【課題】現像液とそれに溶解するフォトレジストの混合溶液を除去して基板を純水洗浄する際に、純水吐出ノズルに付着した飛散液の滴（混合溶液そのものの滴、及び／または、純水に希釈された滴）が基板上に滴下することを防止する。
【解決手段】純水吐出ノズル６に垂直方向の慣性力が加わらないように、純水吐出ノズル６を斜め移動や水平移動により移動させる。さらに、純水吐出ノズル６の吐出口１４付近に飛散液の滴を捕集する受け椀１３を設ける。加えて、受け椀１３中に液量監視センサ１６と受け椀１３に捕集された混合溶液１５を吸引排出する手段１７を設置する。これにより、飛散液１２が基板１０１上に滴下することを防止できる。この結果、基板１０１上に正常に形成されたレジストパターンに欠陥が生成されることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微小欠陥の発生を低減できる微細パターン形成体の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基板上に感光性レジストを塗布しレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、上記レジスト層を露光する露光工程と、上記露光工程後のレジスト層を現像液で現像する現像工程と、上記現像工程後のレジスト層をリンス液でリンスするリンス工程と、を有する微細パターン形成体の製造方法であって、上記リンス工程の際に、上記基板を鉛直軸周りに水平に回転させ、上記現像工程後のレジスト層に対して、上記リンス液をスリットノズルにより帯状に吐出し、かつ、上記スリットノズルの吐出口から吐出される上記リンス液の流速が、０．６５×１０^４〜３×１０^４ｃｍ／ｍｉｎの範囲内であることを特徴とする微細パターン形成体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 工程数を削減して製造コストの低減が可能な、薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 非晶質の半導体層を形成する工程（Ｓ１）と、その半導体層の表面に、ネガ型の感光性を有するポリシラザン層を形成する工程（Ｓ３）と、ポリシラザン層の所定領域に光を照射して、ポリシラザン層を露光するとともに、半導体層の所定領域を結晶化する工程（Ｓ４）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】現像性、硬化膜のテント性、密着性に優れ、かつエッチング時の剥離性、解像性にも優れ、高精細なパターンを形成可能であるパターン形成材料、並びに該パターン形成材料を備えたパターン形成装置及び前記パターン形成材料を用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体と、該支持体上に感光層とを少なくとも有し、該感光層がバインダー、重合性化合物、及び光重合開始剤を含み、かつ、前記バインダーが、ウレタン基を含有するバインダーと、スチレン及びスチレン誘導体の少なくともいずれかに由来する構造単位を有するバインダーと、を含有することを特徴とするパターン形成材料、並びにパターン形成装置及びパターン形成方法である。前記スチレン及びスチレン誘導体の少なくともいずれかに由来する構造単位を有するバインダーのＩ／Ｏ値が、０．３５〜０．６５である態様、ウレタン基を含有するバインダーの含有量が、バインダーの総量に対して５〜３５質量％である態様が好ましい。 （もっと読む）

【課題】多種多様な性質のカバー膜に対応した除去処理を行うことができるカバー膜除去装置を提供する。
【解決手段】レジスト膜の上にカバー膜が形成された基板Ｗは露光処理後にカバー膜除去装置１に搬入される。カバー膜除去装置１は、基板Ｗを保持して回転させる保持回転部１０と、基板Ｗの表面にカバー膜を溶解する溶媒（剥離液）を互いに異なる形態にて吐出する３種類のノズル（スリットノズル２０，ストレートノズル４０，二流体ノズル６０）と、これらの要素の各駆動部を制御する制御部９０と、を備える。基板Ｗ上のカバー膜の性質に応じてスリットノズル２０，ストレートノズル４０，二流体ノズル６０を使い分けることができる。 （もっと読む）

【課題】現像処理後の基板のリンス処理において、パターン倒れを発生させることなく基板乾燥でき、パターン線幅の変動を抑制すると共に析出系欠陥の残留を低減し、生産性を向上することのできるリンス処理方法、現像処理方法及び現像装置を提供する。
【解決手段】露光パターンを現像処理した後の基板Ｗを洗浄するリンス処理方法において、前記基板Ｗ上に純水を供給し、純水により基板洗浄するステップＳ５と、前記基板Ｗ上に所定濃度の界面活性剤からなる第一のリンス液を供給し、前記第一のリンス液により基板洗浄するステップＳ６と、前記基板Ｗ上に前記第一のリンス液よりも低濃度の界面活性剤からなる第二のリンス液を供給し、前記第二のリンス液により基板洗浄するステップＳ７とを実行する。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の上に形成されたカバー膜を確実に除去して現像欠陥を防止することができる基板現像技術を提供する。
【解決手段】露光処理後の基板を回転させつつＳ１、その表面に希釈現像液を供給するＳ２。希釈現像液とはレジスト膜の現像処理に使用する現像液よりも濃度の低い現像液である。レジスト膜の上に形成されたカバー膜は比較的低濃度の希釈現像液であっても溶解し、剥離する。また、希釈現像液であればレジスト膜の実質的な現像処理は進行しない。続いて、基板表面に純水を供給して希釈現像液および剥離したカバー膜を洗い流すＳ３。その後、基板の表面に通常の現像液を供給して現像処理を行うＳ５。 （もっと読む）

【課題】 レジストパターンの加工寸法に悪影響を及ぼしたりレジスト膜にダメージを与えたりすることなく、現像液に対するレジスト膜表面の濡れ性を向上させることができ、廃液の分離回収を行う必要も無い基板の現像処理方法を提供する。
【解決手段】 現像液吐出ノズル３０から基板Ｗの表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を供給してレジスト膜を現像処理する前に、溶液吐出ノズル３４から界面活性剤を含む溶液をレジスト膜上へ供給し、続いて、界面活性剤を含む溶液が供給されたレジスト膜上へ純水吐出ノズル３２から純水を供給してプリウェット処理する。 （もっと読む）

【課題】 パターン寸法の微細化に伴って起こるレジストパターン倒壊の問題とパターン寸法の微細化のための技術進展に関連して発生するレジストの撥水性による問題とを共に解決することができ、かつ、装置構成や制御が煩雑になることもない基板の現像処理方法を提供する。
【解決手段】 現像液吐出ノズル２８から基板Ｗの表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を吐出してレジスト膜を現像処理する前に、液体吐出ノズル３０からプリウェット液として界面活性剤を含む溶液をレジスト膜上へ吐出してプリウェット処理する。現像処理後に液体吐出ノズル３０からリンス液として界面活性剤を含む同じ溶液をレジスト膜上へ吐出してリンス処理する。 （もっと読む）

【課題】 多量あるいは少量の希釈混合液を生成する目的で、高濃度の洗浄液原液と純水を、混合液に気泡を巻き込むことなく自動希釈する。
【解決手段】 高濃度の洗浄液原液と純水を混合タンク２に注入する際に、ふたつの液を直接混合タンクに注入するのではなく、それぞれ逆止弁を介して循環ライン１７に注入し、混合タンク内の該循環ライン１７の戻り配管を混合タンク２の液面より下まで伸ばすことにより気泡を生じることなく洗浄液原液と純水を混合液の中に混入させる。洗浄液原液と純水の計量に際しては、定量ポンプ２７で洗浄液原液を、ロードセル１５で純水を計量する。 （もっと読む）

【課題】プロセス工程の数が従来のリフトオフ方法より少なく、基板との密着性が良好な薄膜パターンの形成が可能な微細加工方法を提供すること。基板との密着性に優れたパターニングされた被加工薄膜を有する微細加工構造を提供すること。移動度が優れた有機トランジスタの作成が可能な微細加工方法及び電子デバイスを提供すること。
【解決手段】基体１上にレジスト膜２を形成する工程、レジスト膜２をパターン露光する工程、現像を行うことなくレジスト膜２上に被加工薄膜４を形成する工程、レジスト膜２の非露光部２ｂとその上の被加工薄膜４とをリフトオフする工程、を順次行うことを特徴とする。パターン化された被加工薄膜４ａと基板１との間に、露光されたレジストパターン２ａが介在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 良好な厚膜レジストパターンを形成できるとともに、泡立ちが少ない現像液組
成物を提供する。
【解決手段】 支持体上に厚膜レジストパターンを形成するために用いられる現像液組成物であって、有機第四級アンモニウム塩基を主剤とし、ポリエチレンオキシド化合物、ポリプロピレンオキシド化合物およびエチレンオキシド・プロピレンオキシド付加物の中から選ばれる少なくとも１種の消泡剤とを含有することを特徴とする、厚膜レジスト用現像液組成物。 （もっと読む）

【課題】 ホトレジストパターンについて、製品の表面欠陥、いわゆるディフェクトを減少させ、水リンス時におけるパターン倒れの発生を防止し、レジストの電子線照射に対する耐性を付与して、パターンの収縮を抑制するために用いられ、保存中にバクテリアによる汚染を生じることのない新規なリソグラフィー用洗浄液を提供する。
【解決手段】 （Ａ）一般式
【化１】


（Ｒ¹は酸素原子で中断されていてもよい炭素数８〜２０のアルキル基又はヒドロキシアルキル基、ｎ及びｍは１ないし５の整数）
で表わされる少なくとも１種のアミンオキシド、及び（Ｂ）一般式
【化２】


（Ｒ²は酸素原子で中断されていてもよい炭素数８〜２０のアルキル基又はヒドロキシアルキル基、ｋ及びｌは１ないし５の整数）
で表わされる少なくとも１種のアミンオキシドを含む水性溶液からなるリソグラフィー用洗浄液とする。 （もっと読む）

【課題】 表面張力がパターンに作用しない工夫を図ることにより、高アスペクト比のパターンの倒壊を防止することができる。
【解決手段】 基板Ｗを乾燥させつつ基板Ｗにポリマー１１を供給して感光性被膜の全面をポリマー１１で覆い、リンス液９が乾燥してパターン７間に表面張力が作用する前に、パターン７の間をポリマー１１で覆う。乾燥時にリンス液９がパターン７間に表面張力を作用させることないので、現像処理におけるパターン７の倒壊が防止できる。その後、感光性被膜のパターン７をドライエッチングによって除去する。したがって、エッチング時においても液体による表面張力が働くことがなく、高アスペクト比のパターン７から生成される最終パターンであっても倒壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】ナノスケールの半導体処理のためにバブルフリーの液体を生成するためのシステムおよび方法
【解決手段】バブルフリーの液体を生成するためのシステムは、連続液体ソースと非バブル化チャンバとを含む。非バブル化チャンバは、出口と入口とを含む。入口は、供給管によって連続液体ソースの出口につながれる。非バブル化チャンバは、また、非バブル化チャンバの側壁内に少なくとも１つの口を含む。少なくとも１つの口は、非バブル化チャンバの入口から少なくとも長さＬの位置にある。バブルフリーの液体を生成するための方法も説明される。 （もっと読む）

【課題】基板の薬液処理をむらなく均一に行う。
【解決手段】薬液処理室２０ａ，２０ｂにおいて、薬液ノズル３から供給された薬液により、基板１の薬液処理が行われる。薬液処理後、基板１は、ローラ２により、水置換／冷却室３０へ送られる。水置換／冷却室３０において、アクアナイフ６から吹き付けられた純水により、基板１の表面の薬液が、洗い流されて、純水と置換される。そして、冷却液ノズル７から供給された冷却液により、基板１の表面に残存する薬液が常温より低い温度に冷却される。従来に比べて、迅速かつ均一に薬液処理の進行が押さえられるので、処理時間が均一化され、処理がむらなく均一に行われる。冷却液として、例えば、ドライアイスを混ぜた純水を用い、基板上の液体を凍結させる。この場合、基板上の液体は、凍結により体積が膨張するので、基板の表面から浮いて剥がれ易くなる。 （もっと読む）

【課題】 良好に現像残渣を分離除去するウェット処理装置を提供する。
【解決手段】 露光処理したワークに現像液を噴出して現像処理した後の処理現像液を、膜分離装置３２２で、現像残渣を除去した現像処理液と、現像残渣を含む現像濃縮液とに膜分離する。処理現像液は、現像処理で利用する現像液に未使用の現像液を補充する量と略同量で現像濃縮液を排出する条件で膜分離する。現像再生液は、現像液として再利用する。現像濃縮液は、遠心分離装置３２３Ｂにてスラリと現像廃液とに分離して別途処理する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成で良好に現像残渣を分離除去するウェット処理装置を提供する。
【解決手段】 露光処理したワークに現像液を噴出して現像処理した後の処理現像液を、沈殿分離槽３２２Ａに流入させ、現像残渣を除去した現像処理液と、現像残渣を含む現像濃縮液とに沈殿分離する。処理現像液は、現像処理で利用する現像液に未使用の現像液を補充する量と略同量で沈殿分離槽３２２Ａから排出する現像濃縮液の最大沈殿量に対応する水深位置Ｘの直上近傍で周方向に内周面に沿って流入させる。上澄み分を現像処理液として回収し、現像濃縮液は、遠心分離装置３２３Ａにてスラリと分離液とに分離する。 （もっと読む）

【課題】水分除去のためのスピン乾燥におけるパタン倒れを防止した、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被加工膜またはレジストによるパタンを基板上に形成する工程と、少なくとも水を含む液体である洗浄液でパタンを洗浄する工程と、パタンを洗浄した後、基板上に残留する洗浄液の表面に親水性基および疎水性基を有する両親媒性物質を展開させる工程と、両親媒性物質を展開させた後、基板上の洗浄液を除去するための乾燥工程とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】 良好な厚膜レジストパターンを形成できるとともに、泡立ちが少ない現像液組成物を提供する。
【解決手段】支持体上に厚膜レジストパターンを形成するために用いられる現像液組成物であって、有機第四級アンモニウム塩基を主剤とし、下記一般式（Ｉ）で表される陰イオン性界面活性剤、並びにシリコーン系消泡剤、アルコール系消泡剤、および非イオン界面活性剤系消泡剤からなる群から選ばれる消泡剤を含むことを特徴とする現像液組成物。
【化１】


（式中、Ｒ^１は炭素数５〜１８のアルキル基又はアルコキシ基；ａは１または２；Ｒ^２、Ｒ^３は独立にスルホン酸アンモニウム基、スルホン酸置換アンモニウム基、または下記一般式（ＩＩ）で表される基；ｂは０または１〜３の整数；ｃは１〜３の整数。）
【化２】


（式中、Ｍは金属原子である。） （もっと読む）