【課題】水酸化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＨ）を含む濃縮現像液を純水で希釈して所望のＴＢＡＨ濃度を有する現像液を製造する際、ＴＢＡＨの析出を抑制することのできるフォトリソグラフィ用現像液の製造方法、及びそのような製造方法に使用される製造装置を提供すること。
【解決手段】本発明の製造方法は、第一濃度の水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液と、純水と、を混合部２で混合することにより、前記第一濃度よりも希釈された第二濃度の水酸化テトラブチルアンモニウムを含む水溶液を得るものであり、前記混合部２に供給される第一濃度の水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液及び純水の水温が２７℃以上であり、かつ、前記混合部２で混合される液体の温度を２７℃以上に保持することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細なレジストパターンが形成された基板からリンス液を除去する際にパターン倒れを防止でき、また、疎水化剤の使用量を低減し、基板処理を行う際の処理コストを低減できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンが形成された基板にリンス液を供給するリンス液供給工程Ｓ１２と、レジストパターンを疎水化する第１の処理液の蒸気を含む雰囲気で、リンス液が供給された基板からリンス液を除去するリンス液除去工程Ｓ１４〜Ｓ１６とを有する。 （もっと読む）

【課題】遷移金属の酸化物からなる正孔注入層上に、アルカリ溶液を用いるフォトリソグラフィ法にてバンクを形成したときに、正孔注入層の溶解などによるダメージを抑制することを目的とする。それにより、高品質な電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】遷移金属の酸化物からなる薄膜上に配置された感光性樹脂膜８２を、フォトリソグラフィプロセスにてパターニングして、有機樹脂層を形成する工程を含む、電子デバイスの製造方法であって、前記フォトリソグラフィプロセスにおいて用いる現像液は、テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドと、強酸の塩とを含む水溶液であり、かつｐＨが１０．５〜１１．５である、電子デバイスの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】更にレジストパターンを微細化し、その高さを増大させたときも、基板上のリンス液を除去する際に、パターン倒れを防止できる現像処理方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンが現像された後、リンス液が供給された基板上に、レジストパターンを疎水化する疎水化剤がハイドロフルオロエーテルで希釈されてなる処理液を供給する処理液供給工程Ｓ１４〜Ｓ１６と、処理液が供給された基板上から、処理液を除去する処理液除去工程Ｓ１８、Ｓ１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】好適にレジスト膜を現像することの出来るレジスト膜現像方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光した後、現像液を用いて現像を行なうレジスト膜現像方法において、第１の現像液がレジスト膜に接する第１現像工程と、第２の現像液がレジスト膜に接する第２現像工程と、を備え、前記第２の現像液は、前記第１の現像液と比較して低濃度の現像液であることを特徴とするレジスト膜現像方法である。 （もっと読む）

【課題】純水の表面張力を低減することにより、微細パターン倒れを防止する基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】制御部５９は、処理槽１に疎水化溶液を供給させて、処理槽１内の純水を置換させるとともに、疎水化溶液により基板Ｗの改質処理を行わせる。改質処理により基板Ｗの表面全体が疎水化される。制御部５９は、純水を処理槽１に供給させて基板Ｗをリンス処理させた後、保持機構３９を上方位置に移動させるが、基板Ｗは疎水化されているので、純水の液残りを少なくすることができるともに、純水により基板Ｗの微細パターンにかかる表面張力を非常に小さくできる。したがって、純水から上方へ基板Ｗを持ち上げても、基板Ｗの微細パターンが純水の表面張力により受ける力を低減でき、基板Ｗの微細パターンが倒れるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおいてナノメートルスケールのフィーチャーサイズを達成する
【解決手段】第１の樹脂成分と第１の光活性成分とを含む第１の感光性組成物の第１の層１０６を形成し、前記第１の層を、パターン化されたフォトマスク１１０を通した活性化放射線に露光し、現像して第１のレジストパターン１１２を形成し、ハードベークプロセスにおいて前記第１のレジストパターンを熱処理し、表面をアルカリ性にするのに有効な物質で、前記ハードベークされた第１のレジストパターンを処理し、第２の樹脂成分と光酸発生剤とを含み、ポジ型である第２の感光性組成物の第２の層１１４を前記第１のレジストパターンのアルカリ性表面と接触するように適用し、前記第２の層を、パターン化されたフォトマスク１１６を通した活性化放射線に露光し、露光された第２の層を現像して、第２のレジストパターン１１４を形成する （もっと読む）

【課題】現像時に、処理液をミスト状に発生させてレジスト膜の現像を行うために、スプレー現像のような現像液の液滴によるレジストへのインパクト（衝撃）や、パドル現像のような基板に盛った現像液を振り切る際の現像液との摩擦によるパターン倒壊がなく、良好なレジスト膜のパターンを形成するパターン形成方法及びパターン形成装置を提供する。
【解決手段】フォトマスクまたは半導体製造の微細加工におけるレジストのパターン形成方法において、現像液及び処理液をミスト状に発生させてレジストのパターン形成を行うことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高エネルギー線、Ｘ線、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なラインウィズスラフネス、プロセスマージンを同時に満足するレジストパターン形成方法及びそれに用いる現像液を提供する。
【解決手段】架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、該膜を露光する工程、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程をこの順で有するレジストパターンの形成方法において、現像液が有機溶剤として、露光前のレジスト膜に対して良溶媒となる溶剤（Ｓ−１）及び露光前のレジスト膜に対して貧溶媒となる溶剤（Ｓ−２）を含有し、沸点について、溶剤（Ｓ−２）＞（Ｓ−１）の関係を満足することを特徴とするレジストパターン形成方法及びそれに用いる現像液を提供する。 （もっと読む）

【課題】無機レジストの現像速度を抑制することができる現像液、およびそれを用いた微細加工体の製造方法を提供する。
【解決手段】微細加工体の製造方法は、基材上に設けられた無機レジスト層を露光する工程と、露光された無機レジスト層を現像液により現像する工程とを備える。現像液は、アルカリ性水溶液とアミン類とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】基板上に設けられた無機パターン又は樹脂パターンのパターン倒れを効果的に防止することが可能な表面処理剤、及びそのような表面処理剤を使用した表面処理方法を提供することを目的とする。また、その他の目的として、本発明は、基板の表面に対して、高度にシリル化処理を行うことのできる表面処理剤、及びそのような表面処理剤を使用した表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の表面処理に使用される表面処理剤であって、シリル化剤とシリル化複素環化合物と、を含有する表面処理剤を使用する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置やマイクロマシンといった金属微細構造体のパターン倒壊を抑制しうる処理液及びこれを用いた金属微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】リン酸エステル及び／又はポリオキシアルキレンエーテルリン酸エステルを含む金属微細構造体のパターン倒壊抑制用処理液、及び金属微細構造体のパターンが化チタン、チタン、ルテニウム、酸化ルテニウム、タングステン、タングステンシリサイド、窒化タングステン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、ハフニウムシリケート、窒化ハフニウムシリケート、白金、タンタル、酸化タンタル、窒化タンタル、ニッケルシリサイド、ニッケルシリコンゲルマニウム、ニッケルゲルマニウムから選ばれる、金属微細構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、レジストパターンの面内均一性（ＣＤＵ）及び欠陥性能に優れ、また処理液の使用量を低減できるレジストパターンを形成し得る化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】界面活性剤と有機溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液、及びそれを用いたレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、レジストパターンの面内均一性（ＣＤＵ）及び欠陥性能に優れ、また処理液の使用量を低減できるレジストパターンを形成し得る化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】有機溶剤に可溶な樹脂と有機溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液、及びそれを用いたレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、その他のフォトファブリケーション工程等に使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する為のパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、アルカリ現像液であるポジ型現像液に対する溶解度が増大し、有機溶剤を含有するネガ型現像液に対する溶解度が減少するレジスト組成物を塗布することで、膜を形成し、前記膜を液浸媒体を介して露光し、ネガ型現像液を用いて現像を行うことを含み、前記組成物が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有し、かつ、アルカリ可溶性基、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する基、及び特定の繰り返し単位、のいずれかを有する樹脂を含有するパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】異なる酸化度の酸化銅が混在している状態において、一方のみを選択的に溶解させることのできる酸化銅用エッチング液及びそれを用いた酸化銅用エッチング方法を提供すること。
【解決手段】本発明の酸化銅用エッチング液は、α，ω−ジアミン酢酸、α，ω−ジアミンコハク酸、α，ω−ジアミンプロピオン酸、１，２−ジアミノプロパン四酢酸、クエン酸、イソクエン酸、フマル酸、アジピン酸、コハク酸、グルタミン酸、リンゴ酸、酒石酸、及びこれらの塩からなる群より選ばれた少なくとも一種以上のキレート剤を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、フォーカス余裕度（ＤＯＦ）が広く、線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さく、更にはブリッジ欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法及びこれに用いるネガ型化学増幅レジスト組成物及びレジスト膜を提供する
【解決手段】（ア）架橋反応によりネガ化する化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法であり、前記レジスト組成物が、（Ａ）ヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を含有しない樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、（Ｃ）架橋剤、（Ｄ）溶剤、を含有することを特徴とするパターン形成方法、該方法に用いるネガ型化学増幅レジスト組成物及びレジスト膜。 （もっと読む）

【課題】感度、解像力、パターン形状、ラインウィズスラフネス、ブリッジマージン、倒れマージン、残膜率に優れるレジストパターン形成方法、それに用いる現像液及びネガ型化学増幅型レジスト組成物、並びに該パターン形成方法により形成されるレジストパターンの提供。
【解決手段】架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅型レジスト組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を露光する工程（２）、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程（４）をこの順番で有することを特徴とする、レジストパターンの形成方法、それに用いる現像液及びネガ型化学増幅型レジスト組成物、並びに該パターン形成方法により形成されるレジストパターン。 （もっと読む）

【課題】限外濾過フィルタの復旧再生工程として実施する逆洗浄を、限外濾過フィルタの閉塞やリークといった異常状態にも効率的に対応できるようにする洗浄方法を提供すること。
【解決手段】複数の限外濾過フィルタを並列に並べて液を通過させる循環機構において、前記複数の限外濾過フィルタの内で順次一つずつの限外濾過フィルタを逆洗浄する工程を含む限外濾過フィルタの洗浄方法であって、前記逆洗浄する工程が、前記複数の限外濾過フィルタの各々の状態を検知する動作と、前記検知された状態に応じて個別に逆洗浄の条件を設定する動作と、を有する。 （もっと読む）

【課題】希釈対象である薬剤の量の誤差を少なくすることによって、濃度調整を容易とする。
【解決手段】希釈タンク２と、希釈タンク２内の液体を循環させる循環用配管４と、循環用配管４の一端から希釈タンク２内の液体を吸引し他端から当該液体を希釈タンク２内に戻すためのポンプ３と、を備える希釈装置１を用いた薬剤（例えば現像液の原液等）の希釈方法であって、薬剤を希釈するための希釈液の一部を、少なくとも、サクション管４’内が満たされるまで希釈タンク２内に導入する第１の希釈液導入工程と、前記薬剤を希釈タンク２内に導入する薬剤導入工程と、希釈液の残部を前記容器内に導入する第２の希釈液導入工程と、を包含する。 （もっと読む）