【課題】処理条件の異なる基板の組合わせを処理実行前に、事前にチェックし、自動運転が失敗することを未然に防止し、自動運転失敗に伴う時間のロスを無くし、基板処理装置の稼働率の向上を図る。
【解決手段】基板処理をする為の基板載置手段を有する複数の処理室２５，２６と、該処理室へ基板４を搬送する第１搬送手段５を有する前記各処理室と真空ゲート２７，２８を介して連設される第１搬送室２と、大気圧状態で基板を搬送する第２搬送手段１６を有する第２搬送室１３と、前記第１搬送室と前記第２搬送室を連結する減圧可能な予備室７，８と、前記第２搬送室に連設され複数の基板が収納される基板収納手段２４と、該基板収納手段と前記処理室との間の搬送を前記第１搬送手段や前記第２搬送手段により制御させる為の制御手段とを設けた基板処理装置１であって、前記制御手段は自動運転開始時に基板毎に割付けられた処理レシピの整合性を判断する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜のダメージ回復処理を行う際に、回復処理に寄与する処理ガスの量を十分に確保しつつ、処理ガスの使用量を減少させることができる処理方法を提供すること。
【解決手段】表面部分にダメージ層が形成された低誘電率膜を有する被処理基板が収容された処理容器内にメチル基を有する処理ガスを導入して低誘電率膜に形成されたダメージ層に回復処理を施す処理方法であって、減圧状態にされた処理容器内に希釈ガスを導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力よりも低圧の第１の圧力まで上昇させ（工程３）、その後、希釈ガスを停止し、処理ガスを処理容器内の被処理基板の存在領域に導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力である第２の圧力まで上昇させ（工程４）、この処理圧力を維持し、被処理基板に対して回復処理を行う（工程５）。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル被覆されたシリコンウェハのグローバル及びローカルフラットネスを実現する方法を提供する。
【解決手段】第１工程において水素雰囲気下で、第２工程及び第３工程においてこの水素雰囲気にエッチング媒体を添加しながら前処理し、引き続きエピタキシャル層を設け、その際、第１工程の間及び第２工程の間の水素流速、第２工程及び第３工程の間にエッチング媒体の流速は特定の速度であり、更に第２工程の間の反応器チャンバー中の平均温度は特定の温度であり、加熱エレメントの出力を特定の領域間で特定の温度差が存在するように制御し、第３工程の間に水素流速を特定速度に減少させるエピタキシャルに被覆されたシリコンウェハの第１の製造方法。第２の方法は、第３の前処理工程の間にエッチング媒体の流速を１．５〜５ｓｌｍに増加させ、その一方で水素流速は第３の前処理の間に減少させる必要はない。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する処理容器内におけるガスの流れをコントロールすることにより、処理容器内の圧力を適切に制御し、所望の圧力状態にすることが可能な基板処理技術を提供する。
【解決手段】処理容器２内に処理ガスを導入するとともに排気して処理容器２内の載置台４上に置かれた基板Ｇを処理する基板処理装置１であって、処理容器２内において、載置台４の周囲を複数の領域１５に仕切る仕切り部材６と、処理容器２の底面２ａにおいて、仕切り部材６によって仕切られた複数の領域１５にそれぞれ設けられた、処理ガスを排気する複数の排気口５と、複数の排気口５の各々に接続されて個別に作動可能な排気機構５５と、各領域１５の圧力を検出するセンサ４７と、センサ４７が検出した圧力に基づいて排気機構５５を個別に制御する制御装置４５を有する。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に平坦性と配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度が低く、不純物の界面蓄積やＺｎＯ系成長層への拡散が抑制されたＺｎＯ系単結晶の成長方法を提供することにある。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気とを用い、ＺｎＯ単結晶基板上に６００℃以上９００℃未満の成長温度で熱安定状態のＺｎＯ系単結晶を成長する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向において第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段との間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設けることで分離領域Ｄに前記反応ガスが侵入することを阻止すると共に、前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出し、前記分離領域Ｄの両側に拡散する分離ガス及び前記中心部領域から吐出する分離ガスと共に前記反応ガスが回転テーブルの周縁と真空容器の内周壁との隙間を介して排気する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を一括して熱処理する反応炉を備えた熱処理装置に対して給電する電力設備の容量を小さくすることのできる熱処理システムを提供する。
【解決手段】基板に対して熱処理を行うｎ個（ｎは２以上の整数）の反応炉を備えた熱処理システムにおいて、第１の電力変換部２ａ、２ｂは三相交流電力を直流電力に変換するためにｍ個（ｍは２以上の整数）設けられ、第２の電力変換部４１〜４３は、これら第１の電力変換部２ａ、２ｂに接続されて各反応炉のヒータに電力を供給する。制御部５ａ、５ｂはｎ個の反応炉のヒータ１４〜１６の消費電力の合計がｍ個の第１の電力変換部２ａ、２ｂの最大出力の合計を越えないように各反応炉の運転のシーケンスを制御する。 （もっと読む）

【課題】アーク放電を連続して行った際の、着火不良を大幅に向上できる成膜方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
第１の電極１４をカソード１２の所定位置に接触させ、前記カソード１２とアノード１３との間にアーク放電が発生したかどうかを検出する。前記検出結果に応じて、第２の電極１５を前記所定位置とは異なる位置に接触させ、前記アーク放電を発生させてプラズマを生成し、前記プラズマに含まれる導電材料を、基板５１の上方に堆積させる。成膜時の電極の着火確率を大幅に向上させることができ、ひいては、半導体装置の製造効率や製造歩留まりの改善を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】低温域での昇温リカバリーにおける収束時間を短縮し、ＴＡＴの短縮及びスループットの向上を図る。
【解決手段】制御装置は、処理容器内を初期温度から該初期温度よりも高く且つ１００〜５００℃の範囲内の目標温度にする温度制御を行うため、１つの制御量によりヒータ及び送風機への給電を制御し、正方向の絶対値の増加によりヒータへの給電を増加させ、負方向への絶対値の増加により送風機への給電を増加させるように制御量を準備する工程と、制御量に従って送風機への給電を停止すると共に、ヒータに所定供給量で給電することにより目標温度下の所定温度まで処理容器内を加熱する工程と、所定温度になった時点から、制御量に従って、送風機に所定供給量で給電して冷却空気を送風すると共に、ヒータへの給電を停止することにより処理容器内を目標温度に収束させる工程と、次に制御量に従って、送風機への給電を停止すると共に、ヒータに所定供給量よりも小さい値で給電することにより処理容器内を目標温度に維持する工程とを実行する。 （もっと読む）

【課題】真空容器内にてテーブルの周方向に沿って複数の半導体ウェハを配置し、２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給して成膜するＡＬＤにおいて面内均一性高く成膜処理を行うこと。
【解決手段】ＡＬＤを行う成膜装置１０１と、アニール処理を行う熱処理装置１０２と、を真空搬送室１０３に気密に接続すると共に、真空搬送室１０３内に自転機構である回転ステージ１３２を設ける。そして、ウェハに対してＢＴＢＡＳガスを供給してこのガスを吸着させ、次いでＢＴＢＡＳガスと反応して流動性を持つシロキサン重合体を生成するエタノールガス及びこのシロキサン重合体を酸化するＯ3ガスをこの順番で供給して成膜処理を行うと共に、この成膜処理の途中で成膜装置１０１からウェハを取り出して、基板を回転させてその向きを変更し、またアニール処理を行って反応生成物を緻密化する。 （もっと読む）

【課題】装置環境状況変化に対する通信タイムアウト発生に関する問題点を解決する基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置に設けられ、データ送信又は受信する複数の装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）と、これら装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）と通信する監視モジュールと、各装置側モジュール及び監視モジュールに組み込まれ、各装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）と監視モジュールとの間でデータを通信させるための通信プログラムと、を具えた基板処理装置であって、前記監視モジュールの通信プログラムは、各装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）に受信されるデータの受信間隔を監視することにより、データが正常に受信されているか否かを判断するように構成される。 （もっと読む）

【課題】原料容器内のガスあるいは原料容器内の液体原料を気化したガスにより処理容器内の基板に対して成膜処理を行い、成膜処理の回数が予め設定した回数に達したときにクリーニングガスにより処理容器内をクリーニング処理するガス処理装置において、原料容器の交換による当該ガス処理装置の処理効率の低下を防ぐこと。
【解決手段】クリーニング処理を終了した後、次のクリーニング処理に至るまでのガスの予測消費量を、使用する処理レシピと成膜処理の回数とに基づいてガスの種類毎に算出する手段と、前記残量とガスの予測消費量とに基づいて次のクリーニング処理時に至るまでに原料容器が空になるか否かを判断する手段と、原料容器が空になると判断されたときにはアラームを発生する手段と、を備えている。従って、このアラームに基づいて原料容器が空になるタイミングを知ることができる。 （もっと読む）

【課題】障害の発生から解消に至るまでの時間を短縮することができる、基板処理装置および基板処理装置用の障害要因解明プログラムを提供する。
【解決手段】基板処理装置１で障害が発生した場合には、障害要因解析ツール（障害要因解明プログラム）を起動させれば、解析パターンファイル記憶領域２３（解析パターンファイルデータベース）からすべての解析パターンファイルが取得され、動作ログファイル記憶領域２２（動作ログファイルデータベース）が開かれて、すべての解析パターンファイルで定義されているキーワードの出現パターンと動作ログファイルとが照合され、ヒット率を含む解析結果が操作パネル３に表示される。 （もっと読む）

【課題】経時変化に伴う劣化が少ない膜を気相化学成長によって高速で形成することができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】互いに異なる原料ガスが供給され、該供給された原料ガスをそれぞれ異なる分解手法によって選択的に分解することにより、膜の形成に寄与する成膜前駆体をそれぞれ生成させる複数の分解室１０，２０と、前記複数の分解室がそれぞれ独立して連結されており、内部に基板が配置される成膜室３０と、を備え、前記複数の分解室でそれぞれ生成した前記成膜前駆体を含むガスを前記成膜室の内部に配置された基板４０にそれぞれ供給することにより、該基板の表面に膜を形成することを特徴とする成膜装置１。好ましくは、ＳｉＨ_４を含む第１の原料ガスと、ＮＨ_３を含む第２の原料ガスをそれぞれ供給して窒化シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 処理容器内におけるパーティクルの発生を抑制すると共に、処理容器内のクリーニング周期を延伸して成膜処理の生産性を向上させる。
【解決手段】 処理容器内に基板を搬入する工程と、処理容器内に処理ガスを供給して基板上に窒化膜を形成する処理を行う工程と、処理容器内から処理済基板を搬出する工程と、処理容器内に処理済基板がない状態で、大気圧未満の圧力に設定した処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して処理容器内に付着または堆積した物質を酸化させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】膜の成膜中に膜厚をリアルタイムにモニターすることが可能な成膜装置、成膜方法、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体を提供する。
【解決手段】開示する成膜装置２００は、真空容器１の天板１１に透過窓２０１を有しており、この透過窓２０１を通してサセプタ２上のウエハＷに光を照射することにより、上に成膜される膜の膜厚が測定される。具体的には、膜厚測定システム１０１は、透過窓２０１の上面に配置される３つの光学ユニット１０２ａから１０２ｃと、光学ユニット１０２ａから１０２ｃのそれぞれに光学的に接続される光ファイバ線１０４ａから１０４ｃと、これらの光ファイバ線１０４ａから１０４ｃが光学的に接続される測定ユニット１０６と、測定ユニット１０６を制御するため測定ユニット１０６と電気的に接続される制御ユニット１０８とを有している。 （もっと読む）

【課題】エラー解析のためのデータを効率的に収集し、エラー解析を高精度で行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板処理装置は、基板に処理を施す処理ユニット及び基板を搬送する搬送ユニットの状態及びこれらの動作を検出する検出部を有し、これらを制御する下位コントローラと、前記下位コントローラを制御する制御部及び前記検出部からの出力内容を表示する操作部を有する上位コントローラとを備える基板処理装置であって、前記上位コントローラは、前記検出部からの出力内容にエラーが含まれる場合には、前記下位コントローラにエラーを通知し、前記下位コントローラは、前記上位コントローラから前記操作部へのデータ転送周期よりも短い周期で、前記エラー通知前後の前記検出部からの出力内容を記憶する。 （もっと読む）

【課題】複数のフラッシュランプから基板に照射する光の発光出力の出力波形を自由に調整することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】コンデンサ９３ａとコンデンサ９３ｂとでは容量が異なり、コイル９４ａとコイル９４ｂとではインダクタンスが異なる。また、電源ユニット９５ａと電源ユニット９５ｂとでは印加電圧が異なる。このため、フラッシュランプＦＬ（Ａ）の発光出力の出力波形とフラッシュランプＦＬ（Ｂ）の出力波形とでは異なる。フラッシュランプＦＬ（Ａ）とフラッシュランプＦＬ（Ｂ）とを均一に分散配列するとともに、それらの発光タイミングを適宜ずらすことによって、異なる出力波形の発光を重ね合わせて、複数のフラッシュランプの全体から基板に照射する光の発光出力の出力波形を自由に調整することができる。 （もっと読む）

ガス配送システム内で粒子を削減させるための方法及び装置が、本明細書内に提供される。いくつかの実施形態では、半導体プロセスチャンバ用ガス配気装置（ガス配気プレート又はノズル等）の製造方法は、ガスが貫通して流れるように適合された１以上の開口を有するガス配気装置を提供するステップを含む。スラリーが１以上の開口を通して流され、これによって複数の開口の側壁から損傷面を除去する。いくつかの実施形態では、ガス配気装置は、１以上の開口を通してスラリーを流す前又は後に酸化されてもよい。いくつかの実施形態では、ガス配気装置は、所望の時間の間、ガス配気プレートにＲＦ電力を供給することによってコンディショニングされてもよい。
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【課題】処理装置に於いて、レシピに変動があった場合には、総時間、残時間が更新され、常に正確な総時間、残時間をオペレータが認識できる様にする。
【解決手段】被処理体を処理容器５内に収納し、前記被処理体に複数のステップを含むレシピに基づき所定の処理が施される処理装置に於いて、少なくとも前記レシピを構成する前記ステップの時間を記憶する記憶手段８と、前記ステップの移行を検知する検知手段７，９と、少なくともレシピ開始からの経過時間と現在以降の残時間の和である総時間を演算する演算手段７と、少なくとも総時間を表示する表示手段１７を具備し、前記検知手段が前記ステップの移行を検知した時点で、前記演算手段が未実行のステップの有無及びステップ数を確認し、各未実行ステップで設定された実行時間を加算して、前記演算手段が前記総時間及び残時間を演算して更新し、前記表示手段に更新した結果を表示する。 （もっと読む）