【課題】下層および上層に形成したデバイスパターン間のズレ量を現状で実施されている方法よりも高精度に計測可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、パターン形成工程と、開口部形成工程とを含む。パターン形成工程では、第１層に位置ズレ計測用のパターン１１１と第１パターン１０１とを形成する。開口部形成工程では、前記第１層よりも上層に積層した第２層１０３に前記位置ズレ計測用のパターン１１１を露出させる開口部と第２パターン１０２とを形成する。 （もっと読む）

【目的】ＳＯＮ構造上に素子を形成する場合や繰り返しのエピタキシャル成長で素子を形成する場合に正確な位置あわせをすることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコンウェハ１のダイシングライン４などの無効領域の内部にＳＯＮ構造１１のアライメントマーク９を形成し、このアライメントマーク９を赤色レーザ（透過型レーザ）の反射光１６の変化で認識することで、図示しないＳＯＮ構造２３上に素子を形成する場合や繰り返しのエピタキシャル成長で素子を形成する場合に正確な位置合わせをすることができる。 （もっと読む）

【課題】より視認が容易なアライメントマークを簡素な工程で形成することが可能な、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板ＳＵＢの主表面上に、主表面に対して段差を有するパターンＭＫが形成される工程と、パターンＭＫ上に、半導体材料を含む第１の半導体層ＰＳ１が形成される工程と、第１の半導体層ＰＳ１上に、半導体材料を含む第２の半導体層ＰＳ２が形成される工程と、第２の半導体層ＰＳ２上にレジストパターンＲＳが形成される工程とを備えている。レジストパターンＲＳが形成される工程において、パターンＭＫが位置合わせマークとして用いられる。 （もっと読む）

【課題】位置合わせ測定の精度を向上する。
【解決手段】１つの実施形態によれば、位置合わせ測定方法では、測定光学系の測定領域内が２次元的に分割された複数の部分領域のそれぞれに位置合わせ測定用マークが位置するように前記位置合わせ測定用マークに対する前記測定領域の相対的な位置を順次にシフトさせながら前記位置合わせ測定用マークの位置合わせずれ量を予め測定して、前記測定光学系の特性ずれに関する装置要因誤差を前記複数の部分領域のそれぞれごとに求め、前記複数の部分領域ごとに求められた前記装置要因誤差に基づいて前記複数の部分領域のうち使用すべき部分領域を決定し、前記決定された前記使用すべき部分領域に前記位置合わせ測定用マークが位置するように前記位置合わせ測定用マークに対する前記測定領域の相対的な位置をシフトさせた状態で前記位置合わせ測定用マークの位置合わせずれ量を測定する。 （もっと読む）

【課題】 コスト上昇を招くことのない方法によってウェーハ上に形成される露光ショットの配列誤差を低減し、ショットエリアの大きさが異なる露光装置を混用しても上下のマスクパターンの重ね合わせ精度が向上できるフォトリソ工程を提供する。
【解決手段】 露光装置に露光ショットの配列誤差測定用マークを備えたフォトマスクを装着し、ウェーハ上に前記マークのレジストパターンを形成した後、前記マークを用いて露光ショット配列誤差に基づくズレに関する量を測定する。次に測定した量を上下パターンレイヤの重ね合わせ誤差と見なした時の誤差成分を算出し、さらにこの誤差成分から露光ショット配列誤差に関する誤差成分を算出する。次にこの結果を判定し、誤差成分値が所定の基準を満たさない場合は算出した露光ショット配列に関する誤差成分値を用いて露光装置のパラメータを補正し、基準を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】撮像されたデバイス・パターンを使用して、ダブル・パターニング・プロセス等の、半導体製造技術における異なる層間のオーバレイを測定するシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】パターン特徴の画像が走査型電子顕微鏡法により取得される（７００）。画像内のパターン化層に対するパターン特徴の位置を使用してパターン化層の位置が決定される（７０４）。他のパターン特徴またはパターン化層に関するパターン化層の相対的位置が、決定されたパターン位置に基づいてベクトル形式で決定される（７０８）。相対的位置とデザインまたはシミュレーションからの基準値との比較に基づいてオーバレイ・エラーが決定される。オーバレイはパターン対称性を利用して高い精度および正確さで測定することができる（７１２）。 （もっと読む）

【課題】粗面を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）加工時の改良された光学アライメント方法を提供する。
【解決手段】この方法では、二乗平均平方根（ＲＭＳ）表面粗さσ_ｓを有する少なくとも一つの粗面化アライメントマークがウエハ上に形成される。粗面化アライメントマークは、ウエハアライメントマークが位置するＬＥＤ１０の表面をプラズマエッチングによって粗面化する際に形成される。また、この方法では、約２σ_ｓから約８σ_ｓの範囲の波長λ_Ａを有するアライメント光を利用して、少なくとも一つの粗面化ウエハアライメントマークが結像される。また、この方法では、検出画像がアライメント対照と比較されてウエハアライメントが確立される。ウエハアライメントが一旦確立すれば、ｐ型コンタクト９０ｐ及びｎ型コンタクト９０ｎをＬＥＤの上面の適切な位置にそれぞれ形成することができる。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの配置制約を緩和し、アライメントマークを容易に配置しうるとともに、製品チップの収率低下を抑制しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成されたアライメントマーク上に、前記アライメントマークのマーク機能領域内にパターンのエッジを有し、前記アライメントマークが露光装置の画像検出器により前記アライメントマークとして認識されるのを阻害する阻害パターンを配置する。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークが複数のショットに跨って形成されている場合、完成形であるアライメントマークをＣＡＤデータから作成するためにはユーザ自身の手作業が求められる。
【解決手段】１つのアライメントマークが複数のショットに跨って作成される場合に、各アライメントマークに関連する複数のショットのＣＡＤデータを相互の位置関係に応じて合成し、アライメントマークの完成形を含む合成ＣＡＤデータを自動的に作成する。 （もっと読む）

【課題】製造工程が増加したり複雑化したりすることなく、ＳｉＣ半導体基板とマスクとの位置合わせを高精度に行うことができるＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】アライメントマーク形成領域Ｒ１に、開口部の形状が、オフ方向に対して対称であり、かつオフ方向の最も下流側に位置する部分に頂点を有する多角形状とされており、アライメントマークとなるトレンチ１２を形成するトレンチ形成工程と、トレンチ形成工程を行った後、ＳｉＣ半導体基板１０に対して、エピタキシャル層１３を成長させるエピタキシャル層成長工程、または熱処理する熱処理工程の少なくともいずれか一方を行う工程と、エピタキシャル層成長工程または熱処理工程の少なくともいずれか一方の工程を行った後、アライメントマークを基準としたマスク合わせによってＳｉＣ半導体基板１０にマスクを配置する工程と、を含むＳｉＣ半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 基板のステージ載置後の相対位置を求めて簡単に精密な位置決めを行う。
【解決手段】 基板位置決め装置は、ステージ５とステージ移動機構５１とカメラ６より構成され、カメラ６に基板Ｗの表面が撮像される。低倍率でアライメントマーク２０４を撮像した基板回転中心位置情報を用いるセンタリング処理によって基板Ｗの回転中心位置を位置補正する。次に、ステップＳ１８において、低倍率で撮像したアライメントマーク２０５とスクライブライン領域２０３を用いた基板端部位置情報から基板Ｗの位置を計測し、その計測結果に基づいてステップＳ２０において基板Ｗの回転角度補正を行う。つづいて、ステップＳ２１において傾斜角度補正を行う。そして、ステップＳ２２において、セットされた高倍率にてアライメントマーク２０４を撮像し、アライメントマーク２０４の重心位置を計算して基板の位置を補正して、基板の位置決めを行う。 （もっと読む）

【課題】詳細かつ正確な検査用マークの測定を容易に行なうことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成され、素子形成領域と、この素子形成領域を囲むように配置されたダイシングライン領域とを備える半導体装置であって、ダイシングライン領域では、異なるショットで形成された第１および第２の重ね合わせ検査マーク１５が形成され、第１および第２の重ね合わせ検査マーク１５は、第１および第２の重ね合わせ検査マークを識別するための補助マーク１８を含む。 （もっと読む）

【課題】ウエハのアライメントを行う際に、精度の向上と共に処理時間の短縮を図る。
【解決手段】露光装置において基板に設けられたマークの位置を検出するマーク位置検出装置であって、解像度及び読み出し領域が変更可能な撮像素子と、マークから反射される光を撮像素子に導く光学系と、撮像素子の出力に基づいてマークの位置を検出する制御手段とを有し、該制御手段は、第１の解像度及び第１の読み出し領域に設定された撮像素子の出力に基づいて第１の位置検出Ｓ３２を行い、該第１の位置検出Ｓ３２の結果に基づいて第１の読み出し領域よりも狭範囲で、かつ第１の読み出し領域内にある第２の読み出し領域に設定し、第１の解像度よりも高解像な第２の解像度及び第２の読み出し領域に設定された撮像素子の出力に基づいて第２の位置検出Ｓ３９を行う。 （もっと読む）

【課題】基板上のマークの位置をより短い時間で検出し、基板へのパターンの転写のために要する時間を削減する。
【解決手段】原版のパターンを基板の複数のショット領域に順に転写する。各ショット領域は、チップ領域１０２ａとそれを取り囲むスクライブライン領域Ｓ１とを含む。露光装置は、走査方向に駆動されている基板における隣接する第１スクライブライン領域Ｓ１、第２スクライブライン領域Ｓ２を同時に観察し、前記第１スクライブライン領域、前記第２スクライブライン領域にそれぞれ配置されている第１マーク１０４ａ、第２マーク１０４ｂからの光を検出する検出器と、前記検出器から出力される検出信号を処理して前記第１マーク、前記第２マークの位置を決定する処理部とを備える。前記基板は、前記第１マークおよび前記第２マークの位置に基づいて位置決めされ、露光される。 （もっと読む）

【課題】デバイスの性能に影響を与えず、高精度の検出が可能なアライメントマークを形成することができるデバイスの製造方法の提供。
【解決手段】上層側の第１の膜が、下層側の第２の膜に対するエッチングに耐性を有する材料で構成される積層膜を形成する工程と、素子形成領域及びアライメントマーク形成領域の前記第１の膜をパターニングする工程と、少なくとも前記アライメントマーク形成領域の前記パターニングした第１の膜近傍を除く領域を、前記第２の膜に対するエッチングに耐性を有する材料で保護する工程と、前記パターニングした第１の膜をマスクとして、前記第２の膜を選択エッチングするエッチング工程と、を少なくとも有し、前記パターニングした第１の膜の周囲を掘下げることにより、前記第１の膜からなるアライメントマークの段差を増大させる。 （もっと読む）

【課題】露光工程のスループットを高く維持して、アライメントを高精度に行う。
【解決手段】複数のウエハマークが形成されたウエハを露光する露光システムにおいて、計測対象のウエハマークに対応させてウエハＷ２上に複数の基準パターンを形成する簡易型露光装置４と、ウエハＷ２上の計測対象の複数のウエハマークとこれに対応する基準パターンとの位置ずれ量を計測するマーク検出装置１０と、その位置ずれ量の計測結果に基づいてウエハＷ２の位置合わせを行って、ウエハＷ２上の複数のショット領域を露光する露光装置１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 改良されたマーカの形態、特にアラインメント及びオーバレイマーカ、及び基板上にこれらのマーカを形成する方法を提供する。
【解決手段】 第一に、プロダクトフィーチャと同等のピッチＰ１を有する２つの化学的に異質のフィーチャタイプのパターンを形成する。次にこのパターンを、パターンより大きいピッチＰ２を有する所望のマーカの形態のレジスト１１によってマスキングする。最後に、２つのフィーチャタイプの一方を、開放領域内で選択的にエッチングする。その結果は、長い波長の放射で読み取るのに適切な大きいピッチＰ２を有するマーカであるが、フィーチャの縁部は、プロダクトフィーチャと同等のピッチＰ１を有する露光ステップで画定される。 （もっと読む）

【課題】 良好なアライメント再現性を提供すること。
【解決手段】 デバイスを製造するための方法には、基板を提供する工程であって、基板が複数の露光フィールドを備え、個々の露光フィールドが１つまたは複数のターゲット部分および少なくとも１つのマーク構造を備え、マーク構造が露光フィールドのための位置マークとして配置される工程と、対応する個々の露光フィールドのためのアライメント情報を得るために個々の露光フィールドのマークをスキャンし、かつ、測定する工程と、対応する個々の露光フィールドのためのアライメント情報から個々の露光フィールドの絶対位置を決定する工程と、露光フィールドおよび少なくとも１つの他の露光フィールドの互いに対する相対パラメータに関する追加情報を使用して、少なくとも１つの他の露光フィールドに対する個々の露光フィールドの相対位置を決定する工程と、複数の露光フィールドの各々に対して、絶対位置および決定された相対位置を結合して改良型絶対位置にする工程が含まれている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上における同層のショット間の位置の合わせずれ量を高精度で測定及び検出できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、ウェハ状の半導体基板における、第１の露光でパターニングされる少なくとも１つのチップ領域１の周縁部に、第２の露光によって二重露光されてなり、第１の露光及び第２の露光における縦方向又は横方向の互いの位置の合わせずれ量を電気的に測定する検査用評価素子５ａｂを有している。検査用評価素子５ａｂは、第１の露光によって形成される第１の配線パターン５ａと、第２の露光によって形成される第２の配線パターン５ｂとから形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＭＥＭＳ、半導体等の製造に用いるマスクレス露光装置およびマスクレス露光方法に関し、投影パターンの大きさに応じて投影倍率を可変にした場合であっても精度よく投影パターンを形成することを目的とする。
【解決手段】 基板を支持するステージと、前記基板に投影する所望の投影パターンを外部信号の入力により生成する空間光変調部と、対物レンズを備え前記投影パターンを前記基板に投影する投影光学系と、前記対物レンズを介して前記基板に形成された位置合わせマークを検出する観察光学系とを有するマスクレス露光装置であって、前記投影光学系は、投影倍率を変更可能に前記対物レンズが構成されてなるとともに、前記投影倍率を変更する毎に、前記位置合わせマークを予め設定した指標又は予め特定した前記投影パターンの中心位置に対して位置合わせする機構を有することを特徴とする。 （もっと読む）