【課題】
本発明の目的は、乾燥時に乾燥流体だけを局部的に加熱するだけで、リンス液の表面張力の影響によりパターン倒れや素子の固着が発生しうる微細なパターンを形成した１００ｍｍ以上の大口径基板に対して効率良く短時間で均一に乾燥させることができる微細構造乾燥処理法及びその装置を提供することにある。
【解決手段】
高圧容器内にリンス液に浸漬又は濡れた状態の微細構造を有する基板を設置する工程と、前記高圧容器内に前記リンス液の比重と異なる比重の乾燥流体を導入して満たす導入工程と、前記乾燥流体によって満たした前記高圧容器を設定角度に傾斜させて前記流体と前記リンス液の比重差を利用して前記リンス液を選択的に前記高圧容器内より排出させるリンス液排出工程と、前記流体を局部的に臨界温度以上に加熱する工程と、前記流体を局部的に加熱しながら大気圧まで減圧する減圧工程とを有することを特徴とする微細構造乾燥処理法にある。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カラーフィルタ現像工程において、使用する現像液の汚染度を極限まで下げることによって現像起因の不良を無くし、かつ、製品を安価に提供するための現像装置及び現像方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、基板上に塗布された感光性樹脂組成物をブラックマトリクス、若しくは着色パタ−ンとして形成するカラ−フィルタ製造方法の現像工程において、液組成の異なる二種類以上の現像液を使用して段階的に現像を行う、また、現像液をろ過／再利用して現像を行うことで現像液使用量を抑える現像装置及び現像方法である。 （もっと読む）

【課題】
露光後のフォトレジスト膜の現像用アルカリ現像液を提供する。
【解決手段】
一般式（１）で示されるアルキルグルコシド型非イオン界面活性剤と、ポリオキシアルキレンエーテル型非イオン界面活性剤及びアルカリ剤を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物用アルカリ現像液である。
一般式（１）：Ｒ・Ｏ・(Ｇ)_ｎ・Ｈ
［式中Ｒは炭素数１〜２２の直鎖又は分岐のアルキル基であり、Ｇは炭素数５〜６の還元糖を示し、ｎは１以上５以下の数を示す。］ （もっと読む）

【課題】基板上のレジストパターンにイオン注入処理を行う際のレジストの変質層の生成を抑制し、基板に損傷を与えることなくレジストを除去する。
【解決手段】基板１上にレジストパターン３を形成する第１の工程の後に、不活性ガスおよび窒素雰囲気下で加熱しながら基板１を紫外線照射するか、もしくは基板１を加熱しながらアルカリ溶液に浸漬する第２の工程を実施し、その後イオン注入の処理を行う第３の工程を実施し、最後にレジストパターン３を除去する第４の工程を実施する。レジストの除去能力低下は、レジスト樹脂が注入イオンである例えばリンと架橋することにより硬化した変質層が形成されるためである。本発明では、前処理として紫外線照射またはアルカリ溶液浸漬を行うことにより、変質層の形成を抑制し、レジスト除去を容易にする。 （もっと読む）

【課題】 高分子集合体と高分子集合体との隙間への浸透力を弱め、十分な溶解速度を有するレジスト現像液と該レジスト現像液を使用して、低いラインエッジラフネスのパターンを形成可能としたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ラインエッジラフネスを低減するためには、溶解速度を低下させることなく、溶剤の分子量を大きくする必要がある有機高分子への溶解速度は、ベンゼン環と、酸素の存在が大きく影響する。また、水酸基ＯＨが存在すると逆に溶解速度が著しく低下する。また、溶解速度は、溶媒の温度によっても大きく変化する。すなわち、フェニル基、酢酸基、ケトン基、エーテル基を複数有し、かつ大きな分子量を有する溶剤を含有する現像液により、ラインエッジラフネスを低減することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 現像性能に影響を与えることなく、塩基性物質及び界面活性剤を高濃度で含みかつ簡単に調製することができる、安定した現像剤原液を提供すること。
【解決手段】 アルカリ化合物、界面活性剤及び可溶化剤を水中に含んでなる、感放射線性組成物用のアルカリ性現像剤原液であって、上記可溶化剤が、次式
Ｒ−（ＣＯＯＨ）_ｎ
［式中、Ｒは、炭素原子数が１〜３０の線状もしくは分枝状で飽和もしくは不飽和の脂肪族基、炭素原子数３〜３０の脂環式基、または炭素原子数６〜３０の芳香族基であり、なおＲは、置換されていなくともまたは置換されていてもよく、Ｒの炭素鎖中には、一つまたはそれ以上の異種原子が含まれていてもよく、そしてｎは１〜６の数である］
で表される化合物からなるものであることを特徴とする前記現像剤原液。 （もっと読む）

【課題】 側鎖にカルボニル基を有するポリマーを用い、これに紫外線を照射し、金属アルコキシドと極性溶媒から成る現像液を用いて１段階で現像してフォトレジストを形成する新規な「反応現像画像形成法」を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板上に側鎖にカルボニル基を有するポリマー及び光酸発生剤から成るフォトレジスト層を設け、所望のパターンでマスクする段階、このパターン面に紫外線を照射する段階、及び該フォトレジスト層を現像液で処理する現像段階から成り、該現像液が下式
ＭＯ−Ｒ−Ｘ
（式中、Ｍはアルカリ金属又はアルカリ土類金属、Ｒはアルキレン基、Ｘは１級アミノ基、２級アミノ基又は３級アミノ基を表す。）で表される金属アルコキシドと極性溶媒を含む反応現像画像形成法である。この反応現像画像形成法により形成されたフォトレジスト層を有する基板は、ミクロ電子工学及びオプトエレクトロニクス回路や部品に利用することができる。
（もっと読む）

【課題】現像後の乾燥時に，パターン倒れとパターンの膨潤を防止する。
【解決手段】現像液供給ノズル３３が現像液を吐出しながら，ウェハＷ上を一端部から他端部に亘り移動し，ウェハＷ上に現像液を供給して静止現像する。その後，ウェハＷを回転させながら，リンス液供給ノズル５０によりウェハＷにリンス液を供給して現像を停止する。その後，液体供給ノズル６３により，極性のあるフッ化炭素系化合物を含有する液体をウェハＷに供給し，ウェハを高速回転させて乾燥する。 （もっと読む）

【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明はＴＭＡＨ及び炭酸塩を含むレジスト現像液から炭酸塩を除去する方法、装置、及びレジスト現像液の濃度管理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明に係るレジスト現像液中の炭酸塩の除去方法は、ＴＭＡＨ及び炭酸塩を含むレジスト現像液をＮＦ膜で濾過する濾過工程を備える。 （もっと読む）

【課題】 ホトレジストパターンについて、製品の表面欠陥、いわゆるディフェクトを減少させ、水リンス時におけるパターン倒れの発生を防止し、またレジストの電子線照射に対する耐性を付与して、パターンの収縮を抑制するために用いられ、しかも保存中にバクテリアによる汚染を生じることのない新規なリソグラフィー用洗浄液を提供する。
【解決手段】 一般式
【化１】


（式中のＲ¹は酸素原子で中断されていてもよい炭素数８〜２０のアルキル基又はヒドロキシアルキル基、Ｒ²及びＲ³は炭素数１〜５のアルキル基又はヒドロキシアルキル基である）
で表わされるアミンオキシド化合物を含む水性溶液からなるリソグラフィー用洗浄液とする。 （もっと読む）

【課題】 ｉ線仕様、ＫｒＦ仕様、ＡｒＦ仕様の各種レジスト、ケイ素含有レジスト、化学増幅型ポジ型レジストなど多種多様の組成のレジストに対して一様に良好な洗浄性を示し、処理後の乾燥性が良く、洗浄によりレジストの特性がそこなわれることのないリソグラフィー用洗浄液を提供する。
【解決手段】 （Ａ）酢酸又はプロピオン酸の低級アルキルエステルの中から選ばれた少なくとも１種と（Ｂ）炭素数５〜７の環状若しくは非環状ケトンの中から選ばれた少なくとも１種とを（Ａ）／（Ｂ）の質量比４／６ないし７／３の範囲で含有したリソグラフィー用洗浄液とする。 （もっと読む）

【課題】 ミストの発生を伴わずに処理液の置換を効率よく行って処理品質を向上させるとともに、被置換処理液の回収効率を向上させること。
【解決手段】 第１リンス処理部１６４では、基板Ｇ上で現像反応を停止させるため、つまり現像液Ｒをリンス液（純水）Ｓに置換するために、二重ノズルユニット１６８の吸引ノズル１７０と吐出ノズル１７２が搬送方向（Ｘ方向）と逆方向に基板Ｇの上を基板の前端から後端まで一定速度で走査する。この走査中、前部の吸引ノズル１７０は基板Ｇ上の現像液Ｒを所定の吸引力で吸い取り、後部の吐出ノズル１７２はリンス液Ｓを所定の圧力または流量で吐出することで、二重ノズルユニット１６８の真下で現像液Ｒが吸い取られると同時またはその直後にリンス液Ｓが供給される。 （もっと読む）

【課題】処理液の還流時などに発生した泡を含む処理液が所定の処理領域内に供給されることや、発生した泡によって容器体の内面が汚れることを防止することができる処理液供給装置を提供する。
【解決手段】処理液供給装置１は、処理液Ｌを貯留する容器体２０と、容器体２０内に貯留された処理液Ｌを処理領域１０内に供給する供給ポンプ２６と、処理領域１０内の処理液Ｌを容器体２０内に還流させるための還流流路２７ａが形成された還流部材２７と、泡を流通させる泡排出部材２９とを備える。還流部材２７の下端部は、容器体２０の上面から内部に貫入されて底面側に向けて延設され、処理液Ｌ中に配置された状態に設けられるとともに、還流部材２７には、還流流路２７ａ内の泡を外部に排出するための排出口２７ｂが還流流路２７ａ内の処理液Ｌの液面よりも上方に形成される。泡排出部材２９は、還流部材２７の排出口２７ｂに接続される。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンが傾いたり又は倒れたりせず、良好な形状を有するレジストパターンが得られるようにする。
【解決手段】半導体基板１０の上に化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜１１を形成した後、該レジスト膜１１に対して、マスク１２を介してＡｒＦエキシマレーザ１３を照射して、パターン露光を行ない、その後、パターン露光されたレジスト膜１１に対して加熱（ＰＥＢ）を行なう。次に、レジスト膜１１に対してアルカリ性現像液１４を用いて現像を行なった後、レジスト膜１１に対して、アルカリ性リンス液１７をレジスト膜１１上に供給して、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなるレジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの無機物、有機物の剥離液、除去液、エッチング液、洗浄液と併せて用いることにより、それら薬液の剥離、除去、エッチング、洗浄機能に悪影響することなく、金属アルミ又はアルミ合金を腐食しない防食用組成物を提供する。
【解決手段】フッ化物と環状アミン、特に２種以上の環状アミンの混合組成物、或いはフッ化物、環状アミン、アルキレンアミン及び／又はアルカノールアミンの混合組成物では、他の剥離液、除去液、エッチング液、洗浄液と併せて用いることにより、それらの薬液の機能を損なうこと無く、金属アルミ又はアルミ合金の腐食を著しく抑制することができる。環状アミンとしては、ピペラジン類、モルホリン類、ピロリジン類等が例示できる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムを腐食させることなく、レジスト等の感光性樹脂を現像できる組成物を提供する。
【解決手段】苛性ソーダなどの塩基性物質、塩化カルシウムなどのアルカリ土類金属塩、およびポリアクリル酸を含んでなる成分の組合せによる現像用組成物では、アルミニウムを腐食させることなく、さらにアルミニウムの腐食を防止するアルカリ土類金属塩の水酸化物が沈殿として析出することなく用いることができる。塩基性物質が０．０１〜２０重量％、アルカリ土類金属塩が０．００１〜５重量％、ポリアクリル酸が０．００１〜５重量％、水が７０〜９９．９９重量％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 アスペクト比の上昇によるパターン倒れや変形等の不具合が防止されるレジスト用現像液を得る。
【解決手段】 下記化学式（１）、（２）および（３）で示されるヒドロキシル塩化合物の少なくとも一種を含有する水溶液からなる。
【化１】


【化２】


【化３】
（もっと読む）

【課題】精密な現像を実施する必要のある現像工程において、使用済みの水酸化ＴＡＡ水溶液を循環使用することを可能とし、有効に利用することを可能とした現像液の循環使用方法を提供する。
【解決手段】 水酸化テトラアルキルアンモニウム水溶液を現像液として使用する現像工程より得られる使用済み水酸化テトラアルキルアンモニウム水溶液を精製して精製水酸化テトラアルキルアンモニウム水溶液を得、一方、高純度原料を用いて個々の金属イオン不純物含量がＴＡＡに対して５ｐｐｂ以下、有機不純物総含量がＴＡＡに対して１ｐｐｍ以下の高純度水酸化テトラアルキルアンモニウム水溶液を得、前記精製水酸化テトラアルキルアンモニウム水溶液と高純度水酸化テトラアルキルアンモニウム水溶液とを混合して、精密な現像を実施する必要のある現像工程に循環して使用する。 （もっと読む）

【課題】 ２系列の現像液配管を擁する現像装置に適用して効果的な温度調整機構を提供する。
【解決手段】 温度調整機構６のジャケット１０内は一端が開放された仕切板１４によって内部を２つの流路１０ａ、１０ｂに分割し、これら流路１０ａ、１０ｂは仕切板１４の開放された端部の箇所でつながっている。仕切板１４の開放されていない側の一方のジャケット１０端部には温調水流入口１５が、また同じ端部の下側には温調水排出口１６が設けられている。そして、仕切板１４によって２分割されて形成された夫々の流路１０ａ、１０ｂには、前記薬液配管１１，１２が貫通している。 （もっと読む）