【課題】基板にダメージを与えることなく、その表面に硬化層を有するレジストであっても除去することができる、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷを加熱しつつ、そのウエハＷの表面に、ＳＰＭと窒素ガスとの混合流体（液滴の噴流）を供給する。ウエハＷの表面上のレジストがその表面に硬化層を有していても、ウエハＷが加熱されることによって、そのレジストの表面の硬化層は軟化する。そのため、混合流体がウエハＷの表面に供給されると、その軟化した硬化層は、その混合流体が衝突するときの衝撃により破壊される。この後、ウエハＷの表面にＳＰＭを供給する。レジストの表面の硬化層が破壊されているので、その硬化層の破壊された部分からレジストの内部にＳＰＭを浸透させることができ、ＳＰＭの化学的な力により、レジストをウエハＷの表面から硬化層ごと剥離させて除去することができる。 （もっと読む）

【課題】レジストの剥離に適した液温の硫酸過酸化水素水を基板に供給することができる、基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ミキシングバルブ１２とＳＰＭノズル３との間に接続された第１供給配管１３には、第２供給配管２４が、第１供給配管１３に介装された第１切替バルブ２０を迂回して接続されている。第２供給配管２４には、第２切替バルブ２５が介装されている。また、第１供給配管１３を流れるＳＰＭの液温が予め定める基準温度以上であれば、第１切替バルブ２０が開かれ、第２切替バルブ２５が閉じられて、ＳＰＭは、第１供給配管１３のみを通してＳＰＭノズル３に供給される。第１供給配管１３を流れるＳＰＭの液温が予め定める基準温度未満であれば、第２切替バルブ２５が開かれ、第１切替バルブ２０が閉じられて、ＳＰＭは、第１供給配管１３の途中から第２供給配管２４に流れ込む。 （もっと読む）

【課題】銀を含む金属層の形成された基板に対して、さらにはその他の金属を含む金属層が形成された基板に対して腐食を発生せず、かつ効果的にフォトレジスト膜を除去することが可能なフォトレジスト用剥離液を提供すること。
【解決手段】（Ａ）Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンを０．５質量％以上２０質量％以下、（Ｂ）アルカノールアミンを１０質量％以上９０質量％以下、および（Ｃ）水溶性有機溶剤を１０質量％以上９０質量％以下含有するフォトレジスト用剥離液である。 （もっと読む）

【課題】ウォータマークの発生を抑制しつつ基板を乾燥させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】純水による洗浄処理（Ｓ３）が行われたウエハの表面に、純水・ＩＰＡ混合液を供給して、洗浄処理後にウエハの表面に残っている純水を前記混合液に置換させる乾燥前処理を行う（Ｓ６〜Ｓ８）とともに、乾燥前処理の進行に伴って、混合液中のＩＰＡの割合を徐々に増加させる（Ｓ７）。ウエハの表面には、いずれの時点においても、表面上の液と近似した組成の混合液が供給されるので、当該液は容易に置換される。また、前記混合液は、最終的にＩＰＡの割合が１００％にされる。これにより、乾燥前処理後に行われる乾燥処理（Ｓ９）において、速やかに、かつ、十分にウエハを乾燥させることができる。 （もっと読む）

【課題】 酸化膜にダメージを与えることなく、砒素がドープされたレジストが除去可能であり、酸化剤を含有しないレジスト除去用組成物を提供する。
【解決手段】 硫酸及び可溶性ケイ素化合物を含んでなる組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は電子デバイス基板上のフォトレジストの再加工のために該基板上の多重層フォトレジスト層を除去する組成物。
【解決手段】該組成物は（ｉ）少なくとも三つの別個の溶媒、（ｉｉ）少なくとも一つの有機スルホン酸、及び（ｉｉｉ）少なくとも一つの腐食防止剤を含む。本発明はまた該組成物を使用する方法にも関係する。該組成物及び方法は３分未満の接触時間で且つ６５℃未満の温度でそのような多重層フォトレジストを除去することに成功し、これにより枚葉式ウェハーツールにおける高い処理能力をもたらした。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラム弁の帯電した静電気の火花放電によってダイヤフラム弁が破損してしまうのを防止すること。
【解決手段】本発明では、処理室(24)の内部で被処理体(ウエハ２)を処理ガスを用いて処理する処理装置(9)において、前記処理ガスを流通させるための処理ガス流通配管(25)と、前記処理ガス流通配管(25)に介設したダイヤフラム弁(圧力調整弁41,55)と、前記ダイヤフラム弁(圧力調整弁41,55)よりも上流側の前記処理ガス流通配管(25)に接続した前記ダイヤフラム弁(圧力調整弁41,55)の帯電を防止するための帯電防止剤を供給する供給源(帯電防止剤供給源43,56)とを有し、前記ダイヤフラム弁(圧力調整弁41,55)に帯電防止剤を供給するようにした。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の周縁部上のレジストが全厚にわたって硬化していても、その硬化したレジストを除去することができる、基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スピンチャック２に保持されたウエハＷの表面の周縁部（非デバイス形成領域）に、有機溶剤ノズル５から有機溶剤の液体を供給する。これにより、ウエハＷの表面の周縁部上のレジストは、たとえ全厚にわたって硬化していても、有機溶剤の液体に溶解されて除去される。 （もっと読む）

【課題】低温短時間の剥離条件下において残渣（例えば、Ａｌ、ＣｕおよびＴｉを含む酸化生成物）を好適に剥離でき、配線（特にＡｌを含む金属配線）等に対する腐食抑制効果が高く、環境への負荷が小さい剥離剤組成物、及びこれを用いた半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】配線を含む半導体素子の製造過程で用いられる剥離剤組成物であって、有機アミンと、有機ホスホン酸と、直鎖糖アルコールと、水と含み、２０℃におけるｐＨが９〜１３である剥離剤組成物。 （もっと読む）

【課題】回路機構間の微細寸法で汚染された物品と水および酸化材料を含む反応性クリーニング流体を接触させて汚染材料を除去する方法を提供する。
【解決手段】反応性クリーニング流体の臨界温度または臨界温度超の温度で、且つ反応性クリーニング流体の臨界圧力または臨界圧力超の圧力で、汚染された物品と水１９および酸化材料５１を含む反応性クリーニング流体とを接触させる工程を含む汚染された物品からの汚染材料の除去、汚染材料の少なくとも一部分を酸化して、クリーニングされた物品並びに未反応の反応性クリーニング流体および除去された汚染材料を含む生成混合物を生成する酸化、およびクリーニングされた物品と生成混合物との分離を含む汚染された物品から汚染材料を除去するための方法。 （もっと読む）

【課題】剥離液濃度を常時一定範囲に維持でき、新液交換時期の延長とランニングコストの低減化が可能な水系レジスト剥離液の管理方法とその管理装置を提供する。
【解決手段】まず、水系フォトレジスト剥離液に含まれる複数成分の濃度変化を、予めこの変化に対応する導電率および超音波伝播速度変化の相対関係として記憶する（ステップＳ１）。次に、レジスト剥離に際して、剥離液中の複数成分のうちの特定成分を、剥離液の代表成分として選択する（ステップＳ２）。代表成分の導電率と超音波伝播速度とを測定し（ステップＳ３）、両測定値が予め記憶した代表成分の相対関係の管理範囲内にあるか判断し（ステップＳ４）、範囲内にある場合は終了するがない場合は偏差値が解消するまで制御する（ステップＳ５〜Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】薬液溶解リフロープロセスとその後の第三の除去処理（主に、再現像処理）を好適に行うことが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、基板の搬送を行う基板搬送機構１２と、処理ユニット配置区域３に配置され、基板に薬液処理を施す薬液処理ユニットと、処理ユニット配置区域４に配置され、基板にガス雰囲気処理を施すガス雰囲気処理ユニットと、を一体的に備える。 （もっと読む）

【課題】レジスト等の剥離において、超臨界流体のような高圧流体と併せて用いられる剥離用組成物によって汚染された装置内部を洗浄する方法を提供する。
【解決手段】高圧流体洗浄用装置内部に付着したアミン類及びフッ化物の洗浄において、硫酸、有機溶媒及び超臨界二酸化炭素からなる洗浄液を用いて洗浄する。 （もっと読む）

【課題】レジスト由来のアッシング残渣、Ｓｉ系材料由来のエッチング残渣、銅等の配線材料由来のエッチング残渣、および酸化銅からなる自然酸化膜からなる種々の残渣を十分に除去することができ、かつ半導体を形成する銅等の配線材料、絶縁膜、および低誘電層間絶縁膜を腐食させない基板洗浄液を提供する。
【解決手段】フッ化物塩、下記一般式（Ｉ）で表されるチオール化合物、防食剤および水を含有する基板洗浄液。
【化１】


（式中、Ｒ^１は水素原子または炭素数が１〜３のアルキル基であり、Ｒ^２はＣＯＯＲ^３（Ｒ^３は、水素原子または炭素数が１〜３のアルキル基である。）である。） （もっと読む）

【課題】超臨界二酸化炭素を媒体として使用し、表面に硬化層を有するレジストを剥離することが可能な基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上のレジストを剥離する工程において、基板５１上のレジスト７０に、二酸化炭素エアロゾル７１を噴射することにより前記レジスト表面の硬化層７０Ａに亀裂を発生させた後、同一のチャンバー４６内において超臨界二酸化炭素４０と添加剤とを供給し、基板上のレジスト７０を剥離して基板を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】配線等の腐食抑制効果が高く、低温短時間の剥離条件下における金属含有残渣等に対する剥離性能が高く、かつ、環境への負荷が小さい剥離剤組成物、およびこれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】配線を含む半導体素子の製造過程で用いられる剥離剤組成物であって、水と、フッ化アンモニウムと、グルコン酸およびグルコン酸非金属塩からなる群から選択される少なくとも１つとを含み、２５℃におけるｐＨが４．５〜５．８である剥離剤組成物である。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー工程において用いられるフッ素系溶剤の大気への放出を抑制し、環境汚染の防止に寄与するフッ素系溶剤の回収に用いられるフッ素系捕捉溶剤を提供すること。
【解決手段】リソグラフィー工程において用いられるフッ素系溶剤を回収するためのフッ素系捕捉溶剤であって、前記フッ素系溶剤に対して相溶性を有し、その沸点が前記フッ素系溶剤の沸点と同等あるいはそれ以上であるフッ素系捕捉溶剤である。例えば、フルオロアルキルアミン、炭素原子数４〜１０のフッ素化炭化水素、及び水素原子の一部ないし全部がフッ素原子により置換されている少なくとも１以上の酸素原子を環構成原子として有する複素環化合物の中から選ばれる少なくとも１種であるフッ素系捕捉溶剤を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】レジスト除去後においてもＳｉが基板上に残ることなく、容易にシリコン含有二層レジストを除去する方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に、有機高分子化合物を含む下層膜２０とシリコン含有レジスト膜３０とを順次積層してなるシリコン含有二層レジストが形成されたレジスト積層基板から、シリコン含有二層レジストを除去する方法であって、有機溶剤によってシリコン含有レジスト膜３０の剥離を行う剥離工程と、剥離工程後の下層膜２０表面をアルカリ系洗浄液又はフッ酸で洗浄する洗浄工程と、酸素プラズマ処理によって下層膜２０を除去するアッシング工程と、を備えるシリコン含有二層レジスト除去方法である。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく該基板表面に付着するパーティクルを効率良く除去する。
【解決手段】洗浄ユニット１にて、その表面に液膜が形成された基板は、基板搬送機構３により凍結ユニット２に搬送される。凍結ユニット２にて、液膜が凍結されることで液膜膜が体積膨張し、基板表面に付着するパーティクルと基板との間の付着力が弱まり、さらにはパーティクルが基板表面から脱離する。そして、凍結処理された基板は、基板搬送機構３により凍結ユニット２から洗浄ユニット１に再び搬送され、洗浄ユニット１にて基板に対して物理／化学洗浄が実行され、凍結膜が基板表面から除去される。このように物理／化学洗浄の前処理として液膜形成・液膜の凍結が行われることにより、基板表面からパーティクルを効率良く除去することができる。 （もっと読む）

【課題】微細パターンが形成された半導体基板を、微細パターンにダメージを与えることなく、洗浄を行うことができる半導体基板の洗浄方法、および洗浄装置を提供する。
【解決手段】表面に微細パターンが形成された半導体基板を洗浄する処理において、洗浄処理チャンバー内で半導体基板のパターン面を下向きにして保持するとともに、洗浄処理チャンバー内に蒸気を供給して半導体基板表面で液滴を結露させて微細パターンの間の異物除去を行う。 （もっと読む）