【課題】 安全にかつ短時間で基板の残留有機物を除去することができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】 冷却された純水またはオゾン水にオゾンガスを混合してオゾンを溶解し、高濃度となった低温高濃度のオゾン水を加熱手段３によって加熱して、その高温高濃度のオゾン水を密閉された基板処理槽２５へ供給して大気圧よりも高い高圧状態とし、加熱によってオゾン水中から出る飽和溶解度以上の無駄となるオゾンガスを減少させ、高温高濃度のオゾン水のオゾンによる反応を促進する。基板処理槽２５内では、ポンプＰ２によって高温高濃度オゾン水を流動化し、槽内のオゾン濃度を均一化する。 （もっと読む）

【課題】供給源から基板洗浄装置本体に至るまでの配管等から洗浄液又はリンス液に溶出される有機物による基板の有機汚染を防止することができる半導体装置の製造方法及び基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】 基板表面を洗浄する洗浄工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記洗浄工程は、基板に対して洗浄液を供給して基板表面を洗浄する工程（ステップＳ１６）と、基板に対してリンス液を供給して基板表面上の前記洗浄液を洗い流す工程（ステップＳ１８と、前記基板を乾燥させる工程（ステップＳ２０）と、を有し、前記洗浄液及び／又は前記リンス液には有機溶媒が加えられる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に残存したレジストを基板表面全体に均一に、損傷を与えることなく、単位体積当りのオゾン水のフォトレジストへの反応効率を上げて効果的に剥離、除去する。
【解決手段】フォトレジスト除去装置１は、回転支持台３と、洗浄ノズル７と、高濃度オゾン水供給装置４とを備え、洗浄ノズル７は、高濃度オゾン水を注水する円筒管１１と、円筒管１１の下端に取り付けられた透明円盤１３とを有し、透明円盤１３は、回転支持台３に支持された基板９に対して一定の隙間１４を介して対向するように配置されており、円筒管１１から注水される高濃度オゾン水を、基板９表面において厚さの均一な薄液膜１５として放射方向に流しながらエキシマー光照射源８からのエキシマー光を透明円盤１３を透過させて基板９表面に照射することにより、基板９表面に残存しているフォトレジストを除去する。 （もっと読む）

【課題】超音波発振子から発せられる超音波を洗浄液の加振に効率よく利用しつつ、超音波発振子の作動状況と洗浄液の吐出圧力を含めて洗浄液の吐出状態を監視できる超音波洗浄装置を提供すること。
【解決手段】超音波洗浄装置は、洗浄すべき基板を搭載して回転する回転テーブルと、超音波発振子を有し超音波が印加された洗浄液を吐出して基板の洗浄処理を行う洗浄ノズルと、洗浄ノズル近傍の湿度を測定する湿度センサと、湿度センサによって測定される湿度を監視する監視部とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板表面に残存付着するフェノール樹脂から成るレジストを、基板自体に損傷を与えることなく、速い剥離速度で効果的に剥離する。
【解決手段】ノボラック樹脂系フォトレジストが残存付着している基板の表面に、高濃度オゾン水を注水するとともに、紫外光（例えば、エキシマーレーザ光）を照射することによって、紫外光が、高濃度オゾン水のオゾンの一部からＯＨラジカルを生成し、この生成されたＯＨラジカルが、フォトレジストをポリフェノール化し、ポリフェノール化されたフォトレジストを高濃度オゾン水の残存オゾンが反応して断片化し、基板表面から剥離する。 （もっと読む）

【課題】薬液を使用せず、環境に与える影響の小さいレジスト除去方法及び装置において、表面が変質したレジストの基板からの除去を、実用的、合理的に実現する。
【解決手段】変質層２ａと未変質層２ｂからなるレジスト２を基板１から除去するレジスト除去装置１０は、窒素、酸素、水素、及び水蒸気のいずれか、あるいはそれらの混合ガスを低圧力下でプラズマ処理して生成したラジカルを前記基板１に接触させてレジスト除去を行う工程と、前記基板１にオゾン水を接触させてレジスト除去を行う工程を実行する。ラジカルによるレジスト除去工程では、レジスト表面の変質層２ａの形成条件に応じラジカルの接触時間を制御して未変質層２ｂの大部分を残す。または、レジスト除去中に排出される反応ガスの分析結果に応じて工程制御を行い、未変質層２ｂの大部分を残す。 （もっと読む）

【課題】ウエーハに対してノーダメージで１００％レジストを除去及びポリマ残を１００％除去でき、生産性が良くて価格がダウンでき、乾燥時にウエーハのパターンが倒れない、各種ゴミを少なくする事ができ、水分１００％除去できているパーフェクトアッシング装置を提供する。
【解決手段】Ｏ_３ガスプラス極微量のＦ_２ガス添加又はＯ_３ガスで、ＵＶ２５４を照射。ウエーハの表面温度は２０℃から２５０℃に上昇、チヤンバー内の気圧は０．１気圧にした時、上記の方式がスタートし、終了後Ｏ_３水処理→ＨＦ水処理又は水素原子で処理し、その後Ｈ_２Ｏ（液温７０℃、クリーンＮ_２ガスバブリング）処理を２回行い、加圧減圧加熱方式で乾燥する。乾燥の時パターン倒れなし、水分１００％除去でき、各種コンタミの付着が少ない事がわかった。 （もっと読む）

【課題】洗浄液供給システムで生成する過硫酸濃度を迅速に測定して洗浄側に供給する溶液の過硫酸濃度の制御を可能にする。
【解決手段】硫酸溶液の電解反応により、該硫酸溶液に含まれる硫酸イオンから過硫酸イオンを生成する電解反応装置（電解反応槽３６）と、電解反応装置で生成した過硫酸イオンを含む硫酸溶液を洗浄液の一部または全部として被洗浄材（半導体ウエハ５）を洗浄する洗浄側（洗浄槽１）に供給可能にするとともに、前記洗浄側から返流される前記洗浄液として使用した前記硫酸溶液を受け、該硫酸溶液の一部または全部を前記電解反応装置に供給する循環ラインと、洗浄液供給システム内の硫酸溶液中の過硫酸濃度を測定する過硫酸濃度測定装置（電極部４１）を備える。 （もっと読む）

【課題】効率的に高濃度オゾン水を製造する。ポッピング現象を起こすことなく基板上の有機物を除去する。
【解決手段】チャンバ２にはオゾンガスと水蒸気とが供給される。オゾンガスはオゾン含有ガスを蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後に再び気化して超高濃度オゾンガスを発生するオゾン発生装置９から供給される。チャンバ２は水蒸気が液化しない程度にヒータ４によって加熱される。真空ポンプ３によってチャンバ２の内圧が大気圧よりも低圧に制御された状態でオゾンガスと水蒸気とが混合される。オゾンを含んだ水蒸気が冷却機構５によって冷却されるとチャンバ２の底面部が結露して高濃度オゾン水が得られる。そして、この高濃度オゾン水に基板が浸漬されることで前記基板上の有機物（例えばレジスト）が除去される。前記高濃度オゾン水で処理した基板には洗浄のために超純水が供給するとよい。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、半導体基板に用いられる配線材料、特に銅またはタングステンを腐食することなく窒化チタンをエッチングすることができる洗浄用組成物を提供することである。
【解決手段】
過酸化水素、水酸化４級アンモニウムおよびタングステンの防食剤を含有し、ｐＨが７以上１０以下である配線基板の処理液であって、タングステンの防食剤が４級アンモニウムおよびその塩、４級ピリジニウムおよびその塩、４級ビピリジニウムおよびその塩、並びに４級イミダゾリウムおよびその塩、からなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする洗浄用組成物を用いることで銅またはタングステンを腐食することなく窒化チタンを効果的にエッチングできることを見出し、本発明に到達した。 （もっと読む）

一態様において、その表面上に材料を有する基板を処理チャンバー内に配置すること；液状処理組成物の流れを基板の表面に衝突させるように向けること；及び水蒸気の流れを基板の表面及び／または液状処理組成物に衝突させるように向けること、を含む基板の処理方法。本発明の好ましい態様は、基板から、材料、好ましくはフォトレジストを除去することであり、処理組成物は、硫酸及び／またはその脱水種及び前駆体を含む液体硫酸組成物である。他の態様において、硫酸及び／またはその脱水種及び前駆体を含む液体硫酸組成物は、基板の表面の一部分を処理するために効果的な量で、基板の全表面よりも小さい基板の表面の一部分上に投与され、そして水蒸気に曝露する前の液状硫酸組成物の温度よりも高く、液状硫酸組成物の温度を上昇させるために効果的な量の水蒸気に、液状硫酸組成物が曝露される。基板は、処理工程の間、水蒸気及び／または所望により窒素ガス環境に囲まれることもできる。
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【課題】レジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び金属酸化物の一種以上をアルミニウム又はアルミニウム銅合金を含む基板から除去するための組成物及び方法を提供すること。
【解決手段】レジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び金属酸化物の一種以上をアルミニウム又はアルミニウム銅合金を含む基板から除去するための組成物であって、約0.005重量％から約５重量％までのフッ化物を与える成分、約１重量％から約50重量％までのグリコール溶媒、リン含有酸、及び水を含む組成物；該組成物と基板を接触させることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】酸化膜を湿式エッチング処理する際に、レジスト変質物が残ることのない良好なエッチングが行える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に酸化膜１を形成する工程と、上記酸化膜１上にレジストパターン２を形成する工程と、上記基板を薬液に浸漬することにより上記レジストパターン２をマスクとして上記酸化膜１をエッチングする工程と、上記基板を水洗および乾燥する工程と、上記レジストパターン２を除去する工程と、を備えた半導体装置の製造方法において、上記レジストパターン２を除去する工程は、上記基板を水洗する工程の後、乾燥することなく直ぐに、基板を硫酸と過酸化水素水との混合液に浸漬する工程であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れた剥離性、安全性及び防食性を有するレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】式（１）で表される２−アルコキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド及び水を含み、前記２−アルコキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド及び水の重量比が３０：７０〜１００：０であるレジスト剥離剤。


（式中、Ｒ^１はアルキル基である。） （もっと読む）

【課題】処理流体による基板処理の際に、基板表面上で顕著な変化を生じさせ、これにより、処理効率の向上を図ることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ミキシングバルブ４の混合部４０には、薬液供給源７１〜７４からの薬液原液ならびに純水供源からの常温純水および温純水を供給できる。ミキシングバルブ４０から、処理液供給路３を介して、処理液ノズル２に処理液が供給され、この処理液が基板Ｗに供給される。処理液による基板Ｗの処理中に、薬液導入バルブ４１〜４４、流量調整バルブ１０１〜１０４、純水供給源バルブ５１、温純水供給源バルブ５２、純水バルブ５などの制御によって、プロセスパラメータに揺らぎが付与される。 （もっと読む）

【課題】処理液による基板処理の面内均一性を向上させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】二流体ノズルからの薬液の液滴の噴流が導かれるウエハの表面上の供給位置が、ウエハの回転中心からウエハの周縁部に至る範囲を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。薬液の供給位置がウエハの回転中心から離れるにつれて、二流体ノズルからウエハに供給される薬効成分の濃度が高くされている。その一方で、回転中心から離れているほど、ウエハの表面位置は高速に移動している。その結果、単位面積あたりの薬液の薬効成分の量がウエハの全域においてほぼ等しくなる。 （もっと読む）

【課題】
優れたレジスト剥離効果が得られるレジスト剥離液を得ることが可能な電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の製造装置を提供する。
【解決手段】
レジスト剥離処理装置１は、レジスト剥離液Ｈ１の粘度μを測定する粘度計６、粘度μに基いてレジスト剥離液Ｈ１の水分率Ｐを求め水分率Ｐに基いて水分を調整する水分補給部４、制御部７を備えている。従って、粘度計６により粘度μを求め、粘度μが所定値より大きいときに水分補給部４からレジスト剥離液タンク３に水を補給しレジスト剥離液の粘度μを所定値以下にして、優れたレジスト剥離効果が得られるレジスト剥離液を得ることができる。このとき、制御部７により、図２のレジスト剥離液Ｈ１の粘度μと水分率Ｐとの相関関係から、レジストの溶け込み量に依存せずに、粘度計６で測定した粘度μから水分率Ｐを正確に求める。 （もっと読む）

【課題】剥離性に優れたレジスト剥離液を提供すること。また、レジストの剥離性に優れ、回路構造を損傷しないレジスト剥離方法を提供すること。
【解決手段】一次粒子径が５〜１，０００ｎｍである粒子と、アミン化合物及びアルキレングリコール類よりなる群から選ばれた少なくとも一つの化合物を含有する剥離性に優れたレジスト剥離液及び灰化処理の工程を含まず、剥離性に優れ、回路構造を損傷しない、前記レジスト剥離液を用いたレジスト剥離方法。 （もっと読む）

【課題】基板に与えるダメージを低減可能な処理液を簡易かつ正確に選定する方法を提供する。
【解決手段】はじめに、処理液の分子密度と、処理液を基板表面に物理的に作用させることによって基板に対する処理を実行した際に前記基板に発生するダメージとの関係を示す分子密度相関グラフを準備する。続いて、分子密度相関グラフに基づいて分子密度閾値を特定する。より具体的には、分子密度相関グラフに近似する自然対数曲線Ｌを特定し、自然対数曲線Ｌにおいて、ダメージ値が所定の上限ダメージ値の１／ｅ倍（ｅは自然対数の底）となる分子密度を算出し、当該算出された分子密度の値Ｍ１を、分子密度閾値として取得する。続いて、分子密度が分子密度閾値以下の選定処理液を基板に対する処理を実行可能な処理液として選定する。 （もっと読む）

【課題】灰化工程を必要とせず、基板の表面に存在するレジストの剥離性能を向上させることができるレジスト剥離方法を提供すること。特にイオンインプランテーションされたレジストの剥離性能に優れた、レジスト剥離方法を提供すること。
【解決手段】酸化剤を含むレジスト改質液でレジストを改質して改質レジストを得る改質工程と、酸化剤を含まない剥離液で前記改質レジストを剥離する剥離工程とをこの順で含み、前記レジスト改質液及び／又は前記剥離液が、アルコール性水酸基又はエーテル結合を有するフッ素化合物を少なくとも１つ含有することを特徴とするレジストの剥離方法。 （もっと読む）