【課題】物体上に形成された複数の基準マークの位置検出精度を維持しながら検出時間の短縮を図る。
【解決手段】実測すべき基準マークの各々を対象マークとしながら評価値を求め、それらの評価値に基づき基準マークの補間位置情報が実測位置情報と一致することの確からしさを評価する。そして、最良評価値≦しきい値を満足する場合、つまり一の基準マークの位置情報を他の基準マークの位置情報から高い確からしさで補間できる場合、実測すべき基準マークから一の基準マークを除外する。このため、２枚目以降の基板については、高い検出精度を保ちながら実測すべき基準マークの個数を低減することができ、スループットを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ショット領域間の相対位置の計測を容易に行いうるインプリント装置を提供する。
【解決手段】 インプリント装置は、基準マークが形成されたモールドを保持する支持体と、各ショット領域に第１マーク及び第２マークが形成された基板を保持する基板ステージと、前記各ショット領域に形成された前記第１マーク及び前記第２マークと前記モールドに形成された前記基準マークとを検出することによって前記各ショット領域間の相対位置を計測する検出器とを備える。前記検出器は、隣接しあう２つのショット領域のそれぞれに形成された隣接しあう前記第１マーク及び前記第２マークそれぞれの前記基準マークに対する位置を検出することによって、隣接しあう前記２つのショット領域間の相対位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光ビーム方式において発生する被描画体の描画パターンの変形を簡単な方法で、短時間で補正できる露光装置及び露光方法を提供する、あるいは、本発明の露光装置または露光方法を用いることでスループットの高い表示用パネル基板製造装置または表示用パネル基板製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、光ビームを光ビーム照射装置で照射し、前記基板へ描画する描画データを作成し、前記基板にパターンを描画するに際し、前記基板に設けられた複数のアライメントマークを撮像し、前記描画データの作成は、前記描画する描画点に対応して前記複数のアライメントマークで結ぶ辺に対して予め規定される前記描画点の座標比率に基づいて前記描画点の位置を決め、前記描画データを作成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スループットの低下を低減しつつ、レシピに登録された座標と実際の座標とのずれを自動的に補正する。
【解決手段】基板Ｗにおけるモデルの検査・測定座標を記憶したレシピに基づいて搬送ステージ１３上に載置された基板Ｗにおけるモデルを検査・測定する基板検査・測定装置１０は、搬送ステージ１３上に載置された基板Ｗにおけるモデルの実座標を特定し、特定した実座標をレシピに登録する（ステップＳ１１４、Ｓ４１５）。 （もっと読む）

【課題】計測装置のうち光学系の像面側に配置する部分の構成を簡素化して、光学系の光学特性を計測する。
【解決手段】特性計測装置２０において、投影光学系ＰＬの物体面及び像面側に配置されるＬ＆Ｓパターン２１Ａ及びＬ＆Ｓパターン２３Ａと、Ｌ＆Ｓパターン２１Ａ及び投影光学系ＰＬを介してＬ＆Ｓパターン２３Ａを照明する照明光学系ＩＬＳと、Ｌ＆Ｓパターン２３Ａからの反射光を投影光学系ＰＬ及びＬ＆Ｓパターン２１Ａを介して受光する受光系３０と、を備え、Ｌ＆Ｓパターン２１Ａの像とＬ＆Ｓパターン２３Ａとを相対移動したときに受光系３０から得られる検出信号に基づいて投影光学系ＰＬの結像特性を求める。 （もっと読む）

【課題】被検光学系の開口数が大きい場合にも、被検光学系の光学特性を正確に計測する。
【解決手段】特性計測装置２０において、投影光学系ＰＬの物体面及び像面に配置されるＬ＆Ｓパターン２１Ａ及びＬ＆Ｓパターン２３Ａと、Ｌ＆Ｓパターン２１Ａ及び投影光学系ＰＬを介してＬ＆Ｓパターン２３Ａを照明する照明光学系ＩＬＳと、Ｌ＆Ｓパターン２３Ａを通過した光の開き角を小さくする蛍光膜２４と、蛍光膜２４を通過した光を集光して検出するコンデンサーレンズ３２Ａ〜３２Ｅ及び光電検出器３３Ａ〜３３Ｅと、光電検出器３２Ａ〜３３Ｅの検出信号に基づいて投影光学系ＰＬの光学特性を求める計測部１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＴＲ計測に用いるマークの微細化に伴い複数の対の同時計測が困難である。
【解決手段】原版ＲＴまたは原版ステージＲＳに配置された原版側指標板ＲＦＰと基板ステージＷＳに配置された基板側指標板ＷＦＰとを用いて前記原版ステージと前記基板ステージとの相対的な位置関係を投影光学系ＰＯを介して計測する計測器１Ｌと、前記投影光学系を制御する制御部ＣＮＴとを備える。前記原版側指標板は第１原版側マークおよび第２原版側マークを含み、前記基板側指標板は第１基板側マークおよび第２基板側マークを含む。前記制御部は、前記第１原版側マークおよび前記第１基板側マークを用いて前記原版ステージと前記基板ステージとの相対的な位置関係を計測すると同時に前記第２原版側マークおよび前記第２基板側マークを用いて前記原版ステージと前記基板ステージとの相対的な位置関係を計測することができるように、前記投影光学系の像特性を制御する。 （もっと読む）

【課題】露光時の転写パターンの補正を簡単な手法で且つ十分な精度で行う。
【解決手段】所定間隔で配置された同一形状の複数の単位パターンを内部パターンに含むフォトマスクを介して投影される転写パターンのうち、単位パターンの所定箇所の転写パターンである特定転写パターンを、２つ以上の単位パターンについて判定する特定転写パターン判定部２２を有する。特定転写パターンどうしの相対位置と当該相対位置の規定値との比較に基づいて、フォトマスクを介して投影された転写パターンと、規定の転写パターンと、の誤差を演算する誤差演算部２３を有する。演算された誤差に基づいて、転写パターンを補正するための補正用パラメータを演算する補正用パラメータ演算部２４と、補正用パラメータを用いて、転写パターンが補正されるように露光の条件を補正する補正制御部（露光制御部２７）を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、露光の精度を高めることを目的とする。
【解決手段】第１露光及び第２露光のそれぞれを、複数の光ビームを照射する露光ヘッド１６の走査露光によって行う。一対の第１膜マーク３２を含むように第１膜パターン３０を形成する。一対の第２膜マーク５０を含むように第２膜パターン４８を形成する。位置ずれを検出する工程は、それぞれの第１膜マーク３２の中心点の位置の測定と、それぞれの第２膜マーク５０の中心点の位置の測定と、一対の第１膜マーク３２の中心間を結ぶ第１直線と副走査方向に沿った基準直線との間の第１角度の算出と、一対の第２膜マーク５０の中心間を結ぶ第２直線と基準直線との間の第２角度の算出と、を含む。調整の工程は、第１角度及び第２角度の差をなくす方向に、第１露光及び第２露光の少なくとも一方で使用される露光ヘッド１６を回転させることを含む。 （もっと読む）

【課題】パターンの描画を精度よく、かつ、効率よく行う。
【解決手段】パターン描画装置１は、描画ヘッド４１を支持するヘッド支持部１２と、アライメントカメラ５１，５２を支持するカメラ支持部１３，１４との間の主走査方向の距離の変動を取得する測定部７１を備える。複数の基板９に対するパターンの描画の際には、描画ヘッド４１およびアライメントカメラ５１，５２の間の主走査方向における距離としてパターン描画時に参照される参照距離が準備され、各基板９に対するパターン描画時に、測定部７１により、ヘッド支持部１２およびカメラ支持部１３，１４の間の主走査方向における距離の変動が、描画ヘッド４１およびアライメントカメラ５１，５２の間の主走査方向における距離の変動として取得され、測定部７１からの出力に従って参照距離が初期値から更新される。これにより、パターンの描画を精度よく、かつ、効率よく行うことが実現される。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された下地パターンの上に新たなパターンを露光する際、下地パターンの位置ずれ量が基板内で場所によって異なっても、新たなパターンを基板全体に渡って下地パターンに合わせて露光する。
【解決手段】下地パターンが形成され、下地パターンの上にフォトレジストが塗布された基板１の表面を複数の区画に分割し、分割した区画毎に下地パターンの位置を検出し、検出結果に基づき、分割した区画毎の下地パターンの位置に応じて、描画データを作成する。基板１をチャック１０で支持し、チャック１０をＸステージ５により移動し、光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する光ビーム照射装置２０からの光ビームにより基板１を走査して、基板１にパターンを描画する。 （もっと読む）

【課題】精度よくアライメントできるアライメント装置及びアライメント方法並びにそれらを用いて高精度に蒸着できる有機ＥＬデバイス製造装置及び成膜装置を提供することである。
または、アライメントに必要な駆動部等を大気側に配置することで真空内の粉塵や発熱を低減した生産性の高い、あるいは、保守性を高めて稼働率の高い有機ＥＬデバイス製造装置及び成膜装置を提供することである。
【解決手段】シャドウマスクはアライメント用の貫通孔を有し、アライメント部は、前記貫通孔の一端側から光を入射する光源と前記他端を撮像する撮像手段とを有するアライメント光学系と、前記撮像手段の出力に基づいてアライメントを行なう制御部とを有することを特徴とする。さらに、上記特徴に加え、前記貫通孔は前記シャドウマスクの前後に貫通した孔であり、前記アライメント光学系は前記少なくとも前記基板への処理時に前記貫通孔への処理材の付着を遮蔽する遮蔽手段を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォーカス検出に要する時間の短縮に有利な露光装置を提供する。
【解決手段】物体面に配置されたレチクルのパターンを像面に配置された基板に投影する投影光学系を備える露光装置であって、前記基板を保持するステージに配置された位相シフト型のマークと、前記物体面又は前記物体面と光学的に共役な位置に配置され、前記投影光学系を介して前記マークの像を撮像する撮像素子と、前記撮像素子で撮像された前記マークの像のうち一対のエッジ部によって形成されるエッジ像の間隔に基づいて、前記マークの前記投影光学系の光軸方向の位置を算出する算出部と、を有することを特徴とする露光装置を提供する。 （もっと読む）

【目的】下層工程をスキャナ型の露光装置で行い、上層工程を一括型露光装置で行うハイブリッド処理において、ショット形状歪みの直交成分や面内方向の倍率差を補正することが可能であり、重ね合わせ精度の高いアライメント方法を提供する。
【解決手段】レチクルの回路パターンの周囲の、走査露光によって二重露光される領域内であって回路パターンに関して互いに対応する位置に、各々が第１及び第２のマークからなる複数のマーク対を設け、上記レチクルを用いて第１露光工程を行い、形成された複数のマーク対から線形歪みを算出して記憶する予備的ステップと、上記レチクルを用い、当該記憶された上記線形歪みに応じて、上記走査露光における露光ショットの線形度を変化させて上記第１露光工程を実行する第１露光ステップと、上記第２露光工程を実行する第２露光ステップと、を有している。 （もっと読む）

【課題】 一度の露光でウエハの両面に高精度に位置合わせした状態でパターンを同時露光すること。
【解決手段】 ウエハＳの両面にパターンＰを同時に露光する装置であって、パターン及びアライメント用マークｍ１、ｍ２を有する下部マスクＭ１及び上部マスクＭ２と、下部マスクの位置を変化させる移動機構６と、紫外光Ｌを照射してウエハの両面にパターンを露光させる両露光部１５、１６と、アライメント用マークを観察する上部観察部２０と、観察された２つの観察画像の位置関係に基づいて両マスクが予め決められた位置関係からどの程度変位しているか変位量を算出する画像処理機構２１と、上部マスクから一定距離離間したアライメント位置で上記変位量を補正するように下部マスクの位置を水平調整させる制御部７と、を備え、制御部が、水平調整後に下部マスクを上部マスクに近接させた露光位置で両露光部を作動させるウエハ露光装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】
基板ステージの移動誤差を短時間で計測する露光装置を提供する。
【解決手段】
基板を保持して移動されるステージと、前記ステージに保持された基板上のマークを撮像するスコープと、を有し、前記ステージに保持された基板を露光する露光装置であって、移動される前記基板ステージ上の計測用基板に配列された複数の第１マークを前記スコープに順次撮像させることにより、前記スコープを基準として前記複数の第１マークそれぞれの位置および回転量を算出し、算出された前記複数の第１のマークそれぞれの位置および回転量と、予め計測された前記複数の第１マークそれぞれの位置および回転量とに基づいて、前記基板ステージの移動誤差を算出する処理部と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの重ね合せ工程における半導体ウェハの位置ずれを、正確に補正する。
【解決手段】半導体ウェハの位置ずれの非線形成分の補正量として、半導体ウェハの結晶軸（θ）方位に依存する伸縮関数（ΔＲｐ）を利用する。 （もっと読む）

【課題】露光装置の構成を複雑化することなく、基板ステージの位置計測精度を維持しつつ計測可能範囲を広げる。
【解決手段】レチクルステージＲＳには、原版側ラフ計測マークと原版側ファイン計測マークとを含む原版側計測マークが配置される。基板ステージＷＳには、基板側ラフ計測マークと基板側ファイン計測マークとを含む基板側計測マークが配置される。制御部ＣＮＴは、原版側ラフ計測マークおよび基板側ラフ計測マークを使用してレチクルステージＲＳとウエハステージＷＳとの相対位置がラフ計測され、そのラフ計測の結果に基づいてレチクルステージＲＳとウエハステージＷＳとの相対位置が補正され、次いで、原版側ファイン計測マークおよび基板側ファイン計測マークを使用してレチクルステージＲＳとウエハステージＷＳとの相対位置がファイン計測されるように計測工程を制御する。 （もっと読む）

【課題】 新規な位置合わせ方法や位置合わせ装置、インプリント方法を提供する。
【解決手段】 第１の本発明は、
第１のアライメントマーク１０４を有する第１の平板状物体と、第２のアライメントマーク１１３を有する第２の平板状物体とを対向させて配置する。そして、撮像素子が観測する撮像エリア内の互いに重ならない位置に、第１及び第２の領域を設けておき、２つの前記平板状物体の面内方向に略垂直な方向から、前記第１及び第２のアライメントマークを前記撮像素子で撮像する。そして、前記第１の領域内の予め定められた位置からの前記第１のアライメントマークのズレに関する第１の情報と、前記第２の領域内の予め定められた位置からの前記第２のアライメントマークのズレに関する第２の情報とを用いて、位置合わせ制御を行う。 （もっと読む）

【課題】投影レンズの収差に起因した転写位置のずれや、パターン非対称による計測誤差に起因したアライメント誤差、及び重ね合わせ検査精度の低下を改善できるフォトマスクを提供すること。
【解決手段】アライメントマーク及び重ね合わせ検査マークは各々、本体マーク部５と、この本体マーク部５の相対する２つの側端部それぞれに沿って形成された第１、第２の補助パターン部６とを含む。本体マーク部５は感光性膜に解像する線幅を有する、遮光膜を開孔したスペースパターン、又は遮光膜を残したラインパターンのいずれか一方で構成する。第１、第２の補助パターン部６は各々補助パターンを含み、補助パターンは感光性膜に解像しない線幅を有する、遮光膜を開孔したスペースパターンの繰り返しパターン、又は遮光膜を残したラインパターンの繰り返しパターンのいずれか一方で構成する。繰り返しパターンのピッチＰ_Ａは、デバイスパターンの最小ピッチＰ_Ｄと等しくする。 （もっと読む）