【課題】外部振動や機械的衝撃に対して高い信頼性を確保した水晶発振器や表面弾性波デバイスを他の電子デバイスとともに搭載した電子モジュールを提供する。
【解決手段】複数の電子デバイス３ａ,３ｂ、４ａ,４ｂ、５ａ,５ｂの端子部を支持基板１とは反対側の面である上面に露出させて同一平面となるように配置した状態で樹脂６を用いて埋設し、各電子デバイスの露出面にある各電子部品の接続電極あるいは接続端子と接続する配線／回路パターン８を形成する。配線／回路パターン８の一部に設けた外部接続端子を半田ボール９を用いて実装機器のマザーボードに実装する。 （もっと読む）

【課題】Sn系はんだを用いて半導体素子を接続した半導体装置において、高温環境下においても動作安定性を確保でき、かつ、高電流負荷に耐えうる構造体を提供する。
【解決手段】金属製導体に固定したセラミックス基板２３に半導体素子を装着して金属製導体に放熱用のヒートシンクを取付けた構成を有する半導体装置において、半導体素子はセラミックス基板２３に装着する側の面にNiメタライズ層が形成されており、半導体素子のNiメタライズ層が形成された面とセラミックス基板２３とを母相の平均結晶粒径が２０μｍ以上のSn系はんだで接合した構成とした。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の接合強度の低下が抑制されたセラミックス配線基板を提供する。
【解決手段】セラミックス配線基板１０は、セラミックス基板１１とその上に形成された配線層１２とを具備する。配線層１２は、セラミックス基板１１の表面に順に積層された下地金属層１５、第１の拡散防止層１６および第１のＡｕ層１７を有する配線部１３と、配線部１３上の所望の位置に順に積層された第２の拡散防止層１９、空孔抑制層２０および半田層１８を有する接続部１４とを備える。空孔抑制層２０はＡｕやＡｕを８５質量％以上含むＡｕ−Ｓｎ合金により構成される。 （もっと読む）

【課題】接着シートごとダイシングして接着シートが貼着された半導体チップを形成することができ、接着シートの熱応力緩和機能を確保しつつ半導体チップの実装信頼性の低下を抑制できる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ（７０）の一面（７２）に接着シート（５０）を貼着した状態で、接着シート（５０）ごと半導体ウェハ（７０）をダイシングすることにより、接着シート（５０）が貼着された半導体チップ（４０）を形成するダイシング工程と、貼着された接着シート（５０）により、半導体チップ（４０）を支持部材（３０）の一面に接着固定する固定工程を備える。そして、接着シート（５０）として、空隙（５１ａ）の形成された多孔質層（５１）を少なくとも有するとともに、空隙（５１ａ）の直径が、水蒸気の粒子径よりも大きく、ダイシング時に供給される切削水（Ｗ１）の粒子径よりも小さいものを用いる。 （もっと読む）

【課題】 素子部品の搭載を容易にする。
【解決手段】 素子部品が収納されたパレットから導電性接着剤が設けられた素子搭載部材ウェハに素子部品を搭載する素子部品搭載装置であって、パレットから移動された素子部品を仮置きするトレーと、パレットに収納された複数の素子部品を吸引する複数の吸着部を有し、吸着部で素子部品をトレーに仮置きし、仮置きした素子部品をトレーから素子搭載部材ウェハの所定の位置に搭載する吸引移動手段とを備え、トレーが素子部品を個別に仮置きさする複数の凹部を有し凹部の壁面が傾斜しつつ凹部の開口側に露出しており、吸引移動手段がトレーの凹部に素子部品を仮置きした場合に、素子部品が凹部の傾斜した壁面を滑り凹部の底面に位置したところで、再度、素子部品を吸引して素子搭載部材ウェハの搭載位置まで移動して吸引した素子部品を所定の位置に搭載することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】振動子の発振周波数不安定を抑制し、安定的に発振させる事ができる振動子の作製方法、振動子作製用マスク、及び振動子用パッケージを提供する。
【解決手段】振動子作製方法は、貫通孔１４ａ、１４ｂが設けられたマスク１０を基台に載置した状態で、貫通孔内に第１の開口から充填された接着剤と接する貫通孔周りのマスク１０の側壁のうち、第１の開口を含むマスク表側側壁領域を除き、第１の開口と反対側の第２の開口を含むマスク裏側側壁領域を加熱素子２２ａ、２２ｂにて加熱する事で、接着剤の側壁部を部分的に硬化させ、マスク１０を基台から除去後、基台に設けられた接着剤を用いて振動板を基台に接着させる事により振動子を作製する。振動子作製用マスクは、上記加熱素子を有するマスクで、振動子用パッケージは、振動板を接着するための基台上に、振動板を接着するための接着剤の塗布領域を加熱する加熱素子を有する。 （もっと読む）

【課題】低温加圧焼結接合を含む２個の接合素子の構成体およびその製造方法の提供。
【解決手段】低温加圧焼結接合によって相互に材料密着結合で接合される第１および第２の接合素子を含む構成体に関する。関連する製造方法は次のステップを含む。すなわち、その上に平面状の金属酸化物の層２４０を含む卑金属からなる表面部分１８を有する第１接合素子１０を用意するステップと、その第１接合素子の第１接触面として設けられる表面部分の領域に還元剤を施与するステップと、その還元剤に焼結ペーストからなる層を施与するステップと、その焼結ペーストからなる層の上に第２接合素子５０の第２接触面５６を配置するステップと、材料密着結合の低温加圧焼結接合を形成するために、構成体に温度および圧力を加えるステップと、である。 （もっと読む）

【課題】高出力で信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】基体と、前記基体に設けられた導電部材と、前記導電部材の少なくとも一部に設けられた銀含有金属と、前記基体上に載置された発光素子と、前記発光素子および前記銀含有金属の表面において、一部を被覆する絶縁部材と、前記絶縁部材が形成されていない部位を被覆するように設けられる絶縁性のフィラーと、を備える発光装置。 （もっと読む）

【課題】素子チップに傾きを生じることなく、確実な接合が可能で、かつ信頼性の高い回路モジュールを提供する。
【解決手段】表面に配線導体層を有するとともに、素子搭載領域に凹部を有する回路基板と、前記凹部をまたぐように、前記回路基板上に搭載される素子チップとを具備し、前記素子チップは、前記凹部の一部を残すように、前記凹部内に充填された接着部材を介して前記回路基板に固着された、回路モジュールを構成する。 （もっと読む）

【課題】より簡易な構造でありながら、半導体素子や絶縁基板の接合に用いられる半田等、導電性の接合層に生じるクラック等の劣化の有無を精度よく管理することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板１２０に半田層を介して実装された半導体素子１１０が絶縁基板１２０と共々、特定の角部１１０ａ及び１２０ａ以外の角部の面取りによってその熱応力の集中する部位がこれらの角部１１０ａ及び１２０ａに偏倚されるようにする。そして、これら角部１１０ａ及び１２０ａにはその温度を検知する温度検知素子ＴＭ１及びＴＭ２が設けて、半田層へのクラック等の発生の有無、すなわち劣化の有無を管理する。 （もっと読む）

【課題】受光素子との間の接着部の領域を限定しても、その接着力を高める。
【解決手段】固体撮像装置１のパッケージは、固体撮像素子４が搭載される搭載面１０を有する。搭載面１０の少なくとも一部の領域内において、凹部１０ａが搭載面１０内の所定直線に沿って断続するように形成される。接着剤２０は、搭載面１０の一部の領域のみに配置され、接着剤２０の一部が凹部１０ａの少なくとも一部に入り込んで固体撮像素子４を搭載面１０に接着する。 （もっと読む）

【課題】例えば半導体ウェハ等の部材に低温で貼り付けることができると共に、例えばダイシングシート等の部材から容易に剥離することができる接着フィルム及び接着シート、並びにそれらを用いた半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】接着フィルム１は、高タック面Ａと低タック面Ｂとを有する。高タック面Ａは第１熱可塑性樹脂を含み、低タック面Ｂは第２熱可塑性樹脂を含む。第１熱可塑性樹脂のガラス転移温度は０℃以上４０℃未満であり、第２熱可塑性樹脂のガラス転移温度は４０℃以上８０℃未満である。接着フィルム１は、第１熱可塑性樹脂を含む第１ワニスと第２熱可塑性樹脂を含む第２ワニスとを基材上に重ねて塗布した後、乾燥することによって基材上に形成される。 （もっと読む）

【課題】 十分な耐熱性、耐湿性及び耐リフロー性を有し、且つ、圧着による凹凸の埋込性に優れながらも半導体装置の製造過程における素子の反りを従来よりも少なくすることができるフィルム状接着剤、及び、これを用いて製造される半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体素子９と、該半導体素子９を搭載する支持部材１０とを備え、半導体素子９及び支持部材１０が、熱硬化性であって、硬化前の８０℃における溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ以上１００００Ｐａ・ｓ以下であり、１２０℃で１時間加熱したときの１２０℃における貯蔵弾性率が０．００５ＭＰａ以上１ＭＰａ以下であり、１２０℃で２時間加熱したときの１２０℃におけるずり貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以下であるフィルム状接着剤の硬化物１’により接着されている半導体装置２００。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のＡｌ電極と、金属粒子を接合の主剤とする接合材との接合部の接合信頼性を向上させる手段を提供する。
【解決手段】半導体素子のＡｌ電極がＡｇ又はＣｕで構成された接合層を介して接続され、前記接合層と前記Ａｌ電極とが非晶質層を介して接合している構造を備えた半導体装置を特徴とする。平均粒径が１ｎｍ〜５０μｍの金属酸化物粒子と酢酸系化合物、またはギ酸系化合物、及び有機物からなる還元剤とを含む接合材料により、大気雰囲気中において接合を行うことでＡｌ電極に対して優れた接合強度が得ることができる。 （もっと読む）

【課題】電子素子の傾斜による、電子素子の実装面の隅部とベース部の一面とが接触するリスクを低減する電子デバイスの提供。
【解決手段】弾性表面波共振子１は、絶縁体からなるベース部１１を有し、ベース部１１の底面１１ａにメタライズパターン１１ｂを設けたパッケージ１０と、メタライズパターン１１ｂ上に実装され、他方の主面２８が略矩形形状の弾性表面波素子片２０とを備え、メタライズパターン１１ｂが、平面視で弾性表面波素子片２０の他方の主面２８の隅部２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄと重ならないように形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガスの発生がきわめて多量な導電性接着剤を用いて半導体素子の接続を行う場合においても、半導体素子の裏面に溝加工などの加工を不要とし、接続層内部にガスがトラップされることにより形成される接続欠陥としてのボイドの発生を抑制することである。
【解決手段】半導体素子１と基材２との接続面に沿った方向に加速度を、基材２、接続層７および半導体素子１に対して加えながら接続を行なうという工程を導入することにより、接続の過程でガスを効率よく接続層の外部に放散することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に生じる応力を低減することが可能な半導体素子の実装構造を提供する。
【解決手段】半導体素子１は、当該半導体素子１の外周形状に基づいて規定した仮想三角形の３つの頂点に対応する３箇所で接着剤（例えば、弾性率が１ＭＰａ以下のシリコーン樹脂などのシリコーン系樹脂など）からなる接着部２により基板に固着されている。ここにおいて、半導体素子１は、基板３側とは反対側の表面側（上記一表面側）において全てのパッド１９が１辺に沿って配置されており、当該１辺の両端の２箇所と、当該１辺に平行な辺上の１箇所との３箇所とに頂点を有する仮想三角形の各頂点に接着部２が位置しており、各パッド１９にボンディングワイヤを安定してボンディングすることができる。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板上の厚膜導体の上に、シリコン半導体よりなる半導体チップをはんだダイボンドにより、接続するようにした半導体チップの実装方法において、はんだ濡れ性を確保しつつ、厚膜導体のはんだ食われを極力防止する。
【解決手段】厚膜導体１１の表面に、当該表面側から、活性金属よりなり厚膜導体１１が溶融したはんだ３０に溶け出すのを防止する溶出防止膜１１ａ、この溶出防止膜１１ａよりも溶融したはんだ３０に溶け出しやすく当該溶融したはんだ３０に犠牲的に溶け出す犠牲膜１１ｂ、厚膜導体１１よりもはんだ３０の濡れ性に優れ当該濡れ性を確保する濡れ性向上膜１１ｃを順次、積層し、その後、はんだ３０を介した半導体チップ２０の搭載、および、はんだ３０による接続を行う。 （もっと読む）

【課題】セラミックス回路基板の金属板部分に半導体素子が確実に接合され、熱抵抗不良や剥離等の発生が抑制された半導体装置を提供すること。
【解決手段】セラミックス基板と、前記セラミックス基板の表面に直接接合され、主としてアルミニウムからなる金属板と、前記金属板上に接合された半導体素子とを具備する半導体装置において、前記金属板の主面における前記半導体素子が接合される部分に、複数の溝が設けられているもの。 （もっと読む）

【課題】ＤＢＣ基板にパワー半導体チップを半田接合する際に、半田材の飛散やチップずれによる不都合を解消した半導体装置を提供する。
【解決手段】セラミック基板２１の少なくとも一方の主面に回路配線用導体として島状に導体パターン２３，２４が接着され、セラミック基板２１との境界部分に沿う導体パターン２３，２４の主面の縁部に複数の応力緩和用のディンプル６が加工され、導体パターン２３，２４上のパワー半導体チップ４１〜４３が配置される領域、およびパワー半導体チップ４１〜４３の配置領域の周辺部に形成されたディンプル６内に半田ペーストが部分塗布され、パワー半導体チップ４１〜４３を導体パターン２３，２４上に載置して半田ペーストを加熱処理することによって半田接合されるとともに、ディンプル６内に半田層３が充填される。 （もっと読む）