【課題】複数の現像槽２０中を搬送しながら連続して現像し、続く水洗にてガラス基板１１の先端部と後端部との間で殆ど時間差なく現像を停止した際に発生する、ガラス基板の長さ方向の線幅のバラツキを縮小するアルカリ現像方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に噴射するアルカリ現像液のｐＨ値を、複数の連続した現像槽の中央部の現像槽で最大値にし、搬入装置に隣接する先端部の現像槽及び搬出装置に隣接する後端部の現像槽に向かって、中性値に近づくよう段階的に漸減させること。 （もっと読む）

【課題】トレンチパターンやホールパターンの寸法を実効的に微細化したパターンをスカムを発生させずに形成する方法の提供。
【解決手段】（ア）酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、レジスト組成物を塗布する工程、（イ）露光工程、（ウ）ネガ型現像液を用いて現像を行い、レジストパターンを形成する工程、及び（エ）該レジストパターンに架橋層形成材料を作用させ、該レジストパターンを構成する樹脂と架橋層形成材料とを架橋させ、架橋層を形成する工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】化学増幅型レジストよりなる厚膜レジストの現像に好適に使用できる現像液を提供する。
【解決手段】アニオン性界面活性剤、およびカチオン性界面活性剤を含む第四級アンモニウム化合物の水溶液よりなるフォトレジスト現像液であって、フォトレジスト現像液全体の質量を１００質量％として、下記式（１）で示されるアニオン性界面活性剤を０．１〜５質量％、カチオン性界面活性剤を０．０１〜２質量％含むことを特徴とするフォトレジスト現像液；


（式中、Ｒ^１は水素原子またはメチル基であり、Ｒ^２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基であり、Ａは炭素数１〜４のアルキレン基であり、一分子中で、ＡＯは同一であっても、異なる２種以上の組み合わせであってもよく、ｐは１〜３の整数であり、ｍは５〜３０であり、Ｍは水素原子またはアンモニウムイオンである。） （もっと読む）

【課題】 帯状物体やベルトに固定した物体、或いは線状物体の表面を液体により処理するに際して、効率的な処理を行いまた装置全体を小型化する。
【解決手段】 帯状物体、またはベルトに固定した物体、或いは線状物体等の被処理物体を処理室の片側端面の入口開口から導入し、他側の端面の出口開口から導出するとき、前記片側端面側に設けた液体導入口から導入した液体を処理室内を移動する被処理物体との接触により前記出口開口側に流動させる。その際、前記出口開口側に流動する液体に対して前記被処理物体の移動方向と直角方向に対して傾斜する攪拌部により処理室内の液体流を攪拌する。また、被処理物体を処理室内において処理室中心から偏在して配置し、処理効果を促進する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハのフォトリソグラフィー工程において、レジスト膜の下層に形成された反射防止膜を、レジスト膜に影響を与えないように除去する。
【解決手段】 ウェハＷのフォトリソグラフィー工程において、現像液に溶解性を有する反射防止膜Ｂを形成し、その後レジスト膜Ｒを形成する。露光処理後の現像処理の際に、現像液Ｈ１をウェハＷ上に供給し、レジスト膜Ｒを現像する。レジスト膜Ｒの現像が終了した時点で、ウェハＷ上に現像液Ｈ１よりも濃度が低い現像液Ｈ２を供給する。この現像液Ｈ２の供給によって反射防止膜Ｂのみを溶解させ、除去する。 （もっと読む）

【課題】パターン幅の微細化、パターンの３次元化が可能なパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン形成方法は、現像処理により意図的にレジストパターンを倒壊させることを特徴とする。本発明の構成によれば、レジストパターンの間隔と、レジストパターンの厚みを適宜選択することにより、単一のリソグラフィ工程で、３次元的な高さを持った微細パターンや、露光光の解像限界以下のパターン幅を持った微細パターンを形成することが出来る。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられるレジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるリンス液を提供する。
【解決手段】（ア）特定繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、レジスト組成物を塗布する工程、（イ）露光工程、及び（エ）ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられるレジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるリンス液。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストの現像プロセスに使用されるアルカリ性の現像液のアルカリ濃度を高品質の現像処理が出来る様に調節する現像液の濃度調節方法および調製装置を提供する。
【解決手段】現像液の濃度調節方法では、現像液のアルカリ濃度および現像液中の炭酸塩濃度を測定し、現像処理して得られるＣＤ値が一定の値となる様な溶解能を発揮し得るアルカリ濃度と炭酸塩濃度との予め作成された関係に基づき、アルカリ濃度を調節する。また、現像液の調製装置は、調製槽、現像液を現像プロセスへ供給する供給ライン、使用済現像液を受け入れる回収ライン、新たな現像液原液を調製槽に供給する原液供給ライン、現像液のアルカリ濃度および現像液中の炭酸塩濃度を検出する濃度計、および、特定の関係に基づいて現像液原液の供給を制御する制御装置とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられるレジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるリンス液を提供する。
【解決手段】（ア）特定の繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂を含有するレジスト組成物を塗布する工程、（イ）露光工程及び（エ）ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられるレジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるリンス液。 （もっと読む）

【課題】基板に与えるダメージを低減可能な処理液を簡易かつ正確に選定する方法を提供する。
【解決手段】はじめに、処理液の分子密度と、処理液を基板表面に物理的に作用させることによって基板に対する処理を実行した際に前記基板に発生するダメージとの関係を示す分子密度相関グラフを準備する。続いて、分子密度相関グラフに基づいて分子密度閾値を特定する。より具体的には、分子密度相関グラフに近似する自然対数曲線Ｌを特定し、自然対数曲線Ｌにおいて、ダメージ値が所定の上限ダメージ値の１／ｅ倍（ｅは自然対数の底）となる分子密度を算出し、当該算出された分子密度の値Ｍ１を、分子密度閾値として取得する。続いて、分子密度が分子密度閾値以下の選定処理液を基板に対する処理を実行可能な処理液として選定する。 （もっと読む）

【課題】液切りローラやエアーを用いることなく、処理液を供給する装置から処理液の持ち出し量を抑制することを目的とする。
【解決手段】基板Ｗの表面ＷＳに対して現像液を供給して表面処理を行う現像装置２０は、現像装置２０の内部で基板Ｗを水平方向に搬送させる搬送ローラ４０と、搬送ローラ４０により搬送される基板Ｗの全面に対して現像液を供給するシャワー５０と、現像装置２０の搬出口４２近傍に配置され、基板Ｗに対して斜め上方から基板Ｗの搬送方向の反対方向に向かって現像液を噴射することにより、基板Ｗの表面ＷＳに溜まった液溜まりを除去するスリットノズル６０と、を有している。現像液の押し出しにスリットノズル６０からの現像液を用いているため、乾燥によってムラが生じることはなく、メンテナンス作業も必要とならない。 （もっと読む）

【課題】現像液が基板上に残ることを抑制することができる基板現像方法および現像装置を提供する。
【解決手段】基板に現像液を供給し（ステップＳ１）、現像液が供給された基板にリンス液を供給して現像液を洗い流し（ステップＳ２）、第１の回転乾燥を行う（ステップＳ３）。このように基板上の現像液は微量してから、ＣＯ_２溶解液を基板に供給する（ステップＳ４）。基板上の微量の現像液はＣＯ_２溶解液と中和する。この中和反応によって生成された生成物（塩）はＣＯ_２溶解液に容易に溶解するので、ＣＯ_２溶解液とともに効率よく洗い流される。したがって、基板上に現像液が残ることを抑制することができる。この結果、現像液残りによる現像欠陥の発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】良好な微細パターンを形成することのできるレジストパターン形成方法と、これを用いた半導体装置の製造方法とを提供する。
【解決手段】半導体基板１０３の上に、酸を供給し得る第１のレジストパターン１０１ａを形成した後、第１のレジストパターンの上に第２のレジスト１０２を形成する。次に、第１のレジストパターンに接する第２のレジストの界面部分に架橋層１０４を形成する。その後、第２のレジストの非架橋部分を除去して、第２のレジストパターンを形成する。第２のレジストパターン１０２ａを形成する工程は、水で現像する第１の現像工程と、第１の現像工程の後に、第２のレジストに対する溶解性が水より高い溶液で現像する第２の現像工程と、第２の現像工程の後に水でリンスする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィープロセスに於いて、ブロッブ欠陥、閉塞欠陥等の欠陥の発生を低減することが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、フォトレジスト材料を基板上に塗布してフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を形成した基板と投影レンズの間に液体を挿入し、該液体を介して前記フォトレジスト膜を露光する液浸露光を行う工程と、現像液を用いて前記フォトレジスト膜を現像する工程とを含み、該現像工程において、現像後のリンスを下記一般式（１１）および/または（１２）記載のアセチレンアルコールを０．０００１〜１０質量％含む純水で行うことを特徴とするパターン形成方法。
【化６２】
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【課題】大型化することなく、半導体薬液の熱交換作用に必要な電磁誘導電力の発生量を増加することができる。
【解決手段】現像液が流通する螺旋形状の発熱管１１と、この発熱管の両端部同士を電気的に短絡させる短絡部材１２と、発熱管及び短絡部材を包囲するように配置し、高周波電力に応じて発熱管に対して電磁誘導電力を発生させる加熱コイル１３とを有し、短絡部材は、発熱管の電磁誘導電力に応じて短絡電流を発生し、この短絡電流に応じて発熱管を加熱し、発熱管は、短絡電流の加熱作用に応じて、同管内を流通する現像液の温度を目標温度になるように、現像液を加熱するヒータユニット５Ａであって、発熱管と加熱コイルとを磁気的に結合する強磁性部材１５を備え、強磁性部材は、加熱コイルの両端部１３Ａ及び発熱管の両端部１１Ａ，１１Ｂから突出するように、螺旋状部１１Ｃで構成する挿通孔１１Ｄ内に内挿配置するようにした。 （もっと読む）

【課題】薬液流体を稀釈流体によって高い稀釈倍率で（超稀釈濃度に）稀釈する際に、汚染の少ない超稀釈濃度の稀釈薬液流体を正確に調合することが可能であるとともに、ｐＨの調整が容易である（多孔質媒体の交換を必要としない）薬液調合装置を提供する。
【解決手段】注入手段３０が、平面状の多孔質平膜３１と、多孔質平膜３１の一方の面上に押圧された状態で配設されるＯ−リング３２とを備え、多孔質平膜３１の、Ｏ−リング３２の内側に対応する部分に、Ｏ−リング３２が配設された一方の面側から透過した薬液流体が、他方の面側で稀釈流体に注入される注入膜面が形成されたものであり、注入膜面の膜面積が、透過した薬液流体が所定の注入割合となるように稀釈流体に注入されることが可能な面積に、Ｏ−リング３２の内径を調整することにより制御された薬液調合装置。 （もっと読む）

【解決手段】フォトレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後、ウエハーと投影レンズの間に屈折率１．４以上の液体を挿入して１８０〜２５０ｎｍの波長で露光する工程と、加熱処理後現像液を用いて現像する工程と、現像後のリンスを炭素数１〜４のアルコールを０．１〜５０質量％含む純水で行う工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
【効果】本発明のパターン形成方法によって、液浸リソグラフィーにおいてホールパターンの閉塞欠陥やブロッブ欠陥を削減できる。 （もっと読む）

【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】サーキュレータ方式に比較して高速かつ高精度に現像液の温度調整を実現する。
【解決手段】現像液が流通する導電性材料の発熱管１１と、この発熱管の両端部同士を電気的に短絡させる非磁性材料の短絡部材１２と、発熱管及び短絡部材を包囲するように配置し、高周波信号に応じて発熱管に対して電磁誘導電力を発生させる加熱コイル１３とを有し、短絡部材は、発熱管の電磁誘導電力に応じて短絡電流を発生し、この短絡電流に応じて発熱管を加熱し、発熱管は、短絡電流の加熱作用に応じて、同管内を流通する現像液の温度を目標温度になるように、現像液を加熱するようにした。 （もっと読む）