【課題】紫外線の膜へのダメージ量の正確な予測が行えるようにするシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】可視領域の発光スペクトルに関連付けした、紫外領域の各波長の発光強度の予測式を、多変量解析によって算出し、算出した予測式と、実際に検出された可視領域の発光スペクトルと、を用いて、紫外領域の発光スペクトルを予測し、予測した紫外領域の発光スペクトルから、半導体装置の製造における、紫外線によるダメージ量を予測するシミュレーション方法を実行する。 （もっと読む）

【課題】良質な薄膜を製造することができる。
【解決手段】液滴吐出ヘッド３００によって基板１１に吐出された機能性インク膜３０２にレーザ光を照射して加熱すると溶媒が蒸発して溶液が乾燥する。リアルタイムレーザ制御装置６００によって機能性インク膜３０２の乾燥状態を検出する。そして、機能性インク膜３０２の乾燥状態に対する最適なレーザ光照射条件の関係の特性データと照合しながら検出した機能性インク膜３０２の乾燥状態に対応する最適なレーザ光照射条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】成膜処理において、従来に比べて大面積の成膜用基板を、効率よく成膜する。
【解決手段】プラズマを用いた成膜装置は、成膜用基板が配置される成膜空間を備える成膜チャンバと、前記成膜空間に導入された成膜用ガスを用いてプラズマを生成するプラズマ生成ユニットと、を有する。前記プラズマ生成ユニットは、プレートであって、前記プレートの厚さ方向に貫通する複数の貫通孔と、前記貫通孔それぞれの両側の開口の周りに設けられた電極対と、を備えたプラズマ生成プレートと、前記貫通孔それぞれの中でプラズマを生成するために、前記電極対にプラズマ生成電圧を供給する電源と、前記プラズマ生成電圧の供給を前記電極対毎に制御する制御ユニットと、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成する膜の厚さの均一性を制御することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的としている。
【解決手段】基板を処理するアウタチューブと、前記アウタチューブ内に収容された基板を基板の外周側から光加熱する加熱装置と、前記加熱装置が光加熱する基板の外周近傍に流体を流すことにより、基板の外周側を冷却する冷却装置と、前記アウタチューブ内の温度を検出する温度検出部と、前記温度検出部が検出する温度に基づいて、前記加熱装置により前記基板を光加熱すると共に前記冷却装置により前記基板の外周側を冷却することで前記基板の中心側の温度を所定温度に維持しつつ該基板の中心側と前記基板の外周側とに温度差を設けるように前記加熱装置および前記冷却装置を制御する制御部と、を有する （もっと読む）

【課題】ウエハのロード時において、ウエハ温度を確実に推定してウエハに対して迅速な熱処理を施す。
【解決手段】熱処理制御システム１は、ボート１２に保持されたウエハＷを処理する処理容器３と、処理容器を密封する蓋体１０と、処理容器３を加熱するヒータ１８Ａと、ヒータ１８Ａを制御する制御装置５１とを備えている。蓋体１０上にプロファイル温度センサ保持具８３Ａが設けられ、このプロファイル温度センサ保持具８３Ａにプロファイル温度センサ８３が設けられている。プロファイル温度センサ８３は温度推定部５１Ａに接続され、温度推定部５１Ａは、プロファイル温度センサ８３の検出信号に基づき、このプロファイル温度センサ８３の検出信号に一次遅れフィルタをかけてウエハＷの温度を推定する。制御装置５１は温度推定部５１Ａで求めたウエハＷの温度に基づいてヒータ１８Ａを制御する。 （もっと読む）

【課題】製造装置における運転工程、製造装置に供給されるガスの種類およびガス流量をコントローラに入力することにより、真空ポンプ、排ガス処理装置等を最適な運転条件で運転することができ、また排気系システム側の機器のメンテナンス要求等を製造装置側に出力することにより、適正なタイミングで排気系システムの機器をメンテナンスできる排気系システムを提供する。
【解決手段】半導体デバイス又は液晶又はＬＥＤ又は太陽電池を製造する製造装置のチャンバを排気する排気系システムにおいて、真空ポンプ装置３と、排ガスを処理する排ガス処理装置５と、真空ポンプ装置３及び／又は排ガス処理装置５を制御するコントローラ６とを備え、製造装置１の運転工程、製造装置１に供給されたガスの種類およびガス流量の情報をコントローラ６に入力して真空ポンプ装置３及び／又は排ガス処理装置５を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】プロセス結果に悪影響を及ぼす処理ガス供給周期パターンを予め変更しておき、基板に対する適切な処理を行う。
【解決手段】設定値入力部４１からの情報に基づいて、基板回転機構の回転周期、処理ガスの供給周期、処理ガスの供給時間及び処理ガスの供給回数を含む処理ガス供給周期パターン演算結果が、パターン演算部４２において求められる。設定値入力部４１からの情報に基づいて、基板上に供給される処理ガスの供給領域の形状がシミュレータ４９によりシミュレーションされ、その結果がディスプレイ５０に表示される。比較部４３において、パターン演算部４２からの処理ガス供給周期パターンの演算結果と、記憶部４５からのプロセス結果に悪影響を与える処理ガス供給周期パターンの参照結果とが比較される。比較部４３において、処理ガス供給周期パターンの演算結果と、プロセス結果に悪影響を与える参照結果が一致した場合、アラーム部４４からアラームが発せられる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理において被処理物品へのイオン照射量を示すイオン電流密度を、イオン電流計測器に頼ることなく、プローブ計測器を利用して、プラズマ密度や電子温度と併せて計測できるイオン電流密度計測方法及び装置を提供する。
【解決手段】静電プローブ法により真空チャンバ内プラズマ密度ｎ及び電子温度Ｔｅを求め、それにより得られた該プラズマ密度ｎ及びプラズマ電位Ｔｅに基づいて、被処理物品へのイオン照射量を示すイオン電流密度Ｊを、Ｊ＝ｎｑ〔√（ｋ・Ｔｅ／Ｍ）〕・ｅｘｐ（−１／２）（該式においてｑはイオン電荷量、ｋはボルツマン定数、Ｍはイオン質量）を用いて算出し、算出されるイオン電流密度が、被処理物品へ目的とする処理を施すためのイオン照射量を示すイオン電流密度へ向かうようにプラズマ密度を調整すべくプラズマ生成装置を制御するプラズマ処理方法及び装置。該方法を実施するためのプログラム及びそれを記録した記録媒体。 （もっと読む）

【課題】複数の処理工程（プロセス）を連続して行う基板処理装置において、チャンバー内の処理ガス流量や処理ガス圧力の大幅な変動に対して短時間で連続的に応答可能な圧力制御を行う圧力制御機器、圧力制御方法および該圧力制御機器を備える基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理ガスが供給される減圧状態の処理室で複数の処理工程を行う基板処理装置であって、処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、処理室の内部を排気する排気機構と、排気機構の排気量を調節する排気バルブと、複数の処理工程それぞれに最適な処理ガス圧力を算出するための演算テーブルを複数有し、演算テーブルに基づいて排気バルブの開度を制御する演算制御機構と、を備える基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】ポンプ効果を用いる縦型回転式表面処理において、表面処理用原料流体の最適条件を算出することである。
【解決手段】縦型回転式表面処理装置１０についての表面処理シミュレーション装置２０は、記憶部３８にポンプ効果モデルを用いて原料流体１８の速度分布を算出するモデル算出プログラム３６を記憶する。ＣＰＵ３０は、表面処理パラメータを入力する取得するパラメータ取得処理部４２と、取得された表面処理パラメータを、モデル算出プログラム３６に適用して、基板１６に対する原料流体１８の速度分布を算出するモデル算出処理部４４と、速度分布の算出データと装置パラメータとに基づいて最適な原料流体流量を算出する最適流量算出処理部４６と、装置の形状パラメータに基づいて、最適流量を補正する流量補正処理部４８を含んで構成される。生産性の観点から最適流量を低減した生産性流量を設定できる。 （もっと読む）

【解決手段】（プラズマ処理チャンバを備える）プラズマ処理システムがウエハを処理できる状態にあるか否かの判定を容易にするための試験システムが開示されている。試験システムは、少なくとも試験プログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な媒体を備えてよい。試験プログラムは、プラズマ処理チャンバ内にプラズマが存在しない時に少なくとも１つのセンサによって検出された信号から導出された電気パラメータ値を受信するためのコードを備えてよい。試験プログラムは、さらに、電気パラメータ値および数学モデルを用いて電気モデルパラメータ値を生成するためのコードを備えてよい。試験プログラムは、さらに、電気モデルパラメータ値を基準モデルパラメータ値情報と比較するためのコードを備えてよい。試験プログラムは、さらに、この比較に基づいてプラズマ処理システムの準備状態を判定するためのコードを備えてよい。試験システムは、さらに、試験プログラムに関連する１または複数のタスクを実行するための回路ハードウェアを備えてよい。 （もっと読む）

【課題】所定のプラズマプロセスが処理基板に創り出す処理表面プロファイルを予測するための方法を提供する。
【解決手段】入力変数のそれぞれの試験値を選択し（２００）、プラズマをモデル化し（２１０）、２１０の結果及び２００で与えられた基板パラメータを利用して、基板表面プロファイルの試験プロセスの結果を概略予測し（２２０）、入力変数と未知の係数に関して表面プロファイルモデルの初期値を与え（２３０）、試験表面プロファイルとプロファイル予測概略値との間の相異の指示を生成し、相異の指示を最小化する未知の係数のそれぞれの最適値を生成する。 （もっと読む）

【課題】基板の膜厚制御性能を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】ガス流入口２０Ｂの上流側で、ガス流の幅方向に独立してガス流量を制御可能な複数の部分制御範囲（ＬＬゾーン、ＬＲゾーン、Ｒゾーン）が構成されており、各部分制御範囲におけるガス流量を制御する制御装置６６を備え、制御装置６６は、ウェハ２８を回転させつつ行われた回転成膜によりウェハ２８上に形成された膜厚データに基づいて、ウェハ２８上の種々の位置における膜成長速度と所定の目標膜成長速度との間の偏差を求め、部分制御範囲のそれぞれのガス流量の変化が、ウェハ２８への回転成膜時において膜成長速度分布の変化に及ぼす感度を定義した回転時膜成長感度データ７２を用いて、種々の位置における偏差を減らすように、部分制御範囲のそれぞれのガス流量を制御するように構成する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長に関するウェーハの評価を適切に行うことのできる技術を提供する。
【解決手段】ウェーハ評価方法において、ウェーハの形状を測定する測定ステップと、エピタキシャル成長の成長条件に基づいて、エピタキシャル成長によりウェーハに付加される反り付加形状を特定する反り付加形状特定ステップと、ウェーハの上面に対して、エピタキシャル成長を行った場合の第１推定形状を特定する第１形状特定ステップと、ウェーハの下面に対して、エピタキシャル成長を行った場合のウェーハである第２推定形状を特定する第２形状特定ステップと、第１推定形状及び第２推定形状に基づいて、ウェーハのいずれの主平面に対してエピタキシャル成長を行うか評価する評価ステップとを有するようにする。 （もっと読む）

【課題】小さな負荷で短時間に装置の正常／異常を判定することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】センサ及びコントローラの信号値を取得する装置側モジュールＡ，Ｂ，・・・，Ｚと、これらの信号値を演算する演算モジュールＭ１と、演算モジュールＭ１により得られる演算結果をチェックするチェックモジュールＭ２とを備え、信号値を演算モジュールＭ１で基板処理装置が管理する処理単位毎に、あるいは一定の期間単位毎に代表値化し、代表値化した値がチェックモジュールＭ２でチェックされる。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】エッチング装置８０は、イオンガン１１と、ＸＹステージ１２と、制御部１３と、ＰＣ１５と、測定装置８１とを備える。測定装置８１は、基板３１上の所定の測定点の厚みを測定する。予めイオンガン１１のエッチングレートの分布と、基板３１の被エッチング量の分布とに基づいて、エッチング中心の位置に応じて測定点における基板３１の厚みの中間目標厚みが設定される。各領域でエッチングを施した際、測定点の厚みが当該中間目標厚みからの許容範囲に入る場合、ＸＹステージ１２を駆動し、エッチングを終了させる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ等の単結晶基板とその上に気相成長させた単結晶薄膜との間に発生するミスフィット転位を、定量的で高感度、且つ簡便に評価するためのエピタキシャルウェーハの評価方法と、それを利用したエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、単結晶基板の主表面上に、該単結晶基板と格子定数の異なる単結晶薄膜を気相成長させて作製したエピタキシャルウェーハの格子定数に基づくミスフィット転位の量を評価する方法であって、前記単結晶基板と前記単結晶薄膜の格子定数の差による前記エピタキシャルウェーハの反り量の理論値をシミュレーションによって求め、また前記エピタキシャルウェーハの反り量を実測し、前記理論値と前記実測値の差を比較することで前記エピタキシャルウェーハ中のミスフィット転位の量を評価することを特徴とするエピタキシャルウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】 基板載置台への基板の異常載置状態を早期に発見できる方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置においてヒーターを有する基板載置台に基板を載置して加熱しながら処理を行う際に、１枚の基板を処理する間の全体もしくは一部分の時間において、ヒーターへの供給電力、供給電流もしくは供給電圧または基板載置台の計測温度について、最大値および最小値もしくは積算値を算出し、検出された最大値および最小値もしくは積算値をもとに基板の異常載置状態を検知する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、異常傾向の発生とその深刻度を知ることができる製造プロセスの監視方法、監視プログラム、監視システムおよび製品の製造方法を提供する。
【解決手段】製造過程における品質特性に関するデータを収集し、前記品質特性に関するデータから検知対象となるデータを抽出し、前記検知対象となるデータに対して周波数分析を行い、前記周波数分析の結果と、予め定められた限界値と、に基づいて異常傾向の発生を監視し、前記異常傾向の発生が検知された場合には、深刻度の判断をし、前記検知がされた時点の前記品質特性に関するデータと前記異常傾向の発生時点の前記品質特性に関するデータとを特定し、前記深刻度の判断のデータと、前記検知がされた時点の前記品質特性に関するデータと、前記異常傾向の発生時点の前記品質特性に関するデータと、を出力すること、を特徴とする製造プロセスの監視方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】ウェハの種類にかかわらずその温度分布を最小限にして成膜することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜が行なわれるシリコンウェハ１０１の種類に応じて、シリコンウェハ１０１の面内の温度分布を均一にするのに最適な第２の部材１０７を選択して成膜室１０２内に搬送し、第１の部材１０３に載置することでサセプタ１１０を完成させる。第２の部材１０７は、シリコンウェハ１０１の温度分布に応じて厚みが変化している。これにより、異なる種類のシリコンウェハ１０１を処理する場合であっても、温度分布を最小限にして成膜することができる。保管室には、第２の部材を加熱する第２の加熱部が設けられていることが好ましい。 （もっと読む）