【課題】成膜時に用いる圧力検知用のセンサの劣化をより高効率に抑制することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜を行なう成膜処理室と、成膜処理室の内部を排気する排気装置ＶＤと、排気装置ＶＤの排気状態を制御する制御装置ＣＴＬと、成膜処理室が成膜を行なう第１状態の際に成膜処理室の内部の圧力を検知する第１のピラニゲージＰＧＡと、成膜処理室の内部を洗浄する第２状態の際に成膜処理室の内部の圧力を検知する第２のピラニゲージＰＧＢとを備えている。上記制御装置ＣＴＬは、第１および第２状態の間で排気装置ＶＤの排気状態を切換える際に用いる媒体を利用して第１および第２のピラニゲージＰＧＡ，ＰＧＢを切換える。 （もっと読む）

【課題】 抵抗加熱式ヒータの寿命予測を正確かつ任意のタイミングで行えるようにする。
【解決手段】 抵抗加熱式ヒータの温度を通電時間で積分した積分値と抵抗加熱式ヒータの寿命との関係を示す寿命判定用情報を、抵抗加熱式ヒータと同型のヒータを用いて予め取得しておき、抵抗加熱式ヒータへの通電開始後は、抵抗加熱式ヒータの温度を温度センサにより検出し、通電開始後からの抵抗加熱式ヒータの温度を通電時間で積分し、温度の積分値と寿命判定用情報とを比較して抵抗加熱式ヒータの寿命を予測する。 （もっと読む）

【課題】ガスノズルのガス噴出口の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室内に配設された複数本のガスノズル２３１ａ，２３１ｂと、複数本のガスノズルにそれぞれ開設されたガス噴出口と、複数本のガスノズルを介して処理室内に処理ガス及び不活性ガスを供給するガス供給系と、処理室内を排気する排気系と、を備え、ガスノズルの少なくとも１本は、内管及び外管から成る２重管構造であり、内管のガス噴出口が、外管のガス噴出口の内側で重なるように開設され、内管のガス噴出口の先端が、外管のガス噴出口の先端と同じ位置まで突出し、内管から処理ガスが供給され、外管から不活性ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】短時間で、エピタキシャル成長された基板の非接触材料特性評価を行うことのできる装置を提供する。
【解決手段】非接触な材料特性評価を行うための装置は、複数の基板１２を保持するように適合されたウエハキャリア１０と、材料特性評価装置２０、例えば、フォトルミネッセンス分光法を実行するための装置とを備えている。本装置は、載置されている基板１２を含むウエハキャリア１０の少なくとも一部に非接触な材料特性評価を行うように適合されている。 （もっと読む）

【課題】キャリアガスの供給側と処理容器側との差圧を小さくすることによりパーティクルの発生を抑制することが可能なガス供給装置である。
【解決手段】原料貯留槽６８内の原料ガスをキャリアガスを用いて処理容器４へ供給する原料ガス供給系を有するガス供給装置６０において、原料貯留槽内へキャリアガスを導入するキャリアガス通路７８と、原料貯留槽と処理容器とを連結してキャリアガスと原料ガスを流す原料ガス通路７０と、原料ガス通路に接続されて圧力調整ガスを供給する圧力調整ガス通路９２と、圧力調整ガスの処理容器への供給を始めると同時にキャリアガスにより原料貯留槽から原料ガスを処理容器内へ供給することを始める第１の工程を開始し、その後、圧力調整ガスの供給を停止する第２の工程を行うように開閉弁を制御する弁制御部１１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理室内の圧力が一定に保たれないことを原因とする基板処理不良を生じにくくし、より良好な基板処理を可能とする。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する工程と、基板が搬入された処理室内に反応ガスを供給し、処理室内を排気して基板を処理する工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する工程とを有する半導体処理方法において、基板を処理する工程では、処理室内部の圧力を測定し、その測定値に基づき処理室内部の圧力を所定の圧力に保つようにすると共に、処理室内部の圧力と処理室外部の圧力との差圧を測定し、その測定値に基づき処理室内部の圧力が処理室外部の圧力よりも小さい場合に、反応ガスを前記処理室内へ供給するようにする。 （もっと読む）

【課題】温度制御管理に関する機能性が高く信頼性を向上させる。
【解決手段】反応管及び反応管内部のウェーハを加熱処理するためのヒータと、上記反応管の温度を測定して上記ヒータの温度を調節する温度調節用の複数の第１の温度センサと、上記反応管の温度を測定して上記反応管の温度を監視する監視用の複数の第２の温度センサと、上記複数の第１の温度センサのうちの任意の第１の温度センサが故障したときは、上記故障した任意の第１の温度センサにより測定される温度に代えて、上記複数の第２の温度センサのうち上記任意の第１の温度センサの近傍に設けられた第２の温度センサにより測定される温度に応じて、上記ヒータヘの電力供給の制御を継続させる制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】モニタデータの処理に伴う管理装置の内部の負荷を低減する。
【解決手段】基板処理システムが備える管理装置は、モニタデータを基板処理装置から収集する収集手段と、モニタデータを一時的に格納する複数の一時格納手段と、モニタデータを蓄積する蓄積手段と、一時格納手段を監視する監視手段と、を備え、監視手段は、モニタデータの格納に伴う一時格納手段の負荷を監視し、一時格納手段の負荷が所定の閾値より高い状態を検出すると、負荷の低い他の一時格納手段をモニタデータの格納先に指定する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成する膜の厚さの均一性を制御することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的としている。
【解決手段】基板を処理するアウタチューブと、前記アウタチューブ内に収容された基板を基板の外周側から光加熱する加熱装置と、前記加熱装置が光加熱する基板の外周近傍に流体を流すことにより、基板の外周側を冷却する冷却装置と、前記アウタチューブ内の温度を検出する温度検出部と、前記温度検出部が検出する温度に基づいて、前記加熱装置により前記基板を光加熱すると共に前記冷却装置により前記基板の外周側を冷却することで前記基板の中心側の温度を所定温度に維持しつつ該基板の中心側と前記基板の外周側とに温度差を設けるように前記加熱装置および前記冷却装置を制御する制御部と、を有する （もっと読む）

【課題】残留物よりも下にポリマーコーティングを有する基板処理構成部品の表面から、残留物を除去する。
【解決手段】一変形例においては、構成部品表面を有機溶媒と接触させて、ポリマーコーティングに損傷を与えることなく、またはポリマーコーティングを除去することなく残留物を除去する。残留物はプロセス残留物でも可能であり、または接着剤残留物でも可能である。この洗浄プロセスは、改装プロセスの一部として行うことができる。別の変更形態においては、構成部品表面にわたってレーザを走査させることによって、残留物をアブレーションする。さらに別の変形例においては、ことによって、構成部品の表面にわたってプラズマ切断機を走査させることによって、残留物を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理品質管理作業の負担を低減し、基板品質を継続して安定化させる。
【解決手段】基板処理装置及び測定器と通信回線を介して接続した自動品質管理装置によりレシピデータに基づいて基板処理を実行させ、測定器から得られた処理結果としての膜厚データに基づいて基板処理装置で処理される基板の品質を管理する。管理装置は、測定器から測定データを通信手段２２で受信し、当該基板の処理を行ったレシピデータに対応付けてファイル４２に蓄積する。複数の測定データからレシピデータと基板の膜厚との関係を回帰式決定手段３１で算出し、入力手段５１から入力した品質管理ルール及び目標値に基づき、統計解析手段３２が受信した測定データが当該ルールから外れる場合には、当該目標値を用いて回帰式を逆算し、当該目標値を満たすレシピデータを算出し、このレシピデータを通信手段２１からダウンロードして基板処理装置に処理を実行させる。 （もっと読む）

【課題】処理室内に炉内温度傾斜を設定しなくても、縦型被処理体ボートの上段に積まれた被処理体ウエハへの成膜量と、下段に積まれた被処理体への成膜量とのバラツキを抑制することが可能な縦型バッチ式成膜装置を提供すること。
【解決手段】複数の被処理体Ｗに対して一括して成膜を行う処理室１０１と、被処理体Ｗを加熱する加熱装置１３１と、処理室１０１の内部を排気する排気機構１３０と、処理室１０１を収容する収容容器１０２と、収容容器１０２の内部に、処理に使用されるガスを供給するガス供給機構１２０と、処理室１０１の側壁に設けられた複数のガス導入孔１０１ａとを備え、処理に使用されるガスを、複数のガス導入孔１０１ａを介して、処理室１０１の内部に複数の被処理体Ｗの処理面に対して平行な流れで供給しつつ、処理室１０１内に炉内温度傾斜を設定せずに、複数の被処理体Ｗに対して一括して成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】製品の歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法、製造システムおよび調整装置を提供すること。
【解決手段】実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、成膜工程と、加工工程と、イオン注入工程と、アニール工程と、調整工程とを含む。成膜工程では、基板上に半導体の薄膜を成膜する。加工工程では、薄膜を所定の形状に加工する。イオン注入工程では、所定の形状に加工された薄膜に対してイオン注入処理を行う。アニール工程では、イオン注入処理が行われた薄膜をアニール処理して抵抗素子を生成する。調整工程では、成膜工程における薄膜の成膜条件および成膜結果と加工工程における薄膜の加工結果とのうち、少なくともいずれか１つに基づき、イオン注入工程におけるイオン注入処理の処理条件およびアニール工程におけるアニール処理の処理条件の双方または一方を調整する。 （もっと読む）

【課題】装置内部に付着した付着物に対するエッチングレートを高くすることができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して反応管２内を所定の温度に加熱した状態で、処理ガス導入管１７から反応管２内にフッ素ガスとフッ化水素ガスと塩素ガスとを含むクリーニングガスを供給する。供給されたクリーニングガスは反応管２内で活性化され、薄膜形成装置１の内部に付着した付着物を除去して薄膜形成装置１の内部を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】ウエハのロード時において、ウエハ温度を確実に推定してウエハに対して迅速な熱処理を施す。
【解決手段】熱処理制御システム１は、ボート１２に保持されたウエハＷを処理する処理容器３と、処理容器を密封する蓋体１０と、処理容器３を加熱するヒータ１８Ａと、ヒータ１８Ａを制御する制御装置５１とを備えている。蓋体１０上にプロファイル温度センサ保持具８３Ａが設けられ、このプロファイル温度センサ保持具８３Ａにプロファイル温度センサ８３が設けられている。プロファイル温度センサ８３は温度推定部５１Ａに接続され、温度推定部５１Ａは、プロファイル温度センサ８３の検出信号に基づき、このプロファイル温度センサ８３の検出信号に一次遅れフィルタをかけてウエハＷの温度を推定する。制御装置５１は温度推定部５１Ａで求めたウエハＷの温度に基づいてヒータ１８Ａを制御する。 （もっと読む）

【課題】効率的に薄膜形成装置を洗浄することができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】まず、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、装置内部に付着した付着物を除去する。次に、反応管２に酸素ラジカルを供給して装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化工程を実行する。続いて、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去工程を実行する。そして、この酸化工程と酸化物除去工程とを複数回繰り返す。これにより、効率的に薄膜形成装置１が洗浄される。 （もっと読む）

【課題】 低温領域において、膜中の塩素濃度が低く、フッ化水素に対する耐性の高いシリコン窒化膜を形成する。
【解決手段】 処理室内の基板に対してモノクロロシランガスを供給する工程と、処理室内の基板に対してプラズマ励起させた水素含有ガスを供給する工程と、処理室内の基板に対してプラズマ励起または熱励起させた窒素含有ガスを供給する工程と、処理室内の基板に対してプラズマ励起させた窒素ガスおよびプラズマ励起させた希ガスのうち少なくともいずれかを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上にシリコン窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】印刷したエレクトロニクスの簡略化した製造、処理量、装置のコスト及び寸法の軽減、必要な硬化エネルギの量の減少、硬化過程中に放出される揮発性有機化合物減少を実現する硬化方法及びシステムを提供する。
【解決手段】少なくとも１つの堆積層を有する基板を支持する平坦な支持面と、少なくとも１つの堆積層を硬化させる少なくとも１つの硬化装置と、全体的な硬化過程を制御する制御システムとを含む硬化システムが提供される。硬化装置は、少なくとも１つのレーザと、レンズモジュールと、選択随意的な変調器とを含む。硬化する間、レーザから放出された光ビームは、１）レーザ光の焦点合わせしたビームを堆積層の所望の照射領域まで導くようにＸ−Ｙビームの偏向モジュールの位置を制御すること、２）レーザの位置をＸ−Ｙテーブルを介して制御すること、又は３）基板の位置をＸ−Ｙテーブルを介して制御することにより堆積層に向けることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素に含まれる炭素成分及び珪素成分を精度よく除去可能な炭化珪素除去装置、及び炭化珪素の除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】炭化珪素が付着した炭化珪素形成装置の部材を収容する処理チャンバー内に、プラズマ化させたフッ素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる珪素成分を除去する第１のステップと、処理チャンバー内に、プラズマ化させた酸素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる炭素成分を除去する第２のステップと、を含み、第１のステップと、第２のステップと、を交互に行なう。 （もっと読む）

【課題】反応室内のＳｉＣ基板の配列領域に積極的にガスを供給し、ガス流れを最適化することで、基板上での原料ガスを消費しやすくし、基板面内でのガス流れを均等化し、積層された基板間の下方方向への流れ落ちを抑制するＳｉＣ縦型熱処理装置の提供。
【解決手段】炭化珪素膜を成長させることを可能とする反応室とその中に配置されたボートを有し、且つそのボートには、複数枚の基板１４が平行に縦積みで配置され、反応室内に設けられたガス供給ノズル６０，７０の基板の配列領域に設けられた第一のガス供給ノズルから少なくともシリコン原子含有ガスを供給し、ガス供給ノズルとは異なる箇所であって、基板の配列領域に設けられた第二のガス供給ノズルから少なくとも炭素原子含有ガスを供給して、基板上に炭化珪素膜を成膜する縦型基板処理装置において、反応室内の基板の配列領域に積極的にガスを供給し、ガス流れを最適化するための壁体３００を設ける。 （もっと読む）