行を開始してからの経過時間が、ステップの実行に予め割り当てられた許容時間を超過したら、許容時間を超過した旨を示すアラームメッセージを操作部に送信する。 （もっと読む）

【課題】デジタル式ガスパターンパネル上でガス圧や真空圧、溶液残量、配管温度、ガス流量の現状値の確認、ガス流量の設定の変更が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、基板を加熱する加熱手段４４と、前記処理室内に所定の処理ガスを供給するガス供給系と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、デジタル式ガスパターンパネル４７を有する操作部２９と、前記デジタル式ガスパターンパネルからの指示を受付けて所定の機能を実行する制御部２８，３１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】不活性ガスによる移載室のパージが自動的になされるようにする。
【解決手段】基板の処理を行う処理室２０２に連接される移載室１０２をガスでパージするレシピを操作画面で作成するよう構成されている基板処理装置であって、操作画面には、移載室１０２内のガスの流れを一方向に排気させる機能と、移載室１０２内に不活性雰囲気でガスを循環させる機能と、を切替える切替手段が備えられ、切替手段は、移載室１０２内のガスの流れを一方向に排気させる機能を具備したレシピと、移載室１０２を不活性ガス雰囲気でガスを循環させる機能を具備したレシピと、を操作画面上で選択する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内の膜厚均一性を高める装置と方法を提供する。
【解決手段】処理ガスをウエハ１に供給してウエハ１の上に膜をＣＶＤ法によって形成する成膜装置は、複数のウエハ１を互いに上下方向に離間して保持するボート２と、ウエハ１およびボート２を収容する処理室１２と、ウエハ１を加熱するホットウオール形構造のヒータ１４と、処理室１２内に処理ガスを供給するガス供給管２１と、処理室１２内の雰囲気を排気する排気管１６と、ウエハ１の処理中にウエハを回転させるためにボート２を回転させる回転軸１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】膜堆積、生産ウエハ枚数の変化等による炉内温度安定性悪化を抑える。
【解決手段】基板を処理する処理室内を加熱する加熱手段１と、加熱手段を制御する加熱制御部７１と、処理室内の温度を検出する第一および第二の温度検出手段とを備え、第一の温度検出手段３は第二の温度検出手段２よりも基板に近い位置に配置され、第二の温度検出手段２は第一の温度検出手段３よりも加熱手段に近い位置に配置される熱処理装置であって、加熱制御部は、第二の温度検出手段２による検出温度の最大温度時点から第一の温度検出手段３による検出温度の最大温度時点との時間差を求め、この時間差が予め定めた時間差以上であった場合には、この時間差が予め定めた時間差以下となるように、加熱手段を制御することを特徴とした熱処理装置。 （もっと読む）

プラズマ強化型プロセスチャンバ内の部品の温度を調節するための方法及び装置が、本明細書内に提供される。いくつかの実施形態では、基板を処理するための装置は、プロセスチャンバと、プロセスチャンバ内でプラズマを形成するためにＲＦエネルギーを供給するＲＦ源を含む。プラズマが形成されたときに、プラズマによって加熱されるような部品が、プロセスチャンバ内に配置される。ヒーターは、部品を加熱するために構成され、熱交換器は、熱を部品から取り除くために構成される。チラーは、オン／オフ流量制御バルブを中に配置し、及び流量制御バルブを迂回させるバイパスループを有する第１フローコンジットを介して熱交換器に結合され、バイパスループは、流量比バルブを中に配置する。
（もっと読む）

【課題】熱処理装置の温度制御応答性を向上させ、温度安定時間を早くする。
【解決手段】基板を処理する処理室内を加熱する加熱手段と、加熱手段を制御する加熱制御部と、処理室内の温度を検出する第一および第二の温度検出手段とを備え、第一の温度検出手段は第二の温度検出手段よりも基板に近い位置に配置され、第二の温度検出手段は第一の温度検出手段よりも加熱手段に近い位置に配置される熱処理装置であって、熱処理装置に具備される加熱手段に入力する操作量を比例・積分・微分（ＰＩＤ）演算による帰還制御の一部を予め適当な値に設定し、当該加熱手段から出力される制御量を制御し、制御応答性の高い温度制御方式を得る。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制でき、コンパクトで寿命の長い基板位置合わせ装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗが基準点に一致するように基板の位置合わせを行う基板位置合わせ装置１００は、それぞれの軸方向に平行な回転軸を中心に回転する複数の支柱１０３と、複数の支柱を同一方向に同一角度だけ同期して回転させる駆動機構と、基板の前記基準点からのずれ量を検出する検出器と、複数の支柱の上面部にそれぞれの回転軸からずらして配置されていて、基板を支持する支持ピン１０１とを具備し、検出器で検出された位置ずれ量に基づき駆動機構により複数の支柱を同一方向に同一角度だけ同期して回転させることにより、基板の位置合わせを行うことを特徴とする基板位置合わせ装置。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンの交換を軽減でき、マイクロ波発生装置をより長く使用できるようにする。
【解決手段】マグネトロン８０のフィラメント８１にフィラメント電圧を供給し、フィラメント８１と陽極８４との間に陽極電圧を供給して、マイクロ波を発振させるマグネトロン８０を使ったマイクロ波発生装置４５の制御方法であって、ベース値のフィラメント電圧を供給し、マイクロ波の発振中に陽極電圧と陽極電流を測定する工程と、陽極電圧と陽極電流の関係を基準特性と比較する工程と、陽極電圧と陽極電流の関係が基準特性から外れた場合に、フィラメント電圧を前記ベース値よりも上昇させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法によって、電荷蓄積層として利用可能な、トラップが多数存在する窒化珪素膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ３１により処理容器１にマイクロ波を導入するプラズマＣＶＤ装置１００において、処理容器１内の圧力を１０Ｐａ以上１３３．３Ｐａ以下の範囲内に設定し、高周波電源９から、ウエハＷを載置する載置台２の電極７にウエハＷの面積当り０．００９Ｗ／ｃｍ^２以上０．６４Ｗ／ｃｍ^２以下の範囲内の出力密度で高周波電力を供給して、ウエハＷにＲＦバイアスを印加しながら、シリコン含有化合物ガスと窒素ガスを含む成膜ガスを用いてプラズマＣＶＤを行う。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置と、該基板処理装置と通信手段で接続される群管理装置と、基板処理装置に於ける操作権限の範囲、制限を容易に追加、変更できる様にする。
【解決手段】基板処理装置と、該基板処理装置と通信手段で接続される群管理装置とを含む基板処理システムであって、該基板処理装置が持つ機能を使用する為の画面部品を表示し、該画面部品の操作で機能の実行を可能とした表示部を有し、前記群管理装置は、制御演算部１１、記憶部１２を有し、該記憶部には前記画面部品と作業権限とを関連付ける書換え可能な第１のデータ２１と、作業者と作業権限とを関連付ける書換え可能な第２のデータ２２と、前記第１のデータと、前記第２のデータに基づきログインした作業者の作業権限に対応した画面部品管理リストを作成し、該画面部品管理リストに基づき作業者の使用可能な機能の設定を行う様構成した。 （もっと読む）

【課題】１つ以上の基板処理装置を群管理する。
【解決手段】管理サーバ１８は、接続許可要求をした操作端末１６以外の操作端末１６が、接続許可要求があった基板処理装置１４にリモートアクセスをしているか否かを接続情報テーブル５０に基づいて判定する。また、管理サーバ１８は、接続許可要求をした操作端末１６がリモートアクセスをすることを許可し、許可した操作端末１６を特定する情報である接続情報５２を接続情報テーブル５０に追加する。操作端末１６は、リモートアクセスが成功している操作端末１６を特定する情報（接続操作端末名称５６）及びユーザを特定する情報（接続ユーザ名称５７）をＵＩ装置２２により表示する。 （もっと読む）

【課題】反応炉に投入する基板を変更した場合でも、シリコンの膜の成長レートを一定に保てるようにする。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する処理室と、処理室内に収納され、複数枚の基板を保持するよう構成された基板保持部と、基板保持部に基板を移載する移載機と、移載機を制御する制御部と、を備える。制御部が、絶縁物及びシリコンが表面において露出した第１の基板の生産枚数を入力するとともに、第１の基板の表面の全面積に対するシリコンの露出面積の割合を入力し、入力した生産枚数及びシリコンの露出面積の割合から、シリコンが表面全体に露出した第２の基板の枚数を計算し、入力した生産枚数の第１の基板を基板保持部に移載する動作を移載機に行わせ、計算により算出した枚数の第２の基板を基板保持部に移載する動作を移載機に行わせる。 （もっと読む）

【課題】複数の反応ガスの混合を防止し、基板の搬入出を確実に行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内で第１及び第２の反応ガスを供給して薄膜を成膜する成膜装置において、回転テーブル２と、回転テーブル２の周縁から回転中心に向け設けられる第１の反応ガス供給部３１及び第２の反応ガス供給部３２と、その間に設けられる第１の分離ガス供給部４１、４２と、第１の反応ガス供給部３１を含み第１の高さＨ１を有する第１の空間Ｐ１と、第２の反応ガス供給部３２を含み第２の高さＨ２を有する第２の空間Ｐ２と、第１の分離ガス供給部４１を含みＨ１及びＨ２より低く設けられる第３の空間Ｄと、回転テーブル２の回転中心の下方に設けられ、回転テーブル２を回転駆動するモータ２７とを備え、回転テーブルの回転軸と前記モータの駆動軸とは、空転しないように結合されることを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】高品質な成膜が可能な反応性ガスを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜装置において、回転テーブルを回転させるための駆動部を備え、基板が第１の処理領域に存在しているときには、第２の処理領域に基板は存在しておらず、基板が第２の処理領域に存在しているときには、第１の処理領域に基板が存在していない場合であって、駆動部は、基板が前記第１の処理領域を通過する際の回転テーブルの角速度と、第２の処理領域を通過する際の回転テーブルの角速度とが異なる角速度となるよう回転させるものであることを特徴とする成膜装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）