【課題】ウエハの搬送時間が短く処理の効率を向上させた真空搬送装置を提供する。
【解決手段】後方側に配置され、内部の処理室内で処理対象のウエハが処理される真空容器と、前方側に配置され、その内部で前記ウエハが大気圧下で搬送される搬送室とこの搬送室の前方に配置され前記ウエハが収納されたカセットが載せられるカセット台と、前記搬送室の後方でこれを連結されたロック室と、前記搬送室内に配置され前記カセットと前記ロック室との間で前記ウエハを搬送するロボット及び前記ウエハの位置を所定のものに合わせる位置合わせ機と、前記ロボットによる前記ウエハの前記カセットから前記搬送室内への取出しの際に、このウエハの位置ずれ量が所定の値より大きな場合に前記位置合わせ機上において前記ウエハの位置合わせをした後に前記ロック室に搬送する真空処理装置。 （もっと読む）

【課題】シャットダウンが正常に終了しなかった場合、再起動後の誤動作を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置の起動後、シャットダウンが正常に終了しなかった場合には、基板処理装置の再起動後、シャットダウンが正常に終了しなかった旨を操作者に通知する通知手段と、基板処理装置の再起動後、操作者によって適切な処置がなされるまで、基板処理装置の各部を一時停止する停止手段とを有する基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】真空容器のベーキング時間を短縮させたベーキング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】真空容器の排気を行う工程と、真空容器に不活性ガスを導入する工程と、を繰り返すサイクルを有する真空容器のベーキング方法であって、
前記真空容器の排気は、前記真空容器に設けた排気コンダクタンス可変のスロー排気バルブを介して行い、前記スロー排気バルブの排気コンダクタンスを、前記サイクルの直前のサイクルにおける排気コンダクタンスより大きく設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の温度制御変動を抑制し、高品質の膜を再現性よく成膜することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】蒸発源１２およびプラズマ生成空間と、基板保持部に保持された基板１４とをシャッター２０で隔てた状態で、蒸発源を加熱し、プラズマ１０５を生成する。基板サセプタ１３に内蔵された加熱源１３ａにより基板を加熱するとともに、シャッターの基板側の面に配置された輻射熱源により、蒸発源およびプラズマからシャッターに到達している熱量と同等の輻射熱量を供給して基板を加熱する。基板の温度が所定の温度に達した状態で、シャッターを開き、蒸発源からの蒸気をプラズマを通過させて、基板上に堆積させる。これにより、シャッターを開いても基板温度の変動を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】異常解析を行う保守員の負担を低減し、保守員の技量によらず異常解析を迅速かつ正確に行うことを可能とする。
【解決手段】処理手順及び処理条件が定義されたレシピを実行する基板処理装置と、基板処理装置に接続される群管理装置と、を備える基板処理システムであって、群管理装置は、レシピの実行中に生じた異常現象を特定する異常現象特定情報及び異常現象が発生した基板処理装置の種別を特定する装置種別特定情報に共に関連づけられた検証項目特定情報を抽出し、抽出した検証項目特定情報を含む検証項目テーブルを作成する解析支援手段を備える。 （もっと読む）

【課題】抵抗加熱と電磁波による加熱とを併用することにより、高い昇温速度を得ることが可能な熱処理装置である。
【解決手段】被処理体Ｗに熱処理を施す熱処理装置において、排気が可能になされた金属製の処理容器４と、抵抗加熱ヒータ部３６を有して上面に前記被処理体を載置する載置台３２と、前記処理容器内へガスを導入するガス導入手段１４と、前記処理容器内へ電磁波を導入する電磁波導入手段５０と、装置全体を制御する装置制御部５８とを備える。これにより、載置台に設けた抵抗加熱ヒータ部による抵抗加熱による加熱と電磁波導入手段により導入された電磁波による被処理体自体による加熱とを併用する。 （もっと読む）

【課題】装置内部の部品の劣化を抑制しつつ、装置内部に付着した付着物を除去することができる薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】熱処理装置１の制御部１００は、反応室内を、水が液膜として存在し得る温度、例えば、室温に維持する。また、制御部１００は、反応室内を５３２００Ｐａに設定する。反応管２内が所定の圧力及び温度で安定すると、制御部１００は、処理ガス導入管１７からフッ化水素と窒素とからなるクリーニングガスを反応管２内に導入し、装置内部に付着した反応生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】特殊な高価な高温用の熱交換器を不要にして、耐熱性の低い汎用の安価な熱交換器を用いることができるようにした熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Ｗに対して同時に熱処理を施す熱処理装置において、筒体状に形成された処理容器４と、処理容器内へ挿脱可能に収容される支持手段１８と、被処理体を加熱するために処理容器の外周側に、冷却空間２８を介して囲むようにして設けられた加熱炉３０と、押込用送風機が接続された気体導入通路４２を有し、冷却空間に熱処理後の降温時に冷却気体を導入する冷却気体導入手段３６と、熱交換器５４と吸出用送風機５６とが順次設けられた気体排出通路５２を有し、冷却空間から昇温した冷却気体を排出する冷却気体排出手段３８と、熱交換器の上流側にて気体排出通路に設けられて、昇温した冷却気体に降温用気体を導入して降温させる降温用気体導入手段４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】アンロード処理の実行中にロード処理の開始要求がなされた場合であっても、ロード処理を速やかに開始させ、基板処理の品質を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室に連通する真空搬送室に連通し雰囲気可変に構成された予備室と、複数の予備室に連通する大気搬送室と、大気搬送室に接続され複数枚の基板を収納する基板収納部を載置する収納容器載置部と、基板収納部と予備室内との間で基板を搬送する大気搬送部と、少なくとも大気搬送部による搬送動作を制御する制御部と、を備え、制御部は、予備室内から基板収納部への基板を搬出するアンロード処理の実行中に、基板収納部から予備室内への基板を搬入するロード処理の開始要求を受け付けたら、アンロード処理の実行を中断させ、ロード処理の実行を優先的に開始させるように大気搬送部を制御する。 （もっと読む）

【課題】少数枚の基板を取り扱うのに好適でコストを低減することができる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】小バッチ式ＣＶＤ装置１は一度に処理するプロダクトウエハＷｂの枚数が一台のプロダクトウエハ用ポッド２６Ｂに収納される枚数以下に設定されており、一台のプロダクトウエハ用ポッド２６Ｂに収容されたプロダクトウエハＷｂをサイドダミーウエハ用ポッド２６Ａに収納されたサイドダミーウエハＷａと共にボート９に装填してプロセスチューブ４で一度に処理するように構成されている。一度にバッチ処理する枚数のプロダクトウエハが一台のポッドに収納されるため、ポッドを一時的に保管するための棚や、ポッドを保管棚とポッドステージとの間で搬送するためのポッド搬送装置等を省略でき、バッチ式ＣＶＤ装置のイニシャルコストやランニングコストを低減できる。 （もっと読む）

【課題】配管昇温時の無駄なエネルギーを排除し、効率よく昇温させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理容器と、前記処理容器内にガスを供給するガス供給系と、前記処理容器内に排気する排気系と、前記処理容器、前記ガス供給系および前記排気系の接ガス部分を加熱する複数の加熱部と、前記複数の加熱部のうち最も昇温時間の長い加熱部の昇温が完了する時間に昇温が完了するように他の加熱部の昇温開始時間を設定する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】排気システムのコストを低減することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に処理を施す処理室と、前記基板を前記処理室へ搬送する搬送装置を備えた搬送室１２と、前記搬送室に連結された減圧可能な複数の予備室１４ａ，１４ｂと、前記複数の予備室に接続された排気装置５０と、前記複数の予備室の排気をそれぞれ制御する複数の排気弁６１−６３と、前記複数の排気弁を制御する第二の制御手段８９と、前記複数の排気弁のうちの一が開状態で、他の前記排気弁を開待ちとさせるように制御する第一の制御手段８６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】消耗部材の交換頻度を低減できる半導体デバイスの製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体デバイスの製造装置は、基板の処理条件毎に消耗部材の消費量が記憶されている第１の記憶部と、消耗部材の使用限度と現在の消費量がプロセスチャンバ毎に記憶されている第２の記憶部と、第１，第２の記憶部を参照して、プロセスチャンバ毎に基板の処理可能枚数を算出する算出部と、算出したプロセスチャンバ毎の処理可能枚数に基づいて、基板の処理を指示する割当部と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】保守員の技量によらず異常解析を迅速かつ正確に行うことを可能とし、異常解析を行う保守員の負担を低減する。
【解決手段】データ解析パターン定義情報に含まれるタイトル情報を選択可能に表示した解析受付画面を作成して表示手段に表示し、タイトル情報の選択操作を受け付け、解析受付手段が受け付けたタイトル情報を含むデータ解析パターン定義情報を読み出し、読み出したデータ解析パターン定義情報に含まれるデータ種別情報及びデータ範囲情報に基づいてデータを読み出し、読み出したデータを、データ解析パターン定義情報に含まれる解析・表示方法特定情報により特定される解析及び表示方法により解析して表示する。 （もっと読む）

【課題】高精度で且つ制御性能が高い温度制御を行うことができる熱処理装置の温度制御方法を提供する。
【解決手段】第１のＰＩＤ演算要素と第２のＰＩＤ演算要素とでカスケード制御を行う温度コントローラを有する熱処理装置の温度制御方法において、第１のＰＩＤ演算要素の第１の操作量の上下限判定範囲を、炉内温度が目標値に一致しているときの該第１の操作量の値を基準に正負両側に略同じ値である範囲とし、かつ第１のＰＩＤ演算要素で計算された第１の操作量がその上限値を超えたと判定されたときは該第１の操作量が前記上下限判定範囲の上限値になる分だけ前記第１のＰＩＤ演算要素の積分操作量を増加させ、その下限値を下回ったと判定されたときは該第１の操作量が前記上下限判定範囲の下限値になる分だけ積分操作量を減少させる。 （もっと読む）

【課題】
高い誘電率のチタン酸化膜を低温で形成する。
【解決手段】
ウエハ１４上に下電極１５５を形成するステップ（Ｓ１００）と、下電極１５５界面にＡｌＯｘ膜１６０を形成するステップ（Ｓ２００）と、ＡｌＯｘ膜１６０上にＨｆＡｌＯｘ膜１６５を形成するステップ（Ｓ３００）と、ＨｆＡｌＯｘ膜１６５が形成されたウエハ１４をアニーリング（熱処理）するステップ（Ｓ４００）と、アニーリングされたＨｆＡｌＯｘ膜１６５上にＴｉＯ_２膜１７０を形成するステップ（Ｓ５００）と、ＴｉＯ_２膜１７０が形成されたウエハ１４をアニーリングするステップ（Ｓ６００）と、を行いキャパシタ絶縁膜を形成し、このキャパシタ絶縁膜の上に上電極１７５を形成する（Ｓ７００）。 （もっと読む）

【課題】複数の基板処理プロセスに関するデータの相互比較を容易とし、基板処理装置や基板処理プロセスにおける異常検出を容易とする。
【解決手段】群管理装置は、データを基板処理装置から受信する通信手段と、通信手段が受信したデータを読み出し可能に格納する格納手段と、データ検索条件の入力を受け付けて格納手段を検索し、読み出したデータを時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフを作成すると共に、時系列グラフ中における特異点の指定を受け付け、格納手段から読み出したデータおよび特異点を基板処理プロセスと対応させつつグラフ化することで、プロセス比較グラフを作成するグラフ作成手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の状態を個別に認識した上で、プロセスガス中の特定ガスの分圧について測定値が閾値を上回っているか下回っているかを個別に認識することが可能なプロセスモニタ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプロセスモニタ装置１は、バルブにより仕切られたチャンバを有する成膜装置５０に接続して使用され、前記成膜装置に接続されたガス分析手段３０を制御するコンピュータ１０には、予め、プロセスガス中の特定ガスの分圧について、バルブが開いた第一状態における警告閾値と、バルブが閉じた第二状態における異常閾値とが、それぞれ設定されており、前記コンピュータは、前記ガス分析手段により検出された特定ガスの分圧を監視し、該分圧が、信号送信手段２０により送信された前記チャンバの状態に応じた警告閾値又は異常閾値を超えた場合に、警告信号又は異常信号を前記成膜装置に送信すること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来のマイクロ波の周波数よりも低い周波数のマイクロ波を処理容器内に効率良く導入できる平面アンテナを提供する。
【解決手段】平面アンテナ板３１は、同心円状に第１のスロット３２ａおよび第２のスロット３２ｂを有し、中心Ｏ_Ａから第１のスロット３２ａの中心Ｏ_３２ａまでの距離と、平面アンテナ板３１の半径ｒとの比を０．３５〜０．５とし、かつ中心Ｏ_Ａから第２のスロット３２ｂの中心Ｏ_３２ｂまでの距離と、半径ｒとの比を０．７〜０．８５とした。また、中心Ｏ_Ａと中心Ｏ_３２ａとを結ぶ直線に対して、第１のスロット３２ａの長手方向は９０°〜１０５°の角度であり、かつ、中心Ｏ_Ａと中心Ｏ_３２ｂとを結ぶ直線に対して、第２のスロット３２ｂの長手方向は７５°〜８５°の角度である。さらに、平面アンテナ板３１におけるスロットの開口面積比率は１５〜２０％の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】装置環境状況変化に対する通信タイムアウト発生に関する問題点を解決する基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置に設けられ、データ送信又は受信する複数の装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）と、これら装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）と通信する監視モジュールと、各装置側モジュール及び監視モジュールに組み込まれ、各装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）と監視モジュールとの間でデータを通信させるための通信プログラムと、を具えた基板処理装置であって、前記監視モジュールの通信プログラムは、各装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）に受信されるデータの受信間隔を監視することにより、データが正常に受信されているか否かを判断するように構成される。 （もっと読む）