【課題】 リソグラフィー技術によりレジストパターンを形成させる際、レジストパターンの表面を接触角７０度以上に改質してパターン倒れを迅速かつ効果的に防止して、高品質の製品を製造するための新規なリンス液を提供する。
【解決手段】 （Ａ）水溶性含フッ素化合物及び（Ｂ）オルガノシラン化合物を含有する溶液からなるリソグラフィー用リンス液とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、水酸化ナトリウムを主剤とする現像液の能力を一定に保つことを可能とし、パターンを形成するパターン形成方法、およびパターン形成の現像液の管理システムを提供することを目的とする。
【解決手段】
感光性樹脂の現像処理を水酸化ナトリウムと炭酸ナトリウムを含む現像液を用いて行い、前記現像液が、中和滴定法により求めた水酸化ナトリウム濃度と炭酸ナトリウム濃度の和が、所定の範囲内に保持することにより解決した。 （もっと読む）

半導体プロセスの実施例として、フォトレジスト現像の一貫性を保証するため、半導体ウエハ上にフォトレジスト面を塗布する半導体デバイス製造方法がある。フォトレジスト面を露光して、回路パターンを描出する。ウエハは、プロセス装置内に配置する。脱イオン化したＤＩ水をフォトレジスト面に貯留しつつ、ウエハを回転する。プロセス装置（４００）内の分注ノズルから、現像液（４４０、４４１）をフォトレジスト面に貯留し、この現像液をフォトレジスト面上に存在するＤＩ水と混合する。ウエハを第１の低速度で回転をする（４１０）。分注ノズルを、ウエハの中心から端縁まで反復移動させ（４１５，４２５，４３５）、フォトレジスト面を覆う現像液／脱イオンの液溜まりを形成する。この現像液／ＤＩ水の液溜まり（４３３）を、第２の低速度での回転により攪拌し、これによって、フォトレジストを現像する。
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【課題】 微細パターン形成材料を用いて実効的にレジストパターンを微細化する方法において、架橋膜膜厚を抑え、尚且つ現像欠陥がない微細パターン形成方法の提供。
【解決手段】 水溶性樹脂、水溶性架橋剤、および、水または水と水溶性有機溶媒との混合液からなる溶媒を含有する微細パターン形成材料とアミン化合物含有現像液を用いて、架橋膜膜厚を抑えた、尚且つ現像欠陥がない微細パターン形成方法。アミン化合物含有現像液は、ポリアリルアミン、モノメタノールアミン、モノエタノールアミン等の第１級アミン化合物、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジメタノールアミン、ジエタノールアミン等の第２級アミン化合物、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリメタノールアミン、トリエタノールアミン等の第３級アミン化合物、水酸化テトラメチルアミン等の第４級アミン化合物が好ましい。 （もっと読む）

ポリマーフィルムを有する対象物を乾燥するための方法（１０）であって、そこでは対象物がリンス液に浸されている。その対象物がリンス浴から取り出され（２０）、そして充分な量のリンス液が対象物から蒸発し得る前に、その対象物が溶剤浴に据えられる（２０）。溶剤浴中の溶剤の密度が、力に関してポリマーフィルムの向く方向に依存する。対象物が溶剤浴から取り出される（３０）。乾燥プロセスが実施される（４０）。
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【課題】パターンの変形が抑制された状態で、液処理に引き続いて超臨界処理を行うことによる乾燥処理ができるようにする。
【解決手段】移送トレー１０３を副処理槽１０２より引き上げ、移送トレー１０３に洗浄水１０４が収容され、洗浄水１０４の中に基板１１１が浸漬された状態とする。次に、移送トレー１０３中に、イソプロピルアルコールを導入し、移送トレー１０３中に収容されていた洗浄水１０４をイソプロピルアルコールに置換し、移送トレー１０３にイソプロピルアルコール１０５が収容され、イソプロピルアルコール１０５の中に基板１１１が浸漬された状態とする。次に、超臨界処理装置１０６の反応室内部に、移送トレー１０３が収容された状態とする。 （もっと読む）

【課題】 現像プロセス等に起因するパーティクル状の析出系欠陥の発生およびＣＤ変動ならびにＬＥＲの悪化を抑制し、かつ、パターン倒れを防止する現像処理方法を提供する。
【解決手段】 レジスト膜が所定のパターンで露光処理され、かつ、その後に所定の現像液で現像処理されたウエハＷに、所定の界面活性剤を含有する第１リンス液を供給してリンス処理を行い、次いでレジストパターンを硬化させるための架橋剤を含む薬液を供給し、ウエハＷの表面に所定の高エネルギー線を照射して、架橋剤と高エネルギー線の照射の相乗作用によってレジスト膜を硬化させる。その後、この薬液よりも比重が大きい不活性液体をウエハＷに供給し、レジスト膜がこの不活性液体に浸されるように、所定時間放置して不活性液体を沈降させ、その後にスピン乾燥を行う。 （もっと読む）

【課題】現像処理における析出系欠陥の発生、ＣＤ変動、リンス液によるレジストパターンの溶解を抑制するリンス処理方法および現像処理方法を提供する。
【解決手段】露光パターンを現像処理した後の基板に、臨界ミセル濃度以下のポリエチレングリコール系またはアセチレングリコール系の界面活性剤を含有するリンス液を供給してリンス処理する。好ましくは、界面活性剤の分子量が１２８０以上であり、かつ、その疎水基の炭素数が１４以上であり、さらに疎水基が二重結合および三重結合を有していない界面活性剤を用いる。 （もっと読む）

【解決すべき課題】 銅及び銅を主成分とする合金、各種の低誘電率膜を有する半導体装置の製造工程において、ドライエッチング後及びアッシング後に残留するフォトレジスト残渣及びポリマー残渣を除去するフォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去組成物を提供する。
【解決手段】 少なくとも１種のフッ素化合物と、少なくとも１種の有機酸と、少なくとも１種の有機アミンと、水とを含有し、前記組成物のｐＨが４〜７であり、水以外の成分の合計含有量が組成物全体に対して０．３〜３０質量％である、フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去組成物。
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【解決手段】 レジストを用いたリソグラフィー工程において用いるリンス液であって、水溶性ポリマーを含有するリンス液、及びこれを用いたレジストパターン形成方法。
【効果】 本発明によれば、各種放射線（紫外線、遠紫外線、真空紫外線、電子線、Ｘ線、エキシマレーザー等の各種レーザー光）に感光するレジスト材料を用いたリソグラフィー工程においてレジスト不溶性成分の発生、付着を防止できると共に、レジスト不溶性成分が付着してしまった場合にあっても効果的に除去することができ、これにより、半導体ＬＳＩ等の半導体集積回路製造におけるレジストを用いたリソグラフィー工程において、レジスト上や基板上で起こり得るレジスト不溶性成分に起因する欠陥による歩留まり低下を可及的に防止することができる。 （もっと読む）

本発明は、カルボン酸を含有するモノマーを少なくとも５０ｍｏｌ％含有し得るフォトレジストの現像を改善するために界面活性剤を含有する、現像剤として用いられる組成物に関する。本発明はまた、この組成物の使用方法である。 （もっと読む）

感光性組成物を簡便に、かつ十分な感度および解像度を保ちながら現像する現像液と、それによるパターン形成方法を提供する。この現像液は、アミン−Ｎ−オキシド基、スルホン酸塩基、硫酸塩基、カルボン酸塩基、およびリン酸塩基からなる群から選ばれる親水性基を有する化合物を含んでなるものであり、特にケイ素を含有するポリマーを含む感光性組成物の現像に用いられるものである。本発明はそれを用いたパターン形成方法にも関するものである。 （もっと読む）