【課題】真空チャンバ内で複数枚の基板を同時に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、基板配置部材上に配置される複数枚の基板について、基板品質を向上させる。
【解決手段】基板配置部材上に配置される複数枚の基板の２次元画像を取得し、この２次元画像を用いて、異なる波長の反射光強度によって各基板上の膜厚情報を取得し、この膜厚情報をフィードバックして成膜することによって、膜厚分布を均一化し、平均膜厚の再現性を良好なものとし、２次元画像の反射光強度の二次元分布によって基板上に付着するパーティクルによる基板上の配置位置情報を取得し、この配置位置情報をフィードバックして基板の配置位置を制御することによって、パーティクルによる不良基板の発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】バイアスパワーを印加して、窒化珪素膜を成膜する際、基板周辺部におけるブリスタの発生を抑制する窒化珪素膜の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】半導体素子に用いる窒化珪素膜を、プラズマ処理により基板上に形成する窒化珪素膜の製造方法及び装置において、時間ｂ１において基板にバイアスを印加すると共に、バイアスを印加した後、時間ｂ３において、窒化珪素膜の原料ガスＳｉＨ₄の供給を開始する。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバの内壁に堆積する堆積膜を除去するためのクリーニングガスの使用量を削減する半導体製造装置のクリーニング方法、半導体製造装置、及び管理システムを提供する。
【解決手段】半導体製造装置のクリーニング方法は、処理チャンバ１０の内壁１０２に堆積した堆積膜３を除去するクリーニングガス４を、処理チャンバ１０の供給管１２からのクリーニングガス４の単位時間当たりの供給量が、処理チャンバ１０の排気管１６からのクリーニングガス４の単位時間当たりの排気量よりも多くなるよう、供給管１２を介して供給し、不活性ガス６を供給することにより、供給管１２内を不活性ガス６で満たすことを含む。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板に不純物が均一にドーピングされた炭化珪素膜を成膜することができる半導体製造装置及び基板の製造方法及び基板処理装置を提供する
【解決手段】反応室内に延在されて設けられる第１のガス供給ノズル６０及び第２のガス供給ノズル７０と、第１のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第２のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され1以上の第１のガス供給口６８を有する第１の分岐ノズルと、第２のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第１のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され、1以上の第２のガス供給口７２を有する第２の分岐ノズルとを備え、第１のガス供給口と第２のガス供給口とが基板の積層方向に隣接するように設けられた基板処理装置によって課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】厚みと組成の均一な膜を形成しやすい成膜装置を提供する。
【解決手段】大気圧下においてプラズマＰを生成する。このプラズマＰを用いて被処理物Ｗの表面に膜原料を付着させて成膜するための成膜装置Ａに関する。膜原料を含有する成膜ガスＣＧを流通させるための第１流路５。プラズマ生成ガスＰＧを流通させるための第２流路９。前記プラズマ生成ガスＣＧに電界Ｅを印加してプラズマＰを生成するための電極３。前記第１流路５と前記第２流路９とを合流させる合流部１４とを備える。前記第１流路５から前記合流部１４への前記成膜ガスＣＧの流入方向と、前記合流部１４での前記プラズマＰの流通方向とが略平行となるように前記第１流路５が前記第２流路９内に形成される。 （もっと読む）

【課題】支持機構の設置空間を極小化することで処理装置全体の小形化に貢献し、また、搬送アームとの間の移載時に起こる被処理体の位置ずれを格段に低減することができる被処理体の支持機構及び支持方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗと接触してこれを支持するリフトピン３８と、リフトピン３８を昇降させるモータ１００と、モータ１００を駆動する駆動制御装置２００と、からなるユニットをＮ組（Ｎは少なくとも３以上の整数）備え、駆動制御装置２００が、Ｎ組のそれぞれのリフトピン３８の先端から、搬送アーム１４に載置された被処理体Ｗまでの距離あるいは搬送アーム１４の被処理体Ｗの載置面までの距離、がすべて同じになるようにＮ組のモータ１００のそれぞれを独立して駆動してから被処理体Ｗを授受する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電極間に一様な電界分布を発生させる高周波プラズマ発生装置を得る。
【解決手段】非接地電極と接地電極から成る一対の電極と、非接地電極に設けられた複数の給電点と、複数の給電点から非接地電極に高周波電力を供給するための電力供給手段とを備え、非接地電極と接地電極に挟まれたプラズマ生成領域でプラズマを発生させる高周波プラズマ発生装置において、非接地電極は方形の形状を有し、複数の給電点は非接地電極の対称面に対して互いに対称な位置となるような非接地電極の端部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】大面積の良質な半導体膜を安定して簡便に作製することが可能な半導体膜の製造方法を得ること。
【解決手段】前記カソード電極上に堆積した半導体膜を前記カソード電極を加熱することにより加熱する工程と、前記加熱された半導体膜中から離脱した脱離水素原子量を前記カソード電極の温度に応じて複数回測定する工程と、前記脱離水素原子量の測定結果を分析して前記半導体膜の膜質を反映させて製膜条件を調整するための指標となる膜質情報を取得する工程と、前記膜質情報に基づいて前記半導体膜の製膜条件を第２の製膜条件に再設定する工程とを含む。 （もっと読む）

堆積プロセスのための方法および装置を、本明細書で提供する。いくつかの実施形態において、装置は、サセプタプレートの上面内に配設されるポケットを有し、かつ上面内に形成されポケットを取り囲むリップを有するサセプタプレートであって、リップがリップ上に基板を支持するように構成される、サセプタプレートと、ポケットからサセプタプレートの上面に延在し、基板がリップ上に配設されるとき、基板の裏側とポケットの間に閉じ込められるガスを排気する複数の通風口とを備える基板支持体を含むことができる。基板上に層を堆積するため、本発明の装置を使用する方法も開示される。 （もっと読む）

ウエハ処理プロセスおよび装置は、ウエハキャリア（８０）を備えている。ウエハキャリアは、ウエハ（１２４）を保持し、ウエハとウエハキャリアとの間の間隙（１３０）に充填ガスを注入するように構成されている。本装置は、ウエハの温度不均一の望ましくないパターンを緩和するために、充填ガスの組成、流量、またはそれらの両方を変化させるように構成されている。
（もっと読む）

【課題】膜質及びバリア性を改善する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、第１成膜ロール２０Ａ及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロール２０Ｂを含む成膜ロール２０と、第１対称面１８Ａが設定され、成膜ゾーン２２が設定され、第２対称面１８Ｂが設定されており、第１対称面内に配列される１本又は２本以上のガス供給管３２であって、成膜ゾーンと対向し、かつ第２対称面に対して鏡面対称に配列される１個又は２個以上のガス供給口を有するガス供給管を備えるガス供給部とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣの有限なメモリー容量に対して、その有限メモリー容量を超えるデータ量のプロセスパラメータを、スループットの低下を伴わずに実行する成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置を制御するＰＬＣシステムは、プロセスレシピが作成されるとともに、作成されたプロセスレシピが格納される操作用コンピュータと、操作用コンピュータに格納されているプロセスレシピのうち、次に処理が実行されるプロセスパラメータが順次転送される次レイヤー領域Ｐ３と、次レイヤー領域Ｐ３に格納されているプロセスパラメータが順次転送されるレイヤー領域Ｐ２と、レイヤー領域Ｐ２に格納されているプロセスパラメータのうち、次に処理が実行されるコマンドが順次読み込まれるステップ実行領域Ｐ１とを有して構成されており、ステップ実行領域Ｐ１に格納されたコマンドを順次実行して成膜処理が行われる。 （もっと読む）

プラズマ処理チャンバ内の温度を、短いコントローラ応答時間及び高い安定性で制御する方法及びシステムが提供される。温度制御は、処理チャンバへのプラズマ電力入力から導かれたフィードフォワード制御信号に少なくとも部分的に基づく。フィードフォワード制御信号は、プラズマ電力に起因する温度の擾乱を補償するものであり、計測温度と所望の温度との間の誤差を打ち消すフィードバック制御信号と組み合せることができる。 （もっと読む）

【課題】密封部材を介して蓋により処理管の炉口を確実に密封状態にする。
【解決手段】基板を載置するボートと、前記ボートを収納する処理管と、前記ボートが載置され前記処理管の下端に設けられた炉口を開閉する蓋と、前記処理管の下端面と前記蓋との間を密封する密封部材と、前記蓋を昇降させる昇降機構と、前記昇降機構を駆動するモータと、前記蓋の位置を検出する位置検出手段と、前記蓋が上昇して位置検出手段によって前記処理管の下端面から規定離間距離だけ離れた位置に前記蓋が位置したことが検出された後、前記蓋が上昇する際の前記モータが受ける負荷を監視し、前記モータが受ける負荷が規定負荷値に達したときに前記処理管が気密に密封されたと判定する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】１装置当たりの処理能力を増加する基板搬送装置。
【解決手段】半導体加工部品処理装置は第１チャンバと、搬送ビークルと、他のチャンバとを有している。第１チャンバは外部環境から隔離されることが可能である。搬送ビークルは第１チャンバ内に位置しており、第１チャンバから移動自在に支持されており、第１チャンバに対して直線状運動する。搬送ビークルはベースと、該ベースに運動自在に取り付けられて、該ベースに対して多アクセス運動が可能な統合した半導体加工部品移送アームとを有している。他のチャンバは第１チャンバに第１チャンバの閉鎖自在な開口部を介して連通自在に接続されている。開口部は搬送ビークルが第１チャンバと他のチャンバとの間で開口部を介して通行可能な大きさを有している。 （もっと読む）

【課題】回転浮上体の径方向の力と回転トルクとを同一の電磁石で制御することにより不要な外乱の発生を抑制することができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体に対して処理を施す処理装置において、処理容器と、被処理体を支持する非磁性材料よりなる回転浮上体と、回転浮上体に所定の間隔で設けられた磁性材料よりなる複数の回転ＸＹ用吸着体と、回転浮上体に周方向に沿って設けられた磁性材料よりなる浮上用吸着体と、処理容器の外側に設けられて浮上用吸着体に垂直方向上方に向かう磁気吸引力を作用させて回転浮上体の傾きを調整する浮上用電磁石群と、処理容器の外側に設けられて回転ＸＹ用吸着体に磁気吸引力を作用させて浮上された回転浮上体を水平方向で位置調整しつつ回転させる回転ＸＹ用電磁石群と、ガスを供給するガス供給手段と、被処理体に処理を施す処理機構と、装置全体の動作を制御する装置制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】記憶されている複数のファイルに対する操作権限を、より詳細に設定することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 制御プログラム４０において、権限記憶部４０８は、プロセスレシピ（ファイル）の編集タイプ（属性）に設定される各属性値に対する作業者の権限（ユーザ権限情報）を記憶する。レシピ記憶部４１０は、基板を処理する手順が記載され、複数の属性値のいずれかが設定されているプロセスレシピとしてのファイルを記憶する。権限設定部４０２は、ユーザ権限情報に基づいて権限設定画面を表示し、この権限設定画面を介した入力を受け付けてユーザ権限情報を更新する。レシピ表示部４０４はユーザからの操作を受け付けると、当該ユーザのユーザ権限情報に基づいてプロセスレシピの当該ユーザによる参照を制御する。同様に、更新制御部４０６は、ユーザ権限情報に基づいてプロセスレシピの当該ユーザによる更新を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置が備える処理モジュール毎のレシピ設定により生じる煩雑さやミスを軽減する。
【解決手段】本発明は、最終的な生産物や基板に対する処理を基準とした処理レシピの設定が可能な方法及びそれを可能にするユーザインターフェースを備えた基板処理設定支援装置を提供する。本発明によると、ユーザは、表示機器に表示された基板への処理ごとのレシピ設定、又は処理に係る処理モジュール毎若しくは処理に係る処理モジュール一括でのレシピ設定を行うことができる。さらに、本発明によると、ユーザは、入力したレシピ設定値に基づき、処理結果物の推定結果の情報を利用することができる。本発明により、基板処理装置が備える処理モジュール毎のレシピ設定により生じる煩雑さやミスを軽減することができる。 （もっと読む）

【課題】材料ガスの濃度をある設定濃度で一定に保っている際において、材料ガスの分圧が非常に低くなり、バルブの可動範囲内では材料ガスの分圧に対応した全圧を達成することができず、材料ガスの濃度を設定濃度で一定に保てなくなるような状況が生じることを防ぐことができる材料ガス濃度制御システムを提供する。
【解決手段】材料気化システム１００に用いられるものであって、前記導出管１２上に設けられる第１バルブ２３と、前記混合ガスにおける前記材料ガスの濃度を測定する濃度測定部ＣＳと、前記濃度測定部ＣＳで測定された前記材料ガスの測定濃度が、予め定められた設定濃度となるように前記第１バルブ２３の開度を制御する濃度制御部ＣＣと、前記タンク内の温度を設定温度となるように温調する温調器４１と、前記温調器の設定温度を設定する温度設定部４２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】空気によって少なくとも部分的に吸収される光を使用するよう設計され、かつ、より能率的なパージングシステムを有する、光学ツールのための方法を開発する。
【解決手段】試験体の測定のための方法において、該試験体の反射率測定データおよび分光偏光解析データを測定する工程と、該反射率測定データから、該試験体上に形成された窒化酸化物ゲート誘電体の厚さを判定する工程と、該厚さおよび該分光偏光解析データから、窒化酸化物ゲート誘電体の屈折率を判定する工程と、該屈折率から、該窒化酸化物ゲート誘電体の窒素濃度を判定する工程と、を含む。 （もっと読む）