【課題】処理液を再生処理しても、処理液中に含まれる界面活性剤の濃度を必要濃度に維持することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理システム1は、基板処理装置12、処理液再生装置30及び新液供給装置70を備える。基板処理装置12は、処理液を貯留する貯留槽11と、基板K上に処理液を供給して処理する処理槽13と、基板Kを搬送する搬送機構14と、処理液Lを処理槽13に供給し、処理槽13内の処理液Lを貯留槽11に還流させる処理液供給機構20とを備える。処理液再生装置30は、金属成分を吸着する吸着材が充填された吸着容器32,33と、処理液を吸着容器32,33に供給して流通させ、流出した処理液を貯留槽11に還流させる処理液循環機構34とを備える。新液供給装置70は、処理槽11から基板Kが搬出される度に、所定量の新液Lを、貯留槽11の処理液L、又は吸着容器32,33から貯留槽11に還流される処理液Lに添加するように構成される。 （もっと読む）

【課題】泡生成を最小化して露光されたフォトレジストに使用されるように、現像剤において表面張力を効率的に低下させうる新規な界面活性剤を提供する。
【解決手段】式


（ここでｒおよびｔは１もしくは２、（ｎ＋ｍ）は１〜３０そして（ｐ＋ｑ）は１〜３０である）によって表されるアセチレン列ジオールエチレンオキシド／プロピレンオキシド付加物を界面活性剤として含む水性アルカリフォトレジスト現像剤組成物。 （もっと読む）

【課題】はんだ耐熱性、長期信頼性、電気絶縁性の改善などのため無機フィラーを添加しても残渣を抑制でき、かつ基板およびフォトレジストにダメージがなく、コスト削減が可能となるフォトレジストの現像方法および装置を提供する。
【解決手段】基板８にフォトレジスト１１を形成し、露光した後、現像液２中に浸漬させ、現像液２中に電圧を印加しながら現像を行う。この際、電源４を駆動し、電極５、６により現像液２に電圧を印加する。現像液２への電圧印加は、基板８の浸漬に先だってするのが好ましい。 （もっと読む）

有機構造体のフォトリソグラフィーパターニングのための直交方法を開示する。該開示された方法は、有機導体及び半導体の性能が他の攻撃的な溶媒によって不利な影響を受けないように、フッ素化溶媒又は超臨界CO₂を溶媒として利用する。一つの開示された方法では、フッ素化フォトレジストをHFE溶媒と一緒に利用することもできるが、他のフッ素化溶媒を使用することもできる。一実施態様において、該フッ素化フォトレジストはレゾルシンアレーンであるが、様々なフッ素化ポリマーフォトレジスト及びフッ素化分子ガラスフォトレジストを同様に使用することができる。例えば、ペルフルオロデシルメタクリラート（FDMA）と2-ニトロベンジルメタクリラート（NBMA）との共重合体は、フォトリソグラフィー処理において、フッ素化溶媒及び超臨界二酸化炭素とともに使用するのに適した直交フッ素化フォトレジストである。フッ素化フォトレジストとフッ素化溶媒との組合せは、当業者に公知の方法又はデバイスではまだ達成されていない、強固な直交方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】膜残りや画素の欠落のない良好な現像を与え、高濃縮化が可能な感放射線性組成物用濃縮現像液を提供する。
【解決手段】（Ａ）アルカリ金属炭酸塩、（Ｂ）アルカリ金属炭酸水素塩、（Ｃ）クミルフェノールのポリアルキレンオキサイド付加物又はフェニルエチル基置換フェノールのポリアルキレンオキサイド付加物の少なくとも１種からなる界面活性剤成分、（Ｄ）特定の可溶化剤成分及び（Ｅ）水からなる感放射線性組成物用濃縮現像液。 （もっと読む）

【課題】金属膜の腐食を抑えながら厚膜レジストを残渣なく現像する、厚膜レジスト用現像液を提供すること。
【解決手段】塩基性化合物（ａ）と多価アルコール（ｂ）とを含む厚膜レジスト用現像液であって、前記多価アルコール（ｂ）を該厚膜レジスト用現像液全量に対して３質量％以上２０質量％未満の濃度で含有することを特徴とする、厚膜レジスト用現像液による。特に、多価アルコール（ｂ）がグリセリン、プロピレングリコール及びエチレングリコールの中から選ばれるものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板上でのパターン倒れを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、洗浄処理部５ａ〜５ｄを有する。洗浄処理部５ａ〜５ｄは、スピンベース２２、チャック回転駆動機構２４、チャンバ３１、真空ポンプ３３、蒸気供給管３４および液体供給ノズル４６を備える。チャンバ３１がスピンベース２２から離間した位置に設定されかつスピンベース２２が回転されている状態で、スピンベース２２上の基板Ｗに液体供給ノズル４６から薬液およびリンス液が供給される。スピンベース２２が停止されかつチャンバ３１がスピンベース２２に密着した位置に設定されている状態で、真空ポンプ３３によりチャンバ３１内が排気されるとともに蒸気供給管３４からチャンバ３１内にＩＰＡの蒸気が供給される。 （もっと読む）

【課題】解像度の高いフォトマスクが安定に得られ、且つ現像カス（スラッジ）の発生を長期間に亘って抑制できるフォトマスクの製造方法の提供。
【解決手段】透明基材上に、少なくとも遮光材料を含有し且つ近紫外光ないし可視光で画像形成が可能な感光性層を有するフォトマスク材料を、近紫外光ないし可視光で画像様露光した後、露光後のフォトマスク材料を、アニオン界面活性剤及びノニオン界面活性剤からなる群から選択される少なくとも１種の界面活性剤を全質量中に１質量％以上１０質量％以下含有するｐＨ８〜１３の現像液を用いて現像することを特徴とするフォトマスクの製造方法 （もっと読む）

【課題】界面活性剤によるパターン倒れの防止効果を阻害することなく、ＣＤシフト及び断面垂直性の低下を抑制する、リソグラフィー用洗浄剤及びこの洗浄剤を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】第四級アミン化合物（ａ）、界面活性剤（ｂ）及び水を含有するリソグラフィー用洗浄剤による。また、このリソグラフィー用洗浄剤をレジストパターン形成工程において、形成したレジストパターンと接触させることによる。 （もっと読む）

【課題】処理液による処理前における、基板に形成されたパターンの倒壊を抑制することが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】主表面に複数のパターンが隣接して形成された基板を処理する基板処理方法であって、基板の主表面に第１の処理液を供給し、基板の主表面に第１の処理液を付着させ、基板の主表面に第１の処理液が付着した状態で、第１の処理液よりも表面張力が大きい第２の処理液を基板の主表面に供給し、第２の処理液により基板の主表面を処理する。 （もっと読む）

【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、現像液と剥離液との溶質を同一材料とすることを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基板上に水溶性の感光性樹脂を形成する工程と、感光性樹脂を露光する工程と、感光性樹脂を現像液を用いて現像する現像工程と、現像工程の後に基板上に残った感光性樹脂を剥離液を用いて剥離する剥離工程と、膜パターンの材料を堆積する堆積工程と、を有する膜パターンの形成方法であって、剥離液と現像液とが同一の溶質からなり、剥離液の溶質の濃度が、現像液の溶質の濃度よりも高いことを特徴とする膜パターンの形成方法である。 （もっと読む）

【課題】この発明はナノバブルよりも大径な気泡を含んでいない処理液を供給することができる処理液の供給装置を提供することにある。
【解決手段】ナノバブルだけを含む処理液を供給する処理液の供給装置であって、
処理液微細気泡を発生させるナノバブル発生器３と、気泡を含む処理液を貯える貯液槽１と、貯液槽に貯えられた処理液にナノバブルよりも大きな気泡が含まれているか否かを光学的に検出する第１、第２の輝度検出センサ３４，３５と、第１、第２の輝度検出センサによって処理液にナノバブルよりも大きな気泡が含まれていないことが検出されたときに貯液槽に貯えられた処理液を供給する制御装置３６を具備する。 （もっと読む）

【課題】 高解像度パターンフィーチャをもたらす多重パターニング技法を提供する。
【解決手段】 多重パターニングプロセスで相変化材料を使用し、相変化材料の一部分をアモルファス状態に転化させることができ、次いで残りの部分が選択的に除去され、たとえば単一の露光を使用して従来のパターニング層内で使用可能な最小間隔より小さいフィーチャ間隔を有する高解像度パターンフィーチャをもたらす。このプロセスで使用するためのリソグラフィ装置は、単一のイルミネータと、単一の露光スリットを介して、スキャンする基板上に結像される単一のパターニングデバイスとを有する露光ツールを備えることができる。別法として、露光ツールは、単一の基板パスでの二重パターニングを容易にするように、スキャンする基板上の複数の露光スリットと共に任意選択で使用される複数のイルミネータおよび／または複数のスキャンする相補的なパターニングデバイスを有することができる。 （もっと読む）

【課題】 基材との密着性に優れ、耐熱性、機械特性及び熱寸法安定性に優れ、かつ解像度、感度に優れたパターンが得られるレリーフパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】ベンズアゾール構造を有する２価の有機基を繰り返し単位として有する有機溶剤可溶性のポリイミド樹脂（ａ）と活性光線照射により酸を発生する化合物（ｂ）とを含有するポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物を含有し、かつ所望のパターンでマスクされたフォトレジスト層に、活性光線を照射し、次いで該フォトレジスト層の露光部分を求核性アミン含有溶液で洗浄除去することを特徴とするレリーフパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】現像処理における析出系欠陥の発生、ＣＤ変動、リンス液によるレジストパターンの溶解を抑制する現像処理方法を提供する。
【解決手段】基板上の露光後のレジスト膜に現像液を塗布し、現像を進行させ、現像後の基板から現像液を振り切り、基板上に疎水基の炭素数が１１以上、かつ、二重結合および三重結合を有していない臨界ミセル濃度以下のポリエチレングリコール系の界面活性剤を含有するリンス液を供給し、基板に純水を供給して基板上のリンス液を純水に置換し、基板を回転させて基板上の純水を広げるとともに振り切り、基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】レジストを塗布し、露光後に現像処理を行った基板のレジスト表面に残渣が付着したまま残る残渣欠陥の発生を抑えること。
【解決手段】基板の表面にレジストを塗布してする塗布モジュールと、レジスト塗布後、露光処理された基板の表面に現像液を供給し、前記レジストを現像処理してレジストにパターンを形成する現像モジュールと、レジストを変質させずにレジストの表面の親水性を高めて、前記現像処理後に当該レジストに付着した残渣を除去するための薬液を前記基板に供給する薬液ノズルと、を備えるように塗布、現像装置を構成する。前記薬液としては例えばアルコールや酸を含んだアルコールが用いられる。 （もっと読む）

【課題】 有機膜パターンへの２回目以降の現像処理をスムーズに行うことを可能とする薬液を提供する。
【解決手段】 基板１上に形成された有機膜パターン４の表面には、有機膜パターン４の表層部が変質してなる変質層と、有機膜パターン４の表面上に堆積物が堆積してなる堆積層と、からなる阻害層が形成されている。水酸化テトラアルキルアンモニウム、アルカノールアミン、炭素数が５以上の糖アルコール、酸及び酸性塩から選択される少なくとも１種、及び残部の水からなり、有機膜パターン４における阻害層以外の部分を溶解させる速度が、室温において、２０００Å／分以下である薬液を用いて、阻害層を除去する。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジラフネスが低減され、更に寸法均一性も高いパターンが形成する方法、該方法に用いられる樹脂組成物及び該方法に用いられる現像液を提供する。
【解決手段】脂環式炭化水素構造を有し、分散度が１．７以下であり、かつ酸の作用により極性が増大する樹脂を含有する、活性光線又は放射線の照射により、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、レジスト組成物を塗布する工程、露光工程、および、ネガ型現像液を用いて現像する工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法、該方法に用いられるレジスト組成物及び該方法に用いられる現像液及びリンス液。 （もっと読む）

【課題】高集積且つ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、高感度、且つトレンチパターンの解像性に優れ、更には疎密依存性の良好なパターンを形成する為のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により極性が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂を含有するネガ型現像用レジスト組成物を塗布する工程、（イ）露光工程及び（ウ）金属不純物の含有量が、１００ｐｐｂ以下の有機溶剤を含有するネガ型現像液を用いて現像を行う工程を含むパターン形成方法。 （もっと読む）