【課題】架橋性官能基を有するポリアリーレン樹脂を含有する感光性組成物を使用したフォトリソグラフィ方法において、感度、解像度、パターン形状、残膜率などの現像性を向上させることができる現像液組成物を提供する。
【解決手段】架橋性官能基を有するポリアリーレン樹脂を含有する感光性組成物を使用したフォトリソグラフィ方法において、前記ポリアリーレン樹脂に対する良溶媒および貧溶媒を含有する現像液組成物を用いて現像を行う。 （もっと読む）

【課題】現像処理工程の工程数を削減することができ、現像液の消費量を削減することができ、現像処理工程のスループットを向上させることができる現像処理方法を提供する。
【解決手段】表面にレジストが塗布され、露光された後の基板を、水平に保持し、鉛直軸周りに回転させながら現像処理する現像処理方法において、基板を回転させ、基板の上方に配置された現像液ノズルの吐出口から、基板の表面に、現像液を供給する現像液供給ステップＳ７と、基板を回転させ、基板の上方に配置された純水ノズルの吐出口から、基板の表面に、純水を供給する純水供給ステップＳ８とを有し、現像液供給ステップＳ７と、純水供給ステップＳ８とを交互に繰り返すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜を形成し、露光処理を行った基板の表面に現像液を供給して現像処理を行うにあたり、表面が疎水性の高い基板であっても、基板表面における現像液の液跳ね及び液弾きを抑えて面内に亘って現像液と基板とを均一に接触させること。
【解決手段】鉛直軸回りに回転している基板の表面に現像液ノズルから現像液を供給すると共に、この現像液ノズルよりも基板の外周側に離間して設けられた純水ノズルから純水を基板上に供給し、基板上において現像液の液流を規制して現像液の液流を基板の回転方向に押し広げて、基板上にこれらの現像液及び純水からなる液膜を形成する。この時、基板上に供給される現像液と純水との衝突によって生じる液跳ねが抑えられるように、現像液ノズルと純水ノズルとを離間させる。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れの発生を抑えると共に、スループットが高く、メンテナンス周期の長い超臨界処理装置等を提供する。
【解決手段】基板Ｗに付着した液体を超臨界状態の処理流体によって除去する超臨界処理装置３において、加熱部３２３は処理容器３１内に供給された処理流体を超臨界状態とするために当該処理流体を加熱し、冷却機構３２２は基板Ｗが載置台３２１に載置されるまでに基板Ｗからの液体の蒸発を抑えるため、前記加熱部３２３から当該基板へと熱が伝わる領域を強制冷却する。 （もっと読む）

【課題】限外濾過ユニットを備えた循環式現像装置で、連続稼動・運用時の膜リークを早期に発見出来、膜リーク発生時に限外濾過フィルタ交換等の対応を早急に実施でき、現像工程起因の不良品の発生を減少させることが出来る現像装置及び現像方法を提供する。
【解決手段】（１）現像ユニットと、（２）複数の限外濾過フィルタを使用して現像液を濾過する濾過ユニットと、（３）濾液の濃度を測定し、現像液原液を補充して濃度を調整する現像液濃度調整ユニットと、（４）濃度調整された現像液（濾液）を再度現像に供するため、リザーブタンクに送液し、現像タンクに送液して再利用する手段とを備えた現像液循環ユニットと、から構成される現像液循環方式の現像装置において、前記濾過ユニット通過直後、前記濾液リザーブタンク貯留前の濾液の成分変動を測定することで、前記限外濾過フィルタの膜リークを経時で監視する機構を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板の現像処理を基板面内で均一に行い、レジストパターンの寸法の基板面内における均一性を向上させる。
【解決手段】現像液ノズル３３と純水ノズル４０からウェハＷの中心部に現像液Ｄと純水Ｐをそれぞれ供給し、現像液Ｄと純水Ｐの混合液ＣをウェハＷ全面に拡散させる（図４（ａ））。純水ノズル４０からウェハＷの中心部に純水Ｐを供給し（図４（ｂ））、純水ＰをウェハＷ全面に拡散させる（図４（ｃ））。現像液ノズル３３からウェハＷの外周部に現像液Ｄを供給した後（図４（ｄ））、現像液ノズル３３をウェハＷの中心部に移動させながら、ウェハＷに現像液Ｄを供給する。そして、ウェハＷ全面に現像液Ｄを拡散させ、ウェハＷの現像処理を行う（図４（ｅ））。 （もっと読む）

【課題】ナノエッジラフネスに優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能なレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された、その膜厚が５０ｎｍ以下であるレジスト膜を選択的に露光するとともに、その濃度が１．２質量％以下のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液であるレジストパターン形成用現像液を用いて現像することを含むレジストパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】ナノエッジラフネスに優れ、微細なレジストパターンを高精度で安定して形成可能なレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された、その膜厚５０ｎｍ以下であるレジスト膜を選択的に露光し、現像した後、表面張力が６７×１０^−３Ｎ／ｍ以下のリンス液で洗浄することを含むレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ナノエッジラフネスに優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能なレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された、その膜厚が５０ｎｍ以下であるレジスト膜を選択的に露光するとともに、有機溶剤を含有する水溶液であるレジストパターン形成用現像液を用いて現像することを含むレジストパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】
下層膜上に形成されるレジストパターンの裾形状がフッティング（裾引き）形状となることを防止する。
【解決手段】
下記式（０）：
【化１】


（式中、Ｘは、水素原子の少なくとも一つがハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数１乃至８の炭化水素基、置換基を有してもよいフェニル基若しくはナフチル基、又はヒドロキシル基を表す。）
で表される酸、及び溶媒を含有するリンス液を用いて、第１リソグラフィー工程後の基板を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】現像液の濾過装置に使用する限外濾過フィルターの逆洗浄方法を改良し、濾過効率の向上と限外濾過フィルターの長寿命化を実現する現像液濾過装置を提供すること。
【解決手段】複数の限外濾過フィルターを有する現像液濾過装置であって、限外濾過フィルターの濾液を貯留するＡ、Ｂ、２基の逆洗浄タンクを有し、１つの限外濾過フィルターの濾液を逆洗浄タンクＡに貯留し、この濾液を用いて該限外濾過フィルターの逆洗浄を行う一連の逆洗浄工程と、他の１つの限外濾過フィルターの濾液を逆洗浄タンクＢに貯留し、この濾液を用いて該限外濾過フィルターの逆洗浄を行う一連の逆洗浄工程を含み、該２つの一連の逆洗浄工程を、その時間周期をほぼ２分の１ずらして交互に実施し、現像液濾過装置に含まれるすべての限外濾過フィルターに対して、順次逆洗浄を実施することを特徴とする現像液濾過装置。 （もっと読む）

【課題】 モリブデン酸化物を腐食させることなく、モリブデン酸化物層上のフォトレジストを現像できるフォトレジスト用現像液を提供する。
【解決手段】 特定の第四級アンモニウム塩（例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム等）と、特定のアルキルアミン（例えば、オクチルアミン等）とを含有するフォトレジスト用現像液を、特にモリブデン酸化物層上のフォトレジストの現像に用いる。 （もっと読む）

【課題】現像方式の異なる被処理基板にそれぞれ対応することができ、且つフットプリントの増加を低く抑えることのできる現像処理装置を提供する。
【解決手段】露光処理後の被処理基板Ｇに対し現像処理を施す現像処理装置３０であって、被処理基板Ｇに対する所定の現像処理機構を有する第一の現像処理部３１と、基板搬送方向に沿って、前記第一の現像処理部３１の後段に配列され、前記第一の現像処理部３１とは異なる現像処理機構を有する第二の現像処理部３４と、前記第一の現像処理部３１の上方に設けられ、前記被処理基板Ｇを、前記第一の現像処理部３１をバイパスさせて前記第二の現像処理部３４に搬送する第一の基板搬送部３２と、前記第二の現像処理機構３４の上方に設けられ、前記第一の現像処理機構３１により現像処理が施された被処理基板Ｇを、前記第二の現像処理部３４をバイパスさせて後段に搬送する第二の基板搬送部３５とを備える。 （もっと読む）

【課題】解像度が高く、画像エッジ部の直線性に優れたフォトマスクを形成しうるフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基材上に、遮光材料、光重合開始剤、エチレン性不飽和化合物、及びバインダーポリマーを含む感光層と、酸素遮断性層とを順次備えるフォトマスブランクスを画像露光する露光工程と、感光性層及び酸素遮断性層の未露光領域を除去する現像工程と、水洗工程とを有し、該現像工程における、露光後のフォトマスクブランクスに、フォトマスクブランクス表面での圧力が１〜１０ｋＰａとなるように現像液を接触させる高圧現像処理工程、及び、該水洗工程における、現像後のフォトマスクブランクス表面に、表面での圧力が１〜１０ｋＰａとなるように水洗水を接触させる高圧水洗工程、の少なくとも一工程を実施するフォトマスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板を品質よく処理することができる基板処理装置、ガス溶解液供給方法、および、基板処理方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル２１と、二酸化炭素が溶解された炭酸ガス溶解水を二流体ノズルに供給する溶解液供給管２２と、炭酸ガス溶解水の溶存ガスと同じ二酸化炭素をキャリアガスとして二流体ノズル２１に供給するキャリアガス供給管２３と、を備えている。二流体ノズル２１は、炭酸ガス溶解水の液滴をキャリアガス（二酸化炭素）とともに基板Ｗに噴射する。噴射された炭酸ガス溶解水は溶解濃度が比較的に高い状態で基板Ｗに着液する。よって、基板を品質よく処理することができる。 （もっと読む）

【課題】現像性、ならびに印刷特性に優れた画像形成材料を低ｐＨの現像液により現像処理できる現像処理方法を提供する。
【解決手段】光重合性感光層の上に含窒素有機化合物を存在せしめた画像形成材料を、ｐＨ９以下の現像液を用いて現像処理することを特徴とする画像形成材料の現像処理方法。 （もっと読む）

【課題】現像欠陥を解消した電子デバイスを得るための液浸リソグラフィの現像方法であって、簡便で低コスト、かつ高速スキャン可能な高撥水性を付与することが可能なプロセスを提供する。また、新たな設備を導入することなく、安価な材料による改良を加えた現像処理方法による液浸リソグラフィの現像処理方法、該現像処理方法に用いる溶液および該現像処理方法を用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】アルカリ浸漬による現像工程を含む電子デバイスの液浸リソグラフィの現像処理方法であって、表面偏析剤と化学増幅型レジストとを含むレジストのうち表面偏析剤を選択的に溶解除去する溶解除去溶液を用いて行なわれる溶解除去工程ＳＴ５−６を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】洗浄・乾燥時間の短縮が図れると共に、乾燥縞の欠陥除去を図れるようにした現像処理方法及び現像処理装置を提供する。
【解決手段】露光された半導体ウエハＷの表面に現像液を供給して現像を行った後に、ウエハの表面に純水を供給して洗浄を行う現像処理方法において、ウエハを水平に保持したスピンチャックを鉛直軸回りに回転させながらウエハの中心部上方からリンスノズル５８より純水を供給すると同時に、リンスノズルに隣接するディフューザ５３によりウエハの回転により生じる気流Ａを純水の液膜Ｆに誘導拡散し、リンスノズルとディフューザとを平行状態にしてウエハの中心部からウエハの外周縁に向かって径方向に同時に移動させて、ウエハの洗浄及び乾燥を行う。 （もっと読む）

【課題】重合性液晶を含む感光性組成物を基材に塗布した後、マスクを用いて露光し、感光性組成物塗布層の未硬化部分を有機溶媒で現像し、リンスしてパターン化された位相差制御機能層を形成する方法において、基材に上に感光性組成物の残渣を発生させることがなく、最適にパターン化された位相差制御機能層を形成することができるパターン化位相差制御機能層の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明のパターン化位相差制御機能層の形成方法は、基材に塗布してプリベークした後、マスクを用いて露光した感光性組成物塗布層の未硬化部分を有機溶媒で現像、リンスした後、ポストベークしてパターン化された位相差制御機能層を形成する方法において、高分子界面活性剤として櫛形高分子カルボン酸類を含有する水系リンス液を用いてリンスすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理液を再生処理しても、処理液中に含まれる界面活性剤の濃度を必要濃度に維持することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理システム1は、基板処理装置12、処理液再生装置30及び新液供給装置70を備える。基板処理装置12は、処理液を貯留する貯留槽11と、基板K上に処理液を供給して処理する処理槽13と、基板Kを搬送する搬送機構14と、処理液Lを処理槽13に供給し、処理槽13内の処理液Lを貯留槽11に還流させる処理液供給機構20とを備える。処理液再生装置30は、金属成分を吸着する吸着材が充填された吸着容器32,33と、処理液を吸着容器32,33に供給して流通させ、流出した処理液を貯留槽11に還流させる処理液循環機構34とを備える。新液供給装置70は、処理槽11から基板Kが搬出される度に、所定量の新液Lを、貯留槽11の処理液L、又は吸着容器32,33から貯留槽11に還流される処理液Lに添加するように構成される。 （もっと読む）