【課題】ホトレジスト膜上に積層される保護膜であって、ホトレジスト膜からのアウトガスによる露光装置の汚染を抑止可能で、環境に与える影響が小さく、高い撥水性を有し、かつホトレジスト膜とのミキシングが生じにくく高解像のホトレジストパターンを形成することが可能な保護膜形成用材料、ホトレジストパターンの形成方法、及び保護膜洗浄除去液を提供する。
【解決手段】保護膜形成用材料として、（ａ）非極性ポリマー、及び（ｂ）非極性溶剤を含有する保護膜形成用材料。また、この保護膜形成用材料を用いたホトレジストパターンの形成方法、及びこのホトレジストパターンの形成方法に用いられる保護膜洗浄除去液。 （もっと読む）

【課題】現像後のパターン表面の欠陥を改良するための現像後レジスト基板処理液およびそれを用いたレジスト基板の処理方法の提供。
【解決手段】窒素含有水溶性ポリマーまたは酸素含有水溶性ポリマー、例えばポリアミン、ポリオールまたはポリエーテルと、溶媒とを含んでなることを特徴とするレジスト基板処理液、ならびに現像処理後のレジストパターンを、そのレジスト基板処理液により処理し、純水により洗浄をさらに行うことを特徴とするレジスト基板の処理方法。 （もっと読む）

【課題】基板に対して良好に洗浄処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】薬液ユニット１０は、基板Ｗの薬液処理を可能とするユニットである。洗浄ユニット６０は、薬液ユニット１０により薬液が供給された基板Ｗにマイクロバブル水を供給して、マイクロバブル水による洗浄処理を可能とするユニットである。洗浄ユニット６０は、主として、複数の上側ノズル６１と、複数の下側ノズル６２と、液ナイフ６６と、貯留槽２０と、マイクロバブル発生部２１と、を備えている。これにより、薬液処理後の基板Ｗにマイクロバブル水を供給することができる。そのため、薬液処理において基板に付着した薬液をマイクロバブル水により迅速に置換することができ、洗浄処理に使用される処理液の量を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ低コストに現像欠陥を抑制することが可能な水溶性パターン形成材料を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】パターン形成方法は、半導体基板１の主表面上にレジストパターン１２を形成する工程と、前記レジストパターン１２の上に、酸の存在下で熱架橋性を有する水溶性パターン形成材料を塗布する工程と、前記水溶性パターン形成材料の前記レジストパターンと接する部分に加熱によって架橋膜５０を形成する工程と、前記水溶性パターン形成材料の前記架橋膜５０以外の部分を、界面活性剤を含んだアルカリ水溶液を用いて除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ等の表面保護膜としてレジストを塗布し、基板の周縁部（ベベル部、エッジ部、ノッチ部等）の研磨を行う製造工程において、ポジ型レジスト表面に親水性を付与することにより研磨屑等の汚染源がポジ型レジスト表面に付着するのを防止するレジスト処理液組成物を提供する。
【解決手段】本発明のポジ型レジスト処理液組成物は、下記の一般式（Ｉ）：


式中、Ｒ_１及びＲ_３はそれぞれメチル基を示し、Ｒ_２は炭素数１２〜１８のアルキル基を示す、で表される水酸化第四級アンモニウムを含有する水溶液からなる。 （もっと読む）

基板にパターン化フィルムを調製する方法は、シリコーン組成物のフィルムを形成するために基板上にシリコーン組成物を適用することを含む。フィルムの一部は放射線に曝されて、曝露領域と非曝露領域を有する部分的に曝露されたフィルムが形成される。この部分的に曝露されたフィルムは、シロキサン成分を含む現像溶媒に対して曝露領域を実質的に不溶化するために十分な長さの時間および十分な温度で加熱される。部分的に曝露されたフィルムの非曝露領域が、現像溶媒によって除去されて、フィルムの無い領域が基板上に露出され、基板上に残る曝露領域を含むパターン化フィルムが形成される。現像溶媒中にシロキサン成分が存在するために、フィルムの無い領域には、残留シリコーンが実質的に存在しない。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された露光後のレジスト膜を現像処理するときに、パターン寸法の微細化に伴って起こるレジストパターン倒壊の発生を防止することができ、後工程に悪影響を及ぼす心配も無い方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に形成された露光後のレジスト膜を現像処理する工程において、現像液供給ノズル２８から疎水化剤が混合された現像液を基板表面のレジスト膜上へ供給し、現像処理後にリンス処理しスピン乾燥する。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸部や可動部を有する半導体装置を、この凹凸部や可動部に固着、損傷を生じることなく製造する方法の提供。
【解決手段】半導体装置の凹凸部や可動部を液体処理し、この液体を純水で置換した後、純水を溶剤で置換し、この溶剤中に昇華性物質を含ませ、溶剤を蒸発して半導体装置の表面に昇華性物質を析出せしめ、この昇華性物質を昇華により除去することからなる。 （もっと読む）

【課題】感光性転写材料によって形成された感光性樹脂層を露光後に現像する場合、現像後の現像残渣の低減が可能な現像液とそれを用いた画像形成方法の提供。
【解決手段】転写された感光性樹脂層を露光後に、アルカリ現像液により現像して画像形成する工程を設け、前記アルカリ現像液に炭酸塩と陰イオン界面活性剤とを含有せしめ、前記炭酸塩がナトリウムイオン及び／又はカリウムイオンを含有させ、かつ、該炭酸塩の濃度を０．０４〜０．５モル／ｋｇとし、前記陰イオン界面活性剤に、ナフタレンスルホン酸誘導体塩（Ａ）とポリオキシエチレンナフチルエーテル硫酸塩（Ｂ）とを含有させ、かつ、（Ａ）と（Ｂ）の合計質量に対する（Ｂ）の質量の割合を２０質量％〜６０質量％とする。 （もっと読む）

パターンの最小ピッチを短縮させる方法が開示される。基板上のフォトレジストがマスクを介して放射線に曝される。このマスクは或る間隔で相隔てられた造形部を有する。放射線に対する第１の被曝量、放射線に対する第２の被曝量、及び放射線に対する第３の被曝量を有するフォトレジスト部分群が作り出される。放射線に対する第１の被曝量を有するフォトレジスト部分が、第１のケミストリを用いて、基板から選択的に除去される。放射線に対する第２の被曝量を有するフォトレジスト部分が、第２のケミストリを用いて、基板から選択的に除去される。放射線に対する第３の被曝量を有するフォトレジスト部分は残存し、基板上にパターンを形成する。このパターンの造形部間の間隔は、マスクの造形部間の間隔の１／２以下である。
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【課題】現像によってレジストから溶出した成分が現像液中で拡散して現像処理が不均一となることを防止して、パターン寸法の均一性を向上させることができる基板の現像処理方法を提供する。
【解決手段】基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を塗布してレジスト膜を現像処理する場合に、現像液として、水溶性樹脂を含む混合薬液を使用する。基板表面のレジスト膜上に塗布された現像液中に含まれる水溶性樹脂により、現像によってレジストから溶出した成分が現像液中で拡散することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】タクトタイムが短縮された基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板４を搬送しつつ基板４に対して各処理を行う基板処理装置において、少なくとも基板４の搬送方向に沿って処理液供給装置１、乾燥装置３が順に配置され、乾燥装置３は基板４上の処理液を乾燥させるエアナイフ２０から構成され、処理液供給装置１には基板４に処理液を供給する複数のノズル（１１ａ〜１１ｄ）が設けられ、これら複数のノズルのうち少なくとも最後段のノズル１１ｄが、基板４の搬送方向とは反対の方向に向けられた構成とした。 （もっと読む）

【課題】プロセス安定性を維持しつつ、アルカリ性現像液に対する溶解速度を向上させ、溶解選択比を低下させることのないレジスト現像液組成物を提供すること。
【解決手段】金属イオンを含まない有機塩基を含有する水溶液に、有機アンモニウム塩を配合したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】寸法均一性を向上してコストを低減したフォト現像方法を提供する。
【解決手段】所定形状に露光されたレジスト２０上に現像液３０を塗布して該現像液３０を除去する第１現像工程と、前記レジスト２０上に第１現像工程で用いた現像液３０とは異なる現像液３１を塗布して該現像液３１を除去する第２現像工程とを具備するフォト現像方法によって寸法均一性を向上すると共に現像時間を短縮して、作業効率を向上し、コストを低減する。 （もっと読む）

【課題】界面活性剤の濃度を低くしても低表面張力を維持することができ、効果的にパターン倒れやディフェクトを抑制することができ、パターン幅の不均一（ＬＷＲ）・パターン側壁の微小な凹凸（ＬＥＲ）を改善することができ、さらにレジストパターンの寸法変動を生じることのない新規なリソグラフィー用洗浄剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）含窒素カチオン性界面活性剤及び含窒素両性界面活性剤の中から選ばれる少なくとも１種、及び（Ｂ）アニオン性界面活性剤を含有する水性溶液からなるリソグラフィー用洗浄剤とする。 （もっと読む）

【課題】基板の汚染を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【解決手段】基板処理装置５００は、インターフェースブロック１５を備える。インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。インターフェースブロック１５は、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２を含む。第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われ、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２においては、基板の表面に対する接触角が小さいリンス液が用いられる。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の現像時に欠陥が発生したり、疎密パターンに寸法差が生じたりすることを抑制する。
【解決手段】表面に露光済みの感光性レジスト膜が形成された被処理基板１００に対して、現像液供給ノズル１１１から酸化性又は還元性を有する気体分子が溶解された現像液を供給して感光性レジスト膜の現像を行い、レジスト膜と生成物との親和力の内面分布を抑制し、局所的に現像中に発生する現像速度の違いを低減する。また、反応生成物は現像液中に速やかに拡散され、アルカリ濃度差によって生じる疎密寸法差を低減する。 （もっと読む）

【課題】液晶基板やプリント基板の現像プロセスから回収された現像液のアルカリ濃度および樹脂濃度を管理すると共に、一定濃度に再調製した現像液を現像プロセスに供給する現像液の供給装置を提供する。
【解決手段】現像液の供給装置は、現像液原液を供給する機構および新たな現像液または希釈水を供給する機構が付設された調整槽（１）、使用済現像液を調整槽（１）に送液する回収流路（２２）、再調製された現像液を現像プロセス（８）に送液する供給流路（２１）とを備え、回収流路（２２）には、現像プロセス（８）から送液される使用済現像液を装置外に排出する排出流路（２３）が設けられる。そして、調整槽（１）に回収された使用済現像液の量が再調整に必要な使用量を超えた場合に排出流路（２３）から使用済現像液を排出する様に構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体微細加工のリソグラフィ工程で露光装置類のスループットを損なうことなく連携使用できる超臨界二酸化炭素を現像媒体とするレジスト現像装置を実現すること。
【解決手段】超臨界二酸化炭素を現像媒体に用いるレジスト塗布基板を複数枚、固定できるカセット５を収納する現像槽４を有するレジスト現像装置を用いることにより、半導体集積回路を効率的に製造する技術を提供することができる。この場合、現像前の基板を固定したカセットと現像後の基板を固定したカセットを交換することで露光装置のスループットをさらに効果的に維持できる。 （もっと読む）

【課題】一層高い品質の界面活性剤含有アルカリ現像液をオンサイトで効率的に製造することが出来る界面活性剤含有アルカリ現像液の製造装置を提供する。
【解決手段】界面活性剤含有アルカリ現像液の製造方法においては、純水に界面活性剤を添加して界面活性剤混合液を調製し、更にアルカリ系現像原液を添加する。界面活性剤に添加においては、目標濃度よりも低い界面活性剤濃度の界面活性剤混合液を調製する初期調製工程（Ａ）、界面活性剤混合液中の界面活性剤の濃度を測定する濃度測定工程（Ｂ）、界面活性剤の不足量を演算し、不足量の８５〜９９％の界面活性剤を界面活性剤混合液に供給する濃度調節工程（Ｃ）を実行すると共に、測定された濃度値が目標濃度の域値内の値となるまで工程（Ｂ）及び工程（Ｃ）を繰り返す。そして、界面活性剤の濃度を測定するに当たり、最大泡圧式表面張力計を利用したインライン型濃度測定装置を使用する。 （もっと読む）