【課題】
優れたレジスト剥離性を示し、銅及びモリブデンの腐食を抑制し、更にこれらの異種金属間のガルバニック腐食も抑制するレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】
２−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエトキシ）エタノール、尿素及び水を含んでなるレジスト剥離剤では、優れたレジスト剥離性を示し、銅及びモリブデンの腐食を抑制し、さらに銅−モリブデン間のガルバニック腐食も抑制できる。２−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエトキシ）エタノールは０．１重量％以上８０重量％以下、尿素は０．１重量％以上３０重量％以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板のダメージを抑制または防止しつつ、不要になった膜を基板から除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、ウエハＷを保持するスピンチャック７と、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液をスピンチャック７に保持されたウエハＷに供給する薬液供給ユニット２２と、スピンチャック７に保持されたウエハＷに供給される光活性化成分を含む処理液に光を照射する照射ユニット４とを含む。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタ基板の製造工程で発生する不良基板からカラーレジストを効率よく除去することが可能なカラーフィルタ基板再生用レジスト剥離液組成物、およびそれを用いたカラーフィルタ基板の再生方法を提供する。
【解決手段】（ａ）無機アルカリ水酸化物および／または第４級アンモニウム水酸化物、（ｂ）アミン化合物、（ｃ）有機溶剤、（ｄ）有機酸およびその塩、（ｅ）残量の水を含む組成とする。
無機アルカリ水酸化物として、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、および水酸化リチウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。
第４級アンモニウム水酸化物として、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化トリメチルベンジルアンモニウム、水酸化トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。 （もっと読む）

【課題】基板の外周端部の膜をクラックや局部剥がれを生じることなく除去して、パーティクルの発生を防止することができるＣＳＤ溶液塗布膜除去用組成物及びこれを用いた強誘電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】β-ジケトン類、β‐ケトエステル類、多価アルコール類、カルボン酸類、
アルカノールアミン類、α‐ヒドロキシカルボン酸、α‐ヒドロキシカルボニル誘導体、およびヒドラゾン誘導体から選ばれる１種あるいは２種以上の有機溶剤と、水とを含むＣＳＤ塗布膜除去用組成物を噴射又は滴下して、ＣＳＤ塗布膜の外周端部を除去する。 （もっと読む）

【課題】再生済の剥離液が所望の剥離性能を有し、かつ再生済の剥離液で基板表面から有機樹脂成分を剥離する際に、基板及び基板上の膜に対しダメージが与えられたり残渣が残ることを抑制可能な剥離液の再生方法を提供する。
【解決手段】
水溶性カルボニル化合物を含む剥離液を用いて基板表面の有機樹脂成分を溶解剥離した後、該剥離液に溶解している有機樹脂成分をオゾンガスにより分解し、さらにイオン交換樹脂で処理する剥離液の再生方法であって、
前記剥離液が水を含み、
前記イオン交換樹脂による処理が、イオン交換樹脂を使用して前記有機樹脂成分を分解することによって生じた生成物を除去する処理であることを特徴とする剥離液の再生方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、バルクのフォトレジスト、エッチング後の残渣、アッシング後の残渣、及び不純物を除去するための半水性の配合物及びその使用方法に関する。
【解決手段】その配合物は、アルカノールアミン、水混和性有機共溶媒、第四級アンモニウム化合物、非遊離酸官能性腐食防止剤及び残部の水を有する。そのｐＨは９超である。 （もっと読む）

【課題】 アルカリ現像装置に付着したレジストを迅速に、効率良く除去する。
【解決手段】 ケイ酸類と炭酸塩とを含有し、界面活性剤を含まず、ｐＨが７以上であるレジスト除去剤であり、さらに、アルコール類、アミン類の少なくとも一種を含有することができる。特に、アルカリ現像装置に付着したレジストを迅速に除去できるうえ、半導体基板上のレジスト除去にも適用できる。ケイ酸類と炭酸塩を必須成分とし、酸性液ではないため装置の腐食の恐れがなく、また、界面活性剤を含まないため、除去作業時の発泡を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 基板処理方法及び装置を提供すること。
【解決手段】 基板処理方法は、フォトレジスト膜が形成された基板を設け、フォトレジスト膜を除去するために処理液を基板上に提供し、処理液と接触するようにミストを基板上に提供する。ミストは、処理液と反応して水酸化ラジカルを追加的に形成し、ミストと処理液が発熱反応するため、フォトレジスト膜の除去効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】新たな手法を用いて基板の表面から膜を除去する液処理装置等を提供する。
【解決手段】第１の膜の上層に第２の膜が形成された基板から、第１の膜及び第２の膜を除去する液処理装置３において、第１の薬液供給部５１は基板Ｗに第１の膜を溶解させるための前記第１の薬液を供給し、第２の薬液供給部５１は前記第２の膜の強度を低下させるための第２の薬液を供給し、衝撃供給部としての機能を兼ねる流体供給部５２は第２の膜に物理的衝撃を与えて当該第２の膜を破壊すると共に破壊された第２の膜の破片を流し去るための流体を供給する。制御部７は第２の薬液を供給し、次いで前記流体供給部５２から流体を供給した後、第１の薬液を供給するように各部を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造におけるドライエッチング及び／又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣を確実に除去できると共に、Ｌｏｗ−ｋ膜変質層等を有する半導体基板に対する腐食を抑制することができる半導体基板洗浄液、及びそれを用いた半導体基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】珪弗化水素酸、飽和溶解度以下で珪弗化水素酸に対して０．１０モル倍以上の量の硼酸、及び水を含有する半導体基板洗浄液、及び、該半導体基板洗浄液を用いて洗浄する半導体基板の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜とその下層となる被膜とを同時に剥離することができる、レジスト剥離液を提供すること。
【解決手段】基板上に直接、又は他の層を介して形成される無機系レジスト下層膜と、前記無機系レジスト下層膜上に形成されるレジスト膜と、を有する多層レジスト積層体において、前記無機系レジスト下層膜及び前記レジスト膜を除去するために用いられる多層レジスト積層体用剥離液であって、（Ａ）４級アンモニウム水酸化物、（Ｂ）水溶性有機溶剤、及び（Ｃ）水を含む多層レジスト積層体用剥離液。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板や半導体ウエーハなどに感光性組成物皮膜を形成する工程において、基板の周辺部、縁辺部または裏面部に付着した未硬化の顔料を含有する感光性組成物皮膜の除去、または装置部材や器具の表面に付着した未硬化の顔料を含有する感光性組成物の除去に有効な除去液を提供する。
【解決手段】未硬化の顔料を含有する感光性組成物の除去に用いられる除去液であって、（ａ）炭素数が９以上の芳香族炭化水素が１０〜４０質量％、（ｄ）グリコールエーテル類、カルボン酸エステル類、ヒドロキシカルボン酸エステル類、ケトン類およびアルコキシカルボン酸エステル類からなる群から選ばれる少なくとも１種であるその他の溶剤が３０〜９０質量％であり、かつ、除去液全量に対し、（ａ）と（ｄ）成分の合計が５０〜１００質量％となる量である。 （もっと読む）

【課題】硫酸と過酸化水素水とを混合してレジスト剥離液を生成し基板に供給する基板処理装置において、状況に応じて適切に温度調節されたレジスト剥離液を基板に供給する。
【解決手段】硫酸供給源２１から昇温ユニット２３、ミキシングバルブ２４１，２４２，２４３、インラインミキサー２５を経て薬液吐出ノズル４に至る硫酸供給路２０を主たる薬液流通経路とし、これに過酸化水素水を混合させるミキシングポイントを状況に応じて選択する。ミキシングポイント後の経路長が変化するために液温が変化し、また主たる流通経路には常に昇温された硫酸が流れているので、経路上に残留する冷えた薬液の混入や冷えた管を通送されることによる液温の低下が防止される。 （もっと読む）

【課題】基板表面に残存する不要なフォトレジストを、均一に除去するフォトレジスト除去装置を提供する。
【解決手段】
洗浄対象の基板を支持して回転する支持台と、支持台の上方に、注水口を下方に向けて配設された洗浄ノズルと、洗浄ノズルに高濃度オゾン水を供給する高濃度オゾン水供給装置とを備えたフォトレジスト除去装置において、洗浄ノズルを、基板の半径方向に所定の間隔で配置された複数の単位洗浄ノズルから構成する。
基板の単位面積あたり供給されるオゾン量が均一化される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、下地に与える影響を抑制することができるとともにレジストの剥離性を向上させることができるレジスト剥離装置およびレジスト剥離方法を提供する。
【解決手段】被処理物に形成されたレジストを剥離するレジスト剥離装置であって、前記レジストに亀裂液を供給する亀裂液供給手段と、前記レジストに供給された亀裂液を乾燥させて前記レジストに亀裂を発生させる乾燥手段と、前記亀裂が発生したレジストに剥離液を供給する剥離液供給手段と、を備えたことを特徴とするレジスト剥離装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するためのシリコンウェハ用洗浄剤を提供することを課題とする。
【解決手段】シリコンウェハ用洗浄剤は少なくとも水系洗浄液と、洗浄過程中に凹凸パターンの少なくとも凹部を撥水化するための撥水性洗浄液とを含み、該撥水性洗浄液は、シリコンウェハのＳｉと化学的に結合可能な反応性部位と疎水性基を含む撥水性化合物からなるもの、又は、該撥水性洗浄液の総量１００質量％に対して０．１質量％以上の該撥水性化合物と、有機溶媒とが混合されて含まれるものとすること。 （もっと読む）

【課題】純水よりも揮発性の高い揮発性処理液の液膜を基板上から除去して基板を乾燥させるときに、乾燥不良が発生することを抑制または防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】水平に保持された基板Ｗの上面に純水よりも揮発性の高い揮発性処理液の一例であるＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給して、基板Ｗの上面全域を覆うＩＰＡの液膜を形成する。そして、基板Ｗ上にＩＰＡの液膜を保持させた状態で基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに基板Ｗを回転させて基板Ｗ上からＩＰＡの液膜を除去する。このとき、基板Ｗの上面中央部に不活性ガスの一例である窒素ガスを吹き付けながら、基板Ｗの上面における中央部以外の前記回転軸線から一定距離離れた所定位置Ｐ１にＩＰＡを着液させる。 （もっと読む）

【課題】ガスが飽和した状態の液体を基板の処理時に瞬時に加熱して微小気泡の脱離と破壊を行うことで、簡単な構成でありながら微小気泡を有効に利用して基板の処理を確実に行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗに対して微小気泡を含む液体Ｌを供給して基板Ｗを処理する基板処理装置１は、気体と液体から前記微小気泡を含む液体を生成する微小気泡生成部１０と、微小気泡を含む液体Ｌを基板に吐出すノズル１５と、ノズル１５から吐出された微小気泡を含む液体Ｌを加温する加熱手段５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストパターン除去用組成物及びこれを利用した金属パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】フォトレジストパターンの除去力及びフォトレジストパターンの除去信頼性を向上させたフォトレジストパターン除去用組成物及びこれを利用した金属パターンの形成方法が開示される。フォトレジストパターンの残留量を最少化させることによって、フォトレジストパターンの除去信頼性を向上されることができる
フォトレジストパターン除去用組成物は、アミノエトキシエタノール、ポリアルキレンオキサイド化合物、グリコールエテール化合物、及び残部として含窒素非プロトン性極性溶媒を含む。これによって、基板からフォトレジストパターンを容易に除去できるため、フォトレジストパターンの除去力を向上させることができ、フォトレジストパターンの残留量を最少化させることによって、フォトレジストパターンの除去信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、オゾンによるレジスト除去方法として、従来の方法とは異なる方法で、高い速度で、基板上のレジストを除去することが可能な基板処理方法及び基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、レジスト膜が形成された基板に対し、前記レジスト膜を除去するための基板処理方法であって、オゾン分解触媒液に前記基板を浸漬させる触媒液浸漬工程と、オゾン水に前記基板を浸漬させるオゾン水浸漬工程と、を備え、前記両工程を複数回繰り返すものである。 （もっと読む）