【課題】３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき（反射防止膜として最適なｎ値、ｋ値を有し）、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種類以上の化合物と、水酸基を有するベンズアルデヒド、及び／又は、水酸基を有するナフトアルデヒドの１種類以上の化合物及び／又はその等価体とを縮合することにより得られるポリマーを含有するレジスト下層膜材料。
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【課題】 上塗りフォトレジストの溶剤に対してレジスト下層膜中の光酸発生剤が溶出することがないこと、レジスト下層膜の感度調節が可能なこと、及びフォトレジスト膜がアルカリ現像される際に同時にアルカリ現像されるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物を提供する。
【解決手段】 下記式（１）：
【化１】


（ただし、Ｑは２〜６価の有機基であり、Ｒ^１は単結合又は２価の連結基を示し、ｎ１は１〜６の整数であり、ｎ２は２〜６の整数である。）で示される架橋剤を含む感光性レジスト下層膜形成組成物。Ｑがベンゼン環、シクロヘキサン環、又はトリアジントリオン環である。アルカリ可溶性樹脂（Ａ）、式（１）に記載の架橋剤（Ｂ）、光酸発生剤（Ｃ）、及び溶剤（Ｄ）を含む。アルカリ可溶性樹脂（Ａ）が、水酸基、カルボキシル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、カルボン酸エステル基、又はそれらの組み合わせを有する。 （もっと読む）

【課題】レジスト下層膜用芳香族環含有重合体、この重合体を含むレジスト下層膜組成物、および素子のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】前記重合体は、下記化学式（１）で表示される繰り返し単位を含む芳香族環含有重合体である。
【化１】


化学式（１）において、Ｒ１およびＲ２は互いに独立して、水素原子、置換の炭素数１〜１０のアルキル基、また炭素数６〜２０のアリール基であり、Ａはヘテロ原子を含む芳香族化合物またはヘテロ原子を含まない芳香族化合物から誘導された作用基であり、ｎは１〜１００の整数である。 （もっと読む）

【課題】下塗り反射防止層として使用されることができ、かつ水性フォトレジスト現像剤で除去されうる新たな組成物を提供する。
【解決手段】上塗りフォトレジスト層の現像中の単一工程をはじめとする水性アルカリ現像剤で現像されうる有機コーティング組成物、特に反射防止コーティング組成物が提供される。好ましいコーティング組成物は少なくとも４種の異なる官能基を含むテトラポリマーを含む。 （もっと読む）

【課題】新規多層フォトレジスト系の提供。
【解決手段】多層フォトレジスト系が提供されている。特別の局面においては、本発明は、オーバーコートされたフォトレジスト用の下層組成物、特に短い露光波長で像形成されるオーバーコートされたケイ素含有フォトレジストに関する。好ましい下層組成物は、耐エッチング性と反射防止性を付与する１つ以上の樹脂と他の構成成分、例えばフェニルあるいは他の耐エッチング性の基を含有する１つ以上の樹脂とアントラセンまたはフォトレジストの露光放射線に有効な反射防止性発色団部分である他の部位を含む。 （もっと読む）

【課題】微細化したホール又はラインのパターンを、従来よりも容易に形成する製造方法を提供する。
【解決手段】被加工膜（２）上に第１のカーボン膜（３）と第１のＡＲＬ（４）を順次堆積し、第１のＡＲＬをパターニングする工程、第２のカーボン膜（６）と第２のＡＲＬ（７）を順次堆積し、第２のＡＲＬをパターニングする工程と、第２のＡＲＬをマスクとして第２のカーボン膜を除去する工程と、露出した第１のＡＲＬとをマスクとして、第１のカーボン膜を除去する工程と、残存している第１及び第２のカーボン膜をマスクとして被加工膜のエッチングを行う工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】複数回の露光処理によりゲート加工を行う半導体装置の製造方法に関し、工程数の増加等の問題を抑制する。
【解決手段】端部同士が隙間を挟んで対向する少なくとも一対のゲート電極を形成する半導体装置の製造方法であって、当該方法では、基板（１１１）上に、ゲート絶縁膜（１１２）とゲート電極層（１１３Ｘ）とを形成し、前記ゲート電極層上に形成された第１のレジスト（２０２）又は第１の反射防止膜（２０１）をマスクとして、前記ゲート電極層を加工することにより、前記ゲート電極層を、前記隙間が形成される領域から除去して、前記ゲート電極層に穴（１２１）を形成し、前記穴が形成された前記ゲート電極層上に形成された第２のレジスト（３０２）又は第２の反射防止膜（３０１）をマスクとして、前記ゲート電極層を加工することにより、前記ゲート電極層から、前記端部同士が前記隙間を挟んで対向する前記少なくとも一対のゲート電極（１１３）を形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性に優れ、かつレジスト膜の露光時、反射率の低下が可能なアモルファスカーボン膜を形成する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、ウエハ上にエッチング対象膜を形成する工程、処理容器内にＣＯガス及びＮ２ガスを含む処理ガスを供給する工程、供給されたＣＯガス及びＮ２ガスからアモルファスカーボンナイトライド膜３３０を成膜する工程、膜３３０上に酸化シリコン膜３３５を形成する工程、膜３３５上にＡｒＦレジスト膜３４５を形成する工程、ＡｒＦレジスト膜３４５をパターニングする工程、ＡｒＦレジスト膜３４５をマスクとして酸化シリコン膜３３５をエッチングする工程、酸化シリコン膜３３５をマスクとしてアモルファスカーボンナイトライド膜３３０をエッチングする工程、アモルファスカーボンナイトライド膜３３０をマスクとしてエッチング対象膜をエッチングする工程を有する。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法によるパターン不良の発生を防止して、良好な形状を有する微細パターンを得られるようにする。
【解決手段】基板１０１の上にポジ型化学増幅レジストからなるレジスト膜１０２を形成し、その上にアルカリ可溶で芳香環を有するフッ素ポリマーを含む光吸収膜１０３を形成する。その後、第１のマスクを介した極紫外線からなる第１の露光光１０４をレジスト膜に光吸収膜を通して照射することにより第１のパターン露光を行う。続いて、第２のマスクを介した露光光１０５をレジスト膜に光吸収膜を通して照射することにより第２のパターン露光を行う。基板を加熱した後、レジスト膜を現像して光吸収膜を除去すると共にレジスト膜からレジストパターン１０２ａを形成する。第２のマスクの開口部は、第１のマスクにおける開口部が形成されていない非開口部に相当する領域に形成されている。 （もっと読む）

【解決手段】式（１）及び／又は（２）の繰り返し単位を有し、露光波長における消光係数（ｋ値）が０．０１〜０．４の範囲の高分子化合物（Ａ）と、芳香環を有し、露光波長における消光係数（ｋ値）が０．３〜１．２の範囲の高分子化合物（Ｂ）とを含む反射防止膜形成材料。


【効果】反射防止膜形成材料は従来の有機反射防止膜と同じプロセスで製膜が可能であり、また、その反射防止膜はリソグラフィーにおいて効果的に露光光の反射を防止するものである。 （もっと読む）

【課題】塗布膜の形成が安定に行なわれる塗布装置と、それを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】塗布装置１では、半導体基板を加熱するベークチャンバー２と、そのベークチャンバー２において昇華した昇華物等を捕らえる排気トラップ１０を備えている。ベークチャンバー２と排気トラップ１０とは、排気管３によって接続されている。排気トラップ１０は、外壁部１１ａと内壁部１１ｂとを含む二重構造のトラップ本体１１を備えている。外壁部１１ａと内壁部１１ｂとの間の空間へ第１冷却水が導入される。また、内壁部１１ｂの内側の空間には冷却水配管１３が配設されて第２冷却水が導入される。その内壁部１１ｂの内側の空間に排気が送り込まれる。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの検出が可能であるとともに、チャージアップしにくいハードマスクおよびこのハードマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスが形成された半導体基板上に被加工膜１０２を形成し、この被加工膜上にハードマスク１１０を形成してから前記被加工膜をパターニングする工程を含む半導体装置の製造方法において、前記ハードマスクとして、前記被加工膜上に順次積層された導電性カーボン膜１０３及び透光性カーボン膜からなる透明積層膜１０４を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハトラックシステム内において半導体ウェーハ処理を遂行するためのプラズマチャンバ。
【解決手段】処理チャンバは、半導体ウェーハ表面を処理プラズマに曝すためのウェーハトラックセル内の熱スタックモジュールとして構成することができる。シャワーヘッド電極及びウェーハチャックアセンブリを処理チャンバ内に位置決めし、半導体ウェーハのプラズマ強化処理を遂行させることができる。種々の型のガス供給源をシャワーヘッド電極と流体的に通じさせ、所望のプラズマを形成するガス状混合体を供給することができる。ガスの流れをコントローラ及び一連のガス制御弁によって調整し、予め選択されたガス状混合体を形成させ、半導体ウェーハ表面に曝されるプラズマとして処理チャンバ内へ導入することができる。予め選択されたガス状混合体は、表面プライム処理及び底反射防止被膜（ＢＡＲＣ）堆積のような異なる半導体ウェーハ処理動作のために処方することができる。 （もっと読む）

【課題】短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有２層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層膜による３層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有することを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化３７】
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【課題】
半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて用いられるレジスト下層膜形成組成物を提供する。
【解決手段】 半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいてフォトレジストの下層に使用されるレジスト下層膜を電子線照射によって硬化する組成物であって、重合性物質を含むレジスト下層膜形成組成物。前記重合性物質が電子線照射により重合可能な反応性基を少なくとも一つ有する化合物である。電子線照射による重合可能な反応性基が、炭素と炭素の不飽和多重結合を有する反応性基、又はエポキシ基を有する反応性基である。炭素と炭素の不飽和多重結合を有する反応性基が、アクリレート基、メタクリレート基、又はビニルエーテル基である。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜材料であって、エッチング速度が速く、このためレジスト下層膜として用いると、エッチング中のレジストパターンの膜減りが少なく、パターンの変形も小さく抑えることが出来る。また、架橋密度が高いために熱架橋後に緻密な膜を形成でき、そのために上層レジスト膜とのミキシングを防止でき、現像後のレジストパターンが良好である反射防止膜材料を提供する。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する重合体を含むことを特徴とする反射防止膜材料。
【化５３】
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【課題】複数のパターンを合成して微細パターンを形成する方法において、プロセスを簡易化し、低コストで実施できる方法を提供する。
【解決手段】第１のパターンを形成する工程と、保護膜を形成する工程と、第２のパターンを保護膜上に形成する工程と、第２のパターンをマスクとして、保護膜と、保護膜により保護されたパターンをドライエッチングする工程と、保護膜を除去する工程とを備え、保護膜の形成工程から保護膜の除去工程までの工程を、単数回または複数回実施する。 （もっと読む）

【課題】光およびフォトレジスト自体の厚さによって生じる定常波を除去し、安定した超微細パターンを形成可能な有機反射防止重合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】下記の一般式Ｉ等で表される重合体化合物。


例えば、２４８ｎｍ（ＡｒＦ）、１９３ｎｍ（ＡｒＦ）および１５７ｎｍ（Ｆ₂）レ−ザ−を利用するリソグラフィー工程においては下部膜の反射を防止することができ、且つ光およびフォトレジスト自らの厚さの変化によって生じる定常波を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体リソグラフィーにおいて使用されるレジスト膜や、レジスト膜の上層又は下層に形成される反射防止膜、ギャップフィル膜、トップコート膜等の薄膜形成に用いられる、半導体リソグラフィー用共重合体であって、薄膜形成用組成物溶液への溶解性に優れ、マイクロゲル等の微粒子が発生しにくく、パターン欠陥が発生しにくい半導体リソグラフィー用共重合体と、該共重合体を工業的なスケールで安定して製造する方法の提供。【解決手段】水酸基を有する繰り返し単位（Ａ）、アルカリ現像液への溶解を抑制すると共に酸の作用で解離する基で水酸基を保護した構造を有する繰り返し単位（Ｂ）、ラクトン構造を有する繰り返し単位（Ｃ）及び環状エーテル構造を有する繰り返し単位（Ｄ）から選ばれる少なくとも１種以上の繰り返し単位を含む共重合体であって、該共重合体を含む、粘度が１５ｍＰａ・ｓｅｃのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を、圧力差０．１ＭＰａで細孔径０．０３μｍのフィルターに６０分間通液したときのフィルター面積当たりの平均流速が２００ｇ／ｍｉｎ／ｍ²以上であることを特徴とする半導体リソグラフィー用共重合体及びその製造法。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜との密着性に優れ、レジストパターンの再現性を向上させるとともに、現像等に用いられるアルカリ液及びレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性を有するレジスト下層膜を形成することができ、且つ、保存安定性に優れたレジスト下層膜用組成物を提供する。
【解決手段】本レジスト下層膜用組成物は、下記［Ａ−１］、［Ｂ］及び［Ｃ］のシラン化合物由来のポリシロキサン（例えば、［Ａ−１］、［Ｂ］及び［Ｃ］のシラン化合物の混合物の加水分解物及び／又はその縮合物等）を含有する。
［Ａ−１］；Ｒ^１_ｂＲ^２_ｃＳｉ（ＯＲ^３）_４−ａで表されるシラン化合物
［Ｂ］；Ｒ^４_ｅＲ^５_ｆＳｉ（ＯＲ^６）_４−ｄで表されるシラン化合物
［Ｃ］；Ｒ^７_ｇＳｉ（ＯＲ^８）_４−ｇで表されるシラン化合物 （もっと読む）