【課題】処理容器内に供給するオゾンガスなどの処理流体を、別途ヒーター等を設けずに所望の温度に温度調節できるようにする。
【解決手段】被処理体を収納する処理容器３０と、処理容器３０を温度調節する温度調節部材９１と、処理流体を発生させる処理流体発生部４０，４１とを備えた処理システムであって、処理容器３０に熱的に接触する温度調節流路９５，９６，９７を設け、処理流体発生部４０，４１で発生させた処理流体を、温度調節流路９５，９６，９７に通して、処理容器３０内に供給する構成とした。処理流体発生部４０，４１で発生させた処理流体を、処理容器３０に熱的に接触する温度調節流路９５，９６，９７に通すことにより、処理容器３０の熱を利用して温度調整する。 （もっと読む）

【課題】 マイクロエレクトロニクス基板の洗浄のためのマイクロエレクトロニクス洗浄組成物、特にＡｌまたはＡｌ（Ｃｕ）金属被覆基板と同様に、二酸化珪素、高感度低κおよび高κの誘電体、および、銅、タングステン、タンタル、ニッケル、金、コバルト、パラジウム、白金、クローム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、ハフニウム、チタン、モリブデン、錫、及びその他の金属被覆が特色であり、かつ相互接続技法が進んだものである、マイクロエレクトロニクス基板との適合性を改良した、それらの洗浄に有用な洗浄組成物を提供する。
【解決手段】 ハロゲン酸素酸、それらの塩および誘導体を含むマイクロエレクトロニクス洗浄組成物を使用する。 （もっと読む）

【課題】混合処理液による処理効率を向上させることができる二流体ノズル、ならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル３は、外筒２３および内筒２４を含む。内筒２４の下端には、硫酸を吐出する半円状の第１処理液吐出口３０と、過酸化水素水を吐出する半円状の第２処理液吐出口３４とが形成されている。外筒２３の下端と内筒２４の下端との間は、第１および第２処理液吐出口３０，３４を取り囲み、窒素ガスを吐出する円環状の環状気体吐出口３１となっている。第１および第２処理液吐出口３０，３４から吐出された硫酸および過酸化水素水は、環状気体吐出口３１から吐出された窒素ガスと混合されて液滴状態となり、ウエハＷの上空またはウエハＷの表面上で混合されて、活性の高いＳＰＭとしてウエハＷの表面に供給される。 （もっと読む）

【課題】半導体回路素子の製造工程において生じるフォトレジスト残渣及びポリマー残渣を低温、短時間で除去するフォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液組成物、並びにそれを用いた残渣の除去方法を提供する。
【解決手段】金属配線を有する半導体回路素子の製造工程において生じるフォトレジスト残渣及び／又はポリマー残渣を除去する組成物であって、フッ素化合物を０．５〜３．０質量％および水を３０質量％超えない量含み、ｐＨが４以下である、前記組成物。 （もっと読む）

基板から１、２またはそれより多くのフォトレジスト層を除去するための改善された乾性剥離液を提供する。本剥離液は、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、および、アルカノールアミン、任意の第二の溶媒を含み、含水量は約３重量％未満であり、および／または、乾燥係数が少なくとも約１である。さらに、改善された乾性剥離液の製造および使用方法も提供する。複数のレジスト層を、その下に存在する構造のどれにもダメージを与えることなく除去し、その下に存在する誘電性の関連基板を露出させることによって、電気的相互接続構造を製造するためのこのような新規の剥離液を使用した有利な溶液方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、溶媒としてのアセタールまたはケタール、水およびｐＨ調整剤を含む処方について説明する。
【解決手段】これらの消泡は少なくとも７またはそれより大きいｐＨを有さなければならない。本発明における処方は共溶媒としての水溶性の有機溶媒、腐食防止剤およびフッ化物を随意的に含むことが可能である。本発明における処方は、ポリマー性残留物だけでなく、ポストエッチングした有機および無機の残留物も半導体基材から除去するために使用可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハーの加工工程において、より安定した作業を提供することができる半導体装置の製造方法を実現する。
【解決手段】本発明による半導体製造方法は、半導体基板１０１上にレジスト膜１０６を形成する工程（ａ）と、前記レジスト膜１０６をマスクとしてヒ素イオンを注入する工程（ｂ）と、前記工程（ｂ）の後に、前記レジスト膜１０６中に注入されたヒ素イオンをオゾン水により酸化する工程（ｃ）と、前記工程（ｃ）にて得られた酸化ヒ素を、フッ化水素を含む処理溶液に溶解させることによって、レジスト膜１０６から酸化ヒ素を除去する工程（ｄ）とを含み、前記処理溶液におけるフッ化水素の濃度を０．１％以上０．５％以下に設定している。 （もっと読む）

【課題】基板に対して良好に洗浄処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】薬液ユニット１０は、基板Ｗの薬液処理を可能とするユニットである。洗浄ユニット６０は、薬液ユニット１０により薬液が供給された基板Ｗにマイクロバブル水を供給して、マイクロバブル水による洗浄処理を可能とするユニットである。洗浄ユニット６０は、主として、複数の上側ノズル６１と、複数の下側ノズル６２と、液ナイフ６６と、貯留槽２０と、マイクロバブル発生部２１と、を備えている。これにより、薬液処理後の基板Ｗにマイクロバブル水を供給することができる。そのため、薬液処理において基板に付着した薬液をマイクロバブル水により迅速に置換することができ、洗浄処理に使用される処理液の量を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】 酸化膜にダメージを与えることなく、砒素がドープされたレジストを除去可能であり、酸化剤を含有しないレジスト除去用組成物を提供する。
【解決手段】 基板工程において砒素がドープされたレジストを除去する際にエチレンジアミンを含む組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】微細パターンが形成された半導体基板などを良好に洗浄できる洗浄方法を提供する。
【解決手段】被洗浄材（半導体基板５０）に洗浄液（薬液６０）を接触させて洗浄する前に、真空脱気、界面活性剤の接触、浸透性溶液の接触、超音波を利用した脱気などにより、前記被洗浄材の表面濡れ性を改善する処理を行う。濡れ性の改善によって微細パターンが形成された半導体基板などにおいても、パターン凹部に洗浄液が良好に接触し、その結果、濡れ性が悪いことに起因した洗浄不良が回避され、良好な洗浄効果が得られる。なお、濡れ性の改善処理後に、被洗浄材に洗浄液が接触した状態で、加圧することで洗浄液を被洗浄材の微細凹部にまで効果的に浸透させて洗浄効果をさらに高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 酸化膜にダメージを与えることなく、砒素がドープされたレジストが除去可能であり、酸化剤を含有しないレジスト除去用組成物を提供する。
【解決手段】 硫酸及びポリリン酸を含む組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】作業時には安全に作業が行え、その処理が容易で、環境問題を起こさず、安価で効率的な残留有機物の処理方法
【解決手段】大気圧付近の圧力下又は準常圧下で、少なくともＮ₂ガス、Ｏ₂ガス、Ｈ₂ガス、水蒸気、クリーンエアーのいずれか一種により構成される混合ガスをプラズマ処理し、加熱した基板に前記Ｏラジカル、Ｈラジカル、ＯＨラジカル又は前記Ｎラジカルを接触させレジスト表面に形成された変質層を除去する変質層除去工程と、オゾン水と過熱水蒸気とを混合してなるオゾン溶液又はオゾン水のみをレジストを含む有機物上に滴下し変質層下のレジスト未変質層を除去する未変質層除去工程とを設けた。 （もっと読む）

【課題】二重構造の基板処理チャンバーを利用して、内部チャンバーの内と外に圧力バランスの制御が容易に行えるようにした、超臨界流体処理方法、及び超臨界流体処理装置を提供するものである。
【解決手段】内部処理チャンバー４２と外部チャンバー４３とからなる二重構造の基板処理チャンバー１４１の、該内部処理チャンバー４２内に被処理ウェーハ４７を配置し、内部処理チャンバー４２と外部チャンバー４３との間の空間部５３に循環用液体を供給し、内部処理チャンバー４２に超臨界流体７０を供給して、被処理ウェーハ４７に対する処理を行う （もっと読む）

【課題】有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる基板処理方法と、当該基板処理方法を用いた半導体装置の製造方法、有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる基板処理装置、および当該基板処理装置を動作させるプログラムが記載された記録媒体を提供する。
【解決手段】金属層が形成された被処理基板を第１の温度に設定し、有機化合物を含む処理ガスを前記金属層に吸着させて金属錯体を形成する第１の工程と、前記被処理基板を前記第１の温度よりも高い第２の温度となるように加熱して、前記金属錯体を昇華させる第２の工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。 （もっと読む）

【課題】実施が容易で、デバイス性能に影響を与えずに、レジスト層を基板から除去する方法を提供する。
【解決手段】基板に接触するバルクレジストと、レジスト層の外表面に存在するレジスト外皮とを備えたレジスト層を、基板から除去する方法であって、基板に接触するレジスト層に、バルクレジストについて可溶でレジスト外皮について不溶である液体有機溶媒を少なくとも局所的に供給するステップと、メガソニックエネルギーを有機溶媒に供給して、レジスト外皮を解体し、バルクレジストを有機溶媒中に溶解させる有機溶媒キャビテーションを生成することによって、レジスト層を基板から剥がすステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】汚染等に応じて薬液の性質を変化させ、薬液の化学的能力を十分に引き出し、枚葉式に適した洗浄方法および洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄方法は、洗浄用のベース液Ｂを用意し、半導体基板上にベース液Ｂを供給し、第１のタイミング（ｔ１）で第１の薬液Ｐ１をベース液Ｂに添加し、ベース液Ｂに第１の薬液Ｐ１が添加された第１の洗浄液を半導体基板上に供給し、第２のタイミング（ｔ２）で第１の薬液Ｐ１のベース液Ｂへの添加を停止し、第３のタイミング（ｔ３）で第２の薬液Ｐ２をベース液Ｂに添加し、ベース液Ｂに第２の薬液Ｐ２が添加された第２の洗浄液を半導体基板上に供給し、第４のタイミング（ｔ４）で第２の薬液Ｐ２のベース液Ｂへの添加を停止する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に存在するレジストの剥離性能を向上させることができるレジスト剥離方法を提供すること。特に、イオンインプランテーションされたレジストに対しても好適に使用可能なレジストの剥離方法を提供すること。
【解決手段】アミン化合物及びアルキレングリコール類を含有する剥離液でレジストを剥離する第１の剥離工程、並びに、酸化剤を含む溶液でレジストを剥離する第２の剥離工程をこの順で含むことを特徴とするレジストの剥離方法。また、第１の剥離工程及び第２の剥離工程を、この順で２回以上繰り返すことが好ましい。酸化剤を含む溶液は、過酸化水素を含有する溶液であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】有機被膜の剥離性が低下することを抑止して、効率的に基体上の有機被膜を除去する方法を提供する。
【解決手段】基体に付着した有機被膜を、有機溶剤からなり、かつ、オゾン処理による再生処理を施した剥離液と接触させて除去するに際して、該剥離液中のカルボン酸成分及びそのエステル成分の合計を３０質量％以下に維持しつつ有機被膜を剥離液と接触させる。
剥離液として、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等の炭酸アルキレンを用いる。 （もっと読む）

【課題】基板からレジストを良好に除去することができ、かつ、そのレジストの除去に用いた処理液の再利用を図ることができる、基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ミキシングバルブ８には、過硫酸生成槽１２において濃度４ｍｏｌ／ｌの低濃度硫酸を電気分解して生成される過硫酸と、温度１２０℃、濃度９６ｗｔ％の高温高濃度硫酸とが供給される。ミキシングバルブ８に過硫酸および高温高濃度硫酸が供給されると、これらが混合され、高温高濃度硫酸が過硫酸で希釈されることによる希釈熱が生じ、この希釈熱および高温高濃度硫酸が有する熱により、その過硫酸および高温高濃度硫酸の混合液は、高温高濃度硫酸の液温以上の高温に急速に昇温する。高温に昇温した混合液は、その後直ちにミキシングバルブ８からノズル３に送られ、ノズル３からウエハＷの表面に向けて吐出される。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト剥離剤組成物、これを用いる配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フォトレジスト剥離剤組成物は、ブチルジグリコール５０重量％以上７０重量％以下、アルキルピロリドン２０重量％以上４０重量％以下、有機アミン化合物１重量％以上１０重量％以下、アミノプロピルモルホリン１重量％以上５重量％以下及びメルカプト化合物０．０１重量％以上０．５重量％以下を含む。これにより、フォトレジスト剥離能力に優れ、フォトレジスト膜が残留フォトレジストなしに完全に除去され、銅導電膜の酸化及び腐蝕が抑制されることによって、配線の信頼性を確保できる。 （もっと読む）