【課題】ノズルから基板に供給される処理液の温度低下に起因する基板の処理不良を十分に防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理チャンバＣＨｃの内部には、洗浄処理部５ｃが設けられ、処理チャンバＣＨｃの上部には、ファンフィルタユニットＦＦＵが設けられている。ファンフィルタユニットＦＦＵは、ファンＦＡ、フィルタＦＩおよびヒータＨＥが積層された構造を有する。ファンフィルタユニットＦＦＵの動作時には、電流供給装置６からヒータＨＥに電流が供給されるとともに、ファンＦＡが回転する。これにより、ファンフィルタユニットＦＦＵの上部空間の雰囲気がフィルタＦＩにより清浄にされるとともに、ヒータＨＥにより加熱される。それにより、加熱された清浄な空気が処理チャンバＣＨｃの上方から下方に流れる。 （もっと読む）

【課題】レジストアッシング工程後の残留物を効果的に除去すると同時に、ウエハ上に留めたい緻密構造を侵食したり潜在的に劣化させることがない化学配合物を提供する。
【解決手段】フッ化物源を１〜２１重量％と、有機アミンを２０〜５５重量％と、含窒素成分（例えば含窒素カルボン酸またはイミン）を０．５〜４０重量％と、水を２３〜５０重量％と、金属キレート剤を０〜２１重量％とを含む半導体ウエハ洗浄配合物。 （もっと読む）

【課題】
半導体デバイスの配線形成工程において、ドライエッチングにより配線およびビアホールを加工した際に発生するフォトレジスト層並びにチタン由来の残渣物、またはプラズマガスによりフォトレジスト層をアッシング除去した際に残存するフォトレジスト残渣物並びにプラズマガスにより変質したチタン由来の残渣物を、低温、短時間で完全に剥離し、且つ層間絶縁材料や配線材料等の半導体デバイスの部材を腐食しないフォトレジスト剥離液組成物、並びにそれを用いたフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物の剥離方法を提供する。
【解決手段】
フッ素化合物、硝酸、リン含有化合物、水溶性有機溶剤および残部を水とすることを特徴とするフォトレジスト剥離液組成物、並びにそれを用いたフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物の剥離方法。 （もっと読む）

【課題】アッシング後に生じたレジスト残渣を、半導体素子の他の部分を劣化させることなくレジスト残渣のみを効果的に除去する。
【解決手段】レジストパターンを有する基板を準備する工程と、レジストパターンをマスクに用いて基板のドライエッチングを行うエッチング工程と、レジストパターンがレジスト残渣として残留するようにアッシング処理を行うアッシング工程と、アッシング工程の後にレジスト残渣が残留した基板を純水に浸漬する水処理工程と、水処理工程の後にレジスト残渣をＤＨＦ（Ｄｉｌｕｔｅｄ ＨＦ）により除去する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い洗浄性能を有する洗浄方法及び電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】硫酸を電気分解して酸化性溶液を生成し、前記酸化性溶液に純水、過酸化水素水及びオゾン水の少なくともいずれかを混合することにより発生する混合熱により加熱して洗浄対象物を洗浄することを特徴とする洗浄方法が提供され、また、この洗浄方法を備えたことを特徴とする電子デバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】ナノバブルを効率よく発生させて基板の処理を良好に行なえるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を処理液によって処理する処理装置であって、
ナノバブルを発生させ、そのナノバブルを処理液に混合させるナノバブル発生手段を備え、ナノバブル発生手段は、内部に剪断室３が形成された気体剪断器２と、気体剪断器の軸方向の一端部に設けられ気体を剪断室に旋回させて供給する気体供給口６と、気体剪断器の一端部の外周面に設けられ処理液を剪断室に旋回させて供給し、気体との旋回速度の差によって気体からナノバブルを発生させる液体供給口７とによって構成されている。 （もっと読む）

（ａ）水と、（ｂ）アルカリ性ｐＨの最終調合物を産生するのに十分な量の、少なくとも１つの無金属イオン塩基と、（ｃ）少なくとも１つの水溶性無金属イオンケイ酸塩腐食防止剤約０．０１〜約５重量％（％ＳｉＯ_２として表される）と、（ｄ）少なくとも１つの金属キレート剤約０．０１〜約１０重量％と、（ｅ）少なくとも１つのオキシメタレート０超〜約２．０重量％とを含む、高アルカリ性水性調合物が本発明によって提供される。このような調合物は過酸化物と化合されて、ペルオキシメタラートが形成され、マイクロ電子洗浄組成物が産生される。マイクロ電子デバイス、たとえばマイクロ電子基材から汚染物質および残留物を除去するために使用される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、炭酸エチレンや炭酸プロピレンを主成分とする剥離液と長時間接液する装置部位が劣化することなく、安定に基体表面上の有機被膜を除去できる方法及び装置を提供する。
【解決手段】液状の炭酸エチレン、炭酸プロピレン、または炭酸エチレンと炭酸プロピレンの混合物を主成分とする剥離液を基体表面上の有機被膜と接触させて、前記有機被膜を除去するに際して、剥離液が接液する装置部位に用いる樹脂材質として、４フッ化エチレン樹脂、ポリエーテルエーテルケトンまたはシリコーンゴムを用いる。 （もっと読む）

【課題】
半導体集積回路、液晶パネル、有機ELパネル、プリント基板等、特にチタンおよび／又はチタン合金を含有する配線基板で、ドライエッチング後に残存するレジスト由来の残渣物および/または銅やアルミニウムなど金属由来の残渣物を、チタンおよび/又はチタン合金を腐食することなく除去することが出来る残渣除去用組成物を提供する。
【解決手段】
(1)15重量％〜20重量％の過酸化水素、(2)0.1重量％〜10重量％の四級アンモニウム水酸化物、(3)0.05〜5重量％の無機酸、(4)0.0001重量％〜0.1重量％の過酸化水素の安定剤を含有し、pHが8〜9である残渣除去用組成物を使用する。 （もっと読む）

【課題】アミン系のレジスト除去用組成物では、レジスト剥離能力が十分でなく、溶媒、特に有機溶媒と反応して溶媒を分解しやすく、しかも半導体、フラットパネルディスプレー材料へのダメージが大きかった。
【解決手段】ポリ（シアノアルキル）エチレンアミンを含んでなるレジスト剥離剤を用いる。ポリ（シアノアルキル）エチレンアミンとして、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−シアノエチル）−エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリス（２−シアノエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−シアノエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−シアノエチル）ピペラジン、Ｎ，Ｎ'−ビス（２−シアノエチル）−Ｎ’'−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−トリス（２−シアノエチル）−Ｎ’'−（２−アミノエチル）ピペラジン等の１種以上を用いる。 （もっと読む）

【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体を媒体として被処理基体を処理する処理方法において、薬液を混合した超臨界流体を処理槽に導入したときの、処理槽の圧力変動を防止する。
【解決手段】本発明の基体処理方法は、超臨界流体を処理槽２２に直接供給して処理槽２２を所定の処理圧力とした後、混合部２５から薬液を混合した超臨界流体を処理槽２２に導入するようになす。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の配線工程において、低誘電率層間絶縁膜等の半導体材料を腐食することなく、比較的低温で、剥離性の悪いレジストを剥離することのできるレジストの剥離方法を提供する。
【解決手段】 低誘電率層間絶縁膜を有する半導体素子の配線工程において、アルキルアミン類、アルキレンアミン類、環状アミン類、水酸基含有アミン類、ニトリル含有アミン類、及びこれらのアミンのＮ−アルキル化体等のアミンで基板を洗浄した後、レジスト剥離処理を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハー基板上に形成されたシリコン含有有機膜を除去するリワークプロセスにおいて、シリコン化合物残渣が発生し、この除去が困難であった。
【解決手段】半導体ウェハー基板上に形成されたシリコン含有有機膜を除去した表面を、アンモニア水溶液により洗浄処理を行う第１のステップと、希釈フッ酸水溶液により洗浄処理を行う第２のステップを少なくとも有する方法で処理する。アンモニア水溶液中のアンモニア濃度は、０．０１重量パーセント以上、３０重量パーセント以下であることが好ましい。希釈フッ酸水溶液中のフッ酸濃度は、０．０１重量パーセント以上、２．０重量パーセント以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板にウォーターマークが発生することを防止でき，かつ，低コストを図ることができる基板処理方法，記録媒体及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数種類の薬液を用いて基板Ｗを処理した後，基板Ｗを乾燥させる方法であって，第一の薬液で処理する第一の薬液処理工程と，前記第一の薬液処理工程の後に第二の薬液で処理する第二の薬液処理工程と，前記第二の薬液処理工程の後に基板Ｗを乾燥させる乾燥処理工程とを行い，少なくとも前記乾燥処理工程において，基板Ｗの周囲の湿度を前記第一の薬液処理工程時よりも低減させる。 （もっと読む）

【課題】 炭酸アルキレンを含有する有機被膜の剥離液をオゾン処理したときに剥離液中に生成する酸化性物質濃度を低減する技術を提供する。
【解決手段】 炭酸アルキレンを含有する剥離液を使用して基体表面上の有機被膜を除去する工程１、上記工程１において生成した有機被膜に由来する成分を含有する剥離液にオゾン含有ガスを接触させる工程２、および上記工程２において生成したオゾン含有ガスに接触した剥離液に活性エネルギー線を照射する工程３を含む基体表面上の有機被膜の除去方法。 （もっと読む）

【課題】薬液流体を稀釈流体によって高い稀釈倍率で（超稀釈濃度に）稀釈する際に、汚染の少ない超稀釈濃度の稀釈薬液流体を正確に調合することが可能であるとともに、ｐＨの調整が容易である（多孔質媒体の交換を必要としない）薬液調合装置を提供する。
【解決手段】注入手段３０が、平面状の多孔質平膜３１と、多孔質平膜３１の一方の面上に押圧された状態で配設されるＯ−リング３２とを備え、多孔質平膜３１の、Ｏ−リング３２の内側に対応する部分に、Ｏ−リング３２が配設された一方の面側から透過した薬液流体が、他方の面側で稀釈流体に注入される注入膜面が形成されたものであり、注入膜面の膜面積が、透過した薬液流体が所定の注入割合となるように稀釈流体に注入されることが可能な面積に、Ｏ−リング３２の内径を調整することにより制御された薬液調合装置。 （もっと読む）

【課題】 マイクロエレクトロニクス基板の洗浄のためのマイクロエレクトロニクス洗浄組成物、特にＡｌまたはＡｌ（Ｃｕ）金属被覆基板と同様に、二酸化珪素、高感度低κおよび高κの誘電体、および、銅、タングステン、タンタル、ニッケル、金、コバルト、パラジウム、白金、クローム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、ハフニウム、チタン、モリブデン、錫、及びその他の金属被覆が特色であり、かつ相互接続技法が進んだものである、マイクロエレクトロニクス基板との適合性を改良した、それらの洗浄に有用な洗浄組成物を提供する。
【解決手段】 ハロゲン酸素酸、それらの塩および誘導体を含むマイクロエレクトロニクス洗浄組成物を使用する。 （もっと読む）

【課題】基板のエッチング処理および剥離処理を行う場合に、装置全体の設置スペースを小さくし、設備コストを低減させ、装置構成を簡略化することができる装置を提供する。
【解決手段】エッチング処理槽１４内でスプレイノズル２４からエッチング液を基板に対し供給して、基板表面に被着形成された金属薄膜をエッチングするエッチング処理部１０と、剥離処理槽３４内でスプレイノズル４４から剥離液をエッチング処理後の基板に対し供給して、基板上の金属薄膜の表面からレジスト膜を剥離して除去する剥離処理部１２とを備え、剥離処理槽３４内のスプレイノズル４４へアミン系有機溶剤を主成分とする溶液を供給し、エッチング処理槽１４内のスプレイノズル２４へアミン系有機溶剤を主成分とする溶液に水を添加した希釈溶液を供給する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト、エッチ残留物及びＢＡＲＣを除去するための配合物及び同配合物を含む方法を提供する。
【解決手段】フォトレジスト、イオン注入フォトレジスト、ＢＡＲＣ及び／又はエッチ残留物を除去するための配合物であって、水酸化アンモニウム及び２−アミノベンゾチアゾール、残余水を含む。好ましくは１〜１５質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム、１〜５質量％のトリルトリアゾール、５〜１５質量％のプロピレングリコール、１〜１０質量％の２−アミノベンゾチアゾール、２０〜４５質量％のジプロピレングリコールモノメチルエーテル、残余水を含む。本発明はフォトレジスト、エッチ残留物、ＢＡＲＣ及びそれらの組合せからなる群から選択した材料を基材から除去する方法であって、材料を基材から除去するために、上記に記載された、配合物を基材に適用することを含む方法でもある。 （もっと読む）