【課題】基板処理装置の装置パラメータ設定戻し忘れや、設定変更漏れを防止し、基板のロットアウトの発生を未然に防止可能な基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置から送信される装置状態を示すデータを収集し、前記基板処理装置を制御装置５により管理する群管理装置を少なくとも有する基板処理システムであって、前記制御装置は作業前の装置パラメータを退避させる退避手段６，１４と、作業後の装置パラメータの各設定値を設定する設定手段６，１５と、前記退避手段により退避させた装置パラメータと前記設定手段に設定された装置パラメータとを比較する比較手段６，１６と、比較結果が不一致の場合に成膜処理の開始を禁止する判断手段６，１８とを少なくとも有する。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に保持されている基板の移載状態とその詳細情報とを同じ画面上に同
時に表示させる。
【解決手段】複数の基板を載置した基板保持具を炉内に搬入して所定の処理を行う基板処
理装置であって、各基板の移載状況と、各基板の割れ検知結果情報と、割れ検知結果情報
で異常とされた基板の復旧状況と、を操作画面上に表示させる。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置における成膜処理結果に異常があった場合、処理時に用いられたパラメータ及びこのパラメータの基準となる基準パラメータの比較結果を利用することにより、全てのパラメータを利用する場合に比べ、異常の原因となるパラメータを特定しやすくする群管理装置を提供する。
【解決手段】基板処理に用いられるパラメータを受け付ける受付手段と、前記受付手段によって受け付けられたパラメータの基準となる基準パラメータを設定する設定手段と、前記受付手段によって受け付けられたパラメータと、前記設定手段によって設定された基準パラメータとを比較する比較手段と、前記比較手段による比較結果を少なくとも記憶する記憶手段と、前記比較手段による比較結果を表示する表示手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】窒化膜の屈折率及び／又は堆積速度の分布の均一性を所定の数値範囲内に収めるとともに、窒化膜の応力の制御性を高める。
【解決手段】本発明の１つの窒化膜の製造装置１００は、チャンバー３０内に配置された基板２０上にプラズマＣＶＤ法によって窒化膜７０（７０ａ）を形成する窒化膜の製造装置１００である。具体的には、この窒化膜の製造装置１００は、窒化膜７０（７０ａ）の形成のために独立に印加する相対的に高い周波数の第１高周波電力及び／又は相対的に低い周波数の第２高周波電力とを用いて得られる、所定の数値範囲内に収まった前述の窒化膜の屈折率の分布及び／又は前述の窒化膜の堆積速度の分布に基づいて、所望（応力が０の場合を含む）の窒化膜７０（７０ａ）の圧縮応力又は引張応力を得るための第１高周波電力が印加される第１期間と第２高周波電力が印加される第２期間とを算出する制御部３９を備えている。 （もっと読む）

【課題】成膜の際のウェーハとサセプタの貼り付きの有無を検出し、歩留り、スループットの向上が可能な気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室内にウェーハを導入して、支持部上に載置し、支持部の下部に設けられたヒータにより、ウェーハを加熱し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、ウェーハ上に成膜し、ウェーハの周縁部における少なくとも円周方向の温度分布を検出し、検出された温度分布に基づき、ウェーハと支持部との貼り付きの有無を判断する。 （もっと読む）

【課題】 抵抗加熱式ヒータの寿命予測を正確かつ任意のタイミングで行えるようにする。
【解決手段】 抵抗加熱式ヒータの温度を通電時間で積分した積分値と抵抗加熱式ヒータの寿命との関係を示す寿命判定用情報を、抵抗加熱式ヒータと同型のヒータを用いて予め取得しておき、抵抗加熱式ヒータへの通電開始後は、抵抗加熱式ヒータの温度を温度センサにより検出し、通電開始後からの抵抗加熱式ヒータの温度を通電時間で積分し、温度の積分値と寿命判定用情報とを比較して抵抗加熱式ヒータの寿命を予測する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内にて基板が載置されると共に回転する回転テーブルを備えた熱処理装置において、回転中の回転テーブルにおける基板の温度分布を測定すること。
【解決手段】
処理容器内に設けられた回転テーブルの回転時に当該回転テーブルの一面側を、径方向に沿って繰り返し走査して複数のスポット領域の温度を測定する放射温度測定部と、前記回転テーブル上における放射温度測定部の走査領域に割り当てられたアドレスと放射温度測定部の温度測定値とを対応付けた温度データを記憶するための記憶部と、走査の周期及び回転テーブルの回転数に基づいて特定された各スポット領域のアドレスに温度測定値を書き込むためのデータ作成部と、前記記憶部に書き込まれた温度データに基づいて、基板の温度分布を含む回転テーブルの一面側の温度分布を表示する処理を行うデータ処理部と、を備えるように温度測定装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 表面処理中のパーティクルを計測し、パーティクルの粒度分布、荷電状態を測定し、その発生源を特定することにより、重点的・効率的なメンテナンスが可能な方法及び装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ６を用いた真空チャンバ１内に１個以上のパーティクル計測用基材４を配置し、前記パーティクル計測用基材４にプラズマ電位より高い電位、略同一の電位、低い電位のうち少なくとも１つの電圧を前記基材４に個別に印加して所定の表面処理を実施した後前記基材に付着した前記パーティクルの粒度分布を計測し、該計測結果から所定の算出式により前記パーティクルの粒度別帯電状態の分布を算出する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成する膜の厚さの均一性を制御することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的としている。
【解決手段】基板を処理するアウタチューブと、前記アウタチューブ内に収容された基板を基板の外周側から光加熱する加熱装置と、前記加熱装置が光加熱する基板の外周近傍に流体を流すことにより、基板の外周側を冷却する冷却装置と、前記アウタチューブ内の温度を検出する温度検出部と、前記温度検出部が検出する温度に基づいて、前記加熱装置により前記基板を光加熱すると共に前記冷却装置により前記基板の外周側を冷却することで前記基板の中心側の温度を所定温度に維持しつつ該基板の中心側と前記基板の外周側とに温度差を設けるように前記加熱装置および前記冷却装置を制御する制御部と、を有する （もっと読む）

【課題】基板の処理品質管理作業の負担を低減し、基板品質を継続して安定化させる。
【解決手段】基板処理装置及び測定器と通信回線を介して接続した自動品質管理装置によりレシピデータに基づいて基板処理を実行させ、測定器から得られた処理結果としての膜厚データに基づいて基板処理装置で処理される基板の品質を管理する。管理装置は、測定器から測定データを通信手段２２で受信し、当該基板の処理を行ったレシピデータに対応付けてファイル４２に蓄積する。複数の測定データからレシピデータと基板の膜厚との関係を回帰式決定手段３１で算出し、入力手段５１から入力した品質管理ルール及び目標値に基づき、統計解析手段３２が受信した測定データが当該ルールから外れる場合には、当該目標値を用いて回帰式を逆算し、当該目標値を満たすレシピデータを算出し、このレシピデータを通信手段２１からダウンロードして基板処理装置に処理を実行させる。 （もっと読む）

【課題】モニタデータの解析を要する異常（例えば、成膜異常）について監視するために、最適なコンテンツを作成する仕組みを提供する。
【解決手段】基板処理システムは、基板を処理する基板処理装置と、前記基板処理装置から送信される測定データを蓄積する蓄積手段と、前記基板処理装置の稼動状態に関する前記測定データの項目、前記測定データに適用する統計量の種類、及び前記統計量の判定に用いる条件をそれぞれ個別に記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された前記測定データの項目、前記統計量、及び前記条件からなる組み合わせについて、前記蓄積手段に蓄積された前記測定データが異常と判断される組み合わせを抽出する抽出手段と、を備えた管理装置と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 基板ごとに処理条件の指定を可能にする。
【解決手段】 基板に対する処理を実行するプロセスモジュールを制御するプロセスモジュール制御装置を備え、プロセスモジュール制御装置は、処理すべき基板がプロセスモジュールに搬送される搬送タイミングを取得する搬送タイミング取得手段と、プロセスモジュールにおける基板の処理条件に関する処理条件基本情報を取得する基本情報取得手段と、プロセスモジュールにおける基板の処理条件の一部であって、基板ごとに設定される処理条件に関する処理条件差分情報を取得する差分情報取得手段と、搬送タイミング取得手段により取得される基板の搬送タイミングに応じ、基本情報取得手段及び差分情報取得手段により取得される処理条件に基づいて、プロセスモジュールに対し搬送される基板の処理条件を設定する制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理チャンバの使用のために故障を検出する方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバ内でプラズマ処理が開始され、前記プラズマ処理に関するプラズマパラメータデータが、平面イオン流束（ＰＩＦ）タイプのプローブ１１０の使用により得られ、プローブ１１０の感知表面１１７は、プラズマに曝され、かつ前記プラズマチャンバ内のシャワーヘッド電極１１８の表面と同じ平面にあり、故障状態を示すために前記プラズマパラメータデータが評価される。 （もっと読む）

【課題】装置の特定の異常挙動を従来に比して高感度に検知することができる異常検知装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、装置パラメータ取得部１１は、装置の動作状態を表す装置パラメータを取得する。データ処理部１３は、装置パラメータの時系列データをフィッティング処理する。トレンド取得部１４は、フィッティング処理したデータを用いて、装置パラメータ取得時の２階微分値をトレンドの変化情報として取得する。フィッティング誤差取得部１５は、取得した装置パラメータと、フィッティング処理したデータと、のフィッティング誤差を装置パラメータの変化の度合い情報として取得する。そして、異常判定部１７は、データ挙動取得手段で取得されたトレンドの変化情報と装置パラメータの変化の度合い情報との組み合わせを、装置の動作状態が異常と判定される範囲を規定した異常判定基準情報と比較して、装置の動作状態が異常であるかを判定する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスを実行するか否かを適切に判断することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板を処理する手順を記述したレシピを実行することにより、基板に処理を施す基板処理部と、前記基板処理部が基板に処理を施すことにより累積される、前記基板処理部を構成する部品に関する情報を記憶する記憶部と、前記記憶部に記憶された情報を複製する複製部と、前記記憶部に記憶された情報又は前記複製部によって複製された情報に基づいて、メンテナンスを実行するか否かを判断する判断部とを有する。 （もっと読む）

【課題】累積膜厚値等の累積項目について閾値を超えた場合の運用形態を選択可能にすることにより、予めトラブル発生時の動作を指定することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本願発明の基板処理装置は、少なくともパラメータ編集などを行うための操作画面を表示する表示部と、該表示部等を介して入力された指示データや各種レシピや各種パラメータをファイルとして格納する記憶部と、各種レシピ作成時における各種パラメータの設定値を入力する入力部とを少なくとも備え、更に、前記表示部は、所定の構成部品毎に、各部品が実行される回数又は時間と、これら回数又は時間に対応した閾値と、及び該閾値に到達した後に実行される所定の動作を設定する設定画面を表示する。 （もっと読む）

【課題】測定対象物上に薄膜が形成されている場合でも、測定対象物の温度を従来に比べて正確に測定できる温度測定方法を提供する。
【解決手段】光源からの光を、基板上に薄膜が形成された測定対象物の測定ポイントまで伝送する工程と、基板の表面での反射光による第１の干渉波と、基板と薄膜との界面及び薄膜の裏面での反射光による第２の干渉波を測定する工程と、第１の干渉波から第２の干渉波までの光路長を算出する工程と、第２の干渉波の強度に基づいて、薄膜の膜厚を算出する工程と、算出した薄膜の膜厚に基づいて、基板の光路長と算出した光路長との光路差を算出する工程と、算出した光路差に基づいて算出した第１の干渉波から第２の干渉波までの光路長を補正する工程と、補正された光路長から測定ポイントにおける測定対象物の温度を算出する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造装置における運転工程、製造装置に供給されるガスの種類およびガス流量をコントローラに入力することにより、真空ポンプ、排ガス処理装置等を最適な運転条件で運転することができ、また排気系システム側の機器のメンテナンス要求等を製造装置側に出力することにより、適正なタイミングで排気系システムの機器をメンテナンスできる排気系システムを提供する。
【解決手段】半導体デバイス又は液晶又はＬＥＤ又は太陽電池を製造する製造装置のチャンバを排気する排気系システムにおいて、真空ポンプ装置３と、排ガスを処理する排ガス処理装置５と、真空ポンプ装置３及び／又は排ガス処理装置５を制御するコントローラ６とを備え、製造装置１の運転工程、製造装置１に供給されたガスの種類およびガス流量の情報をコントローラ６に入力して真空ポンプ装置３及び／又は排ガス処理装置５を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】プロセス結果に悪影響を及ぼす処理ガス供給周期パターンを予め変更しておき、基板に対する適切な処理を行う。
【解決手段】設定値入力部４１からの情報に基づいて、基板回転機構の回転周期、処理ガスの供給周期、処理ガスの供給時間及び処理ガスの供給回数を含む処理ガス供給周期パターン演算結果が、パターン演算部４２において求められる。設定値入力部４１からの情報に基づいて、基板上に供給される処理ガスの供給領域の形状がシミュレータ４９によりシミュレーションされ、その結果がディスプレイ５０に表示される。比較部４３において、パターン演算部４２からの処理ガス供給周期パターンの演算結果と、記憶部４５からのプロセス結果に悪影響を与える処理ガス供給周期パターンの参照結果とが比較される。比較部４３において、処理ガス供給周期パターンの演算結果と、プロセス結果に悪影響を与える参照結果が一致した場合、アラーム部４４からアラームが発せられる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割りには安価に済むプラズマ電位計測方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ２中のイオンの質量分析を行える質量分析器３（又は１９）と該プラズマとの間に少なくとも二つの異なる電圧をそれぞれ印加して各電圧Ｖｂごとに、他の電圧の場合と同一のイオンを検出できる、該質量分析器に応じた質量分析条件Ｘを求め、得られた各電圧Ｖｂと質量分析条件Ｘのデータに、式Ｖｂ＝ａＸ² −Ｖｐ（Ｖｐはプラズマ電位）を回帰式として該回帰式を最小二乗法を用いてフィッティングすることにより、該式におけるａ及びＶｐをそれぞれ算出することで、該プラズマ電位Ｖｐを求め、併せてイオン種を同定するためのａを求めるプラズマ電位計測方法及び装置。該方法を実施するためのプログラム及びそれを記録した記録媒体Ｍ１（Ｍ２）。 （もっと読む）