【課題】炉口部を構成する部材の熱劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】処理ガスの供給により複数の基板を処理する処理部と、前記処理部で前記複数の基板を水平に保持するボートと、前記ボートを下方から支持する熱交換体を有し、該熱交換体の外周にガス流通経路が形成されている熱交換部と、前記処理部から前記熱交換部の前記ガス流通経路を介して高温の前記処理ガスが排気される炉口部と、前記ガス流通経路を通って前記処理部に延在されるノズルであって、前記処理部に延在されるノズル上部に前記処理ガスを供給する供給部を有するノズルと、前記ガス流通経路を通るノズル下部と前記熱交換体との間に設けられ、前記ガス流通経路を狭めるためのガス流通経路制限部とを有し、前記ガス流通経路制限部と前記熱交換体との間隙は、前記ノズル上部から前記複数の基板までの距離より小さく設定されている。 （もっと読む）

【課題】２以上の半導体製造装置に正確に区分された量のプロセスガスを搬送するシステムを提供する。
【解決手段】単一のフローを所望の比率の２以上の二次フローに分割するため、前記単一のフローを受け取る入口１３と、前記入口に接続された少なくとも２つの二次フロー・ライン１４ａ，１４ｂと、所望のフロー比率を受け取る入力手段２２と、前記フロー・ラインのそれぞれによって生じた製品の測定値を提供するインサイチュ・プロセス・モニタ１００と、前記入力手段と前記インサイチュ・プロセス・モニタ１００とに接続されたコントローラ２４とを含む。このコントローラ２４は、前記入力手段を介して所望のフロー比率を受け取り、前記インサイチュ・プロセス・モニタ１００から前記製品の測定値を受け取り、前記所望のフロー比率と前記製品の測定値とに基づいて訂正されたフロー比率を計算するようにプログラムされている。 （もっと読む）

【課題】基板（特にＳｉＣエピタキシャル膜が形成された基板）の生産効率を向上させると共にガス供給口への膜の形成を抑制する。
【解決手段】複数の基板１４が縦方向に並んで配置される反応室と、反応室を覆うように設けられ、処理室を加熱する加熱部と、反応室内に複数の基板１４に沿うように設けられ、複数の基板１４が配置される方向に向けて第１ガスを噴出する第１ガス供給口６８を有する第１ガス供給管６０と、反応室内に複数の基板１４に沿うように設けられ、複数の基板１４が配置される方向に向けて第２ガスを噴出する第２ガス供給口７２を有する第２ガス供給管７０と、少なくとも第２ガスが第１ガス供給口へ向かう流れを抑制する第１遮蔽部と、を具備する熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板の面内における原料ガスの供給量を均一にし、成膜される膜の膜質を一定にすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器６０内で基板を水平面内で回転可能に保持する基板保持部４４と、供給孔７５が形成された供給管７３ａを含み、供給孔７５を介して成膜容器６０内に原料ガスを供給する供給機構７０と、排気孔８３が形成された排気管８２を含み、排気孔８３を介して成膜容器６０内からガスを排気する排気機構８０と、基板保持部４４と供給機構７０と排気機構８０とを制御する制御部９０とを有する。供給孔７５と排気孔８３とは、基板保持部４４に保持されている基板を挟んで互いに対向するように形成されている。制御部９０は、基板保持部４４に保持されている基板を回転させた状態で、供給機構７０により原料ガスを供給するとともに排気機構８０によりガスを排気することによって、基板に膜を成膜するように制御する。 （もっと読む）

【課題】
プラズマＣＶＤ及びプラズマエッチングの分野において、プラズマ励起周波数のＶＨＦ化、プラズマ励起電力の増大化及び使用電源の複数化等に伴う問題として、インピーダンス整合の調整不適合及び電力電送線路の破損等が注目されている。これは製品の歩留まり及び生産設備の稼働率を左右する問題であり、早期の解決が求められている。
【解決手段】
インピーダンスの整合器と放電電極の給電点の間に３端子サーキュレータを配置し、この３端子サーキュレータを介して前記給電点に電力を供給するとともに、前記放電電極からの反射波を前記３端子サーキュレータに接続された無反射終端器で消費させるようにしたことを特徴とするプラズマ表面処理方法及びその装置。 （もっと読む）

【課題】メインコントローラの起動後に必要に応じて破損ファイルの発生を操作画面に表示し、警告を促すことで安全性を向上した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１のメインコントローラ２４０は、立ち上げ時にレシピ実行時に使用されるパラメータファイルの破損を発見した場合、起動後に破損ファイル一覧ダイアログを操作端末２４１に表示するとともにレシピを実行させないように構成される。もし、レシピ開始ボタンが押されたとしても、アラームメッセージが表示されるだけであり、レシピ開始ボタンは無効となる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生装置を用いた成膜装置で基板に成膜を行う場合に、プラズマ発生開始時またはプラズマ発生停止時に発生するパーティクルの基板への付着を低減する手段を提供する。
【解決手段】真空容器１内において基板９に薄膜を成膜するプラズマを用いた成膜装置であって、真空容器内にプラズマを用いて基板に成膜を行う成膜領域と成膜を行わない待機領域とを持ち、真空容器内に、基板を戴置した基板トレイ１０が成膜領域と待機領域との間で移動可能とする基板トレイ移動手段１１と、プラズマの発生開始後に、基板トレイの待機領域から成膜領域への移動を可能とし、基板トレイの成膜領域から待機領域への移動後にプラズマの生成停止を可能とするインターロック手段とを更に備える。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッドの反りを防止することが可能な結晶成長装置および結晶成長方法を提供する。
【解決手段】結晶成長装置１において、シャワーヘッド２０は、前面部２１と、冷却層２３と、ガス供給層２５とを含む。前面部２１は、基板ＳＵＢに対向して設けられ、原料ガスを基板ＳＵＢに吐出する複数の吐出孔を有する。冷却層２３は、前面部２１の上に積層して設けられ、冷媒が流れる冷媒通路を有する。ガス供給層２５は、冷却層２３の上に積層して設けられ、導入された原料ガスを充満させるバッファ空間が形成される。バッファ空間は複数の吐出孔の各々と冷却層２３を貫通するガス供給管を介して連通する。予熱器５３は、結晶成長時にガス供給層２５に供給する原料ガスを予熱する。 （もっと読む）

【課題】応答要求に対する応答を制限時間内に返せないことによる、通信障害を防止する基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を処理する少なくとも１つの基板処理装置１と、該基板処理装置を通信手段３１を介して管理する管理装置２９とで構成され、前記基板処理装置１と前記管理装置２９との間で通信状態を確認しながらオンラインで接続される基板処理システムであって、前記基板処理装置１から前記管理装置２９へ所定のメッセージを送信すると共に、該管理装置２９との通信状態を確認するメッセージを付随して送信する。 （もっと読む）

【課題】装置の稼動状態を確実に知らせることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】稼働状態を示す複数のシグナル表示機器としてのシグナルタワー及びブザーと、予め個別に設定された前記シグナルタワー及びブザーに対応する動作条件を表示する表記器とを備えた基板処理装置であって、前記シグナルタワー及びブザーは、複数の動作条件のいずれかにより動作し、前記表示器において、前記シグナルタワーの動作条件として前記ブザーが鳴動することが設定可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】分離領域による処理領域同士の雰囲気の分離機能を確保しながら、当該分離領域に供給される分離ガスの消費量を抑えること。
【解決手段】真空容器１内において分離領域Ｄを介して処理領域Ｐ１、Ｐ２をウエハＷが順番に通過するように回転テーブル２を回転させるにあたり、回転テーブル２の中央側よりも周縁側の分離ガスの供給量が多くなるように、当該中央側では周縁側よりも分離ガスノズル４１、４２のガス吐出孔３３の配列間隔ｕを広く設定すると共に、分離領域Ｄから処理領域Ｐ１、Ｐ２側に吐出される分離ガスの流速について、各領域Ａ１、Ａ２における回転テーブル２の最大周速度よりも夫々僅かに速くなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の温度を精度良く目標温度まで収束させ、かつ収束時間を短縮することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１は炉本体５と、炉本体５内周面に設けられたヒータ１８Ａと、炉本体５内に配置された処理容器３と、炉本体５に接続された冷却媒体供給ブロア５３および冷却媒体排気ブロア６３と、処理容器３内に設けられた温度センサ５０とを備えている。温度センサ５０からの信号が制御装置５１のヒータ出力演算部およびブロア出力演算部に送られる。ヒータ出力演算部において、ヒータ出力用数値モデルおよび温度センサ５０からの信号に基づいて、ヒータ出力が求められる。ブロア出力演算部において、ブロア出力用数値モデルおよび温度センサ５０からの信号に基づいて、ブロア出力が求められる。 （もっと読む）

【課題】固体デバイスの製造効率を高めることができるようにする。
【解決手段】 処理すべき基板を取り出すカセット室を指定する取出カセット室指定手段と、処理すべき基板の取出スロット番号や処理の終了した基板の回収スロット番号を指定するスロット番号指定手段と、基版毎に複数のプロセス室に搬送順序を指定する搬送順序指定手段と、指定搬送順序に従って基板を複数のプロセス室に搬送する基板搬送手段と、基板毎の複数のプロセス室で実行するプロセスを指定するプロセス指定手段と、指定されたプロセスを複数のプロセス室で実行するプロセス実行手段と、処理の終了した基板を回収するカセット室を指定する回収カセット室指定手段と、表示部と、取出カセット室指定手段とスロット番号指定手段と搬送順序指定手段とプロセス指定手段と回収カセット室指定手段とを有する運転レシピ作成画面を表示部の画面上に表示する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】装置パラメータの設定に係る信頼性の低下を解決し、安全に調整でき、又保守作業から通常運用に容易に且つ確実に移行できる装置パラメータを設定可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】装置パラメータの編集を行う為の表示部７３と、前記装置パラメータを保存する記憶部７５とを有する操作部２８と、該操作部からダウンロードされる前記装置パラメータを実行する制御部３１，３２，３３とを具備し、前記装置パラメータは調整作業や故障の修理や定期的な保守作業時のセットアップモード時に使用されるセットアップパラメータと、通常運用時の運用モード時に使用される運用パラメータとを有し、前記セットアップパラメータが編集された場合でも前記運用パラメータが影響を受けない様構成された。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内の発熱チャンバクリーニング処理を制御する方法及びシステムである。
【解決手段】この方法は、システム部品から材料堆積物を除去するためにチャンバクリーニング処理においてクリーニングガスにシステム部品を晒すこと、チャンバクリーニング処理において少なくとも１つの温度関連システム部品パラメータをモニタリングすること、モニタリングによりシステム部品のクリーニング状態を決定すること、を含み、そして、決定された状態に基づいて、（ａ）晒すこと及びモニタリングの継続、（ｂ）処理の停止、のうち一つを行う。 （もっと読む）

【課題】成膜反応を極めて短時間で停止させ、オーバーシュートを抑制する。
【解決手段】基板１０が収容される第１のチャンバー３と、成膜原料が混合された超臨界状態の媒体を第１のチャンバー３へ供給する供給ラインと、第１のチャンバー３内において基板１０を保持するステージ９と、第１のチャンバー３内の圧力を、前記媒体の臨界圧力よりも低い圧力に減圧させるための第２のチャンバー４と、第１のチャンバー３と第２のチャンバー４とを接続する配管７ａと、配管７ａに設けられたバルブ７ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】反応管内の異物汚染を抑制し、装置稼働率の低下を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を積層して収容する石英製の反応管２０３と、前記反応管内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記反応管内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、前記反応管内の雰囲気を排気する排気系と、前記処理ガス供給系と前記クリーニングガス供給系と前記排気系とを制御する制御系と、を有し、前記反応管内に前記基板の積層方向に沿って延びる石英製の板状部材２６６ａを設け、前記クリーニングガス供給後の前記反応管内に付着した膜の除去状態を確認する。 （もっと読む）

【課題】製造装置の構造や稼働状態などに起因する加工ばらつきによる半導体装置の特性のばらつきを抑え、製造歩留りを向上させることが可能な半導体装置の製造方法と製造装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、複数のウェハ処理する第１の処理装置において、第１の処理オーダーで、複数のウェハに第１の処理を行い、第１の処理における複数のウェハ毎の処理量を求め、第１の処理の後に、複数のウェハ処理する第２の処理装置における第２の処理による複数のウェハ毎の処理量を求め、第１の処理による複数のウェハ毎の処理量と第２の処理による複数のウェハ毎の処理量から第１の処理オーダーとは異なる第２の処理オーダーを決定し、第２の処理装置において、第２の処理オーダーで、複数のウェハに第２の処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 基板が処理室内に搬入される前にヒータの断線を検知し、ヒータの断線を検知したら基板処理工程を開始することを防止する。
【解決手段】 基板処理装置の各部の搬送動作を制御する搬送制御部と、基板処理装置の各部の処理動作を制御する処理制御部と、搬送制御部及び処理制御部を制御する主制御部と、を備え、主制御部は、所定のエラー処理を実施するエラー処理部を備え、処理制御部は、待機状態からレシピを実行可能な状態へ遷移させる指示を搬送制御部から受けると、断線検知処理を実施し、断線検知処理の結果、断線エラーを受信しなかったら、レシピを実行可能な状態へ移行し、レシピの実行指示を待ち、断線エラーを受信したら、レシピを実行可能な状態へ移行することなく、主制御部へ断線エラーを通知してエラー処理を実施させる。 （もっと読む）

【課題】流体圧源の消費電力を低減させつつ、適切に駆動部にかかる負荷を低減させることができる処理装置等の技術を提供すること。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１００は、処理室１０と、処理室１０内で被処理基板１を保持する保持機構４０と、保持機構４０を昇降させる昇降機構５０とを備える。昇降機構５０は、保持機構４０を支持し、保持機構４０を昇降させる昇降台５１と、昇降台５１を昇降させる駆動部６０と、シリンダ７０と、シリンダ７０に圧力油を供給するアキュムレータ８２を含む油圧回路８０とを有する。シリンダ７０は、アキュムレータ８２から圧力油が供給されることで、昇降台５１等の重力や、処理室１０の内外の圧力差等に起因して、昇降台５１からボールネジ軸６２に作用する力に対抗する反力を発生する。これにより、油圧ポンプ８１の消費電力を低減させつつ、適切に駆動部６０にかかる負荷を低減させることができる。 （もっと読む）