【課題】ダブルパターニングプロセス中に基板の位置合わせをする方法を説明する。
【解決手段】少なくとも１つのアライメントマークを含む第１のレジスト層を基板上に形成する。この第１のレジスト層を現像した後、第１のレジスト層の上に第２のレジスト層を堆積し、それによって平坦な上部面を残す（すなわちトポグラフィがない）。第２のレジスト層を適切にベークすることによって、対称アライメントマークを第２のレジスト層内に、第１のレジスト層内のアライメントマークからのオフセットエラーなく、またはほとんどなく形成する。第２のレジスト内に形成されるアライメントマークの対称性は、第１および第２のレジスト層のそれぞれの厚さ、被覆プロセスパラメータ、およびベーキングプロセスパラメータを適切に調整することによって向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 従来の半導体装置の製造方法では、製造工程を煩雑とせず、遮光性の膜に対するアライメントマークを形成することが困難であるという問題があった。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法では、基板３、エピタキシャル層４に溝部９、分離用トレンチ１６を形成する工程を利用し、スクライブライン領域２にアライメントマーク形成用の溝部１５を形成する。溝部１５内には、ＨＴＯ膜１９、多結晶シリコン膜２０を堆積し、加工することで、アライメントマークとしての凹部２４、２５を形成する。この製造方法により、製造工程を簡略化し、アライメントマークを形成できる。 （もっと読む）

【課題】アライメント精度を高める。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０２と、基板１０２上に形成され、金属膜により構成されたアライメントマーク１１０と、アライメントマーク１１０上に形成され、アライメントマーク１１０の表面全体を覆うカバー絶縁膜１０４と、カバー絶縁膜１０４上に形成され、平面視において、アライメントマーク１１０上で開口するとともに端面１０８ａがアライメントマーク１１０の端面１１０ａと一致する開口部１０８が形成されたポリイミド膜１０６とを含む。 （もっと読む）

【課題】正確で高品質のアラインメントマークを基板に設ける方法及び装置などを提供する。
【解決手段】実施形態は、基板上にアラインメントマークのセットを提供する方法に関する。方法は、基板の層上に要素サイズの要素の第一パターンを露光し、第一パターン上に異なる要素サイズの要素の第二パターンを露光することを含む。第一パターンと第二パターンの要素が重なって、アラインメントマークのセットを形成し、その縁部は小型要素によって形成される。実施形態は、このようなアラインメントマークのセットを提供するように構成されたリソグラフィ装置にも関する。実施形態は、熱に関連する歪みを考慮するために、リソグラフィ装置を較正する方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】 多層構造を有する半導体装置の製造において、簡単に正確な層間位置合わせを実現する。
【解決手段】 第１の導体パターンを含む第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成され第２の導体パターンを含む第２の絶縁膜とよりなる積層構造上に、第３の導体パターンを形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記第１の導体パターンと前記第２の導体パターンとの間の第１の位置ずれ量を計測し、前記第２の導体パターンと前記第３の導体パターンとの間の第２の位置ずれ量を計測し、前記第２の絶縁膜上に前記第３の導体パターンを、エッチングにより形成し、前記第３の導体パターンと前記第１の導体パターンとの間の第３の位置ずれ量を、前記パターニングされた第３の導体パターンと前記第１の絶縁膜中に含まれる位置合わせマークを観察することにより計測し、前記第２の位置ずれ量を前記第１および第３の位置ずれ量に基づいて補正した補正位置ずれ量を求める。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成でありながら、貫通孔を使用することなく、基板の両面に形成されるパターンの位置決めを実行することが可能な、アライメントマーク形成装置を提供すること。
【解決手段】 アライメントマーク形成装置１０は、基板を載置するためのテーブル１１と、このテーブル１１上に載置された基板を位置決めするための３個の位置決めピン２１と、３個のアライメントマーク形成部５１と、傾斜板１２とを備える。アライメントマーク形成部５１は、テーブル１１上に載置された基板の表面側と裏面側に各々同軸上に配設された一対の露光部を備える。この一対の露光部は、基板の非有効領域に、ＵＶ光を照射することにより、アライメントマークを形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜上に高温アルミニウムスパッタ法により形成されるＡｌ膜に白濁が生じる。
【解決手段】シリコン酸化膜４４へ向けてアルゴンイオンによるスパッタエッチングを行い、先行するエッチバック処理等で生じたシリコン酸化膜４４の表面の微小な凹凸を平滑化する。しかる後、シリコン酸化膜４４の表面に高温アルミニウムスパッタ法によりアルミニウム膜を堆積する。これによりＡｌ膜の白濁が抑制され、これを用いて形成されるアライメントマークの反射率が確保される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、オーバーレイバーニアの側面に傾斜を形成してオーバーレイバーニア上に薄膜を容易に形成することができるフォトマスク及びこれを用いた半導体素子のオーバーレイバーニア形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。
【解決手段】 露光が透過し得る第１の物質で形成されたレチクルと、前記レチクル上に形成され、露光が透過し得ない物質で形成された第１のパターン及び前記第１のパターンよりもサイズが小さい第２のパターン及び前記第１のパターンと接するように形成され、前記レチクルの前記第１の物質と異なる第２の物質で形成される補助パターンとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マークの形状がばらつくことを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁膜８に接続孔８ａを形成し、かつ複数のダミー接続孔８ｂを、絶縁膜８の一部であるマーク形成領域の全域に分布するように形成する工程と、第１の導電膜９を形成する工程と、絶縁膜８上に位置する第１の導電膜９をＣＭＰ法により除去することにより、接続孔８ａ内に導電プラグ９ａを埋め込み、かつマーク形成領域に位置する絶縁膜８の上部及びダミー接続孔８ｂ内の第１の導電膜９ｂの上部をエロージョンを利用して除去することにより、マーク形成領域に第１の凹部８ｃを形成する工程と、第２の導電膜１０を形成する工程とを具備し、第２の導電膜１０を形成する工程において、第１の凹部８ｃ上に位置する第２の導電膜１０の表面には、マークとなる第２の凹部１０ｃが形成される。 （もっと読む）

【課題】 従来技法の欠点を解決すべく非対称なターゲットの測定やモデル化、ターゲットジオメトリ（幾何学構造）の特殊な設計および/または微妙な調整を可能にするアライメントシステムを提供すること。
【解決手段】 １つまたは複数のサブターゲットをアライメントターゲット上に形成することによってアライメントターゲットにジオメトリデザインを持たせ、アライメントシステムにより１つまたは複数のサブターゲットの全てに関してアライメントを実施し、プロセスのキャラクタライズとアライメントシステムのアライメントの計算のためのアルゴリズムを使用する。 （もっと読む）

【課題】 アライメントマークを良好に形成する。
【解決手段】 下地部材上にアモルファスシリコン膜が形成された加工対象物を準備する。アモルファスシリコン膜の第１の位置の輝度を検出する。検出された第１の位置の輝度に応じたパワー密度及び照射時間で、第１の位置にレーザビームを照射してアライメントマークを形成する。 （もっと読む）

【課題】子バーニアを形成するための露光工程時に段差によるパターン不良が生じるのを防止し、整列度を正確に測定できる半導体素子のオーバーレイバーニアとその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００のスクライブ領域に内部空間を有し、枠部分が突出した四角枠状の親バーニア１０１が設けられている。この親バーニア１０１の内部空間に形成された親バーニア上端部と同じ高さの子バーニアパッド１０３を有し、この子バーニアパッド１０３上に形成された子バーニア１０４を有して構成されている。すなわち、親バーニア１０１の内側領域に形成した子バーニアパッド１０３上に子バーニア１０４を形成することで、半導体基板１００のスクライブ領域に形成された親バーニアパターンの段差をなくす。それによって、子バーニア１０４を形成するための露光工程時に段差によるパターンの不良を防止して整列度を正確に測定することができる。 （もっと読む）

【課題】不透明層で覆われた層におけるアライメントマークを使用可能とする方法を提供する。
【解決手段】基板は第１のマーク及び第２のマークを備える。第１のマークは、第１の材料で形成された少なくとも１つのマーク部と第２の材料で形成された少なくとも１つの区域とを備える。第１の材料と第２の材料とは、所定の基板処理工程がなされることにより少なくとも１つのマーク部と少なくとも１つの区域との間に基板表面に実質的に垂直な方向の段差が形成され得るように該基板処理工程について異なる材料特性を有する。第２のマークには、該基板処理工程により第２の段差が設けられ得る。第２の段差の高さは第１の段差の高さとは実質的に異なる。 （もっと読む）

【目的】高精度なアライメントマークを形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、ＳｉＯ_２膜２１０に開口部を形成する開口部形成工程（Ｓ１０４）と、開口部にアライメントマーク用のＷを埋め込む埋め込み工程（Ｓ１０８）と、Ｗが埋め込まれた基板上にＡｌ膜２６０を形成する膜形成工程（Ｓ１１６）と、Ｗが埋め込まれた位置を含む所定の領域上に形成されているＡｌ膜２６０に加工光１６０を照射して、所定の領域上にＡｌ膜２６０の一部が残留膜３２０として残る程度にＡｌ膜２６０を除去する除去工程（Ｓ１２２）と、残留膜３２０をエッチングするエッチング工程（Ｓ１２６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 液浸露光装置を構成するステージ上に設けられる透過性材料から成る基板に設けられる遮光性材料から成る遮光部が、基板の外周端部において露出されないため、液浸液の汚染を防止するマーク基板およびそのマーク基板の製造方法，マーク基板を有するステージを有する液浸露光装置、その液浸露光装置を用いるデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】液浸露光装置を構成するステージ上に設けられる透過性材料から成る基板部１０１と、基板部１０１上にマークを形成するように設けられる遮光性材料から成る遮光部１０２と、基板部１０１および遮光部１０２をカバーする透過性材料から成るカバー膜１０４と、を有し、基板部１０１の外周端面１０１ａに遮光部１０２が露出されないマーク基板、そのマーク基板の製造方法、マーク基板を有するステージを有する液浸露光装置、その液浸露光装置を用いるデバイス製造方法。 （もっと読む）

【課題】埃等の不着の無い部分から基準パターンの抽出を行えるようにする。
【解決手段】実質的に同一の加工が施された複数の所定領域を有する物体上の該所定領域内に任意に設定される該所定領域よりも小さい面積を有する被計測領域内でユニークな信号特徴を有する基準パターンを抽出する基準パターン抽出方法である。前記複数の所定領域のうち任意に選択される第１所定領域内で、前記被計測領域の信号情報を計測する工程（Ｓ１２）と、この工程で計測された信号情報に基づいて、前記被計測領域内でユニークな信号特徴を有する候補パターンを抽出する工程（Ｓ１７）と、前記複数の所定領域のうちの前記第１所定領域とは異なる第２所定領域内で、前記被計測領域を計測する工程Ｓ２２と、この工程で計測された信号情報に基づいて、前記候補パターンに対応する比較パターンを抽出する工程Ｓ２３と、前記比較パターンに基づいて、前記候補パターンの前記基準パターンとしての適性を判断する工程Ｓ２５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】
下層合わせマークとホトレジストの間に、可視光に対し不透明な金属膜が介在した場合、下層合わせマークが検出できなくなり、パターン形成を困難にする問題を解決する。
【解決手段】
合わせマークの下に絶縁膜が位置する構成とし、マークホール内に合わせマークと絶縁膜の多層膜から成る、段差が拡大された合わせマークを自己整合で予め形成しておき、その上に対象とする金属膜を形成する。金属膜自身が合わせマークを反映する段差を有しているので、確実な合わせを可能とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面に、モールドよりも大面積のパターンを、少ない繋ぎ目で、あるいは繋ぎ目を無くして作製することが可能となるインプリント用モールドを提供する。
【解決手段】複数の第１の凹部により構成される第１のパターン領域と、複数の第２の凹部により構成され、アライメントマークとして利用するための第２のパターン領域と、を有するインプリント用モールドであって、
前記第１及び第２のパターン領域の最表面の高さは互いに等しく、
前記第１及び第２の凹部は、互いに深さが異なり、且つ
前記第１及び第２のパターン領域の周期は互いに等しい構成とする。 （もっと読む）

【課題】ビアファーストデュアルダマシンプロセスを用いた半導体装置の製造における、配線マスク工程で使用するアライメントマークの視認性を高める。
【解決手段】アライメントマークを不透明な金属や金属化合物を含んで形成し、アライメントマークのパターン開口領域と非開口領域とに色彩が相違して視認される材料を配置することにより、高い視認性のアライメントマークを得ることが可能で、マスク工程の合わせずれを低減させ、デバイスの歩留まりおよび信頼性を向上することができる。
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【課題】シリコン薄膜層を積層したウェハに、シリコン層の酸化により位置合せに用いる十分な段差を確保したアライメントマークを形成する手段を提供する。
【解決手段】支持基板２にシリコン薄膜層を積層したウェハ１を準備する工程と、アライメントマーク形成領域６を設定し、膜厚調整酸化層７を形成する工程と、レジストマスク８を形成し、膜厚調整酸化層７をエッチングしてシリコン薄膜層を露出させる工程と、エピタキシャル成長法によりシリコン結晶層１１を形成する工程と、このシリコン結晶層１１上に耐酸化性膜１４を形成する工程と、耐酸化性膜１４上にマーク開口部１０を形成したレジストマスク８を形成し、このレジストマスク８をマスクとしてアライメントマーク形成部５の耐酸化性膜１４を除去する工程と、耐酸化性膜１４をマスクとしてシリコン結晶層１１およびシリコン薄膜層を酸化してアライメントマークを形成する工程とを備える。 （もっと読む）